武漢工程大學(xué)電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題集模電答案高等教育

1/1武漢工程大學(xué)電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題集模電答案-高等教育

武漢工程高校電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題集模電答案

第一單元練習(xí)答案

一、填空題

1.+3，空穴，+5，自由電子，摻雜濃度，溫度（或本征激發(fā)）2.單向?qū)щ娦?.齊納，雪崩，

4.雙極結(jié)型晶體三級管，NPN,PNP,自由電子，空穴，電流，輸入電流，輸出電流

5．飽和區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)，放射結(jié)、集電結(jié)6．正向，反向7．1+β，小

8．集電極電流IC、放射極電流IE,集電極電流IC、基極電流IB9．左移，上移，增大

二、選擇題

1.C、A2.A、E、B、D3.C4.A5.C6.A

三、簡答與計算

12

武漢工程高校電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題集模電答案

3

4．5．6．

圖（a）D截止，VAO=-12V；

圖（b）D1截止，D2導(dǎo)通，VAO=-6VVAVBD導(dǎo)通

UO1＝6V，UO2＝5V。

7．略（上課講過）8．略9．解：（1）Rb＝50kΩ時，基極電流、集電極電流和管壓降分別為

IB=VBBUBE=26μA

Rb

IC=βIB=2.6mAUCE=VCCICRC=2V

所以輸出電壓UO＝UCE＝2V。（2）設(shè)臨界飽和時UCES＝UBE＝0.7V，所以

IC=

IB=

VCCUCES

=2.86mARc

IC

=28.6A

β

VUBE

Rb=BB≈45.4k

IB

武漢工程高校電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題集模電答案

一、填空題1、（1）

VCCVBE

，565；IBQ

VCCVCEQ

βIBQ

，3

U

（2）-o，-120；

Ui

β(RL//RC)1

Ui=AuUi，0.3rbe2

2、共射，共集，共基

3、等于；小于；大于

4

4、80,10

5、各單級放大倍數(shù)的乘積，各單級相移之和，從輸入級看進出的等效電阻，從末級看進出

的等效電阻，負(fù)載電阻，信號源內(nèi)阻

6、直接耦合，阻容耦合和變壓器耦合，阻容耦合和變壓器耦合，直接耦合，變壓器耦合，直接耦合，直接耦合

二、選擇題

1、2、

（1）A(2)C(3)B(4)B

B；A；A

3、A；C；B

4、B；B；C；C；B5、C6、A7、A8、C三、推斷題√√四、綜合題

1、（a）將－VCC改為＋VCC。

（b）在＋VCC與基極之間加Rb。

（c）將VBB反接，且在輸入端串聯(lián)一個電阻。（d）在VBB支路加Rb，在－VCC與集電極之間加Rc。

武漢工程高校電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題集模電答案

一、填空題

1、利用輸入電壓的電場效應(yīng)來掌握其輸出電流【或者說一種載流子（多子）參加導(dǎo)電】，利用輸入電流掌握輸出電流【或者說兩種載流子（電子和空穴）參加導(dǎo)電】，場效應(yīng)管，晶體三極管。

電壓，很高。電流?？勺冸娮鑵^(qū)、恒流區(qū)、夾斷區(qū)。B、C、E，NPN、PNP。2、結(jié)型，絕緣柵型，多數(shù)載流子3、結(jié)型場效應(yīng)管、耗盡型MOS管二、推斷題√

三、問答題

1、(a)N溝道耗盡型MOSFET,Vp=-3V(b)P溝道耗盡型MOSFET,Vp=2V(c)P溝道增加型MOSFET,VT=-4V

2、已知放大電路中一只N溝道場效應(yīng)管三個極①、②、③的電位分別為4V、8V、12V，管子工作在恒流區(qū)。試推斷它可能是哪種管子（結(jié)型管、MOS管、增加型、耗盡型），并說明①、②、③與G、S、D的對應(yīng)關(guān)系。

