2023半導(dǎo)體集成電路塑料小外形封裝沖制型引線框架

半導(dǎo)體集成電路塑料小外形封裝沖制型引線框架目??次前 言 III范圍 1規(guī)范性引用文件 1術(shù)語與定義 1技術(shù)要求 1檢驗規(guī)則 3訂貨資料 6標(biāo)志、包裝、運輸與貯存 6I半導(dǎo)體集成電路塑料小外形封裝沖制型引線框架范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路塑料小外形封裝(SOP)引線框架(以下簡稱引線框架)的術(shù)語與定義、基本要求、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運輸與貯存和質(zhì)量承諾。本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成塑料小外形封裝沖制型引線框架。規(guī)范性引用文件GB/T2423.60—2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分試驗方法 試驗U:引出端及整體安件強度GB/T2828.1—2012 計數(shù)抽樣檢驗程序 第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃GB/T7092 半導(dǎo)體集成電路外形尺寸GB/T14112—2015 半導(dǎo)體集成電路 塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)GB/T14113 半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語GB/T15878-2015 半導(dǎo)體集成電路小外形封裝引線框架規(guī)范SJ20129 金屬鍍覆層厚度測量方法術(shù)語與定義GB/T14112—2015和GB/T14113中界定的術(shù)語和定義適用于本文件。技術(shù)要求引線框架尺寸引線框架的外形尺寸應(yīng)符合GB/T7092的有關(guān)規(guī)定，并符合引線框架設(shè)計的要求。引線框架形狀和位置公差側(cè)彎側(cè)彎在整個標(biāo)稱長度上不超過0.05mm。卷曲材料厚度不大于0.152mm2.50.152mm橫彎1最大橫彎不得超過±0.127mm。條帶扭曲材料厚度不大于0.152mm2.50.152mm引線扭曲引線扭曲不超過3°30'。精壓深度圖紙上表明的尺寸為精壓前尺寸，在保證精壓寬度不小于引線寬度90%的條件下，精壓深度不大于材料厚度的30%。最小精壓深度受最小鍵合區(qū)要求的限制，最大精壓深度受最小引線間距要求的限制，參考值為0.015mm～0.06mm。絕緣間隙相鄰兩精壓區(qū)端點間的間隔及精壓區(qū)端點與芯片粘接區(qū)間的間隔大于0.076mm。精壓引線端共面性引線框架內(nèi)引線精壓區(qū)端頭共面性在±0.1mm范圍內(nèi)。芯片粘接區(qū)斜度在長或?qū)捗?.54mm尺寸最大傾斜0.05mm,測試從角到角進(jìn)行。芯片粘接區(qū)下陷芯片粘接區(qū)下陷以下陷的標(biāo)稱值計算，公差為±0.05mm。芯片粘接區(qū)平面度芯片粘接區(qū)平面度測試從中心到拐角進(jìn)行，拐角測量點規(guī)定為離每邊0.127mm處，平整度不大于0.005mm。引線框架內(nèi)部位置公差所有引線框架的特征中心相對于邊框上定位孔中心線實際位置公差，應(yīng)在±0.05mm之內(nèi)。引線框架外觀毛刺垂直毛刺最大為0.025mm,水平毛刺最大為0.05mm。凹坑、壓痕和劃痕在功能區(qū)和外引線，凹坑和壓痕深度不應(yīng)超過0.008mm,最大表面尺寸為0.013mm。在非功能區(qū)內(nèi)，凹坑和壓痕深度不應(yīng)超過0.025mm，最大表面尺寸不應(yīng)超過0.051mm；劃痕最大尺寸寬×深為0.075mm×0.030mm,數(shù)量不超過1個。表面缺陷2無鍍層部位應(yīng)呈金屬材料本色，無銹蝕、發(fā)花等缺陷。引線框架鍍層鍍層厚度局部鍍金引線框架局部鍍金層厚度不小于1μm。局部鍍銀局部鍍銀引線框架，其鍍銀層厚度不小于3μm(平均值),任意點不小于2.5μm。鍍層外觀鍍層表面應(yīng)致密、平滑、色澤均勻呈鍍層本色，不允許有起皮、起泡、玷污、斑點、水跡、異物、發(fā)花等缺陷。應(yīng)無明顯污點、脫落或鍍層漏鍍，無貫穿整個鍍層的劃痕。