第3章電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分

3半導(dǎo)體三極管及放大電路根底3.1BJT3.3放大電路的分析方法3.4放大電路靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)的穩(wěn)定問題3.5共集電極放大電路和共基極放大電路3.2根本共射極放大電路3.6組合放大電路*3.7放大電路的頻率呼應(yīng)*3.8單級放大電路的瞬態(tài)呼應(yīng)3.1BJT3.1.1BJT的構(gòu)造簡介3.1.2放大形狀下BJT的任務(wù)原理3.1.3BJT的V-I特性曲線3.1.4BJT的主要參數(shù)3.1.5溫度對BJT參數(shù)及特性的影響3.1.1BJT的構(gòu)造簡介(a)小功率管(b)小功率管(c)大功率管(d)中功率管半導(dǎo)體三極管的構(gòu)造表示圖如下圖。它有兩種類型:NPN型和PNP型。3.1.1BJT的構(gòu)造簡介(a)NPN型管構(gòu)造表示圖(b)PNP型管構(gòu)造表示圖(c)NPN管的電路符號(d)PNP管的電路符號基區(qū)很薄，摻雜濃度很低發(fā)射區(qū)比集電區(qū)摻雜濃度高得多集電區(qū)比發(fā)射區(qū)面積大集成電路中典型NPN型BJT的截面圖3.1.1BJT的構(gòu)造簡介三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下，經(jīng)過內(nèi)部載流子傳輸表達(dá)出來的。外部條件：發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏3.1.2放大形狀下BJT的任務(wù)原理1.內(nèi)部載流子的傳輸過程發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子集電區(qū)：搜集載流子基區(qū)：傳送和控制載流子〔以NPN為例〕由于三極管內(nèi)有兩種載流子(自在電子和空穴)參與導(dǎo)電，故稱為雙極型三極管或BJT(BipolarJunctionTransistor)。IC=ICN+ICBOIE=IEN+IEP放大形狀下BJT中載流子的傳輸過程IB=IEP+IBN-ICBOIEN=ICN+IBN2.電流分配關(guān)系根據(jù)傳輸過程可知IC=ICN+ICBO通常ICN>>ICBO為電流放大系數(shù)。它只與管子的構(gòu)造尺寸和摻雜濃度有關(guān)，與外加電壓無關(guān)。普通=0.90.99。IE=IB+IC放大形狀下BJT中載流子的傳輸過程是另一個電流放大系數(shù)。同樣，它也只與管子的構(gòu)造尺寸和摻雜濃度有關(guān)，與外加電壓無關(guān)。普通>>1。2.電流分配關(guān)系3.三極管的三種組態(tài)(c)共集電極接法，集電極作為公共電極，用CC表示。(b)共發(fā)射極接法，發(fā)射極作為公共電極，用CE表示；(a)共基極接法，基極作為公共電極，用CB表示；BJT的三種組態(tài)共基極放大電路4.放大作用假設(shè)vI=20mV電壓放大倍數(shù)將使iE=1mA，那么iC=iE=0.98mA，vO=iC?RL=0.98V，當(dāng)=0.98時，RL=1kΩRe=20Ω綜上所述，三極管的放大作用，主要是依托它的發(fā)射極電流可以經(jīng)過基區(qū)傳輸，然后到達(dá)集電極而實(shí)現(xiàn)的。實(shí)現(xiàn)這一傳輸過程的兩個條件是：〔1〕內(nèi)部條件：發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，且基區(qū)很薄。〔2〕外部條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。