2022級(jí)高二物理期末考

2022級(jí)高二第一學(xué)期期末考試物理試卷命題人：林瀚審題人：陳秋雄單選題（本題共8個(gè)小題，每小題4分，共32分）如圖所示，實(shí)線為三條未知方向的電場(chǎng)線，從電場(chǎng)中的M點(diǎn)以相同的速度飛出a、b兩個(gè)帶電粒子，a、b的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖中的虛線所示，設(shè)a、b只受電場(chǎng)力作用，則()a一定帶正電，b一定帶負(fù)電a的加速度將減小，b的加速度將增大a的速度將減小，b的速度將增大D.電場(chǎng)力對(duì)a做正功，對(duì)b做負(fù)功2．“殲20”飛機(jī)是中國(guó)自主研制的新一代隱身戰(zhàn)斗機(jī)，在第11屆中國(guó)航展上首次公開亮相。由于地磁場(chǎng)的存在，飛機(jī)在我國(guó)上空一定高度水平飛行時(shí)，其機(jī)翼就會(huì)切割磁感線，機(jī)翼的兩端之間會(huì)有一定的電勢(shì)差。則從飛行員的角度看，機(jī)翼左端的電勢(shì)比右端的電勢(shì)（）A．低B．高 C．相等 D．以上情況都有可能3．如圖所示，金屬桿ab的質(zhì)量為m，長(zhǎng)為L(zhǎng)，通過(guò)的電流為I，處在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向與導(dǎo)軌平面夾角為θ斜向上，金屬桿ab始終靜止于水平導(dǎo)軌上，則以下正確的是（）A．金屬桿受到的安培力的大小為B．金屬桿所受摩擦力大小為C．金屬桿對(duì)導(dǎo)軌壓力可以為0D．僅使磁感應(yīng)強(qiáng)度B反向，其它條件不變，摩擦力大小不變4.如圖所示，用絕緣細(xì)線將通電直導(dǎo)線懸吊，將一蹄形電磁鐵放在正下方，當(dāng)電磁鐵線圈與直導(dǎo)線中通以圖示的電流時(shí)，有關(guān)直導(dǎo)線運(yùn)動(dòng)情況和細(xì)線受力情況，下列說(shuō)法中正確的是(從上往下看)()順時(shí)針?lè)较蜣D(zhuǎn)動(dòng)，細(xì)線拉力減小B.逆時(shí)針?lè)较蜣D(zhuǎn)動(dòng)，細(xì)線拉力增大C.順時(shí)針?lè)较蜣D(zhuǎn)動(dòng)，細(xì)線拉力增大D.逆時(shí)針?lè)较蜣D(zhuǎn)動(dòng)，細(xì)線拉力減小如圖所示，某空間有水平向右的勻強(qiáng)電場(chǎng)和垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，一帶電小球在電磁場(chǎng)中沿直線ab運(yùn)動(dòng)，下列關(guān)于小球的說(shuō)法中正確的是()A．帶正電B．運(yùn)動(dòng)方向一定為從a到bC．動(dòng)能減少D．電勢(shì)能增加6.如圖所示，上下開口、內(nèi)壁光滑的銅管P和塑料管Q豎直放置。小磁塊先后在兩管中從相同高度處由靜止釋放，并落至底部。不計(jì)空氣阻力，則小磁塊()A.在P和Q中都做自由落體運(yùn)動(dòng)B.在兩個(gè)下落過(guò)程中的機(jī)械能都守恒C.在P中的下落時(shí)間比在Q中的長(zhǎng)D.落至底部時(shí)在P中的速度比在Q中的大7．如圖所示為現(xiàn)代科技在電磁場(chǎng)中的兩種物理模型示意圖，關(guān)于這兩種模型及其應(yīng)用的描述，下列說(shuō)法正確的是()圖甲是質(zhì)譜儀結(jié)構(gòu)模型，若僅增大磁感應(yīng)強(qiáng)度B2，則粒子打在照相底片上的位置與狹縫S3的距離變大圖甲是質(zhì)譜儀結(jié)構(gòu)模型，若選用比荷更大的粒子進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，則粒子打在照相底片上的位置與狹縫S3的距離變大C.圖乙是回旋加速器模型，若僅增大磁感應(yīng)強(qiáng)度B，可增大粒子的最大動(dòng)能D.