硬件基礎知識大全

主板

之所以把這東西放在第一位，是因為作為它太重要。

我們常見的主板是ATX主板。它是采用印刷電路板（PCB）制造

而成。是在一種絕緣材料上采用電子印刷工藝制造的。市場上主

要有4層板與6層板二種。常見的都是4層板。用6層PCB板設

計的主板不易變形，穩(wěn)定性大大提高。如果你有幸買到了6層板,

那可絕對超值??！哈！在主板的每層都布滿了電路，所以，如果

PCB板燒壞，比較輕的憑借我們工程師高超的技術，可以通過搭

明線維修，比較嚴重的話，這片主板的生命也就到此結束了！

主板上面的零件看起來眼花繚亂，可他們都是非常有條有理的排

列著。主要包括一個CPU插座；北橋芯片、南橋芯片、BIOS芯

片等三大芯片；前端系統(tǒng)總線FSB、內存總線、圖形總線AGP、

數(shù)據(jù)交換總線HUB、外設總線PCI等五大總線；軟驅接口FDD、

通用串行設備接口USB、集成驅動電子設備接口IDE等七大接口。

一、主板上的主要芯片

1、北橋芯片MCH在CPU插座的左方是一個內存控制芯片,

也叫北橋芯片、一般上面有一鋁質的散熱片。北橋芯片的主要功

能是數(shù)據(jù)傳輸與信號控制。它一方面通過前端總線與CPU交換信

號，另一方面又要與內存、AGP、南橋交換信號。北橋芯片壞了

以后的現(xiàn)象多為不亮，有時亮后也不斷死機。如果工程師判定你

的北橋芯片壞了，再如果你的主板又比較老的話，基本上就沒有

什么維修的價值了

2、南橋芯片ICH4南橋芯片主要負責外部設備的數(shù)據(jù)處理與

傳輸。比ICH4早的有ICHKICH2,ICH3,但它不支持USB2.0。

而ICH4支持USB2.0。區(qū)分它們也很簡單：南橋芯片上有

82801AB82801BB82801CB82801DB分別對應ICHIICH2

ICH3ICH4。南橋芯片壞后的現(xiàn)象也多為不亮，某些外圍設備

不能用，比如IDE口、FDD口等不能用，也可能是南橋壞了。因

為南北橋芯片比較貴，焊接又比較特殊，取下它們需要專門的

BGA儀，所以一般的維修點無法修復南北橋。

3、BIOS芯片F(xiàn)WH它是把一些直接的硬件信息固化在一個只

讀存儲器內。是軟件和硬件之間這重要接口。系統(tǒng)啟動時首先從

它這里調用一些硬件信息，它的性能直接影響著系統(tǒng)軟件與硬件

的兼容性。例如一些早期的主板不支持大于二十G的硬盤等問

題，都可以通過升級BIOS來解決。我們日常便用時遇到的一些

與新設備不兼容的問題也可以通過升級來解決。如果你的主板突

然不亮了，而CPU風扇仍在轉動，那么你首先應該考慮BIOS芯

片是否損壞。

4、系統(tǒng)時鐘發(fā)生器CLK在主板的中間位置有個晶振元件，

它會產生一系列高頻脈沖波，這些原始的脈沖波再輸入到時鐘發(fā)

生器芯片內，經過整形與分頻，然后分配給計算機需要的各種頻

率。

5、超級輸入輸出接口芯片I/O它一般位于主板的左下方或左

上方，主要芯片有Winbond與ITE,它負責把鍵盤、鼠標、串口

進來的串行數(shù)據(jù)轉化為并行數(shù)據(jù)。同時也對并口與軟驅口的數(shù)據(jù)

進行處理。在我們的維修現(xiàn)場，諸如鍵盤與鼠標口壞，打印口壞

等一些外設不能用，多為I/O芯片壞，有時甚至造成不亮的現(xiàn)象。

6、聲卡芯片因為現(xiàn)在的主板多數(shù)都集成了聲卡，而且集成的

多為AC，97聲卡芯片。當然，也有CMI的8738聲卡芯片等。如

果你的集成聲卡沒有聲音，這兒壞了的可能性最大。

二、主板上主要的插座

1、CPU插座目前所有的主板都采用了socket系列零拔力插

座。早期的P3采用的socket370插座，現(xiàn)在的P4多采用

socket478插座，早期的P4也有采用socket423插座的，intel

的服務器CPU如：至雖（Xeon）則采用了socket603插座。Intel

對CPU封裝格式的不斷變化讓我們這些fan們給他送了不少錢

?。〔贿^近日聽說intel下一代CPU的封裝格式還是采用

socket478的格式，這對于不斷追求性能的DIYer們來說可是一

個好消息啊。

2、內存總線插座現(xiàn)在市場上我們能見到的內存有SDRAM、DDR

SDRAM、RAMBUS三種。SDRAM內存由于DDR內存的價格下調已經

逐漸淡出市場，它采用168線插座，中間與左邊有兩個防反插斷

口；DDRSDRAM由于非常高的性價比已經成為市場的主流。它

采用184線插座，在中間只有一個防反插斷口；RAMBUS內存雖

然性能好，但是價格一直高踞不下，加上intel已經放棄了對它

的支持，所以它的前途至今還只是一個懸念！它的插座采用184

線RIMM插座，是在中間有兩個防反插斷口。

有些客戶多次反映在845主板上有時內存認不全的現(xiàn)象，這是因

為lintel845系列主板只能支持4個Bank（一個Bank可以理

解為內存條的一面），在845系列主板上一般設有三個內存插槽,

而第二個插槽與第三個插槽共享二個Bank。所以，如果你在第

二個與第三個插槽插的內存條為雙面的256M,那么就只能認到

一個256M。

3、AGP圖形總線插座它位于CPU插座的左邊，呈棕色。它的

頻率為64MHZ。從速度上分為AGP2X,現(xiàn)在的多為AGP4X,也有一

些主板已經支持AGP8X。由于不同的速度所需要的電壓不同，所

以一些主板不亮主要是用戶把老的AGP2X顯卡插在的新的AGP2X

主板上，從而把AGP插座燒壞！令人欣慰的是一些新的主板已經

在主板上集成了電壓自動調節(jié)裝置，它可以自動識別顯卡的電

o

4、PCI總線插座它呈現(xiàn)為白色，在AGP插座的旁邊，因主

板不同，多少不等。它的頻率為32MHZ。多插網卡，聲卡等其它

一些外設。

5、IDE設備接口它一般位于主板的下面。有四十針八十線。

兩個IDE口并在一起，有時一個呈綠色，表示它為IDEL因為

系統(tǒng)首先檢測IDE1,所以IDE1應該接系統(tǒng)引導硬盤?，F(xiàn)在的主

板多已支持ATA100,有得支持ATA133,但更高端的主板已經支

持串行ATA,它是在并行傳輸速率無法進一步提高的情況下出現(xiàn)

