半導(dǎo)體回憶版

929半導(dǎo)體物理（回憶版）填空題（每空1分，共30分）1、絕緣體禁帶寬度比半導(dǎo)體禁帶寬度（大、?。?，砷化鎵、硅、鍺三者中禁帶寬度最大的是，最小的是。2、硅、鍺是帶隙半導(dǎo)體，砷化鎵是帶隙半導(dǎo)體。3、當(dāng)半導(dǎo)體中先摻雜磷后摻雜硼時(shí)費(fèi)米能級(jí)向（導(dǎo)帶底、價(jià)帶頂、禁帶中心）運(yùn)動(dòng)。4、淺能級(jí)雜質(zhì)的作用是，深能級(jí)雜質(zhì)的作用是，導(dǎo)帶底或價(jià)帶頂附近的能級(jí)是否一定就是淺能級(jí)。5、半導(dǎo)體中摻雜磷，當(dāng)EF=ED，未電離雜質(zhì)占雜質(zhì)的，電離雜質(zhì)占雜質(zhì)的。6、在相同溫度下，硅的本征載流子濃度比鍺的載流子濃度（高、低）7、隨著溫度升高，電子占據(jù)能量小于費(fèi)米能級(jí)的量子態(tài)概率（上升、下降），占據(jù)能量大于費(fèi)米能級(jí)的量子態(tài)概率（上升、下降）。8、反向偏壓下，pn結(jié)的擊穿方式有和，其中在重?fù)诫s且電壓不太高的情況下以為主。9、在n型半導(dǎo)體中，當(dāng)Wm>Ws時(shí)，可以形成，在p型半導(dǎo)體中，當(dāng)Wm<Ws時(shí)，可以形成。10、肖特基二極管與pn結(jié)二極管相比，可以用來做高頻器件，這是因?yàn)?1、一般情況下形成歐姆接觸的方法是。填空目前只能回憶這么多了，大家見諒。。。。。簡(jiǎn)答題（每題9分，共8題）為什么絕緣體的導(dǎo)電性差，導(dǎo)體的導(dǎo)電性好，半導(dǎo)體介于兩者之間。為什么半導(dǎo)體的導(dǎo)電性人為可控。根據(jù)導(dǎo)帶底狀態(tài)密度公式和價(jià)帶頂狀態(tài)密度公式，導(dǎo)帶底應(yīng)該沒有電子，價(jià)帶頂沒有空穴占據(jù)，但是在非簡(jiǎn)并的情況下，我們認(rèn)為電子基本上位于導(dǎo)帶底附近，空穴基本上位于價(jià)帶頂附近，請(qǐng)解釋原因。當(dāng)硅作為雜質(zhì)摻雜進(jìn)GaAs時(shí)，GaAs的電子濃度隨硅的摻雜濃度先線性上升，后逐漸飽和。請(qǐng)解釋原因。如果GaAs的衛(wèi)星谷曲率比中心谷曲率還要大，請(qǐng)問會(huì)不會(huì)出現(xiàn)微分負(fù)電導(dǎo)，請(qǐng)解釋原因。有一n型半導(dǎo)體，施主雜質(zhì)濃度從左到右均勻減小，請(qǐng)畫出能帶圖并解釋原因。 x解釋pn結(jié)反向偏壓未擊穿時(shí)，反向電流與理論值產(chǎn)生偏差的原因。計(jì)算題（每題16分，共48分）一個(gè)半導(dǎo)體，先摻入磷2*10^16，后摻入硼5*10^15，當(dāng)T=260K時(shí)，ni=2*10^9，且Ef=Ed。請(qǐng)問：未電離施主雜質(zhì)濃度。少子濃度和多子濃度。求電導(dǎo)率。（μn=1300,μp=500）已知Na=Nd=4.96*10^16,Ln=Lp=10^-3,μn=880,μp=390。求反向飽和電流密度Js.有一很長(zhǎng)半導(dǎo)體，左側(cè)有均勻穩(wěn)定光照，左側(cè)表面有表面復(fù)合，表面復(fù)合速率為Sp，空穴電子對(duì)產(chǎn)生率為G，寫出少數(shù)載流子的方程和邊界條件。基本上除了