圖乙是回旋加速器模型，若僅增大交變電壓U，可增大粒子的最大動(dòng)能8．如圖所示電路，電源內(nèi)阻不可忽略。開關(guān)S閉合后，在滑動(dòng)變阻器的滑片向上移動(dòng)的過(guò)程中（電壓表和電流表均可視為理想電表）（）A.電壓表的示數(shù)減小 B．電流表的示數(shù)減小C．電源的總功率增大 D．電源內(nèi)阻消耗的電功率減小多選題（共4小題，每小題6分，共24分．全部選對(duì)6分，漏選得3分，錯(cuò)選得0分．）9．心臟驟停最有效的搶救方式是盡早通過(guò)AED自動(dòng)除顫?rùn)C(jī)給予及時(shí)治療。如圖，某型號(hào)AED模擬治療儀器內(nèi)有一電容為的電容器，某次使用過(guò)程中，該電容器在內(nèi)充電至電壓，之后在時(shí)間內(nèi)完成放電，則（）A.電容器充電后所帶的電荷量為 B．電容器充電過(guò)程中電容一直增大C．電容器放電過(guò)程中放電電流一直減小 D．電容器放電過(guò)程中平均電流為10．電磁技術(shù)在生活中的應(yīng)用非常廣泛：圖甲是霍爾元件，當(dāng)通以如圖所示的電流I和磁場(chǎng)B時(shí)，即可在M、N兩極處產(chǎn)生電壓，電壓的大小可以用來(lái)檢測(cè)磁場(chǎng)的變化；圖乙是冶煉合金鋼的真空冶煉爐的示意圖。則下列說(shuō)法正確的是（

）A．圖甲中，若霍爾元件的載流子為負(fù)離子，則N點(diǎn)的電勢(shì)高于M點(diǎn)B．圖甲中，若霍爾元件的載流子為負(fù)離子，則M點(diǎn)的電勢(shì)高于N點(diǎn)C．圖乙中，當(dāng)真空冶煉爐的線圈中通高頻交流電時(shí)，線圈電阻產(chǎn)生焦耳熱，從而煉化金屬D．圖乙中，當(dāng)真空冶煉爐的線圈中通高頻交流電時(shí)，使?fàn)t內(nèi)的金屬產(chǎn)生渦流，從而煉化金屬11．空間中存在方向與紙面垂直、大小隨時(shí)間變化的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，其邊界如圖（a）中虛線所示，一硬質(zhì)細(xì)導(dǎo)線做成半徑為的圓環(huán)固定在紙面內(nèi)，圓心在上。時(shí)磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向如圖（a）所示。磁感應(yīng)強(qiáng)度隨時(shí)間的變化關(guān)系如圖（b）所示，則在到的時(shí)間間隔內(nèi)（）A．圓環(huán)所受安培力的方向始終不變B．圓環(huán)所受安培力的大小始終不為0C．圓環(huán)中的感應(yīng)電流始終沿順時(shí)針?lè)较駾．圓環(huán)中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大小為B12．兩個(gè)比荷相等的帶電粒子a、b，以不同的速率va、vb對(duì)準(zhǔn)圓心O沿著AO方向射入圓形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，兩粒子射出磁場(chǎng)時(shí)的速度偏轉(zhuǎn)角分別為1200、600，其運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示。不計(jì)粒子的重力，則下列說(shuō)法正確的是（）A．a(chǎn)粒子帶正電，b粒子帶負(fù)電B．粒子射入磁場(chǎng)中的速率C．粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間D．若將磁感應(yīng)強(qiáng)度變?yōu)樵瓉?lái)的倍，a粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間將變?yōu)樵瓉?lái)的三、實(shí)驗(yàn)題（每空2分共16分）13．（6分）在“描繪小燈泡的伏安特性曲線”的實(shí)驗(yàn)中，實(shí)驗(yàn)室備有下列器材供選擇：A．