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GaN芯片工藝流程

生產二部2024/1/261精選課件GaNITO芯片前道流程

晶片投入&激光刻號ITO蒸鍍前清洗ITO蒸鍍P-Mesa光罩作業(yè)ITO蝕刻P-Mesa干蝕刻干蝕刻后光阻去除ITO熔合CVDPad光罩作業(yè)Metal蒸鍍前蝕刻Metal蒸鍍金屬剝離溫篩ITO光罩作業(yè)ITO蝕刻2024/1/262精選課件外延片ITO光刻膠ICPEtchingITO蝕刻光刻膠ITO蝕刻ITO熔合SiO2光刻膠Metal蒸鍍P電極N電極GaN芯片前道流程演示圖2024/1/263精選課件GaNITO芯片后道流程前道測試抽測判定（A/B/C)研磨（襯底減?。﹦澚褱y試mapping分選目檢正檢打標簽分類入庫2024/1/264精選課件GaN芯片后道流程演示圖2024/1/265精選課件GaN產品分類GaN藍光Blue綠光Green一、按顏色分二、按尺寸分10B10F12C13A13K14A16B20A24A40A……2024/1/266精選課件S-10BB**8mil10milGaN芯片圖形2024/1/267精選課件GaNLED分選片命名規(guī)則2024/1/268精選課件GaN規(guī)格的定義表示WLD（波長）的起始主波長表示WLD（波長）的跨度表示IV（光強）的跨度表示VF(電壓)的跨度ABCD1EF…23456…波長跨度代碼對照表光強代碼對照表B20-30C30-40D40-50E50-70F70-100GH100-130130-160IJ160-200200-240K240-300L300-360E150-60E260-70F170-80F280-100462CEX規(guī)格正向電壓的范圍X：3.0-3.4Y：3.2-3.62024/1/269精選課件GaNLED大圓片命名規(guī)則

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