新版公司工程能力介紹課件

設(shè)計(jì)開發(fā)過程管理失效分析（工程能力介紹）1泰邦企業(yè)有限公司先科電子有限公司.01020304設(shè)計(jì)開發(fā)過程控制失效分析展望Contents目錄2.設(shè)計(jì)開發(fā)01：開發(fā)背景與團(tuán)隊(duì)02：開發(fā)程式及工具03：合作夥伴04：產(chǎn)品開發(fā)技術(shù)Contents目錄305：設(shè)備開發(fā)技術(shù)06：過程開發(fā)技術(shù).ResearchBackground研發(fā)背景

概述

我們公司早期是與德國(guó)ITT公司合作，我們公司的管理與技術(shù)人員學(xué)習(xí)了ITT公司卓越的管理技術(shù)、先進(jìn)的生產(chǎn)工藝、傳承了產(chǎn)品與生產(chǎn)設(shè)備自主研發(fā)的精神理念，樹立了嚴(yán)謹(jǐn)、科學(xué)、實(shí)幹、創(chuàng)新的技術(shù)管理與工作風(fēng)範(fàn)。4.R&DTeam開發(fā)團(tuán)隊(duì)

我們是世界上其中一家最大的分立半導(dǎo)體器件製造商，林林種種的產(chǎn)品離不開我們R&D團(tuán)隊(duì)與合作夥伴的共同努力。R&D是企業(yè)發(fā)展的源泉和取得長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的基本保證。

我們是由一支強(qiáng)大的研發(fā)管理隊(duì)所引領(lǐng)，下設(shè)有產(chǎn)品研發(fā)中心、生產(chǎn)設(shè)備研發(fā)中心、設(shè)備機(jī)加工中心、設(shè)備製作中心。我們持續(xù)推出高速高穩(wěn)定性的設(shè)備；新型優(yōu)良、高性價(jià)比的產(chǎn)品，以滿足客戶設(shè)計(jì)者從容應(yīng)對(duì)各種挑戰(zhàn)。5.R&Dprogramsandtools開發(fā)程式及工具AutoCADProESlodwordsAD9PspiceISO/TS16949APQPPPAP開發(fā)程式開發(fā)工具6.CooperationPartner產(chǎn)品開發(fā)合作夥伴

我們公司作為半導(dǎo)體分立器件製造商的後道封裝廠，優(yōu)秀的R&D團(tuán)隊(duì)掌握著成熟的產(chǎn)品封裝技術(shù)，融入其晶片技術(shù)，與合作夥伴日本PHENITEC，中國(guó)的SiLan微電子強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合開發(fā)出更多的新型產(chǎn)品。7.ProductDesignTechnology產(chǎn)品開發(fā)技術(shù)外形設(shè)計(jì)尺寸外觀CAD/ProE電特性設(shè)計(jì)電性參數(shù)可靠性晶片材料模擬SPICEDFMEAPspice模型8.ProductDesignTechnology產(chǎn)品開發(fā)技術(shù)9

公司作為半導(dǎo)體分立器件供應(yīng)商，不斷順應(yīng)市場(chǎng)高端新型的產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求，從晶片設(shè)計(jì)，流片，模擬模擬到成品輸出各環(huán)節(jié)嚴(yán)把品質(zhì)關(guān)，做到了超薄小尺寸，高集成度，同時(shí)達(dá)到低功耗、高輸出電流、高ESD等能力，來(lái)滿足客戶提出特殊需求，如已經(jīng)開發(fā)上市的2A超簿整流橋LBF,SOD-123FL的超薄整流管厚度<1.0mm,最大正向電流達(dá)60A，超薄20A/300A的肖特基成品性能都處?kù)稑I(yè)界領(lǐng)先地位。.我們可以根據(jù)客戶特殊要求訂制，已成功開發(fā)出LBF、SOT-26、SOT-363、SOD-723、SOD-123FL/HE、SOD-323HE、DFN等封裝系列的產(chǎn)品，如為韓國(guó)三星電子要求開發(fā)陣列式多通道TVS/ESD保護(hù)二級(jí)管，抗ESD能力達(dá)30KV，器件符合IEC61000-4-2,IEC61000-4-5等標(biāo)準(zhǔn)；小型封裝超高浪湧過電能力的整流/肖特基二極體。10ProductDesignTechnology產(chǎn)品開發(fā)技術(shù)成果.ProcessDesignTechnology過程開發(fā)-封裝技術(shù)產(chǎn)品封裝設(shè)計(jì)主要有：玻封二極體的點(diǎn)接觸燒結(jié)工藝、塑封Dice/wireBonding鍵合工藝、晶片倒封Flip-Bonding工藝。共晶/點(diǎn)膠技術(shù)共晶工藝?yán)镁c框架的背金屬在高溫下合金，點(diǎn)膠工藝是用導(dǎo)電膠或絕緣膠固晶技術(shù)。金屬絲鍵合技術(shù)玻璃封裝直接利用Dumet截面直接壓接Chip的金屬面焊接。此封裝利用高溫焊料將引線與晶片焊接，高承受超載電流，高功率，低熱阻的優(yōu)良產(chǎn)品。點(diǎn)接觸燒接技術(shù)倒封焊接技術(shù)利用超聲波能量將金屬絲與晶片的電極進(jìn)行焊接。高密度封裝技術(shù)框架與模具採(cǎi)用獨(dú)特的高密度陣列設(shè)計(jì)，合理的降低產(chǎn)品成本與充分提高生產(chǎn)效率。11.