解：管子可能是增加型管、耗盡型管和結(jié)型管，三個極①、②、③與G、S、D的對應(yīng)關(guān)系如圖所示。

3、增加型FET能否用自偏壓的方法來設(shè)置靜態(tài)工作點？試說明理由。解由于增加型MOS管在vGS=0時，iD=0（無導(dǎo)電溝道），必需在|vGS|＞|VT|（VT為開啟電壓）時才有iD，因此，增加型的MOS管不能用自偏壓的方法來設(shè)置靜態(tài)工作點。

四、綜合、計算題

1、電路如圖3-2(a)所示，T的輸出特性如圖3-2(b)所示，分析當(dāng)uI＝4V、8V、12V三種狀況下場效應(yīng)管分別工作在什么區(qū)域。

武漢工程高校電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題集模電答案

圖3－2(a)圖3－2(b)

解：依據(jù)圖圖3－2(b)所示T的輸出特性可知，其開啟電壓為5V，依據(jù)圖3－2(a)所示電路可知所以uGS＝uI。

當(dāng)uI＝4V時，uGS小于開啟電壓，故T截止。

當(dāng)uI＝8V時，設(shè)T工作在恒流區(qū)，依據(jù)輸出特性可知iD≈0.6mA，管壓降

uDS≈VDD－iDRd≈10V因此，uGD＝uGS－uDS≈－2V，小于開啟電壓，說明假設(shè)成立，即T工作在恒流區(qū)。

當(dāng)uI＝12V時，由于VDD＝12V，必定使T工作在可變電阻區(qū)。

2、解：（a）可能（b）不能（c）不能（d）可能

3、解：由于三只管子均有開啟電壓，所以它們均為增加型MOS管。依據(jù)表中所示各極電位可推斷出它們各自的工作狀態(tài)，如解表3-1所示。

解表3-1

管號T1T2T3

4、解

（1）假設(shè)JFET工作于恒流區(qū)，則靜態(tài)時：

IDQ=IDSS(1-VGS/VP)2,得VGSQ=-0.4V而靜態(tài)時，iG=0，無電流流過RG，則

UGS（th）/V

4－4－4

US/V－536

UG/V130

UD/V3105

工作狀態(tài)恒流區(qū)截止區(qū)可變電阻區(qū)

VGSQ=

Rg2Rg1+Rg2

Rg2Rg1+Rg2

VCCIDQRVCCVGSQ

=10k

VDSQ=VCCIDQ(RD+R)

=180.64(10+10)=5.2V

R=

IDQ

VDSQ=5.2V＞VGSQ-VP=-0.4-(-2)=1.6V故假設(shè)正確，JFET工作于恒流區(qū)。

武漢工程高校電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題集模電答案

gm=

iDvGS

VDS

2

IDSS(

1vGS/VP)

=vGS

=0.8ms

=2Kn(vGSVP)=

2IDSS==(vV)GSPVP2=gmvgs(RDRL)=g(RPR)=0.86=4.8AumDL

vgsRi=RG+(Rg1PRg2)=10.067MRo=RD=10K

(3)若C3虛焊開路，則小信號模型如圖（b）所示，則

vi=vgs+gmvgsR

'Au=

gmvgs(RDRL)vgs+gmvgsR

=

gm(RDRL)

≈0.533

1+gmR

Ri=RG+(Rg1PRg2)=10.067MRo=RD=10K

5、（1）共源-共基

ii1

i21+β

oo2

（2）

vo1gmvgs(rdsPRi2)rAu1===gm(rdsPbe≈20.01=0.02vivgs1+β=vo=βR=2000Au2

vi2rbe

=vo1vo=AA=g(rPrbe)βR2=0.022000=40Auu1u2mdsvivi21+βrbeRi=Ri1≈R1=1MRo=Ro2≈R2=20K

武漢工程高校電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題集模電答案

第四單元練習(xí)答案

一、選擇填空題

1、CBCCA2、A3、B二、推斷題√√

三、簡答計算題

1、在輸入正弦信號狀況下，通過三極管的電流ic不消失截止?fàn)顟B(tài)（即導(dǎo)通角θ＝2π）的

稱為甲類；在正弦信號一個周期中，三極管只有半個周期導(dǎo)通（θ＝π）的稱為乙類；導(dǎo)通時間大于半周而小于全周（π＜θ＜2π）的稱為甲乙類。其中工作于乙類的放大電路效率最高，在雙電源的互補對稱電路中，抱負(fù)狀況下最高效率可達78．5％。

