硅單晶及其硅片單位產(chǎn)品能耗限額

1硅單晶及其硅片單位產(chǎn)品能源消耗限額本文件規(guī)定了硅單晶和硅單晶片單位產(chǎn)品能源消耗限額的能源限額等級、技術(shù)要求、統(tǒng)計(jì)范圍和方法、計(jì)算方法。本文件適用于半導(dǎo)體級硅單晶和硅單晶片（分為研磨片、拋光片、外延片）單位產(chǎn)品能耗的計(jì)算、考核，以及對新（改、擴(kuò)）建項(xiàng)目的能耗控制。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T2589綜合能耗計(jì)算方法GB/T12723單位產(chǎn)品能源消耗限額編制通則GB17167用能單位能源計(jì)量器具配備和管理通則3術(shù)語和定義GB/T2589和GB/T12723界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1產(chǎn)品綜合能耗ComprehensiveEnergyConsumptionofProduct統(tǒng)計(jì)期內(nèi)，用于生產(chǎn)合格產(chǎn)品所消耗的各種能源，按照規(guī)定的計(jì)算方法和單位分別折算后的總和。3.2單位產(chǎn)品綜合能耗ComprehensiveEnergyConsumptionPerUnitProduct統(tǒng)計(jì)期內(nèi)，產(chǎn)品綜合能耗與合格產(chǎn)品產(chǎn)量的比值。3.3硅單晶片可比產(chǎn)量ComparableOutputofMonocrystallineSiliconWafer企業(yè)生產(chǎn)的不同直徑規(guī)格的合格硅單晶片實(shí)際產(chǎn)量，按硅片表面積折算系數(shù)折算后的產(chǎn)量。3.4硅單晶MonocrystallineSilicon高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)用直拉法生長，用于制造硅片的單晶硅棒材。3.5硅單晶研磨片GroundMonocrystallineSiliconWafer硅單晶切割片經(jīng)研磨工藝加工而成的硅片。3.6硅單晶拋光片PolishedMonocrystallineSiliconWafer硅單晶研磨片經(jīng)拋光加工而成的表面高平坦度的硅片。3.7硅單晶外延片MonocrystallineSiliconEpitaxialWafer在硅單晶拋光片上生長一層或多層硅單晶薄模（外延層）后制成的硅片。3.8產(chǎn)能利用率CapacityUtilization2企業(yè)生產(chǎn)線實(shí)際年合格產(chǎn)品的產(chǎn)出與生產(chǎn)線具備的的年產(chǎn)能力的百分比。4能耗限額等級硅單晶單位產(chǎn)品能耗限額等級見表1，其中1級能耗最低。表1硅單晶片單位產(chǎn)品能耗限額等級見表2、表3，其中1級能耗最低。表2直徑300mm以下硅單晶片單位產(chǎn)品能耗限額等級單位為kWh/pcs表3直徑300mm硅單晶片單位產(chǎn)品能耗限額等級單位為kWh/pcs5技術(shù)要求5.1能耗限定值現(xiàn)有硅單晶和硅單晶片制造單位產(chǎn)品能耗限定值應(yīng)不大于表1、表2、表3中3級。5.2能耗準(zhǔn)入值新（改、擴(kuò)）建硅單晶和硅單晶片制造企業(yè)單位產(chǎn)品能耗準(zhǔn)入值應(yīng)不大于表1、表2、表3中2級。5.3能耗先進(jìn)值現(xiàn)有和新（改、擴(kuò)）建硅單晶和硅單晶片制造企業(yè)宜采用先進(jìn)技術(shù)，使單位產(chǎn)品能耗達(dá)到先進(jìn)水平，不大于表1、表2、表3中1級。6統(tǒng)計(jì)范圍和方法6.1統(tǒng)計(jì)范圍6.1.1各類產(chǎn)品能耗統(tǒng)計(jì)范圍包括生產(chǎn)系統(tǒng)、輔助生產(chǎn)系統(tǒng)、附屬生產(chǎn)系統(tǒng)的各種能源消耗量,不包括氮?dú)?、氧氣、氫氣、氬氣、氦氣等大宗氣體能耗，不包括基建、技改等項(xiàng)目建設(shè)消耗和生產(chǎn)界區(qū)向外輸3出的能源量。6.1.2生產(chǎn)系統(tǒng)是指從原材料和能源進(jìn)入生產(chǎn)界區(qū)開始，到制造成為合格產(chǎn)品并進(jìn)入成品庫為止的整個(gè)工藝加工過程。各類產(chǎn)品生產(chǎn)工序如下：——硅單晶生產(chǎn)工序：從原料（多晶硅）放入石英坩堝內(nèi)熔化開始到產(chǎn)出合格單晶(棒)為止的生產(chǎn)過程，包括配料（含輔料）、拉晶、整形（切斷、滾磨、參考面加工等）；——硅單晶研磨片生產(chǎn)工序：從硅單晶棒切割到產(chǎn)出合格研磨片為止的生產(chǎn)過程，包括切片、研磨、腐蝕、包裝等；——硅單晶拋光片生產(chǎn)工序：從硅單晶棒切割到產(chǎn)出合格拋光片為止的生產(chǎn)過程，包括切片、研磨、腐蝕、拋光、包裝等；——硅單晶外延片生產(chǎn)工序：從硅單晶拋光片放入外延爐長晶開始到產(chǎn)出合格外延片并進(jìn)入成品庫為止的生產(chǎn)過程，包括外延生長、清洗、包裝等。