模電章放大電路頻率特性與場效應管

+++放大電路中存在電抗元+++三極管本身具有電容---電抗元件對于不同的頻率量，其電抗和相位移+++放大電路中存在電抗元+++三極管本身具有電容---電抗元件對于不同的頻率量，其電抗和相位移均不所以對不同的頻率分量，放大電路的作用及放大效果是不同的3放大電電壓放大倍數(shù)u和相角成為頻率的我們把函數(shù)關系稱為電路的頻率放大電電壓放大倍數(shù)u和相角成為頻率的我們把函數(shù)關系稱為電路的頻率特性4C R umum放大倍數(shù)基本上不隨頻率而變化。180?，即無附相移。對共發(fā)射極放大電路來說，輸出電壓和輸壓反放大倍數(shù)不f5在低頻段，由耦合電容的同時也將在間產(chǎn)生相移在低頻段，由耦合電容的同時也將在間產(chǎn)生相移我們定義：當放數(shù)下降到數(shù)的0.707倍時，f止頻時的頻率稱為下限頻率6 m 對于高頻段，三極管極間電容布電容的容抗減小，使輸出電壓減小對于高頻段，三極管極間電容布電容的容抗減小，使輸出電壓減小定義：當電壓放大倍降到中頻區(qū)放大倍0.707倍時止頻f時的頻率為上限頻率fh7 um 定義：上即：下限頻率之差為放大定義：上即：下限頻率之差為放大器的通頻通頻帶的寬度征放大電路對不率的輸入信號的能力,它是放大電止頻止頻f重要技術指標8Av(A0.707AAvm——中頻fL——下限fHffffL=BW——造成低頻區(qū)放大倍數(shù)Av(A0.707AAvm——中頻fL——下限fHffffL=BW——造成低頻區(qū)放大倍數(shù)耦合電容和旁路電容f放大器所需的通頻帶是由傳送信號的頻帶(帶寬來確定的,為了不失真地放大,要求放大器通頻帶須大于信號的頻帶9——幅頻即：電壓放大倍數(shù)與頻率的函數(shù)——相頻即：相位移與頻率的函數(shù)——放大電路——放大電路中存在電抗性響應的主要原因，上限截止頻率由高頻時間常數(shù)中三極管的()是第四第四場效應管放大電又稱晶體管、雙極性三極管，是組成各種電結(jié)構(gòu)、類型：NPN型、PNP放大機理：內(nèi)部結(jié)構(gòu)、外部條件特性曲線：輸入特性、輸出特性工作原理三種組態(tài)靜態(tài)分析動態(tài)分引二由于半導體三極管工作在放大狀態(tài)時，必須保－－－引二由于半導體三極管工作在放大狀態(tài)時，必須保－－－故輸入端始終存在輸入電改變輸入電流就可改變輸出電流，所以三極管是電流控制器件因而三極管組成的放大器，其輸入電阻不高出現(xiàn)了一種新型的半導體器件－－場效應晶體管引言場效應晶體管(FET)是利用引言場效應晶體管(FET)是利用電壓產(chǎn)生的電場效應來控電流的一種半導體器件。它與晶體管相比有以下重要(1)它是一種電壓控制器件工作時，管子的輸入電流幾乎為0，因此具有極高的輸入電阻(約數(shù)百兆歐(2)輸出電流僅由多子運動而形成，故稱單極型器它的抗溫度和抗輻射能力強，工作較穩(wěn)制造工藝比較簡單，便于大規(guī)模集成，且噪聲較小(4)類型較多，使電路設計靈活性增大引言引言場效應管(JFET)和金屬-氧化物-半導體場效應管N（耗盡型結(jié)P場效NP絕緣NP結(jié)型場效應絕緣柵場效應管放大結(jié)型場效結(jié)型場效應結(jié)型場效應4.1.1在應結(jié)型場效應4.1.1在應SPN換的N型半導體柵極：N型半導D漏N兩邊是PG(柵極PP稱為漏極導電S源溝道結(jié)型場效應管的結(jié)構(gòu)與結(jié)符DDN柵極GGPPSS溝道結(jié)型場效應管的結(jié)構(gòu)與結(jié)符DDN柵極GGPPSS溝道結(jié)型場效應管的溝道結(jié)型場效應管的具體結(jié)漏極，柵極，G或g源極，用S或sP溝道結(jié)型場效應管結(jié)構(gòu)與符DDP柵極GGNNSS溝道結(jié)型場效應管結(jié)構(gòu)與符DDP柵極GGNNSSDDDDGGGGSSSS柵極的箭頭方向不同，但都要由PDDDDGGGGSSSS柵極的箭頭方向不同，但都要由P區(qū)指向N區(qū)。