3.1.3BJT的V-I特性曲線iB=f(vBE)vCE=const.(2)當(dāng)vCE=1V時，vCB=vCE-vBE>0，集電結(jié)已進(jìn)入反偏形狀，開場搜集電子，基區(qū)復(fù)合減少，同樣的vBE下iB減小，特性曲線右移。(1)當(dāng)vCE=0V時，相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向伏安特性曲線。1.輸入特性曲線〔以共射極放大電路為例〕共射極銜接(3)當(dāng)vCE>1V時，已能將絕大部分電子拉到集電結(jié)來，以致于vCE再添加，iB不再明顯減小，故vCE>1V后的輸入特性曲線根本重合。飽和區(qū)：iC明顯受vCE控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，普通vCE＜0.7V(硅管)。此時，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏或反偏電壓很小。iC=f(vCE)iB=const.2.輸出特性曲線輸出特性曲線的三個區(qū)域:截止區(qū)：iC接近零的區(qū)域，相當(dāng)iB=0的曲線的下方。此時，發(fā)射結(jié)反偏，vBE小于死區(qū)電壓Vth。放大區(qū)：iC平行于vCE軸的區(qū)域，曲線根本平行等距〔iC=βiB〕。此時，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。3.1.3BJT的V-I特性曲線(1)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)=IC/IB〔hFE〕1.電流放大系數(shù)3.1.4BJT的主要參數(shù)(2)共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)=iC/iB1.電流放大系數(shù)(3)共基極直流電流放大系數(shù) =IC/IE(4)共基極交流電流放大系數(shù)αα=iC/iE在通常情況下，≈、≈，可以不加區(qū)分。今后運(yùn)用中，只用符號、表示。3.1.4BJT的主要參數(shù)2.極間反向電流 (1)集電極基極間反向飽和電流ICBO發(fā)射極開路時，集電結(jié)的反向飽和電流。3.1.4BJT的主要參數(shù)(2)集電極發(fā)射極間的反向飽和電流ICEOICEO=〔1+〕ICBO3.1.4BJT的主要參數(shù)2.極間反向電流3.極限參數(shù)3.1.4BJT的主要參數(shù)(1)反向擊穿電壓V(BR)CBO——發(fā)射極開路時的集電結(jié)反 向擊穿電壓。V(BR)EBO——集電極開路時發(fā)射結(jié)的反 向擊穿電壓。V(BR)CEO——基極開路時集電極和發(fā)射極間的擊穿電壓。幾個擊穿電壓有如下關(guān)系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO(2)集電極最大允許電流ICM(3)集電極最大允許功率損耗PCMPCM=iCvCE3.極限參數(shù)3.1.4BJT的主要參數(shù)3.1.5溫度對BJT參數(shù)及特性的影響(1)溫度對ICBO的影響溫度每升高10℃，ICBO約添加一倍。(2)溫度對的影響溫度每升高1℃，值約增大0.5%~1%。(3)溫度對反向擊穿電壓V(BR)CBO、V(BR)CEO的影響溫度升高時，V(BR)CBO和V(BR)CEO都會有所提高。2.溫度對BJT特性曲線的影響1.溫度對BJT參數(shù)的影響end3.2根本共射極放大電路3.2.1根本共射極放大電路的組成3.2.2根本共射極放大電路的任務(wù)原理3.2.1根本共射極放大電路的組成根本共射極放大電路3.2.2根本共射極放大電路的任務(wù)原理1.靜態(tài)(直流任務(wù)形狀)輸入信號vi＝0時，放大電路的任務(wù)形狀稱為靜態(tài)或直流任務(wù)形狀。