2、解（1）輸出功率

V2CC(12V)2

Pom===4.5W

2RL216

（2）每管允許的管耗

PCM≥0.2POM=0.20.45W=0.9W

（3）每管子的耐壓

|V(BR)CEO|≥2VCC=212V=24V

Uom(VCC-VCES)2(15-2)2

3、(1)Pom====3.52W

2RL2RL2RL

(2)Uom=15-2V=13V

RfUo180KAV====12

UiR115KUim=

Uom13V

=1.08VAV12

2

(3)D1，D2在電路中構(gòu)成互補放大電路的克服交越失真部分。

4、解：（1）射極電位UE＝VCC/2＝12V；若不合適，則應(yīng)調(diào)整R2。

（2）最大輸出功率和效率分別為

Pom

1

(VCCCES)2=≈5.06W

2RL

1

VCES

πCCη=≈58.9%

4VCC2

（3）T2和T4管ICM、U（BR）CEO和PCM的選擇原則分別為

武漢工程高校電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題集模電答案

ICM＞

VCC2

=1.5ARL

U(BR)CEO＞VCC=24V

(VCC2)2

≈1.82WPCM＞

π2RL

武漢工程高校電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題集模電答案

第五單元練習(xí)答案

一、選擇題1-5ACACC二、填空題

6-9BCCB

1、直接好零點漂移2、∞∞03、差分功率放大

4、同相反相相同相反5、6mV7mV60mV

三、推斷題

1、2、3、√4、5、6、

四、簡答計算題

1、解：通用型集成運算放大器一般由輸入級、中間級、輸出級組成。輸入級采納差動放大電路，輸入級要求盡量減小溫度漂移。中間級采納共射放大電路，要求供應(yīng)較高的電壓放大倍數(shù)。輸出級采納共集接法，互補對稱電路，要求輸出電阻要小。

2、解：由于T2和T3所組成的鏡像電流源是以T1為放大管的共射放大電路的有源負(fù)載，T1、T2管d-s間動態(tài)電阻分別為rds1、rds2，所以電壓放大倍數(shù)Au的表達式為Au=

3、解：（1）由于T1和T2為鏡像關(guān)系，且β＞＞2，所以iC2≈iC1≈iI2。（2）iB3＝iI1－iC2≈iI1－iI2

（3）輸出電壓的變化量和放大倍數(shù)分別為

uO

uI

=

iD(rds1∥rds2)

uI

=gm(rds1∥rds2)

uO=iC3Rc=β3iB3Rc

Aui=uO(iI1iI2)≈uOiB3=β3Rc

4、如圖，已知β=50，rbb'=100。

1）計算靜態(tài)時的IC1、IC2、UC1、UC2。設(shè)RB的壓降可忽視。

、r、r。2）計算Adio

3）當(dāng)Uo=0.8V時（直流），Ui＝？解：

（1）0RBIB1UBE12(1+β)IB1RE=15得：IB1=IB2

15UBE1

==5.1ARB+2(1+β)RE

IC1=IC2=βIB1=0.255mA

由節(jié)點電壓法：(

1115

+UC1=IC1+

RCRLRC

武漢工程高校電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題集模電答案

得：UC1=2.45V

UC2=15RCIC2=7.35V

（2）

rbe1=rbb'+(1+β)