N溝道和P溝道結(jié)型場效應管符號上的區(qū)別基本工作原基本工作原以N型溝道JFET為例進行分析，研究JFET的作原理————輸入電壓對輸出電流的控制在漏極、源極之間加定正電壓，使N溝道中數(shù)載流子(電子)由源極極漂移，形成iD。iD的大受VGS的控制P溝道場效應管工作 JFET工作原JFET工作原（動畫2-GS對溝道的控制作①當GGS對溝道的控制作①當GS＜0溝道電阻變大，ID減小VGS更負，溝道更窄，IDD≈0這時所對應的柵源電壓稱為夾斷電壓DSGS＞ P，DSGS＞ P，DSGS大,(如GS=-DSP=-9V,則漏端耗盡層受端的耗盡層比源端厚當 增加到使 比源端窄，故對溝影響是不均勻的，使溝隨DS均勻性DSDSGS＞ P，DS壓為 比源當VDS增加到使VGD=VGS-隨DS均勻性斷的反偏電壓G -P-使由,電 均勻的③GS和DS③GS和DS同時作用當VPGS<0時，對于同樣的VDS的值比GS=0時的值要小GD=GS-特性曲1.輸出特性輸出特性曲線（也叫漏極特性）是指在柵源電壓UGS一時，漏極電流ID與漏源電壓UDS之間關系。函數(shù)表示為從圖中可以看出子的工作狀特性曲1.輸出特性輸出特性曲線（也叫漏極特性）是指在柵源電壓UGS一時，漏極電流ID與漏源電壓UDS之間關系。函數(shù)表示為從圖中可以看出子的工作狀態(tài)可分為個區(qū)iD/mA流區(qū)(放 擊穿 區(qū))IDSS uGS=0 u=u- -、 -2 -3 U= 4P 0 8 / 截止 DS RfS 特點:(1)當S為定值時特點:(1)當S為定值時S(2)改變GS時，特性曲線GS（3）管壓降S(1)恒流性：輸出電流D基本上(1)恒流性：輸出電流D基本上不受輸出電壓的影輸出特性曲線if)DGS控制V（2）受控性：輸入用途:可做放大器和恒流源條件:(1)源端溝道未夾(2)漏端溝道予夾|UGD|>=|UP IDIDSS1 夾斷區(qū)(截止區(qū)特點接通狀態(tài)的夾斷區(qū)(截止區(qū)特點接通狀態(tài)的電子開關擊穿VG當漏源電壓UDS增大到一定程度時，漏端PN結(jié)生雪崩擊穿，使劇增的區(qū)域。由于GD=GS-DS,故越負，漏端達到擊穿所需的電壓UDS就越小，故2DSD和柵、GS2DSD和柵、GSGSDUGS=0時，D=DSS漏極電流最大稱為飽合漏極電流IDSS|GS|增大，D減小，當GS=pD=0。p稱為夾斷電壓結(jié)型場效應管的轉(zhuǎn)移特GS=0～p范圍內(nèi)可近似公式表示 IDIDSS1GS UPDfS)結(jié)型場效應管的特性小P結(jié)型場效應管的特性小PN吳自力2013-絕緣柵場效應管吳自力2013-絕緣柵場效應管絕緣柵型場效應管——N溝道、P溝N溝道、P溝分為0存在導電溝道0耗盡增強型： 0時沒有導電溝道0吳自力2013-吳自力2013-4.2.1增強型MOS場效應N溝道增強型MOS場效應管結(jié)MOSFET基本上是一種左右對稱的拓撲結(jié)構(gòu)，它是在型半導體上生成一層SiO2薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區(qū)，從N型區(qū)引出電極，一個符號B表示西安電子科技大學計算機西安電子科技大學計算機吳自力2013-柵極G→基極源極→發(fā)射極漏極D→集電極襯底電極—絕緣層—基體—因此稱之為MOS西安電子科技大學計算機西安電子科技大學計算機吳自力2013-2.N柵源電壓VGS的控制此，即使在D、S之間加上電壓在D、S間也不可能形成電流當0＜VGS＜VT(開啟電壓)時通過柵極和襯底間的電容作用，將柵極下方P表層的空穴向下排斥，同時，使兩個N區(qū)和襯底中的西安電子科技大學計算機吳自力西安電子科技大學計算機吳自力2013- 當GS＞T時，進一步被吸至柵極下方的P型為反型層。