直流通路VCEQ=VCC－ICQRc〔VBEQ：硅0.7V，鍺0.2V〕3.2.2根本共射極放大電路的任務(wù)原理2.動態(tài)輸入正弦信號vs后，電路將處在動態(tài)任務(wù)情況。此時，BJT各極電流及電壓都將在靜態(tài)值的根底上隨輸入信號作相應(yīng)的變化。交流通路end3.3放大電路的分析方法3.3.1圖解分析法3.3.2小信號模型分析法1.靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)的圖解分析2.動態(tài)任務(wù)情況的圖解分析3.非線性失真的圖解分析4.圖解分析法的適用范圍1.BJT的H參數(shù)及小信號模型2.用H參數(shù)小信號模型分析根本共射極放大電路3.小信號模型分析法的適用范圍3.3.1圖解分析法1.靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)的圖解分析采用該方法分析靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)，必需知三極管的輸入輸出特性曲線。共射極放大電路3.3.1圖解分析法1.靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)的圖解分析列輸入回路方程

列輸出回路方程〔直流負(fù)載線〕 vCE=VCC－iCRc首先，畫出直流通路直流通路在輸出特性曲線上，作出直流負(fù)載線vCE=VCC－iCRc，與IBQ曲線的交點(diǎn)即為Q點(diǎn)，從而得到VCEQ和ICQ。在輸入特性曲線上，作出直線，兩線的交點(diǎn)即是Q點(diǎn)，得到IBQ。根據(jù)vs的波形，在BJT的輸入特性曲線圖上畫出vBE、iB的波形2.動態(tài)任務(wù)情況的圖解分析根據(jù)iB的變化范圍在輸出特性曲線圖上畫出iC和vCE的波形2.動態(tài)任務(wù)情況的圖解分析iB=iB1iB=iB22.動態(tài)任務(wù)情況的圖解分析共射極放大電路中的電壓、電流波形沒有輸入信號電壓時，BJT各電極都是恒定的電壓電流〔IB、IC、VCE〕，當(dāng)輸入信號電壓后，各電極電壓電流〔iB、iC、vCE〕都在原來靜態(tài)直流根底上疊加一個交流量〔ib、ic、vce〕。3.靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)對波形失真的影響截止失真的波形〔Q點(diǎn)過低〕飽和失真的波形〔Q點(diǎn)過高〕3.靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)對波形失真的影響4.圖解分析法的適用范圍幅度較大而任務(wù)頻率不太高的情況優(yōu)點(diǎn)：直觀、籠統(tǒng)。有助于建立和了解交、直流共存，靜態(tài)和動態(tài)等重要概念；有助于了解正確選擇電路參數(shù)、合理設(shè)置靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)的重要性。能全面地分析放大電路的靜態(tài)、動態(tài)任務(wù)情況。缺陷：不能分析任務(wù)頻率較高時的電路任務(wù)形狀，也不能用來分析放大電路的輸入電阻、輸出電阻等動態(tài)性能目的。3.3.2小信號模型分析法1.BJT的H參數(shù)及小信號模型建立小信號模型的意義建立小信號模型的思緒當(dāng)放大電路的輸入信號電壓很小時，就可以把三極管小范圍內(nèi)的特性曲線近似地用直線來替代，從而可以把三極管這個非線性器件所組成的電路當(dāng)作線性電路來處置。由于三極管是非線性器件，這樣就使得放大電路的分析非常困難。建立小信號模型，就是將非線性器件做線性化處置，從而簡化放大電路的分析和設(shè)計。