鍍層耐熱性鍍層經(jīng)高溫試驗后應(yīng)無明顯變色，不允許起皮、起泡、剝落、發(fā)花、斑點等缺陷。鍍層鍵合強度引線框架的鍍層應(yīng)易于粘片及鍵合，鍵合強度大于40mN。引線框架外引線強度引線框架的外引線經(jīng)彎曲試驗后不應(yīng)出現(xiàn)斷裂。銅剝離試驗?zāi)z帶上的銅覆蓋面積不得超過引線框面積的10%。銀剝離試驗?zāi)z帶上不允許銀層粘附。檢驗規(guī)則檢驗批的構(gòu)成一個檢驗批可由一個生產(chǎn)批構(gòu)成，或由符合下述條件的幾個生產(chǎn)批構(gòu)成：這些生產(chǎn)批是采用基本相同的材料、工藝、設(shè)備等制造出來的；若干個生產(chǎn)批構(gòu)成一個檢驗批的時間通常不超過一周，除另有規(guī)定外，最長不得超過一個月。鑒定批準(zhǔn)程序ABC5.33對于已鑒定的引線框架，當(dāng)發(fā)生以下任一情況時，應(yīng)重新進(jìn)行鑒定：修改了引線框架設(shè)計圖紙；生產(chǎn)制造技術(shù)改變（包括生產(chǎn)場地的改變）；（重新鑒定時，必須進(jìn)行A組、B組和C組檢驗。在檢驗沒有結(jié)果之前，這些引線框架不得交付使用。質(zhì)量一致性檢驗組成質(zhì)量一致性檢驗由A組、B組、C組檢驗組組成。AA組檢驗應(yīng)逐批進(jìn)行，其檢驗分組見表1。表1 A組檢驗分組檢驗或試驗檢驗方法章條號檢驗要求章條號A1引線框架外觀毛刺檢驗按GB/T14112—2015附錄A，其他用滿足測量精度的量具或工具進(jìn)行測量4.3.1～4.3.3A2鍍層外觀目檢4.4.2BB組檢驗應(yīng)逐批進(jìn)行，其檢驗分組見表2。表2 B組檢驗分組檢驗或試驗試驗方法章條號檢驗要求章條號B1引線框架尺寸用滿足測量精度的量具或工具進(jìn)行測量4.1B2引線框架形狀和位置公差GB/T14112—2015附錄A及本標(biāo)準(zhǔn)附錄A中A.1～A.54.2.1～4.2.12B3鍍層厚度其試驗方法引用SJ201294.4.1B4鍍層耐熱性GB/T14112—2015附錄B4.4.3CC組檢驗為周期檢驗，應(yīng)每3個月進(jìn)行一次，其檢驗分組見表3。表3 C組檢驗分組檢驗或試驗試驗方法章條號檢驗要求章條號C1鍵合強度GB/T14112—2015附錄B4.4.4C2外引線強度GB/T2423.60—2008試驗Ub4.5C3銅剝離試驗GB/T14112—2015附錄B4.64C4銀剝離試驗GB/T14112—2015附錄B4.7檢驗要求抽樣方案A組和B1～B3組檢驗采用AQL抽樣以條為計數(shù)單位表4 A組和B1～B3組檢驗的抽樣要求分組正常檢驗一次抽樣IL(檢驗水平)AQLA1Ⅱ2.5A2Ⅱ2.5B1I1.5B2S32.5B3S31.5表5 B4和C組檢驗的抽樣要求分組LTPDB430C130C230C330C430采用AQL抽樣方案時，應(yīng)根據(jù)GB/T2828.1—2012正常檢驗一次抽樣；采用LTPD抽樣方案時，應(yīng)根據(jù)GB/T14112—2015附錄C確定抽樣方案。A組和B組檢驗的一個或幾個檢驗批中抽取。批拒收判據(jù)不符合A組和B重新提交的批A組或BA組或B組)只能重新提交試驗設(shè)備故障或操作人員失誤時的程序5周期檢驗不合格的程序如果周期檢驗不合格，且不是由于設(shè)備故障或操作人員失誤所引起，則應(yīng)執(zhí)行下述規(guī)定：立即停止引線框架的放行；調(diào)查不合格的原因，并根據(jù)調(diào)查結(jié)果對以后的生產(chǎn)批實施解決質(zhì)量問題的措施；從以后各檢驗批中逐批抽取樣品進(jìn)行周期檢驗中不合格分組的全部試驗。試驗合格的批可以放行。只有連續(xù)三個檢驗批通過這些分組的檢驗后，才能恢復(fù)正常的周期檢驗。放行批證明記錄應(yīng)編寫放行批證明記錄，并對記錄的準(zhǔn)確性負(fù)責(zé)。放行批證明記錄的內(nèi)容應(yīng)包括：制造單位名稱、商標(biāo)和地址；引線框架的型號和規(guī)格；放行批證明記錄周期的起止日期；所做的試驗項目及試驗結(jié)果。訂貨資料若無其他規(guī)定，訂購引線框架至少需要以下資料：型號、規(guī)格；設(shè)計圖紙的編號；數(shù)量。標(biāo)志、包裝、運輸與貯存標(biāo)志包裝中應(yīng)有檢驗合格證，標(biāo)明制造單位名稱、產(chǎn)品型號和規(guī)格、數(shù)量、批號及檢驗批代碼。內(nèi)包裝應(yīng)采用化學(xué)中性的防潮包裝，并