EquipmentDesignTechnology設(shè)備開發(fā)技術(shù)12

我們公司R&D團(tuán)隊(duì)掌握著半導(dǎo)體封裝設(shè)備的先進(jìn)技術(shù)，從機(jī)械系統(tǒng)設(shè)計(jì)，電氣控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)、設(shè)備軟體程式設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)與模擬一應(yīng)俱全、工廠80%的設(shè)備是自主獨(dú)立研發(fā)與製造，各種設(shè)備擁有多項(xiàng)業(yè)界獨(dú)創(chuàng)的專利的核心技術(shù)，設(shè)備對(duì)產(chǎn)品工藝調(diào)整易、品質(zhì)改善與效率提升快！優(yōu)勢(shì).

EquipmentDesignTechnology設(shè)備開發(fā)技術(shù)13電氣系統(tǒng)軟體系統(tǒng)機(jī)械系統(tǒng)設(shè)備系統(tǒng)設(shè)計(jì).

EquipmentDesignTechnology設(shè)備開發(fā)技術(shù)14精密機(jī)加工中心.

EquipmentDesignTechnology設(shè)備開發(fā)技術(shù)15設(shè)備裝配調(diào)試中心.16成果

EquipmentDesignTechnology設(shè)備開發(fā)技術(shù)