的一種新的、具有更高傳輸速度的技術，也將是下一代的主流技

術。

一口氣說了這么多，我已經口干舌燥了，大家再看看自己的主板,

是不是感覺它比以前熟悉了多了？哈哈!我們也到說再見的時候

了，即然今天說主板，那么我就再說一個關于主板的消息吧，我

們技服中心近日接受了一批維修的板子，我們的工程師維修起來

特別困難，后來經知情人士指點，才發(fā)現(xiàn)這批主板的PCB板邊緣

都有一個針眼大小的缺口。不仔細看根本分辨不出來。大家可不

要小看這個小口中，它是聯(lián)想對報廢主板打的專門的印記！我們

居然修復了好多片，我都不得不傀服我們的技術水平了！這可不

是自夸的喲！所以，大家買二手主板時可一定要小心??！

CPU

主要談談頻率。

1.凡是懂得點電腦的朋友，都應該對，頻率，兩個字熟悉透了吧！

作為機器的核心CPU的頻率當然是非常重要的，因為它能直接影

響機器的性能。那么，您是否對CPU頻率方面的問題了解得很透

徹呢？

所謂主頻，也就是CPU正常工作時的時鐘頻率，從理論上講CPU

的主頻越高，它的速度也就越快，因為頻率越高，單位時鐘周期

內完成的指令就越多，從而速度也就越快了。但是由于各種CPU

內部結構的差異（如緩存、指令集），并不是時鐘頻率相同速度

就相同，比如PHI和賽揚，雷鳥和DURON,賽揚和DURON,PIII

與雷鳥，在相同主頻下性能都不同程度的存在著差異。目前主流

CPU的主頻都在600MHz以上，而頻率最高（注意，并非最快）

的P4已經達到1.7GHz,AMD的雷鳥也已經達到了1.3GHz,而且

還會不斷提升。

在486出現(xiàn)以后，由于CPU工作頻率不斷提高，而PC機的

一些其他設備（如插卡、硬盤等）卻受到工藝的限制，不能承受

更高的頻率，因此限制了CPU頻率的進一步提高。因此，出現(xiàn)了

倍頻技術，該技術能夠使CPU內部工作頻率變?yōu)橥獠款l率的倍

數(shù)，從而通過提升倍頻而達到提升主頻的目的。因此在486以后

我們接觸到兩個新的概念一外頻與倍頻。它們與主頻之間的關系

是外頻X倍頻=主頻。一顆CPU的外頻與今天我們常說的FSB

（Frontsidebus,前端總線）頻率是相同的（注意，是頻率相

同），目前市場上的CPU的外頻主要有66MHz（賽揚系列X100MHz

（部分PIII和部分雷鳥以及所有P4和DURON）、133MHz（部分

PHI和部分雷鳥）。值得一提的是，目前有些媒體宣傳一些CPU

的外頻達到了20OMHz（DURON）、266MHz（雷鳥）甚至400MHz（P4）,

實際上是把外頻與前端總線混為一談了，其實它們的外頻仍然是

100MHz和133MHz,但是由于采用了特殊的技術，使前端總線能

夠在一個時鐘周期內完成2次甚至4次傳輸，因此相當于將前端

總線頻率提升了好幾倍。不過從外頻與倍頻的定義來看，它們的

外頻并未因此而發(fā)生改變，希望大家注意這一點。今天外頻并未

比當初提升多少，但是倍頻技術今天已經發(fā)展到一個很高的階

段。以往的倍頻都只能達到2-3倍，而現(xiàn)在的P4、雷鳥都已經

達到了10倍以上，真不知道以后還會不會更高。眼下的CPU倍

頻一般都已經在出廠前被鎖定（除了部分工程樣品），而外頻則

未上鎖。部分CPU如AMD的DURON和雷鳥能夠通過特殊手段對其

倍頻進行解鎖，而INTEL產CPU則不行。

由于外頻不斷提高，漸漸地提高到其他設備無法承受了，因

此出現(xiàn)了分頻技術（其實這是主板北橋芯片的功能）。分頻技術

就是通過主板的北橋芯片將CPU外頻降低，然后再提供給各插

卡、硬盤等設備。早期的66MHz外頻時代是PCI設備2分頻，AGP

設備不分頻；后來的100MHz外頻時代則是PCI設備3分頻，AGP

設備2/3分頻（有些100MHz的北橋芯片也支持PCI設備4分頻）;