1.BJT的H參數(shù)及小信號模型H參數(shù)的引出在小信號情況下，對上兩式取全微分得用小信號交流分量表示vbe=hieib+hrevceic=hfeib+hoevce對于BJT雙口網(wǎng)絡(luò)，知輸入輸出特性曲線如下：iB=f(vBE)vCE=constiC=f(vCE)iB=const可以寫成：BJT雙口網(wǎng)絡(luò)輸出端交流短路時的輸入電阻；輸出端交流短路時的正向電流傳輸比或電流放大系數(shù)；輸入端交流開路時的反向電壓傳輸比；輸入端交流開路時的輸出電導(dǎo)。其中：四個參數(shù)量綱各不一樣，故稱為混合參數(shù)〔H參數(shù)〕。vbe=hieib+hrevceic=hfeib+hoevce1.BJT的H參數(shù)及小信號模型H參數(shù)的引出1.BJT的H參數(shù)及小信號模型H參數(shù)小信號模型根據(jù)可得小信號模型BJT的H參數(shù)模型vbe=hieib+hrevceic=hfeib+hoevceBJT雙口網(wǎng)絡(luò)1.BJT的H參數(shù)及小信號模型H參數(shù)小信號模型H參數(shù)都是小信號參數(shù)，即微變參數(shù)或交流參數(shù)。H參數(shù)與任務(wù)點(diǎn)有關(guān)，在放大區(qū)根本不變。H參數(shù)都是微變參數(shù)，所以只適宜對交流信號的分析。受控電流源hfeib，反映了BJT的基極電流對集電極電流的控制造用。電流源的流向由ib的流向決議。hrevce是一個受控電壓源。反映了BJT輸出回路電壓對輸入回路的影響。1.BJT的H參數(shù)及小信號模型模型的簡化hre和hoe都很小，常忽略它們的影響。BJT在共射極銜接時，其H參數(shù)的數(shù)量級普通為1.BJT的H參數(shù)及小信號模型H參數(shù)確實(shí)定普通用測試儀測出；rbe與Q點(diǎn)有關(guān)，可用圖示儀測出。rbe=rbb′+(1+)re其中對于低頻小功率管rbb′≈200那么而(T=300K)普通也用公式估算rbe〔忽略r’e〕3.3.2小信號模型分析法2.用H參數(shù)小信號模型分析根本共射極放大電路〔1〕利用直流通路求Q點(diǎn)共射極放大電路普通硅管VBE=0.7V，鍺管VBE=0.2V，知。2.用H參數(shù)小信號模型分析根本共射極放大電路〔2〕畫小信號等效電路H參數(shù)小信號等效電路bce交流通路→小信號等效電路2.用H參數(shù)小信號模型分析根本共射極放大電路〔3〕求放大電路動態(tài)目的根據(jù)那么電壓增益為a.電壓增益H參數(shù)小信號等效電路2.用H參數(shù)小信號模型分析根本共射極放大電路〔3〕求放大電路動態(tài)目的b.輸入電阻c.輸出電阻令Ro=Rc所以3.小信號模型分析法的適用范圍放大電路的輸入信號幅度較小，BJT任務(wù)在其V-I特性曲線的線性范圍〔即放大區(qū)〕內(nèi)。H參數(shù)的值是在靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)上求得的，所以，放大電路的動態(tài)性能與靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)參數(shù)值的大小及穩(wěn)定性親密相關(guān)。優(yōu)點(diǎn)：分析放大電路的動態(tài)性能目的(Av、Ri和Ro等)非常方便，且適用于頻率較高時的分析。3.3.2小信號模型分析法缺陷：在BJT與放大電路的小信號等效電路中，電壓、電流等電量及BJT的H參數(shù)均是針對變化量(交流量)而言的，不能用來分析計算靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)。共射極放大電路放大電路如下圖。知BJT的?=80，Rb=300k，Rc=2k，VCC=+12V，求：〔1〕放大電路的Q點(diǎn)。此時BJT任務(wù)在哪個區(qū)域？〔2〕當(dāng)Rb=100k時，放大電路的Q點(diǎn)。