6.1.3輔助生產(chǎn)系統(tǒng)是指為生產(chǎn)系統(tǒng)服務(wù)的過程、設(shè)施和設(shè)備，包括供水、供電、供氣、供熱、制冷、維修、照明、庫房和廠內(nèi)原料場所以及安全、環(huán)保、節(jié)能等裝置及設(shè)施。6.1.4附屬生產(chǎn)系統(tǒng)能耗是指為生產(chǎn)系統(tǒng)配置的生產(chǎn)指揮系統(tǒng)和為生產(chǎn)、技術(shù)服務(wù)的職能部門和單位的設(shè)施和設(shè)備，包括各類辦公室、操作室、休息室、更衣室、原料檢驗(yàn)、成品檢測等設(shè)施和設(shè)備。6.2統(tǒng)計(jì)方法6.2.1采用能源計(jì)量器具對統(tǒng)計(jì)期內(nèi)的能耗數(shù)量進(jìn)行計(jì)量、統(tǒng)計(jì)，不得重計(jì)和漏計(jì)，能源計(jì)量器具應(yīng)符合GB17167中的相關(guān)規(guī)定。6.2.2各種能源應(yīng)按熱值統(tǒng)一折算為電（當(dāng)量值），有實(shí)測條件的，以企業(yè)在統(tǒng)計(jì)期內(nèi)實(shí)測的熱值為準(zhǔn)，沒有實(shí)測條件的，采用GB/T2589表A.1、表A.2、表B.1中給定的能源折標(biāo)準(zhǔn)煤系數(shù)折算。6.2.3統(tǒng)計(jì)期為一個(gè)自然年。6.2.4對確屬無法分開計(jì)算的共用能源，應(yīng)按GB/T2589的規(guī)定按產(chǎn)量與能耗量的比例進(jìn)行分?jǐn)傆?jì)算。6.2.5當(dāng)產(chǎn)能利用率小于80%時(shí)，設(shè)立硅單晶和硅單晶片產(chǎn)能利用率能耗修正系數(shù)，見表4。表4產(chǎn)能利用率能耗修正系數(shù)能耗指標(biāo)修正系數(shù)α注：當(dāng)產(chǎn)能利用率不為整十?dāng)?shù)時(shí)，應(yīng)采用內(nèi)插法確定修正系數(shù)。6.2.6直徑300mm以下硅單晶片產(chǎn)量按可比產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)，以直徑150mm為標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，其他不同直徑規(guī)格的合格硅單晶片實(shí)際產(chǎn)量按表5硅單晶片表面積折算系數(shù)折算為標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格產(chǎn)量。表5硅單晶片表面積折算系數(shù)折算系數(shù)c注：不同直徑規(guī)格硅單晶片均按表面積折算，以直徑150mm的硅片為基數(shù)1.0。7計(jì)算方法47.1.1原則硅單晶和硅單晶片產(chǎn)品綜合能耗計(jì)算應(yīng)符合GB/T2589中對計(jì)算原則和計(jì)算范圍的規(guī)定。7.1.2硅單晶和硅單晶片產(chǎn)品綜合能耗硅單晶或硅單晶片產(chǎn)品綜合能耗按公式(1)計(jì)算：式中：E----統(tǒng)計(jì)期內(nèi)硅單晶或硅單晶片產(chǎn)品綜合能耗，單位為千瓦時(shí)（kWh）；n----消耗的能源種類數(shù)；Ei----統(tǒng)計(jì)期內(nèi)硅單晶或硅單晶片生產(chǎn)所消耗的第i類能源實(shí)物量，單位為實(shí)物量單位；ri----統(tǒng)計(jì)期內(nèi)硅單晶或硅單晶片生產(chǎn)所消耗的第i類能源折電能系數(shù)（參見GB/T2589表A.1、表A.2、表B.1折標(biāo)煤系數(shù)，并按0.1229千克標(biāo)準(zhǔn)煤/千瓦時(shí)(kgce/kWh)轉(zhuǎn)換為折電系數(shù)）。7.1.3硅單晶和硅單晶片單位產(chǎn)品能耗硅單晶或硅單晶片單位產(chǎn)品綜合能耗按公式(2)計(jì)算：式中：e----統(tǒng)計(jì)期內(nèi)單位產(chǎn)品綜合能耗，硅單晶單位為千瓦時(shí)每噸（kWh/t硅單晶片單位為千瓦時(shí)每片（kWh/pcs）E----統(tǒng)計(jì)期內(nèi)硅單晶或硅單晶片產(chǎn)品綜合能耗，單位為千瓦時(shí)（kWh）；α----產(chǎn)能利用率能耗修正系數(shù)，見表4；P----統(tǒng)計(jì)期內(nèi)生產(chǎn)合格產(chǎn)品的產(chǎn)量，其中：硅單晶為實(shí)際總產(chǎn)量，單位為噸(t)；直徑300mm硅單晶片為實(shí)際總產(chǎn)量，單位為片（pcs直徑300mm以下硅單晶片為可比