目前的北橋芯片一般都支持133MHz夕卜頻，即PCI設備4分頻、

AGP設備2分頻?？傊?在標準外頻（66MHz、100MHz、133MHz）

下北橋芯片必須使PCI設備工作在33MHz,AGP設備工作在66MHz,

才能說該芯片能正式支持該種外頻。

最后再來談談CPU的超頻。CPU超頻其實就是通過提高外頻

或者倍頻的手段來提高CPU主頻從而提升整個系統(tǒng)的性能。超頻

的歷史已經很久遠（其實也就幾年），但是真正為大家所喜愛則

是從賽揚系列的出產而開始的，其中賽揚300A超450、366超

550直到今天還為人們所津津樂道。而它們就是通過將賽揚CPU

的66MHz外頻提升到100MHz從而提升了CPU的主頻。而早期的

DURON超頻則與賽揚不同，它是通過破解倍頻鎖然后提升倍頻的

方式來提高頻率?？偟目磥恚额l比超外頻更穩(wěn)定，因為超倍

頻沒有改變外頻，也就不會影響到其他設備的正常運作；但是如

果超外頻,就可能遇到非標準外頻如75MHz、83MHz、112MHz等，

這些情況下由于分頻技術的限制，致使其他設備都不能工作在正

常的頻率下，從而可能造成系統(tǒng)的不穩(wěn)定，甚至出現(xiàn)硬盤數(shù)據(jù)丟

失、嚴重的可能損壞。因此，筆者在這里告誡大家：超頻雖有好

處，但是也十分危險，所以請大家慎重超頻！

2.關于超頻

如果是AMD的CPU要超的話就了解一下他的頻率極限吧

AMD在不久前發(fā)布了它們全新的AthlonXP處理器，其頻率分別

顯XP1500+,1600+,1700+和1800+。為了對抗IntelPentium4

處理器，AthlonXP重新采用了PR值（性能指數(shù)）來標稱處理

器，而AhlonXP1600+意味著擁有與Pentium41600MHz相同的

性能。

AthlonXP采用了全新基于0.18微米制程的Palonmino核心,

其核心面積由雷鳥的120mm2增加為128mm2。而封裝方式也變?yōu)?/p>

類似FC-PGAPentiumlll的OPGA封裝。AMD宣稱在采用新核心

后AthlonXP的發(fā)熱量將較同頻的雷鳥低20%。而更低的散熱量,

自然也就意味著更強勁的超頻性能。

所以，我們決定測試一下AthlonXP的超頻能力。我們選擇了性

價比較好的AthlonXP1600+。它比1800+要便宜許多，但超頻

能力似乎可以達到1900Mhz以上。

AthlonXP同樣有與雷鳥類似的L1橋路，不過已被激光切斷，

要想超頻，首先必須將L1橋路重新相連。具體連接橋路的方式

可以參見本站相關文章。由于處理器默認電壓為1.75v,要更好

的發(fā)揮處理器的超頻極限，這需要一塊具備電壓調節(jié)功能的主

板。我們采用了磐英8K7A和8KHA+進行了對比，盡管8K7A在調

節(jié)方式上較不便，但超頻性能卻好于新的8KHA+。

在解頻之后，我們首先將倍頻設置為6,然后將外頻設置為最高,

在8K7A下,我們將處理器超至最高200MHz(400MHzDDR)外頻，

通過200MHz外頻下的內存性能測試，我們可以看出超頻后的內

存帶寬已經超出AMD760芯片40%左右。

剛才的測試僅僅只是風冷狀態(tài)下的結果，這不過是個開始，接下

來我們將在極限致冷環(huán)境下測試處理器的超頻極限。安裝上水冷

器后。我們將電壓調至2.lv。而VDDR調至2.9v。

測試結果令人驚嘆，我們最終將處理器穩(wěn)定于178MHz外頻下，

此時頻率已高達

1873.89MHzo

雖然我們希望能突破1900MHz的障礙，但沒有成功。同時我們也

發(fā)現(xiàn)主板對于AthlonXP的超頻也致關重要，雖然8KHA+采用更

新的芯片組并擁有更好的性能，但在超頻能力方面卻不如其前輩

而新核心的超頻能力，也得到了驗證。

8K7AOAthlonXP

內存

1.內存的基礎知識

RAM技術詞匯

CDRAM-CachedDRAM——高速緩存存儲器

CVRAM-CachedVRAM——高速緩存視頻存儲器

DRAM-DynamicRAM動態(tài)存儲器

EDRAM-EnhancedDRAM——增強型動態(tài)存儲器

EDORAM-ExtendedDateOutRAM外擴充數(shù)據(jù)模式存儲器

EDOSRAM-ExtendedDateOutSRAM——外擴充數(shù)據(jù)模式靜態(tài)存

儲器

EDOVRAM-ExtendedDateOutVRAM——外擴充數(shù)據(jù)模式視頻存

儲器

FPM-FastPageMode快速頁模式

FRAM-FerroelectricRAM鐵電體存儲器

SDRAM-SynchronousDRAM同步動態(tài)存儲器

SRAM-StaticRAM——靜態(tài)存儲器

SVRAM-SynchronousVRAM——同步視頻存儲器

3DRAM-3DIMESIONRAM——3維視頻處理器專用存儲器

VRAM-VideoRAM——視頻存儲器

WRAM-WindowsRAM——視頻存儲器（圖形處理能力優(yōu)于VRAM）

MDRAM-MultiBankDRAM——多槽動態(tài)存儲器

SGRAM-SignalRAM——單口存儲器

存儲器有哪些主要技術指標

存儲器是具有“記憶”功能的設備，它用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物

理器件來表示二進制數(shù)碼

“0”和“1”，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可

以是磁芯，半導體觸發(fā)器、MOS電路或電容器等。

位(bit)是二進制數(shù)的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小

單位，8位二進制數(shù)稱為一

個字節(jié)(Byte),可以由一個字節(jié)或若干個字節(jié)組成一個字(Word)

在PC機中一般認為1個或2個字節(jié)組成一個字。若干個憶記單

元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個存儲體

(MemoryBank)o為了區(qū)分存儲體內的存儲單元，必須將它們逐一

進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間一一對應，且是存儲

單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它里面存放的內容完

全是兩回事。

根據(jù)存儲器在計算機中處于不同的位置，可分為主存儲器和輔助

存儲器。在主機內部，直接

與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內存儲器。在執(zhí)行期間，

程序的數(shù)據(jù)放在主存儲器內。各個存儲單元的內容可通過指令隨

機讀寫訪問的存儲器稱為隨機存取存儲器(RAM)。另一種存儲器

叫只讀存儲器(ROM),里面存放一次性寫入的程序或數(shù)據(jù)，僅能

隨機讀出。RAM和ROM共同分享主存儲器的地址空間。RAM中存

取的數(shù)據(jù)掉電后就會丟失，而掉電后ROM中的數(shù)據(jù)可保持不變。

因為結構、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要

而采用了大容量的輔助存儲器或稱外存儲器，如磁盤、光盤等.

存儲器的特性由它的技術參數(shù)來描述。

存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。一般

主存儲器(內存)容量在幾十K到幾十M字節(jié)左右;輔助存儲器(外

存)在幾百K到幾千M字節(jié)。

存取周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在

存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出

命令到被讀出信息穩(wěn)定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取

數(shù)時間TA;兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲

周期TMC。半導體存儲器的存取周期一般為60ns-100ns。

存儲器的可*性：存儲器的可*性用平均故障間隔時間MTBF來衡

量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，

表示可*性越高，即保持正確工作能力越強。

性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可*性三項

內容。性能價格比是一個綜合性指標，對于不同的存儲器有不同

的要求。對于外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求

速度非?？?，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲

器系統(tǒng)很重要的指標。

SDARM能成為下一代內存的主流嗎

快頁模式(FPM)DRAM的黃金時代已經過去。隨著高效內存集成電

路的出現(xiàn)和為優(yōu)化Pentium芯片運行效能而設計的INTELHX、

VX等核心邏輯芯片組的支持，人們越來越傾向于采用擴展數(shù)據(jù)

