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文檔簡介

部分習(xí)題解答部分物理常數(shù)：1第

2章1、在N區(qū)耗盡區(qū)中，高斯定理為：

取一個(gè)圓柱形體積，底面在PN結(jié)的冶金結(jié)面（即原點(diǎn)）處，面積為一個(gè)單位面積，頂面位于x處。則由高斯定理可得：當(dāng)x=xn

時(shí)，E(x)=0，因此，于是得：

（2-5a）23、34、46、

ND2

ND1

568、(1)78(2)91020、1124、PN

結(jié)的正向擴(kuò)散電流為式中的I0因含ni2而與溫度關(guān)系密切，因此正向擴(kuò)散電流可表為于是PN

結(jié)正向擴(kuò)散電流的溫度系數(shù)與相對(duì)溫度系數(shù)分別為1231、當(dāng)N-

區(qū)足夠長時(shí)，開始發(fā)生雪崩擊穿的耗盡區(qū)寬度為：

當(dāng)N-

區(qū)縮短到W=3

m時(shí)，雪崩擊穿電壓成為：1334、1439、15第3章1、NPN緩變基區(qū)晶體管在平衡時(shí)的能帶圖NPN緩變基區(qū)晶體管在放大區(qū)時(shí)的能帶圖162、NPN緩變基區(qū)晶體管在放大區(qū)時(shí)的少子分布圖173、186、197、8、以NPN管為例，當(dāng)基區(qū)與發(fā)射區(qū)都是非均勻摻雜時(shí)，由式（3-33a）和式（3-33b），再根據(jù)注入效率的定義，可得：209、2110、(1)(2)(3)(4)2214、2315、2420、當(dāng)忽略基區(qū)中的少子復(fù)合及ICEO

時(shí)，252627、實(shí)質(zhì)上是ICS

。22、27

使NB>>NC

，這樣集電結(jié)耗盡區(qū)主要向集電區(qū)延伸，可使基區(qū)不易穿通。39、為提高穿通電壓Vpt，應(yīng)當(dāng)增大WB

和NB，但這恰好與提高β相矛盾。解決方法：2848、

當(dāng)

IE很大時(shí)，這時(shí)α0<α

；

當(dāng)IE

很小時(shí)，這時(shí)α0>α

；

在

IE

很小或很大時(shí)，α都會(huì)有所下降。

在正常的IE

范圍內(nèi)，α幾乎不隨IE

變化，這時(shí)

β0

與β

也有類似的關(guān)系。2958、303159、3265、(1)(3)(2)(4)3368、34第5章1、35363、37385

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