此時BJT任務(wù)在哪個區(qū)域？〔忽略BJT的飽和壓降〕解：〔1〕〔2〕當(dāng)Rb=100k時，靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)為Q〔40A，3.2mA，5.6V〕，BJT任務(wù)在放大區(qū)。其最小值也只能為0，即IC的最大電流為：，所以BJT任務(wù)在飽和區(qū)。VCE不能夠為負(fù)值，此時，Q〔120uA，6mA，0V〕，例題end1.電路如下圖。試畫出其小信號等效模型電路。解：例題例題解：〔1〕〔2〕2.放大電路如下圖。試求：〔1〕Q點(diǎn)；〔2〕、、。知=50。P973.4放大電路靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)的穩(wěn)定問題3.4.1溫度對靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)的影響3.4.2射極偏置電路1.基極分壓式射極偏置電路2.含有雙電源的射極偏置電路3.含有恒流源的射極偏置電路3.4.1溫度對靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)的影響3.1.5節(jié)討論過，溫度上升時，BJT的反向電流ICBO、ICEO及電流放大系數(shù)或都會增大，而發(fā)射結(jié)正向壓降VBE會減小。這些參數(shù)隨溫度的變化，都會使放大電路中的集電極靜態(tài)電流ICQ隨溫度升高而添加，從而使Q點(diǎn)隨溫度變化。要想使ICQ根本穩(wěn)定不變，就要求在溫度升高時，電路能自動地適當(dāng)減小基極電流IBQ。3.4.2射極偏置電路〔1〕穩(wěn)定任務(wù)點(diǎn)原理目的：溫度變化時，使IC維持恒定。假設(shè)溫度變化時，b點(diǎn)電位能根本不變，那么可實(shí)現(xiàn)靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)的穩(wěn)定。T穩(wěn)定原理：ICIEVE、VB不變VBEIBIC〔反響控制〕1.基極分壓式射極偏置電路(a)原理電路(b)直流通路Re取值越大，反響控制造用越強(qiáng)b點(diǎn)電位根本不變的條件：I1>>IBQ即I1≈I2此時，VBQ與溫度無關(guān)普通取I1=(5~10)IBQ，VBQ=3~5V1.基極分壓式射極偏置電路〔1〕穩(wěn)定任務(wù)點(diǎn)原理1.基極分壓式射極偏置電路〔2〕放大電路目的分析①靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)直流通路②電壓增益<A>畫小信號等效電路〔2〕放大電路目的分析②電壓增益輸出回路：輸入回路：電壓增益：<A>畫小信號等效電路<B>確定模型參數(shù)知，求rbe<C>增益〔2〕放大電路目的分析③輸入電阻那么輸入電阻放大電路的輸入電阻不包含信號源的內(nèi)阻〔2〕放大電路目的分析④輸出電阻輸出電阻求輸出電阻的等效電路網(wǎng)絡(luò)內(nèi)獨(dú)立源置零負(fù)載開路輸出端口加測試電壓其中那么當(dāng)時，普通〔〕〔2〕放大電路目的分析2.含有雙電源的射極偏置電路〔1〕阻容耦合靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)2.含有雙電源的射極偏置電路〔2〕直接耦合3.含有恒流源的射極偏置電路靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)：由恒流源提供分析該電路的H參數(shù)小信號等效電路3.5共集電極放大電路和共基極放大電路3.5.1共集電極放大電路3.5.2共基極放大電路3.5.3放大電路三種組態(tài)的比較3.5.1共集電極放大電路1.