輸出(EDO)DRAM。EDODRAM采用一種特殊的內存讀出電路控制

邏輯，在讀寫一個地址單元時，同時啟動下一個連續(xù)地址單元的

讀寫周期。從而節(jié)省了重選地址的時間，使存儲總線的速率提高

到也就是說，與快頁內存相比，內存性能提高了將近

40MHzo

15%~30%,而其制造成本與快頁內存相近。但是EDO內存也只

能輝煌一時，其稱霸市場的時間將極為短暫。不久以后市場上主

流CPU的主頻將高達200MHz以上。為優(yōu)化處理器運行效能，總

線時鐘頻率至少要達到66MHz以上。多媒體應用程序以及

Windows95和WindowsNT操作系統(tǒng)對內存的要求也越來越高，

為緩解瓶頸，只有采用新的內存結構，以支持高速總線時鐘頻

率，而不至于插入指令等待周期。這樣，為適應下一代主流CPU

的需要，在理論上速度可與CPU頻率同步，與CPU共享一個時鐘

周期的同步DRAM(SYNCHRONOUSDRAMS)即SDRAM(注意和用作

CACHE的SRAM區(qū)別，SRAM的全寫是StaticRAM即靜態(tài)RAM,

速度雖快，但成本高，不適合做主存)應運而生，與其它內存結

構相比，性能'價格比最高，勢必將成為內存發(fā)展的主流。SDRAM

基于雙存儲體結構，內含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存

儲體或陣列訪問數(shù)據(jù)的同時，另一個已準備好讀寫數(shù)據(jù)。通過兩

個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提高。去年推出的

SDRAM最高速度可達100MHz,與中檔Pentium同步，存儲時間高

達5~8ns,可將Pentium系統(tǒng)性能提高140%,與Pentium100、

133、166等每一檔次只能提高性能百分之幾十的CPU相比，換

用SDRAM似乎是更明智的升級策略。在去年初許多DRAM生產廠

家已開始上市4MBx4和2MBx8的16MBSDRAM內存條，但其成

本較高。現(xiàn)在每一個內存生產廠家都在擴建SDRAM生產線。預

計到今年底和1998年初，隨著64MSDRAM內存條的大量上市，

SDRAM將占據(jù)主導地位。其價格也將大幅下降。

但是SDRAM的發(fā)展仍有許多困難要加以克服，其中之一便是主板

核心邏輯芯片組的限制。VX

芯片組已開始支持168線SDRAM,但一般VX主板只有一條168

線內存槽，最多可上32MSDRAM,而簡潔高效的HX主板則不支

持SDRAM。預計下一代Pentium主板芯片組TX將更好的支持

SDRAM。Intel最新推出的下一代Pentium主板芯片組TX將更好

的支持SDRAM。SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡專用內存方面

也有廣泛應用。對顯示卡來說，數(shù)據(jù)帶寬越寬，同時處理的數(shù)據(jù)

就越多，顯示的信息就越多，顯示質量也就越高。以前用一種可

同時進行讀寫的雙端口視頻內存(VRAM)來提高帶寬，但這種內存

成本高，應用受很大限制。因此在一般顯示卡上，廉價的DRAM

和高效的EDODRAM應用很廣。但隨著64位顯示卡的上市，帶寬

已擴大到EDODRAM所能達到的帶寬的極限，要達到更高的1600

X1200的分辨率，而又盡量降低成本，就只能采用頻率達66MHz、

高帶寬的SDRAM了。

SDRAM也將應用于共享內存結構(UMA)種集成主存和顯示

內存的結構。這種結構在很大程度上降低了系統(tǒng)成本，因為許

多高性能顯示卡價格高昂，就是因為其專用顯示內存成本極高，

而UMA技術將利用主存作顯示內存，不再需要增加專門顯示內

存，因而降低了成本。

什么是FlashMemory存儲器

介紹關于閃速存儲器有關知識近年來，發(fā)展很快的新型半導體

存儲器是閃速存儲器(FlashMemory)。它的主要特點是在不加電

的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言，F(xiàn)lashMemory

屬于EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型。它既有ROM的特

點，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重寫，功耗很小。

目前其集成度已達4MB,同時價格也有所下降。

由于FlashMemory的獨特優(yōu)點，如在一些較新的主板上采用

FlashROMBIOS,會使得BIOS升級非常方便。FlashMemory

可用作固態(tài)大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬

盤。硬盤雖有容量大和價格低的優(yōu)點，但它是機電設備，有機械

磨損，可*性及耐用性相對較差，抗沖擊、抗振動能力弱，功耗

大。因此，一直希望找到取代硬盤的手段。由于FlashMemory

集成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬盤已

成為可能。目前研制的Flash

Memory都符合PCMCIA標準，可以十分方便地用于各種便攜式計

算機中以取代磁盤。當前有兩種類型的PCMCIA卡，一種稱為

Flash存儲器卡，此卡中只有FlashMemory芯片組成的存儲體，

在使用時還需要專門的軟件進行管理。另一種稱為Flash驅動

卡，此卡中除Flash芯片外還有由微處理器和其它邏輯電路組成

的控制電路。它們與IDE標準兼容，可在DOS下象硬盤一樣直接

操作。因此也常把它們稱為Flash固態(tài)盤。FlashMemory不足

之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用于要求

可*性高，重量輕，但容量不大的便攜式系統(tǒng)中。在586微機中

已把BIOS系統(tǒng)駐留在Flash存儲器中。

什么是ShadowRAM內存

ShadowRAM也稱為“影子”內存。它是為了提高系統(tǒng)效率而采

用的一種專門技術。ShadowRAM所使用的物理芯片仍然是CMOS

DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）芯片。ShadowRAM占據(jù)了系統(tǒng)主存

的一部分地址空間。其編址范圍為C0000~FFFFF,即為1MB主

存中的768KB?1024KB區(qū)域。這個區(qū)域通常也稱為內存保留區(qū)，

用戶程序不能直接訪問。ShadowRAM的功能是用來存放各種ROM

BIOS的內容?；蛘哒fShadowRAM中的內容是ROMBIOS的拷貝。

因此也把它稱為ROMShadow（即ShadowRAM的內容是ROMBIOS

的‘影子”）。在機器上電時，將自動地把系統(tǒng)BIOS、顯示BIOS

及其它適配器的BIOS裝載到ShadowRAM的指定區(qū)域中。由于

ShadowRAM的物理編址與對應的ROM相同，所以當需要訪問BIOS

時，只需訪問ShadowRAM即可，而不必再訪問ROM。通常訪

問ROM的時間在200ns左右,而訪問DRAM的時間小于100ns（最

新的DRAM芯片訪問時間為60ns左右或者更?。Ｔ谙到y(tǒng)運行的

過程中，讀取BIOS中的數(shù)據(jù)或調用BIOS中的程序模塊是相當頻

繁的。顯然，采用了Shadow技術后，將大大提高系統(tǒng)的工作效

率。按下按鍵你可以看到該地址空間分配圖，在如圖所示的1MB

主存地址空間中，640KB以下的區(qū)域是常規(guī)內存。640KB-768KB

區(qū)域保留為顯示緩沖區(qū)。768KB?1024KB區(qū)域即為ShadowRAM

區(qū)。在系統(tǒng)設置中，又把這個區(qū)域按16KB大小的尺寸分為塊，

由用戶設定是否允許使用。C0000~C7FFF這兩個16KB塊（共

32KB）通常用作顯示卡的ROMBIOS的Shadow區(qū)。C8000?EFFFF

這10個16KB塊可作為其它適配器的ROMBIOS的Shadow區(qū)。

F0000-FFFFF共64KB規(guī)定由系統(tǒng)ROMBIOS使用。應該說明的

是，只有當系統(tǒng)配置有640KB以上的內存時才有可能使用Shadow

RAM。在系統(tǒng)內存大于640KB時，用戶可在CMOS設置中按照ROM

Shadow分塊提示，把超過640KB以上的內存分別設置為“允許”