26mV

≈5.2k

IE1

(R//R)UU1βIoob1CLAd====47.2

U2Ib1rbe1+Ib1RBUi

2i

2

ri=2(RB+rbe1)=10.6kΩro=RC=30kΩ

=0.82.45=1.65V（3）此時UoU1.65故Ui=o==35mVA47.2u

5、圖中設(shè)T1～T4的β＝120，rbb′＝

200，rce3＝50K，RC＝10K，Re3＝

Re4＝100，R＝4.3K，Rb＝1K，VCC

＝12V，VEE＝6V，VBE＝0.7V。求：1）計算T1、T2的靜態(tài)工作點ICQ1、ICQ2、

VCQ1、VCQ2；

2）Aud2=

uo2

、Rid、Rod2；

ui1ui2

3）Auc2及KCMR。解：1）

IC3=IC4=

0(VEE)VBE4

=1.2045mA

R+Re4

1

ICQ1＝ICQ2＝IC3＝0.6mA

2

VCQ1=VCQ2=VCCICQ1RC=120.610=6Vrbe1=rbe2=rbb'+(1+β)

26mV

=5.443KIEQ1

武漢工程高校電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題集模電答案

2)

武漢工程高校電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題集模電答案

第六單元練習(xí)答案

一、選擇題

1、BB2、D3、C4、C6、ABCDBA7、A8、B

5、ABBAB9、C10、C

二、填空題

1、盡可能小2、盡可能大

5、增益

6、60

4、√5、6、7、√8、

3、電壓串聯(lián)負(fù)反饋4、電流串聯(lián)負(fù)反饋

三、推斷題

1、2、√3、

四、分析計算題

1、推斷圖所示各電路中是否引入了反饋，是直流反饋還是溝通反饋，是正反饋還是負(fù)反饋。若引入了溝通負(fù)反饋，則推斷是哪種組態(tài)的負(fù)反饋，并求出反饋系數(shù)和深度

或A。設(shè)圖中全部電容對溝通信號均可視負(fù)反饋條件下的電壓放大倍數(shù)Ausfuf

為短路。

解：圖（a）所示電路中引入了電流串聯(lián)負(fù)反饋。反饋系數(shù)和深度負(fù)反饋條件

分別為下的電壓放大倍數(shù)Auf

=F

R1R3

≈R1+R2+R3RAufL

R1+R2+R3R1R3

式中RL為電流表的等效電阻。

圖（b）所示電路中引入了電壓并聯(lián)負(fù)反饋。反饋系數(shù)和深度負(fù)反饋條

分別為件下的電壓放大倍數(shù)Auf

≈R2=1AFuf

R2

R1

圖（c）所示各電路中引入了交、直流負(fù)反饋。且為電流并聯(lián)負(fù)反饋，反饋系數(shù)及源電壓放大倍數(shù)分別為：

'(R∥R)R2UIR1RLoo4LAusf=≈=(1+

RUIRRR1+R2ifs2s

=II=Ffo

圖（d）所示各電路中引入了交、直流負(fù)反饋。且為電壓串聯(lián)負(fù)反饋，反饋系數(shù)及電壓放大倍數(shù)分別為：

=U=Ffo

R1UURoAuf=≈o=1+4UR1+R4UR1if

圖（e）所示電路中通過R3和R7引入直流負(fù)反饋，通過R4引入交、直流負(fù)反饋，且為電流串聯(lián)負(fù)反饋。反饋系數(shù)及電壓放大倍數(shù)分別為：

武漢工程高校電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題集模電答案

=UI=Ffo=Auf

R2R9

R2+R4+R9

(R∥R∥R)UI(R+R4+R9)(R7∥R8∥RL)o8L

≈o7=2

UiUfR2R9

武漢工程高校電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題集模電答案

第七單元練習(xí)答案

一、填空題

1、（1）反相，同相（2）同相，反相（3）同相，反相（4）同相，反相2、（1）同相比例（2）反相比例（3）微分（4）同相求和（5）反相求和（6）乘方3、（1）1，0.4；（2）10。

二、選擇題

1、ABCD

2、A,D,F,E,D

三、推斷題

（1）√（2）（3）√（4）

四、計算題1、：圖（a）所示為反相求和運算電路；圖（b）所示的A1組成同相比例運算

電