靜態(tài)分析共集電極電路構(gòu)造如圖示該電路也稱為射極輸出器由得直流通路①小信號等效電路3.5.1共集電極放大電路2.動態(tài)分析交流通路小信號等效電路3.5.1共集電極放大電路2.動態(tài)分析②電壓增益輸出回路：輸入回路：電壓增益：其中普通，那么電壓增益接近于1，共集電極放大電路——電壓跟隨器即。3.5.1共集電極放大電路2.動態(tài)分析③輸入電阻當(dāng)，時，輸入電阻大④輸出電阻由電路列出方程其中那么輸出電阻當(dāng)，時，輸出電阻小3.5.1共集電極放大電路2.動態(tài)分析共集電極電路特點(diǎn)：◆電壓增益小于1但接近于1，◆輸入電阻大，對電壓信號源衰減小◆輸出電阻小，帶負(fù)載才干強(qiáng)3.5.1共集電極放大電路3.5.2共基極放大電路1.靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)直流通路與射極偏置電路一樣直流通路2.動態(tài)目的①電壓增益輸出回路：輸入回路：電壓增益：交流通路小信號等效電路②輸入電阻③輸出電阻2.動態(tài)目的小信號等效電路3.5.3放大電路三種組態(tài)的比較1.三種組態(tài)的判別以輸入、輸出信號的位置為判別根據(jù)：信號由基極輸入，集電極輸出——共射極放大電路信號由基極輸入，發(fā)射極輸出——共集電極放大電路信號由發(fā)射極輸入，集電極輸出——共基極電路2.三種組態(tài)的比較3.三種組態(tài)的特點(diǎn)及用途共射極放大電路：電壓和電流增益都大于1，輸入電阻在三種組態(tài)中居中，輸出電阻與集電極電阻有很大關(guān)系。適用于低頻情況下，作多級放大電路的中間級。共集電極放大電路：只需電流放大作用，沒有電壓放大，有電壓跟隨作用。在三種組態(tài)中，輸入電阻最高，輸出電阻最小，頻率特性好?？捎糜谳斎爰?、輸出級或緩沖級。共基極放大電路：只需電壓放大作用，沒有電流放大，有電流跟隨作用，輸入電阻小，輸出電阻與集電極電阻有關(guān)。高頻特性較好，常用于高頻或?qū)掝l帶低輸入阻抗的場所，模擬集成電路中亦兼有電位挪動的功能。3.5.3放大電路三種組態(tài)的比較end3.6組合放大電路3.6.1共射-共基放大電路3.6.2共集-共集放大電路3.6.1共射-共基放大電路共射－共基放大電路3.6.1共射-共基放大電路其中所以由于因此組合放大電路總的電壓增益等于組成它的各級單管放大電路電壓增益的乘積。前一級的輸出電壓是后一級的輸入電壓，后一級的輸入電阻是前一級的負(fù)載電阻RL。電壓增益3.6.1共射-共基放大電路輸入電阻Ri＝＝Rb||rbe1＝Rb1||Rb2||rbe1輸出電阻RoRc2在無越級反響的情況下，第一級的輸入電阻即為整個放大電路的輸入電阻。在無越級反響的情況下，最后一級的輸出電阻即為多級放大器的輸出電阻。T1、T2構(gòu)成復(fù)合管，可等效為一個NPN管(a)原理圖(b)交流通路3.6.2共集-共集放大電路3.6.2共集-共集放大電路1.復(fù)合管的主要特性兩只NPN型BJT組成的復(fù)合管兩只PNP型BJT組成的復(fù)合管rbe＝rbe1＋(1＋1)rbe2≈123.6.2共集-共集放大電路1.復(fù)合管的主要特性〔互補(bǔ)型復(fù)合管〕PNP與NPN型BJT組成的復(fù)合管NPN與PNP型BJT組成的復(fù)合管rbe＝rbe1≈123.6.2共集-共集放大電路end2.共集-共集放大電路的Av、Ri、Ro式中≈12rbe＝rbe1＋(1＋1)rbe2RL＝Re||RLRi＝Rb||[rbe＋(1＋)RL]設(shè)：1=2==100，UBE1=UBE2=0.7V。