（Enabled）即可。

什么是EDORAM

內存是計算機中最主要的部件之一。微機誕生以來，它的心臟

一CPU幾經改朝換代，目前已

發(fā)展到了PentiumH,較之于當初，它在速度上已有兩個數(shù)量級

的增長。而內存的構成器件RAM（隨機存儲器）——般為DRAM（動

態(tài)隨機存儲器），雖然單個芯片的容量不斷擴大，但存取速度并

沒有太大的提高。雖然人們早就采用高速但昂貴的SRAM芯片在

CPU和內存之間增加一種緩沖設備一Cache,以緩沖兩者之間的

速度不匹配問題。但這并不能根本解決問題。于是人們把注意

力集中到DRAM接口（芯片收發(fā)數(shù)據(jù)的途徑上）。

在RAM芯片之中，除存儲單元之外，還有一些附加邏輯電路，現(xiàn)

在，人們已注意到RAM芯片

的附加邏輯電路，通過增加少量的額外邏輯電路，可以提高在單

位時間內的數(shù)據(jù)流量，即所謂的增加帶寬。EDO正是在這個方

面作出了嘗試。

擴展數(shù)據(jù)輸出（Extendeddataout--EDO,有時也稱為超頁模式

一hypermode）DRAM,和突發(fā)式EDO（BustEDO-BEDO）DRAM

是兩種基于頁模式內存的內存技術。EDO大約一年前被

引入主流PC,從那以后成為許多系統(tǒng)廠商的主要內存選擇。BEDO

相對更新一些，對市場的吸引還未能達到EDO的水平。EDO的

工作方式頗類似于FPMDRAM：先觸發(fā)內存中的一行，然后觸發(fā)

所需的那一列。但是當找到所需的那條信息時，EDODRAM不是

將該列變?yōu)榉怯|發(fā)狀態(tài)而且關閉輸出緩沖區(qū)（這是FPMDRAM采取

的方式），而是將輸出數(shù)據(jù)緩沖區(qū)保持開放，直到下一列存取或

下一讀周期開始。由于緩沖區(qū)保持開放，因而EDO消除了等待狀

態(tài)，且突發(fā)式傳送更加迅速。EDO還具有比FPMDRAM的6-3-3-3

更快的理想化突發(fā)式讀周期時鐘安排：6-2-2-2。這使得在66MHz

總線上從DRAM中讀取一組由四個元素組成的數(shù)據(jù)塊時能節(jié)省3

個時鐘周期。EDO易于實現(xiàn)，而且在價格上EDO與FPM沒有什么

差別，所以沒有理由不選擇EDO。BEDODRAM比EDO能更大程度

地改善FPM的時鐘周期。由于大多數(shù)PC應用程序以四周期突發(fā)

方式訪問內存，以便填充高速緩沖內存（系統(tǒng)內存將數(shù)據(jù)填充至

L2高速緩存，如果沒有L2高速緩存，則填充至CPU）,所以一

旦知道了第一個地址，接下來的三個就可以很快地由DRAM提供。

BEDO最本質的改進是在芯片上增加了一個地址計數(shù)器，用來跟

蹤下一個地址。BEDO還增加了流水線級，允許頁訪問周期被劃

分為兩個部分。對于內存讀操作，第一部分負責將數(shù)據(jù)從內存陣

列中讀至輸出級（第二級鎖存），第二部分負責從這一鎖存將數(shù)據(jù)