形成N源區(qū)到N漏區(qū)的N型溝把開始形成反型層的GS值稱為該管的開啟電壓時，若在漏源間加電壓就能產(chǎn)生漏極即子開啟。GS越小，在同樣S電壓作用下ID越大。這樣，就實現(xiàn)了輸入電GS對輸出電ID的控制。西安電子科技大學計算機吳自力2013-N溝道增強型MOS場效應管特性UGSID西安電子科技大學計算機吳自力2013-N溝道增強型MOS場效應管特性UGSID與UDSID與UDS的關系近ID≈2K(UGS-RdUGSUD11 N溝道增強型MOS場UGS一定時，ID與UDS的變化IUN溝道增強型MOS場UGS一定時，ID與UDS的變化IUID≈2K(UGS-UT)UDSRdUGSUD11 吳自力2013-當UGS變化時，RON將隨之可變西安電子科技大學計算機吳自力西安電子科技大學計算機吳自力2013-2恒流區(qū)該區(qū)內(nèi)，UGS一定，ID基本不隨UDS變化而變化3).擊穿區(qū)增加到某一時，ID現(xiàn)擊穿當增加到某臨界值時，ID開始西安電子科技大學計算機吳自力西安電子科技大學計算機吳自力2013-UDS一定時，UGS對漏極電流ID在恒流區(qū)，ID與UGS的關mmA/V，稱為跨導ID≈K(UGS-吳自力2013-增吳自力2013-增強型MOS管特性小NP西安電子科技大學計算機吳自西安電子科技大學計算機吳自力2013-4.2.2耗盡型MOS場效應N溝道耗盡型MOS場效應管結(jié)++++++耗盡型MOSN溝道耗盡型MOS管，它是在柵極下方的SiO2絕緣吳自力2013-吳自力2013-2.N溝道耗盡型MOS場效應管耗盡型MOS管存在原始導電溝道。因此，使用時無須加開啟電壓（GS=0），只要加漏源電壓，就會當UGS=0時，UDS加正向電壓漏極電流，用IDSS表GS＞0GS＜0D=0D=0西安電子科技大學計算機吳西安電子科技大學計算機吳自力2013-3.N溝道耗盡型MOS場效應管N溝道耗盡型MOS管可工作在UGS0或N溝道增強型MOS管只能工作在(1)輸出特性曲線西安電子科技大學計算機吳自力2013-西安電子科技大學計算機吳自力2013-uGSG（of）0時,GS(1iD(off)西安電子科技大學計算機吳自力2013-N溝絕西安電子科技大學計算機吳自力2013-N溝絕P溝N絕P吳自力2013-DDiDBGS(th)BGGSS2–P溝道增強N溝道增強DDBBGGSS–N溝道耗盡DP溝道耗盡D5吳自力2013-DDiDBGS(th)BGGSS2–P溝道增強N溝道增強DDBBGGSS–N溝道耗盡DP溝道耗盡D5IUGGSSN溝道結(jié)P溝道結(jié)–西安電子科技大學計算機吳自力2013-場效應西安電子科技大學計算機吳自力2013-場效應三極管的參GS(th)(增強型)G(off)DSSDSD為某一小電流時uGS值。2.DSS耗盡型場效應管，當uGOGS(th)U=0吳自力2013-3.DSS吳自力2013-3.DSSOGS(th)UJFET：GS>MOSFE：GS=109吳自力2013-4.低頻跨導Q吳自力2013-4.低頻跨導Qgm常UO反映了GSD單位S(西門子)。一般為幾毫西安電子科技大學計算機吳自西安電子科技大學計算機吳自力2013-5.漏源動態(tài)電阻dsDSrGS6.最大漏極功耗DMDMDSD，西安電子科技大學西安電子科技大學計算機吳自力2013-6漏源擊穿電壓使ID開始劇增時的UDS7.柵源擊穿電壓8.