例題：兩級放大電路如以下圖示，求Q點(diǎn)、Av、Ri、Ro解：〔1〕求靜態(tài)任務(wù)點(diǎn)〔2〕求電壓放大倍數(shù)先計算三極管的輸入電阻畫微變等效電路：電壓增益：〔3〕求輸入電阻Ri=Ri1=rbe1//Rb1//Rb2=2.55k〔4〕求輸出電阻RO=RC2=4.3k*3.7放大電路的頻率呼應(yīng)3.7.1單時間常數(shù)RC電路的頻率呼應(yīng)3.7.2BJT的高頻小信號模型及頻率參數(shù)3.7.3單級共射極放大電路的頻率呼應(yīng)3.7.4單級共基極和共集電極放大電路的高頻呼應(yīng)3.7.5多級放大電路的頻率呼應(yīng)研討放大電路的動態(tài)目的〔主要是增益〕隨信號頻率變化時的呼應(yīng)。3.7.1單時間常數(shù)RC電路的頻率呼應(yīng)1.RC低通電路的頻率呼應(yīng)〔電路實(shí)際中的穩(wěn)態(tài)分析〕RC電路的電壓增益〔傳送函數(shù)〕：那么且令又電壓增益的幅值〔?！场卜l呼應(yīng)〕電壓增益的相角〔相頻呼應(yīng)〕①增益頻率函數(shù)RC低通電路最大誤差-3dB②頻率呼應(yīng)曲線描畫幅頻呼應(yīng)1.RC低通電路的頻率呼應(yīng)相頻呼應(yīng)2.RC高通電路的頻率呼應(yīng)RC電路的電壓增益：幅頻呼應(yīng)相頻呼應(yīng)輸出超前輸入RC高通電路3.7.2BJT的高頻小信號模型及頻率參數(shù)1.BJT的高頻小信號模型①模型的引出rb'e——發(fā)射結(jié)電阻re歸算到基極回路的電阻Cb'e——發(fā)射結(jié)電容rb'c——集電結(jié)電阻Cb'c——集電結(jié)電容rbb'——基區(qū)的體電阻，b'是假想的基區(qū)內(nèi)的一個點(diǎn)互導(dǎo)BJT的高頻小信號模型②簡化模型混合形高頻小信號模型1.BJT的高頻小信號模型2.BJT高頻小信號模型中元件參數(shù)值的獲得低頻時，混合模型與H參數(shù)模型等價所以又由于從手冊中查出所以2.BJT高頻小信號模型中元件參數(shù)值的獲得低頻時，混合模型與H參數(shù)模型等價3.BJT的頻率參數(shù)由H參數(shù)可知即根據(jù)混合模型得低頻時所以當(dāng)時，令的幅頻呼應(yīng)——共發(fā)射極截止頻率——特征頻率——共基極截止頻率3.BJT的頻率參數(shù)的相頻呼應(yīng)f＝(1＋0)f≈f＋fT3.7.3單級共射極放大電路的頻率呼應(yīng)1.高頻呼應(yīng)①形高頻等效電路3.7.3單級共射極放大電路的頻率呼應(yīng)1.高頻呼應(yīng)①形高頻等效電路對節(jié)點(diǎn)c列KCL得由于輸出回路電流比較大，所以可以忽略的分流，得稱為密勒電容而輸入回路電流比較小，所以不能忽略的電流。目的：斷開輸入輸出之間的銜接3.7.3單級共射極放大電路的頻率呼應(yīng)同理，在c、e之間也可以求得一個等效電容CM2，且等效后斷開了輸入輸出之間的聯(lián)絡(luò)1.高頻呼應(yīng)①形高頻等效電路3.7.3單級共射極放大電路的頻率呼應(yīng)1.高頻呼應(yīng)①形高頻等效電路目的：簡化和變換輸出回路的時間常數(shù)遠(yuǎn)小于輸入回路時間常數(shù)，思索高頻呼應(yīng)時可以忽略CM2的影響。3.7.3單級共射極放大電路的頻率呼應(yīng)1.高頻呼應(yīng)①形高頻等效電路目的：簡化和變換3.7.3單級共射極放大電路的頻率呼應(yīng)1.高頻呼應(yīng)②高頻呼應(yīng)和上限頻率由電路得電壓增益頻響其中中頻增益或通帶源電壓增益上限頻率1.高頻呼應(yīng)②高頻呼應(yīng)和上限頻率RC低通電路共射放大電路頻率呼應(yīng)曲線變化趨勢一樣＝－180－arctan(f/fH)相頻呼應(yīng)幅頻呼應(yīng)③增益-帶寬積BJT一旦確定，帶寬增益積根本為常數(shù)1.高頻呼應(yīng)當(dāng)Rb>>Rs及Rb>>rbe時，有例題解：模型參數(shù)為例4.7.1設(shè)共射放大電路在室溫下運(yùn)轉(zhuǎn)，其參數(shù)為：負(fù)載開路，Rb足夠大忽略不計。試計算它的低頻電壓增益和上限頻率。低頻電壓增益為又由于所以上限頻率為2.低頻呼應(yīng)①低頻等效電路