總線驅動至相應的邏輯級別。因為數(shù)據(jù)已經在輸出緩沖區(qū)內，所

以訪問時間得以縮短。BEDO能達到的最大突發(fā)式時鐘安排為

5-1-1-1（采用52nsBEDO和66-MHz總線）比優(yōu)化EDO內存又節(jié)省

了四個時鐘周期。

RAM是如何工作的

實際的存儲器結構由許許多多的基本存儲單元排列成矩陣形式，

并加上地址選擇及讀寫控制

等邏輯電路構成。當CPU要從存儲器中讀取數(shù)據(jù)時，就會選擇存

儲器中某一地址，并將該地址上存儲單元所存儲的內容讀走。

早期的DRAM的存儲速度很慢，但隨著內存技術的飛速發(fā)展，隨

后發(fā)展了一種稱為快速頁面模式（FastPageMode）的DRAM技

術，稱為FPDRAM。FPM內存的讀周期從DRAM陣列中某一行的觸

發(fā)開始，然后移至內存地址所指位置的第一列并觸發(fā)，該位置即

包含所需要的數(shù)據(jù)。第一條信息需要被證實是否有效，然后還需

要將數(shù)據(jù)存至系統(tǒng)。一旦發(fā)現(xiàn)第一條正確信息，該列即被變?yōu)榉?/p>

觸發(fā)狀態(tài)，并為下一個周期作好準備。這樣就引入了“等待狀態(tài)”，

因為在該列為非觸發(fā)狀態(tài)時不會發(fā)生任何事情（CPU必須等待內

存完成一個周期）。直到下一周期開始或下一條信息被請求時，

數(shù)據(jù)輸出緩沖區(qū)才被關閉。在快頁模式中，當預測到所需下一條

數(shù)據(jù)所放位置相鄰時，就觸發(fā)數(shù)據(jù)所在行的下一列。下一列的觸

發(fā)只有在內存中給定行上進行順序讀操作時才有良好的效果。

從50納秒FPM內存中進行讀操作，理想化的情形是一個以

6-3-3-3形式安排的突發(fā)式周期（6個時鐘周期用于讀取第一個

數(shù)據(jù)元素，接下來的每3個時鐘周期用于后面3個數(shù)據(jù)元素）。

第一個階段包含用于讀取觸發(fā)行列所需要的額外時鐘周期。一旦

行列被觸發(fā)后，內存就可以用每條數(shù)據(jù)3個時鐘周期的速度傳

送數(shù)據(jù)了。FPRAM雖然速度有所提高，但仍然跟不上新型高速

的CPU。很快又出現(xiàn)了EDORAM和SDRAM等新型高速的內存芯片。

介紹處理器高速緩存的有關知識

所謂高速緩存，通常指的是Level2高速緩存，或外部高速緩存。

L2高速緩存一直都屬于

速度極快而價格也相當昂貴的一類內存，稱為SRAM（靜態(tài)RAM）,

用來存放那些被CPU頻繁使用的數(shù)據(jù)，以便使CPU不必依賴于

速度較慢的DRAM。

最簡單形式的SRAM采用的是異步設計，即CPU將地址發(fā)送給高

速緩存，由緩存查找這個地

址，然后返回數(shù)據(jù)。每次訪問的開始都需要額外消耗一個時鐘周

期用于查找特征位。這樣，異步高速緩存在66MHz總線上所能達

到的最快響應時間為3-2-2-2,而通常只能達到4-2-2-2。同步

高速緩存用來緩存?zhèn)魉蛠淼牡刂罚员惆寻吹刂愤M行查找的過程

分配到兩個或更多個時鐘周期上完成。SRAM在第一個時鐘周期

內將被要求的地址存放到一個寄存器中。在第二個時鐘周期內，

SRAM把數(shù)據(jù)傳送給CPU。由于地址已被保存在一個寄存器中，所

以接下來同步SRAM就可以在CPU讀取前一次請求的數(shù)據(jù)同時接

收下一個數(shù)據(jù)地址。這樣，同步SRAM可以不必另花時間來接收

和譯碼來自芯片集的附加地址，就“噴出”連續(xù)的數(shù)據(jù)元素。優(yōu)