漏極最大允許耗散功率PDm與ID、UDS有如下關系m西安電子科西安電子科技大學計算機吳自力2013-9.Cgd—柵極與漏極間電容Cgb—柵極與襯底間電容Csd—源極與漏極間電容Csb—源極與襯底間電容Cdb—吳自力2013-吳自力2013-場效應管的特(1)場效應管是一種電壓控制器件即通過UGS來控制(2)場效應管輸入端幾乎沒有電流,所以其直流輸入電(3)由于場效應管是利用多數(shù)載流子導電的,因此,極性三極管相比具有噪聲小、受幅射的影響小、熱穩(wěn)定性吳自力2013-(4)吳自力2013-(4)由于場效應管的結(jié)構(gòu)對稱,有時漏極和源極可以互換使用而各項指標基本上不受影響(5)場效應管的制造工藝簡單,有利于大規(guī)模集成(6)由于MOS場效應管的輸入電阻可高達1015Ω,因此由外界靜電感應所產(chǎn)生的電荷不易泄漏,而柵極上的SiO2緣層又很薄,這將在柵極上產(chǎn)生很高的電場強度,以致引起(7)場效應管的跨導較小,當組成放大電路時,負載電阻下吳自力2013-場效應吳自力2013-場效應三極雙極型三極幾十到幾千歐姆不易大結(jié)結(jié)絕緣NPNPNPD與S有的型號可電壓電壓控較易受靜電影適宜大規(guī)模和超大規(guī)模噪溫度特性輸入電阻靜電集成場效應管（FET）放大場效應管（FET）放大電根據(jù)前面講的場效應管的結(jié)構(gòu)和工作原理極性三極管比較可知，場效應管具有放大作用場效應管的三個極和雙極性三極管的三個極著對應關系G(柵極)→b(基極S(源極)→e(發(fā)射極D(漏極)→c(集電極所以根據(jù)雙極性三極管放大電路，可組成相場效應管放大電場效應管（FET）放大電路的三種工作組以NMOS（E）為輸出RDB輸BBGGG輸SSR出出DD場效應管（FET）放大電路的三種工作組以NMOS（E）為輸出RDB輸BBGGG輸SSR出出DD場效應管（FET場效應管（FET）放大電路的組成原則在恒流區(qū)，場效應管的偏置電路相對動態(tài)：能為交流信號提供場效應管（FET）放大電路的分析方法動態(tài)分微變等效電路靜態(tài)工作點與偏置靜態(tài)工作點與偏置電但由于兩種放大器件各自的特點，故不性三極管放大電路的三極管簡單地用場效應管取代組成場效應管放大電路雙極性三極管是電流控制器件，組成放大時，應給雙極性三極管設置偏置偏流而場效應管是電壓控制器件，故組成放大時，應給場效應管設置偏置偏壓：合適的柵極直流偏置電路：保證直流偏置電路：保證管子工作在飽和區(qū)號不失以N溝道為GS<0GS>GS<0工程中常用的FET放大電路的偏置方式有兩（1）自偏壓電如圖（1）自偏壓電如圖所示。因為在也有漏源電流IDRs，而柵極經(jīng)RG接地UG=0VGS可見該電路的直流偏壓是靠本身源極電阻Rs上壓降設置的，故名自給偏壓式電路。另電路種Cs對Rs柵極電阻G的作柵極電阻G的作GS源極電阻S的作GSQ=GQSQ漏極電阻D的作D的變化變DS的變v(DS（2）分壓式自偏壓電（2）分壓式自偏壓電源電壓VDD經(jīng)RG1、RG2分后，經(jīng)提供柵壓同時ID在Rs上也產(chǎn)生直流壓降Us=IDRs。因而的柵—源電壓為R VDDIDRg1 Q點的確（1）估對于自給偏壓式FET放大電路，已知P Q點的確（1）估對于自給偏壓式FET放大電路，已知P，計算Q點：GSD、VDS。-vvi(1 DVPGS可解出Q點的VGSID注意：該電路產(chǎn)生負的柵源電壓，所以只能用要負柵源電壓的電路對于分壓式自偏壓電路FET放大電路，已知P計算Q點：G對于分壓式自偏壓電路FET放大電路，已知P計算Q點：GSD、DSgV I R