公司生產(chǎn)設(shè)備具有快速的設(shè)計(jì)製造能力，在封裝業(yè)界獨(dú)樹一幟，我們可以取得產(chǎn)能的快速擴(kuò)充，滿足大量市場(chǎng)需求，縮短客戶交貨期；同時(shí)降低了設(shè)備的購(gòu)買資金，降低產(chǎn)品製造成本，獲得更多的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)能力。.Contents目錄程式控制01：新材料認(rèn)證02：過程能力分析03：MSA、Tfs04：QCC/6SIG05：產(chǎn)品可靠性認(rèn)證17.NewMaterialCertification新材料認(rèn)證材料承認(rèn)010203公司所有的材料必須通過供應(yīng)商及材料資料審核：SPEC、MSDS、CofC、SGS、QAReportRel-Report。試樣封裝測(cè)試：TestData、CTQ、CpK、Yield，ReliabilityTest。通過了以上樣品測(cè)試，索取小批量樣品做試產(chǎn)測(cè)試：S-PPAP。18.Processcapabilityanalysis過程能力分析公司所有封裝產(chǎn)品的關(guān)鍵制程CTQ：如測(cè)試資料，晶片推力，焊線拉力、鍍層膜厚等，通過資料統(tǒng)計(jì)X-Bar，CPK，P圖實(shí)施控制。19.MSA&TfS正確的測(cè)量，永遠(yuǎn)是品質(zhì)改進(jìn)的第一步。如果沒有科學(xué)的測(cè)量系統(tǒng)評(píng)價(jià)方法，缺少對(duì)測(cè)量系統(tǒng)的有效控制，品質(zhì)改進(jìn)就失去了基本的前提。先科10年前就建立了自己的計(jì)量中心，為此，進(jìn)行測(cè)量系統(tǒng)分析就成了企業(yè)實(shí)現(xiàn)連續(xù)品質(zhì)改進(jìn)的必經(jīng)之路。通過MSA，對(duì)器件關(guān)鍵參數(shù)實(shí)施TfS管理，提升了產(chǎn)品的一致性與可靠性20概述.MSA&TfS計(jì)量中心定期根據(jù)產(chǎn)品的控制計(jì)畫上直接用於產(chǎn)品的檢測(cè)機(jī)判定的儀器量具制訂MSA計(jì)畫，並收集資料，對(duì)重複性，再現(xiàn)性，穩(wěn)定性等項(xiàng)目進(jìn)行MSA統(tǒng)計(jì)分析。21MSADTS1000測(cè)試系統(tǒng)MSA.MSA&TfS22TfS圖中1、2、3點(diǎn)數(shù)據(jù)分佈是在規(guī)格範(fàn)圍內(nèi)，但已離群TfS(TestofSignificance)顯著性測(cè)試，它是保證個(gè)別參數(shù)離群的元件被剔除的一種方法，可以對(duì)其隔離與分析，它也是一個(gè)持續(xù)改善的工具，能夠清楚地揭示過程的分佈原因和不足。.MSA&TfS收集測(cè)試資料，圓圈點(diǎn)的資料離群，超越了控制極限。23TfS.MSA&TfS收集1000pcs測(cè)試資料顯示CPK=2.66很高，有6pcs離散值，不能被剔除！但使用TfS可以剔除。24TfS高CPK的制程含有6pcsoutliers.MSA&TfS實(shí)際生產(chǎn)過程中，各種原材料，批次的不同製造出的產(chǎn)品分佈也是有一定的波動(dòng)，實(shí)際控制必須使用動(dòng)態(tài)的控制極限，靜態(tài)的控制線不能剔除現(xiàn)實(shí)中的不良品與失效品，TfS的控制極限的適宜性序定期評(píng)估。25TfS.MSA&TfS實(shí)際生產(chǎn)過程中，設(shè)定測(cè)試分選設(shè)備將RejecBIN的極限設(shè)定在UCL與LCL極限之外，確保離散的產(chǎn)品被抓出。26TfS.MSA&TfS收集測(cè)試整流二極體的測(cè)試資料，大部分的IR資料分佈在0.2uA，抽取圖中離群1.5uA的樣品及常規(guī)品分析，解剖發(fā)現(xiàn)離群1.5uA的樣品有輕微的Chipping-off，因此可以及時(shí)的發(fā)現(xiàn)到異常不良進(jìn)行控制。27TfS.QCC/6SIG案例：降低玻封二極體夾具清洗的成本28公司QCC/6Sig委員會(huì)每年組織提案，選取重大的改善課題實(shí)施改善，為公司節(jié)約成本、提高生產(chǎn)效率、產(chǎn)品品質(zhì)、工業(yè)安全，改善人才培養(yǎng)方面作出了重大貢獻(xiàn)。.01COT（IOL）、ACT、HTRB、H3TRB；壽命試驗(yàn)/LIFETEST03拉力、推力、壓力測(cè)試、引腳終端強(qiáng)度測(cè)試機(jī)械試驗(yàn)/MECHANICALTEST02高溫、低溫、高溫高濕、PCT、TCT、TST測(cè)試環(huán)境試驗(yàn)/ENVIRONMENTALTEST04可焊性、熱抵抗、印字耐久性、ESD、浪湧、熱阻測(cè)試等產(chǎn)品可靠性認(rèn)證ProductReliabilityCertification裝板試驗(yàn)/其它試驗(yàn)29.Contents目錄FA失效分析01：FA設(shè)備02：FA項(xiàng)目03：FA流程04：FA案列30.FAEquipment

FA設(shè)備雷擊/浪湧衝擊測(cè)試儀VESD/VC分析儀各類精密參數(shù)測(cè)試儀熱阻分析儀

特性曲線掃描器阻抗-網(wǎng)路-頻譜分析儀包裝袋剝離力測(cè)試儀洛氏硬度計(jì)無(wú)損檢測(cè)X-ray儀XRF/螢光光譜儀膜厚/EDX儀SEM、SAM掃描器器件開封機(jī)晶片探針臺(tái)切片/研磨機(jī)失效分析設(shè)備齊全推力測(cè)試儀

拉力測(cè)試儀壓力測(cè)試儀高,低倍金相顯微鏡

二次元影像儀三次元精密尺寸分析儀

影像投影儀31.FA項(xiàng)目外觀檢查外形尺寸測(cè)量鍍層/膜厚測(cè)量FAProjectX-Ray透視EDX元素分析SAM掃描32.FA項(xiàng)目電參數(shù)測(cè)試特性曲線掃描模擬浪湧衝擊測(cè)試FAProject模擬焊接分析類比振動(dòng)分析模擬環(huán)境分析33.FA項(xiàng)目化學(xué)De-Cap切片研磨SEM掃描FAProject34熱阻測(cè)試阻抗網(wǎng)路頻譜分析推拉力測(cè)試.FAProcessFA流程樣品接收外觀檢查曲線檢查晶片內(nèi)部外觀結(jié)構(gòu)檢查開帽檢查失效模擬測(cè)試電性檢查PN結(jié)測(cè)試無(wú)損檢查晶片測(cè)試晶片去金屬層檢查報(bào)告結(jié)束35另可以根據(jù)客戶需求分析.FailureAnalysisCase失效分析案例塑封SOD-1231N4148W產(chǎn)品在焊線材料供應(yīng)商行業(yè)不斷的推出新型的銅焊線工藝材料，客戶要求進(jìn)一步降低產(chǎn)品成本，要求使用CuWireBonding工藝，初期小批量導(dǎo)入階段收到用戶端產(chǎn)線測(cè)試不良。