化的響應時間在66MHz總線上可以減小為2-1-1-L

另一種類型的同步SRAM稱為流水線突發(fā)式（pipelinedburst）。

流水線實際上是增加了一個用來緩存從內存地址讀取的數(shù)據(jù)的

輸出級，以便能夠快速地訪問從內存中讀取的連續(xù)數(shù)據(jù)，而省去

查找內存陣列來獲取下一數(shù)據(jù)元素過程中的延遲。流水線對于順

序訪問模式，如高速緩存的行填充（linefill）最為高效。

什么是ECC內存

ECC是ErrorCorrectionCoding或ErrorChechingand

Correcting的縮寫，它代表具有自動糾錯功能的內存。目前的

ECC存儲器一般只能糾正一位二進制數(shù)的錯誤。Intel公司的

82430HX芯片組可支持ECC內存，所以采用82430HX芯片的主板

一般都可以安裝使用ECC內存，由于ECC內存成本比較高，所以

它主要應用在要求系統(tǒng)運算可*性比較高的商業(yè)計算機中。由于

實際上存儲器出錯的情況不會經常發(fā)生，所以一般的家用計算機

不必采用ECC內存，還有不少控制電路芯片不能支持ECC內存，

所以有不少主機是不宜安裝ECC內存的，用戶應注意對ECC內

存不要盲從。

SDRAM能與EDORAM混用嗎

SDRAM是新一代的動態(tài)存儲器，又稱為同步動態(tài)存儲器或同步

DRAM。它可以與CPU總線使用同一個時鐘，而EDO和FPM存儲

器則與CPU總線是異步的。目前SDRAM存儲器的讀寫周期一般為

5-1-1-1。相比之下，EDO內存器一般為6-2-2-2。也就是說，SDRAM

的讀寫周期比EDO少4個，大約節(jié)省存儲器讀寫時間28%,但實

際上由于計算機內其它設備的制約，使用SDRAM的計算機大約

可提高性能5~10%。雖然有不少主機支持SDRAM與EDO內存混

合安裝方式，但是最好不要混用。原因是多數(shù)SDRAM只能在3.3V

下工作，而EDO內存則多數(shù)在5V下工作。雖然主機板上對DIMM

和SIMM分別供電，但它們的數(shù)據(jù)線總是要連在一起的，如果

SIMM（72線內存）與DIMM（168線SDRAM）混用，盡管開始系統(tǒng)可以

正常工作，但可能在使用一段時間后，會造成SDRAM的數(shù)據(jù)輸入

端被損壞。

當然，如果你的SDRAM是寬電壓（3V~5V）工作的產品，就不會出

現(xiàn)這種損壞情況。目前T1和SUMSUNG的某些SDRAM產品支持寬

電壓工作方式，可以與EDO內存混用。

高速緩存一Cache介紹Cache的分級

隨著CPU的速度的加快，它與動態(tài)存儲器DRAM配合工作時往往

需要插入等待狀態(tài)，這樣難以發(fā)揮出CPU的高速度，也難以提高

整機的性能。如果采用靜態(tài)存儲器，雖可以解決該問題，但SRAM

價格高。在同樣容量下，SARM的價格是DRAM的4倍。而且SRAM

體積大，集成度低。為解決這個問題，在386DX以上的主板中

采用了高速緩沖存儲器一Cache技術。其基本思想是用少量的

SRAM作為CPU與DRAM存儲系統(tǒng)之間的緩沖區(qū)，即Cache系統(tǒng)。

80486以及更高檔微處理器的一個顯著特點是處理器芯片內集成

了SRAM作為Cache,由于這些Cache裝在芯片內，因此稱為片

內Cache。486芯片內Cache的容量通常為8K。高檔芯片如

Pentium為16KB,PowerPC可達32KB。Pentium微處理器進一步

改進片內Cache,采用數(shù)據(jù)和雙通道Cache技術，相對而言，片

內Cache的容量不大，但是非常靈活、方便，極大地提高了微處

理器的性能。片內Cache也稱為一級Cache。由于486,586等

高檔處理器的時鐘頻率很高，一旦出現(xiàn)一級Cache未命中的情

況，性能將

明顯惡化。在這種情況下采用的辦法是在處理器芯片之外再加

Cache,稱為二級Cache。二級Cache實際上是CPU和主存之間

的真正緩沖。由于系統(tǒng)板上的響應時間遠低于CPU的速度，如果

沒有二級Cache就不可能達到486,586等高檔處理器的理想速

度。二級Cache的容量通常應比一級Cache大一個數(shù)量級以上。

在系統(tǒng)設置中，常要求用戶確定二級Cache是否安裝及尺寸大小

等。二級Cache的大小一般為128KB、256KB或512KB。在486

以上檔次的微機中，普遍采用256KB或512KB同步Cache。所謂

同步是指Cache和CPU采用了相同的時鐘周期，以相同的速度同

步工作。相對于異步Cache,性能可提高30%以上。

什么是CACHE存儲器

所謂Cache,即高速緩沖存儲器，是位于CPU和主存儲器

DRAM(DynamicRAM)之間的規(guī)模較小的但速度很高的存儲器，通

常由SRAM組成。SRAM(StaticRAM)是靜態(tài)存儲器的英文縮寫。

由于SRAM采用了與制作CPU相同的半導體工藝，因此與動態(tài)存

儲器DRAM比較，SRAM的存取速度快，但體積較大，價格很高。

由于動態(tài)RAM組成的主存儲器的讀寫速度低于CPU的速度，而

CPU每執(zhí)行一條指令都要訪問一次或多次主存，所以CPU總是要

處于等待狀態(tài)，嚴重地降低了系統(tǒng)的效率。采用Cache之后，在

Cache中保存著主存儲器內容的部分副本，CPU在讀寫數(shù)據(jù)時，

首先訪問Cache。由于Cache的速度與CPU相當，因此CPU就能

在零等待狀態(tài)下迅速地完成數(shù)據(jù)的讀寫。只有Cache中不含有

CPU所需的數(shù)據(jù)時，CPU才去訪問主存。CPU在訪問Cache時找

到所需的數(shù)據(jù)稱為命中，否則稱為未命中。因此，訪問Cache的

命中率則成了提高效率的關鍵。而提高命中率則取決于Cache存

儲器的映象方式和Cache內容替換的算法等一系列因素。

對內存擴容時應遵循哪些規(guī)則

對內存擴充容量時，應遵循下面的一些規(guī)則：

1.對大多數(shù)PC機來說，不能在同一組Bank內（每組包括兩到四

個插座）將不同大小的SIMM條混合在一起。很多PC機都可安裝

不同容量的SIMM,但裝在PC機同一組中的所有SIMM必須具有

相同的容量，例如，對一個四插槽組來說，PC機一般既可接受

1MB的SIMM條,也可接受4MB的SIMM條，可在該組的每個槽

內安裝1MBSIMM,則這一組共可容納4MB內存。也可在該組每

個槽內安裝4MBSIMM,則這一組共可容納16MB內存。但是，不

能為了得到10MB內存，在兩個槽內插入1MB的SIMM條，而在另

兩個槽中插入4MB的SIMM條。

2.對于很多PC機來說，若把不同速度的SIMM混合在一起，即使

它們的容量相同也會帶來麻煩。例如，計算機中已有運行速度為

60納秒(ns)的4MB內存，而文檔中說70ns的SIMM也能工作。

如果在母板的空閑內存槽中再插入速度為70ns的SIMM條，機器

會拒絕引導或在啟動后不久就陷于崩潰。對于某些機器來說，若

把速度低的SIMM放至第一組，則可解決速度混合問題。計算機

會按最低速度存取，剩余部分不會再有用。

3.對于大多數(shù)PC機來說，必須將一組的所有插槽都插滿?；蛘?/p>

將一組全部置空(當然第一組不行)。在一組中不能只裝一部分。

4.PC機可接受的SIMM大小有一個上限(最大值可從PC機說明書

中找到。若沒有說明書，唯一的方法就是從實踐中找到最大值

了)。何謂30線、72線、168線內存條內存條；30線；72線；

168線介紹30線、72線、168線內存條的有關知識及相互之間

的區(qū)別條形存儲器是把一些存儲器芯片焊在一小條印制電路板

上做成的，即稱之為內存條，所謂內存條線數(shù)即引腳數(shù)，按引腳

數(shù)不同可把內存條分為30線的內存條、72線的內存條(SIMM,即

SigleiniineMemoryModale)和168線的內存條(DIMM,即Double

inlineMemoryModule)o內存條的引腳數(shù)必須與主板上內存槽

的插腳數(shù)相匹配，內存條插槽也有30線、72線和168線三種。

30線內存條提供8位有效數(shù)據(jù)位。常見容量有256KB.1MB和4MB。

72線的內存條體積稍大，提供32位的有效數(shù)據(jù)位。常見容量有

4MB、8MB、16MB和32MB。按下按鍵你可以看到72線內存條的外

觀形狀。168線的內存條體積較大，提供64位有效數(shù)據(jù)位。

如何識別Cache存儲器芯片標志

目前微機系統(tǒng)中，常用的靜態(tài)RAM的容量有8Kx8位(64Kbit)、

32Kx8(256Kbit)位以及64Kx8(512Kbit)位三種芯片，存取時

間(周期)為15ns到30ns。以上參數(shù)在靜態(tài)SRAM芯片上常標注

為:XX64-25(XX65-25)、XX256-15(XX257-15).XX512-15等。

以XX256-15為例，其中“256”表示容量(單位為Kbit),“15”

表示存取時間(單位為ns)。在表示SRAM存儲器容量的數(shù)值中，

“64”與“65”相同，都表示該芯片的容量為64Kbit,即8KB。

同理，“256”與“257”的含義也相同,即該芯片的容量為32KB。

例如在華碩PVI686SP3主板上使用的SRAM芯片為W24257AK-15,

即該芯片的容量為32Kx8位，存取速度為15ns。

如何用軟件的方法檢測Cache?

檢測；高速緩存；Cache介紹用軟件檢測Cache的方法，主板上

Cache的大小和有無很難用一般方法判斷，尤其是有的主板連

BIOS都被不法經銷商修改過以方便作假。486時代常用的拔插法

現(xiàn)在也不靈了——奔騰主板上很多標稱256K的Cache芯片都是

直接SMT（表面安裝）上去的，無法拔插。測試Cache的軟件確實

有一些，如CCT等，但普通用戶很難得到這些專業(yè)軟件。

2.分類認識內存

內存作為微型計算機的重要部件之一，已從早期的普通內存，發(fā)