D(d+)(1) DVP可解出Q點的VGSIDCUSUDQ2DRG1+GS+uRR+LDDG2oRIDQSG1G2GSQ>調(diào)整電阻的大小CUSUDQ2DRG1+GS+uRR+LDDG2oRIDQSG1G2GSQ>調(diào)整電阻的大小，可獲GSQ=GSQ<該電路產(chǎn)生的柵源電壓可正可負，所以適用所有的場效應管電路1NMOS管，G=1S=2k，RD=12k，VDD20VDSS=4m，G1NMOS管，G=1S=2k，RD=12k，VDD20VDSS=4m，GS(off)DOGSD2IDSS(1)+–GSR–iSi4(1DG=2iD5iD42iD5iD4D1=D2=<GS(off)GS=–2DSDDD(SD)=20–14=8O=VDD–D2已知GS(off)=0.8V，DSS=0.18mA，求“Q”245.8U20010C2002D+5.8(10G+5.8S21RR+u5L2已知GS(off)=0.8V，DSS=0.18mA，求“Q”245.8U20010C2002D+5.8(10G+5.8S21RR+u5Lou+R640.18(15.812IDQI(增根，舍去)GSQ=–0.4DQ2=0.45mA（2）圖解法--以自給偏（2）圖解法--以自給偏壓電路為1）在輸出特性上作(DS在輸出特性曲線上做出直流負載線MN2）在DGS坐標系中作由直流負載線MN與各支輸出特性曲線之交點a2）在DGS坐標系中作由直流負載線MN與各支輸出特性曲線之交點ab、c、d和e相應D、GS值DGS坐標平點，連接這些點，就這是求出Q分別得到a、′b、、e、GS還需滿足式、GS還需滿足式這是一個作出該直線坐標系上過原點的直線方程由于該直線段的斜率為-1/Rs，所以稱之為載線（見圖中曲線②）4）確定Q4）確定Q源極負載線OL與負載轉(zhuǎn)移特性曲線之交點，5）截出Q點的電壓、電【例1,場效應管為3DJG,曲線如圖418所示。已知D=2kΩRS=1.2ΩDD=15V,+DG+S··+RRGS-【例1,場效應管為3DJG,曲線如圖418所示。已知D=2kΩRS=1.2ΩDD=15V,+DG+S··+RRGS-寫出輸出回路的電壓電流方程DID(DS設+DG+S+io- 時 4.7寫出輸出回路的電壓電流方程DID(DS設+DG+S+io- 時 4.7A R 2 ID時，UDS6543u=0 Q-2-32-41-5-6uDS/-6-4-2057-uGS/6543u=0 Q-2-32-41-5-6uDS/-6-4-2057-uGS/在轉(zhuǎn)移特性曲線上,作出G在轉(zhuǎn)移特性曲線上,作出GS=-的曲線由上式可看出它在GS~D坐標系中是一條直線找出令連接該兩點在GS~D坐標系中得一直線此線曲線的交點即為點對應點的值為2S【例】【例】試計算下圖的靜態(tài)工作點。已知1=50kΩ，2=150kΩ，G=1Ω，DS=10kΩ，L=1Ω，S=100μ，DD=20V，場效應管為3DJF，其p=－5V，DSS=1m解將GS代入4I29I4 解將GS代入4I29I4 DDIDS50.6110漏極對地電壓為：DDDD=20–0.6×10=13.9V 510I1 D 即S ID1 5 20 50 5場效應管的微變等效電與BJT的H參數(shù)模型的建立過程相類同，將看作是一個雙口網(wǎng)絡，如圖所示。因FET的柵極故僅存關系為DDf場效應管的微變等效電與BJT的H參數(shù)模型的建立過程相類同，將看作是一個雙口網(wǎng)絡，如圖所示。因FET的柵極故僅存關系為DDfS,SGSDS成函數(shù)關系dSdDiDgmG1DUSD如果用、gs、ds分別表示、GS、DS的化部分則如果用、gs、ds分別表示、GS、DS的化部分則上式g低頻跨mrD與雙極型晶體管一樣，場效應管也是一種性器件，而在交流小信號情況下，也可以由性等效電路—交流小信號模型igu1 特性曲線線性，gm及rds1igdmrD2SSgUP1igdmrD2SSgUPggmUPg2IDSSUGS GDGS可忽SGD其中：gm稱為低頻的rce，其值大概為幾百K歐姆。GDGS可忽SGD其中：gm稱為低頻的rce，其值大概為幾百K歐姆。SDig 1 4.5.3共源組態(tài)基本放大電4.5.3共源組態(tài)基本放大電以與共射組態(tài)接法的基本放大電路相對應，只不效應三極管是電壓控制電流源，即VCCS。共源的圖032示。電路的問題了03.28(1)直流分將共源基本放大電路的直流通道畫出,如03.29所示g10.