待測(cè)小燈泡“3V，0.6A”B．電流表A1（量程0.6A，內(nèi)阻約為5Ω）C．電壓表V1（量程3V，內(nèi)阻約為10kΩ）D．電壓表V2（量程15V，內(nèi)阻約為50kΩ）E．滑動(dòng)變阻器（最大阻值為100Ω，額定電流50mA）F．滑動(dòng)變阻器（最大阻值為10Ω，額定電流1A）G．電源（電動(dòng)勢(shì)為4V，內(nèi)阻不計(jì)）H．開關(guān)及導(dǎo)線等（1）在圖甲實(shí)物圖中，有部分線已連好，要求小燈泡的電壓從零開始測(cè)量，請(qǐng)連成符合要求的完整的電路圖。（2）某同學(xué)實(shí)驗(yàn)后作出的圖像如圖乙所示，則當(dāng)燈泡兩端的電壓為1.6V時(shí)，燈泡的實(shí)際電阻是Ω（結(jié)果保留兩位有效數(shù)字）。（3）若將此燈泡與電動(dòng)勢(shì)為1.4V，內(nèi)阻為2.8Ω的電源串聯(lián)，燈泡消耗的功率是W。（結(jié)果保留兩位有效數(shù)字）14．（10分）某物理探究小組的同學(xué)設(shè)計(jì)了如圖甲所示的實(shí)驗(yàn)電路測(cè)定干電池的電動(dòng)勢(shì)和內(nèi)阻。實(shí)驗(yàn)器材：A．電池組（兩節(jié)干電池）B．定值電阻C．毫安表（量程為50mA，內(nèi)阻）D．電壓表（量程為3V，內(nèi)阻很大）E．滑動(dòng)變阻器RF．電阻箱G．開關(guān)H．導(dǎo)線若干（1）將電阻箱的阻值調(diào)至，則圖甲中虛線框內(nèi)改裝后電流表的量程為mA。（2）實(shí)驗(yàn)步驟如下：①閉合開關(guān)S前，將滑動(dòng)變阻器R的滑片移到最端（選填“左”或“右”）；②閉合開關(guān)S，改變滑片位置，記下電壓表的示數(shù)U和毫安表的示數(shù)I，多次實(shí)驗(yàn)后將所測(cè)數(shù)據(jù)描繪在如圖乙所示的坐標(biāo)紙上，作出UI圖線。（3）結(jié)合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可以計(jì)算出兩節(jié)干電池的總電動(dòng)勢(shì)E=V，總內(nèi)阻=（結(jié)果均保留兩位有效數(shù)字）。（4）忽略電壓表內(nèi)阻（選填會(huì)”或“不會(huì)”）對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果產(chǎn)生影響。四、計(jì)算題（共28分）（10分）如圖所示，一個(gè)質(zhì)量m=0.1g、電荷量q=5×104C的小滑塊(可視為質(zhì)點(diǎn))，放在傾角為α=37°的光滑絕緣斜面頂端(斜面足夠長(zhǎng))，斜面置于B=0.4T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向垂直紙面向里，小滑塊由靜止開始沿斜面滑下，小滑塊運(yùn)動(dòng)一段距離后離開斜面，g取10m/s2，求：（1）小滑塊的電性；（2）小滑塊離開斜面的瞬時(shí)速率；（3）小滑塊在斜面下滑的距離。16．（18分）在芯片制造過(guò)程中，離子注入是其中一道重要的工序。為了準(zhǔn)確的注入離子，需要在一個(gè)有限空間中用電磁場(chǎng)對(duì)離子的運(yùn)動(dòng)軌跡進(jìn)行調(diào)控?，F(xiàn)在我們來(lái)研究一個(gè)類似的模型。在空間內(nèi)存在邊長(zhǎng)L=0.64m的立方體，以O(shè)為坐標(biāo)原點(diǎn)，沿和方向分別建立x、y、z軸。在面的中心M處存在一粒子發(fā)射源，可在底面內(nèi)平行于底面沿任意方向發(fā)射初速度，比荷的帶正電粒子。在區(qū)域內(nèi)施加一定的勻強(qiáng)電場(chǎng)或者勻強(qiáng)磁場(chǎng)，使粒子可以達(dá)到相應(yīng)的空間位置。不計(jì)重力，則：（1）在立方體內(nèi)施加