展到目前的同步動態(tài)內存，還有越來越廣泛地應用于多媒體領域

的RDRAM與后來的SDRAMII、DDRRAMO

內存大致的分類情況如下：

1.FPM（FastPageMode）

FPM（快頁模式）是較早的個人計算機普遍使用的內存，它每隔3

個時鐘脈沖周期傳送一次數(shù)據(jù)?，F(xiàn)在已很少見到使用這種內存的

計算機系統(tǒng)了。

2.EDO（ExtendedDataOut）

EDO（擴展數(shù)據(jù)輸出）內存取消了主板與內存兩個存儲周期之間的

時間間隔，每隔2個時鐘脈沖周期傳輸一次數(shù)據(jù)，大大地縮短了

存取時間，使存取速度提高30%,達到60ns。EDO內存主要用

于72線的SIMM內存條，以及采用EDO內存芯片的PCI顯示卡（參

閱本書后面的內容）。

注：EDO內存條是普通DRAM內存的改進型，它比普通內存提高

速度約10%20%左右。當它在完成某一單元信息的讀寫之前，能

提前讀寫下一單元的信息，這樣就提高了內存的讀寫速度。但只

是在普通內存的基礎上改進了它的讀寫方式，但它的讀寫速度卻

仍然不夠快，只能達到50ns60ns之間。對于CPU的幾ns的速度

來說，仍然存在著很大的差別。

這種內存流行在486以及早期的奔騰計算機系統(tǒng)中，它有72線

和168線之分，采用5V電壓，帶寬32bit,可用于IntelFX/VX

芯片組主板上，所以某些使用奔騰100/133的計算機系統(tǒng)目前還

在使用它。不過要注意的是，由于它采用5V電壓，跟下面將要

介紹的SDRAM不同（SDRAM為3.3v）,兩者混合使用時就會很容

易會被燒毀，因此在使用前最好了解一下該主板使用的是3.3v

還是5V電壓。

3.S（Synchronous）DRAM

SDRAM（同步動態(tài)隨機存儲器）是目前奔騰計算機系統(tǒng)普遍使用

的內存形式。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起,

使RAM和CPU能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，

與EDO內存相比速度能提高50%。

注：SDRAM采用的是新型的64位數(shù)據(jù)讀寫形式，內存條的引腳

為168線，采用雙列直插式的DIMM內存條，讀寫速度最高達到

了10ns,是目前最快的內存芯片，同時也是奔騰II和奔騰III

計算機系統(tǒng)首選的內存條。

隨著SDRAM的問世，快頁模式(FPM)DRAM被很徹底打入了冷宮。

由于高效內存集成電路的出現(xiàn)和為優(yōu)化的奔騰CPU運行效能而

設計的INTELHX、VX等核心邏輯芯片組的支持，EDODRAM被

廣泛采用了，它采用了一種特殊的內存讀出電路控制邏輯，在讀

寫一個地址單元時，同時啟動下一個連續(xù)地址單元的讀寫周期。

從而節(jié)省了重選地址的時間，使存儲總線的速率提高到40MHz。

也就是說，因此說與快頁內存相比性能提高了將近15%~30%,

而其制造成本卻與之相近，但是也只是輝煌了一時，面市的時間

將極為短暫，這是為什么呢？因此不久之后市場上主流CPU的主

頻高達200MHz以上。為優(yōu)化CPU的運行效能，總線時鐘頻率至

少要達到66MHz以上，多媒體應用程序以及Windows95/97/98

和WindowsNT操作系統(tǒng)對內存的要求也越來越高，為緩解速度

不夠的瓶頸只有采用新的內存結構，否則就不能支持高速總線時

鐘頻率，而不必于插入指令等待周期，在理論上內存的速度需要

與CPU頻率同步，即與CPU共享一個時鐘周期的同步動態(tài)內存

(SynchronousDRAMS),所以SDRAM應運而生，與其它內存結構

相比，性能/價格比最高，最終取代了它們成為了內存發(fā)展一個

時期內的主流。

SDRAM基于雙存儲體結構，內含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從

一個存儲體或陣列訪問數(shù)據(jù)時，另一個就已為讀寫數(shù)據(jù)做好了準

備，通過這兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的

提高。SDRAM的速度早就超過了100MHz,存儲時間達到5?8ns

毫不費力，現(xiàn)在128MB的SDRAM內存條也是大量上市，SDRAM

占據(jù)市場的主導地位已是不可否認的事實，其價格也在大幅下

降。;二二

SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡上的內存方面也有廣泛應用。

對前者來說，數(shù)據(jù)帶寬越寬，同時處理的數(shù)據(jù)就越多，顯示的信

息就越多，顯示品質也就越高。在此之前的計算機系統(tǒng)還用過可

同時讀寫的雙端口視頻內存(VRAM)來提高帶寬，但這種內存成本

高，應用受很大限制。因此在一般顯示卡上，廉價的DRAM和高

效的EDODRAM仍然還在應用著。但隨著64位顯示卡的上市，帶

寬已擴大到EDODRAM所能達到的帶寬的極限，要達到更高的1600

x1200的分辨率，而又盡量降低成本，就只能采用頻率達66MHz、

高帶寬的SDRAM了。SDRAM還應用了共享內存結構（UMA）,這在

很大程度上降低了系統(tǒng)成本，因為許多高性能顯示卡價格高昂，

就是因為其專用顯示內存成本極高所致，而UMA技術將利用主存

作顯示內存，不再需要增加專門顯示內存，因而降低了成本。

注：SDRAM與用作Cache的SRAM是兩個不同的概念，SRAM的全

稱是StaticRAM（靜態(tài)RAM）,速度雖快，但成本高，不適合做主

存。

4.DDRSDRAM（SDRAMII）

DDR（DoubleDataRage雙數(shù)據(jù)率）也就是SDRAMSDRAMH,是

SDRAM的更新?lián)Q代產品，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳

輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速

度，并具有比SDRAM多一倍的傳輸速率和內存帶寬，如64bit內

存接口200MHzDDRSDRAM比PCI00SDRAM的內存帶寬高一倍,

266MHzDDRSDRAM的內存帶寬更是達到了2.12GB/soDDRSDRAM

比800MHzRDRAM的內存帶寬還要高，采用2.5v工作電壓，價格

也便宜非常多。過去，DDRSDRAM只是應用在顯示卡上，現(xiàn)在由

于DDRSDRAM標準已定制好，所以正有許多主板芯片組支持使用

它。不過，第一款支持DDRSDRAM的芯片組并不是Intel推出的。

而是由Micron推出的，其名稱為SamuraiDDR芯片，其性能的

優(yōu)秀性無論是在商業(yè)，還是游戲運行方面都趕得上Inteli840

芯片組。但后者提供雙RDRAM通道，可高達3.2GB/s的內存帶

寬，比SamuraiDDR266MHzDDRSDRAM提供的2.12G/秒的內

存帶寬高出33%,整體性能也要好一些，這其是因為RDRAM的潛

伏等待時間要比SDRAM長，所以PC133SDRAM（參閱下面的內容）

和DDRSDRAM使得RDRAM在低端和高端系統(tǒng)上的優(yōu)勢全無，而

DDRSDRAM更是成為了市場的主流。如，現(xiàn)代電子出品的64MBDDR

SDRAM在128MB內存總線，4Mxl6顆，工作頻率為333MHz,提

供了5.3GB/s的數(shù)據(jù)帶寬，市場前景不用說了，一定會是不錯

的。

5.RDRAM（RambusDRAM）

RDRAM（存儲器總線式動態(tài)隨機存儲器）是Rambus公司開發(fā)的具

有系統(tǒng)帶寬、芯片到芯片接口設計的新型DRAM,它能在很高的

頻率范圍下通過一個簡單的總線傳輸數(shù)據(jù)，同時使用低電壓信

號，在高速同步時鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。

6.FlashMemory

FlashMemory（閃速存儲器）是一種新型半導體存儲器，主要特點

是在不加電的情況下長期保持存儲的信息。就其本質而言，F(xiàn)lash

Memory屬于EEPROM（電擦除可編程只讀存儲器）類型