下(1)直流分將共源基本放大電路的直流通道畫出,如03.29所示g10.下方程阻，s是源極電阻，d與共射G 的RI、，VbbeVVS=DR=G和R分別一對應。而且IV2 要結(jié)型場效應管柵源間DSQ=DD－DQ(d)03.29結(jié)是反偏工作，無柵流，于是可以解出GSQ、DQ么JFET和MOSFET的DSQ通道和交流通道是一樣的(2)交流分(2)交流分圖03.30與雙極型三極管相比，輸入電阻無窮大?路。VCCS的電流源并聯(lián)了一個輸出電阻在雙極型三極管的簡化模型中，因輸出電阻開路，在此可暫時保留。其它部分與雙極型大電路情況一樣①電壓?(r//R// ?og)L? (r//R//R①電壓?(r//R// ?og)L? (r//R//Rg dLg?vmLR'dd如果有阻RVS?Ri/i)Li.i式中I路的輸入電③輸出為計算放大電路的輸③輸出為計算放大電路的輸出電阻網(wǎng)絡計算原則將放大電路畫成圖03.31的形03.31Ro將負載電阻開路，并想象在輸出一個將輸入電壓信號源短路，但留內(nèi)阻。然后計o=?/?Ir 交流參數(shù)歸納①電壓??vmLi②輸入交流參數(shù)歸納①電壓??vmLi②輸入或③輸出?Rd//rdso?do西安電子科技大學計算機2013--西安電子科技大學計算機2013--吳自共漏組態(tài)基本放大電共漏組態(tài)基本放大電路如圖03.32所(1)3.203.33直流通道流態(tài)直流通于圖03.33之中，于GDg2/gg2)GSQ=G－S=G－DQRDQ=DSS[－GSGS(off))DSQ=DD－DQR由此可以解出GSQ、DQ和DSQ(2)交流①電壓(2)交流①電壓為正，表示輸入與輸出同相，當mL>>1≈1時 ? g?(r//s// g mR' ?g?(r//R//R 1g (2)交流式，分子都是(2)交流式，分子都是L，分母對共源放大電路是大電路是(1+漏放大電路的微變等效電①電壓為正，表示輸入與輸出同相，當mL>>1時≈1 ? g?(r//s// g mR' ?g?(r//R//R 1g ②輸入②輸入ig(g1g2③輸出計算輸出電阻③輸出計算輸出電阻的原則與其它組態(tài)相同將微變等效電路改畫為圖03.35? 圖03.35' g ?'[R//r//(1/g ?'(R//r ? R// R oR//r//(1/g) ds 1(R//r 1g 交流參數(shù)歸納①電壓?gL? 1gvimL②輸入交流參數(shù)歸納①電壓?gL? 1gvimL②輸入③輸出?gR////(1/gm)o?o共柵組態(tài)基本放大共柵組態(tài)基本放大電共柵組態(tài)放大電路如圖03.36所示微變等效電路如圖03.37所示03.37(1)直流分03.37(2)交流分? (R//R g ?(R//R)g? ? vdLmL03.37(2)交流分? (R//R g ?(R//R)g? ? vdLmLiR(1/g m②輸入R(1/g(R/gm)?mV11Ri?i? 1ggimRR03.37(2)交流分? (R//R g ?(R//R)g? ? vdLm03.37(2)交流分? (R//R g ?(R//R)g? ? vdLmLRR(1/gi(R/g)??11Rd ?i? 1ggimR R交流參數(shù)歸納①電壓?g ?//Rd(R//R)?? vmdLmLi.②輸入交流參數(shù)歸納①電壓?g ?//Rd(R//R)?? vmdLmLi.②輸入?? R//RV? ? 1iggimmR R③輸出o≈d三種基本放大電路的性能比電壓增益(Rc//三種基本放大電路的性能比電壓增益(Rc//Lg(R//R LrLgm(R//Lbe(1)(Re//LL1gm(R//Lg(R//RbmdL輸入電阻b//b輸入電阻b//b(g1g2(g1g2g3//Lg3b1R//gmRe輸出電阻(Rs//b)