概述36.失效分析案例描述：客戶回饋在產(chǎn)線ICT測(cè)試工位發(fā)現(xiàn)PCBD5

的VF值偏高不良。封裝：SOD-123型號(hào)：1N4148W數(shù)量：3pcs不良率：3pcs/16.5KPcs,182ppmD1.問題描述(Problemdescription)：

D1FailureAnalysisCase37.失效分析案例組長(zhǎng)：Mr.Z.Y.L品質(zhì)部：SLDeng工藝部：HJYin生產(chǎn)部：YBLiFAE部：XGZhang客戶部：Jason工程部：WLXuD2D2.改善小組成員(ImprovementTeamMembers)：D3D3.短期對(duì)策(ShortTermCorrectiveAction)：請(qǐng)客戶檢查篩查在製品，並隔離ST庫(kù)存重檢。FailureAnalysisCase38.失效分析案例D4D4.原因分析(CauseAnalysis)：4.1客戶提供1N4148W樣品3PCS，樣品外觀都良好，引腳粘有餘錫，已使用過，樣品刻字“W1”；如下圖所示：4.2X-RAY檢查3PCS樣品，樣品內(nèi)部組裝結(jié)構(gòu)正常，焊線良好；從焊線成像清晰度來(lái)看，為銅焊線工藝產(chǎn)品.如下圖所示：樣品Xray正/側(cè)面圖樣品外觀圖FailureAnalysisCase39.失效分析案例D4D4.原因分析(CauseAnalysis)：4.3萬(wàn)用測(cè)試3PCS樣品的PN結(jié)壓降，結(jié)電壓都偏高ＮＧ，如下

圖所示：4.4用DTS1000參數(shù)測(cè)試儀測(cè)試電性發(fā)現(xiàn)VF參數(shù)同樣偏高。電參數(shù)測(cè)試dataPN結(jié)正反向測(cè)試FailureAnalysisCase40.失效分析案例D4D4.原因分析(CauseAnalysis)：4.5用超聲波掃描器SAM-T分析，發(fā)現(xiàn)第二焊點(diǎn)焊接處有分層現(xiàn)象。SAM-T測(cè)試掃描圖FailureAnalysisCase41.失效分析案例D4D4.原因分析(CauseAnalysis)：切片研磨線示意圖4.6取1#樣品用磨拋機(jī)進(jìn)行研磨切片，用掃描電鏡SEM掃描電鏡觀察確認(rèn)第一二焊點(diǎn)及晶片固晶狀況:研磨後SEM照片F(xiàn)ailureAnalysisCase42.失效分析案例D4D4.原因分析(CauseAnalysis)：第一焊球SEM圖4.7取1#樣品進(jìn)行研磨，用掃描電鏡SEM確認(rèn)第一焊點(diǎn)焊接良好，且晶片與引線框架的共晶結(jié)合處良好，而第二焊接點(diǎn)有微斷裂現(xiàn)象，如下圖紅圈處：第二焊SEM圖Chip&L/FSEM圖FailureAnalysisCase43.失效分析案例D4D4.原因分析(CauseAnalysis)：4.8用SEM逐級(jí)放大第二焊接處有斷裂分層的問題，焊接處分層會(huì)導(dǎo)致歐姆接觸阻抗增大，結(jié)合不牢，可以斷定是焊線機(jī)地二焊焊接不牢導(dǎo)致VF偏高的主要原因。研磨第二焊後逐級(jí)SEM放大照片F(xiàn)ailureAnalysisCase44.失效分析案例D4D4.原因分析(CauseAnalysis)：4.9用化學(xué)De-Cap方法開封，去除樹脂觀察晶片、焊球與鋁層是否受損及異常，解剖後沒有發(fā)現(xiàn)晶片有異常不良，無(wú)切割裂紋、無(wú)擠Al、無(wú)焊接偏位現(xiàn)象，測(cè)試裸晶電性O(shè)K。研磨第二焊後逐級(jí)SEM放大照片F(xiàn)ailureAnalysisCase裸晶測(cè)試45.失效分析案例D4D4.原因分析(CauseAnalysis)：4.10