漳州移動(dòng)第二批基站項(xiàng)目報(bào)告表

-281-表7-13漳州福康醫(yī)院基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)結(jié)果測(cè)點(diǎn)序號(hào)監(jiān)測(cè)點(diǎn)位名稱監(jiān)測(cè)點(diǎn)位與天線水平距離(m)測(cè)量高度(m)測(cè)量高度差(m)點(diǎn)位距離(m)電場(chǎng)強(qiáng)度（V/m）功率密度（W/m2）1L1正下方，漳州市薌城區(qū)延安北路富康醫(yī)院住院部9~10層梯間內(nèi)035.7220.990.00262S3L3正前方，漳州市薌城區(qū)延安北路富康醫(yī)院住院部9層西側(cè)平臺(tái)上1033.72103.310.0293S2正前方，漳州市薌城區(qū)延安北路富康醫(yī)院住院部9層西側(cè)平臺(tái)上633.7261.260.00424L2正前方，漳州市薌城區(qū)延安北路富康醫(yī)院住院部9層西側(cè)平臺(tái)上633.7261.410.00535L2正前方，漳州市薌城區(qū)延安北路富康醫(yī)院住院部大門(mén)西南路口301.736470.710.00136S2正前方，漳州市薌城區(qū)延安北路富康醫(yī)院住院部大門(mén)西南路口301.736470.700.00137S1正前方，漳州市薌城區(qū)延安北路北廟新村待拆樓前264.733420.820.00188L1正前方，漳州市薌城區(qū)延安北路北廟新村待拆樓前264.733420.870.0020結(jié)論：各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位的功率密度范圍在0.0013W/m2~0.029W/m2之間，各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位測(cè)值均低于《電磁環(huán)境控制限值》（GB8702-2014）中對(duì)公眾照射的導(dǎo)出限值（0.4W/m2），亦低于單個(gè)基站評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)（0.08W/m2）。典型性分析：該基站代表了醫(yī)療衛(wèi)生區(qū)的樓頂美化天線架設(shè)TD-SCDMA/TD-LTE雙頻共址基站的一種典型情景。

基站天線架設(shè)情況基站所在樓基站北側(cè)基站東側(cè)基站南側(cè)基站西側(cè)圖7-19漳州福康醫(yī)院基站天線架設(shè)情況及敏感目標(biāo)照片圖7-20漳州?？滇t(yī)院基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)點(diǎn)位示意圖表7-14詔安環(huán)城東路基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)結(jié)果測(cè)點(diǎn)序號(hào)監(jiān)測(cè)點(diǎn)位名稱監(jiān)測(cè)點(diǎn)位與天線水平距離(m)測(cè)量高度(m)測(cè)量高度差(m)點(diǎn)位距離(m)電場(chǎng)強(qiáng)度（V/m）功率密度（W/m2）1基站下方4米處2F屋面09.7442.370.0152Ga3正前方10米處2F屋面99.74101.660.00733基站下方9米2F樓梯口處04.7990.630.00104S2L2正前方22米處環(huán)城東路145號(hào)門(mén)前1米處181.712220.340.000315Ga1正前方13米處環(huán)城東路158號(hào)2F屋面129.74131.290.00446Ga1正前方15米環(huán)城東路158號(hào)2樓樓梯口125.78150.550.000807Ga1正前方28米處環(huán)城東路159號(hào)門(mén)前251.71228<0.20<0.000118S3正前方2米處環(huán)城東路156號(hào)3F屋面212.7122.240.0139S3正前方9米處環(huán)城東路156號(hào)3F樓梯口89.7491.130.003410L3正前方16米處環(huán)城東路153號(hào)門(mén)前2米處101.712160.320.0002711Ga4正前方15米環(huán)城東路151號(hào)門(mén)前2米處81.712150.280.0002112Ga4正前方31米環(huán)城東路66號(hào)3層屋面3112.71311.220.0040結(jié)論：各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位的功率密度范圍在低于儀器檢出限~0.015W/m2之間，各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位測(cè)值均低于《電磁環(huán)境控制限值》（GB8702-2014）中對(duì)公眾照射的導(dǎo)出限值（0.4W/m2），亦低于單個(gè)基站評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)（0.08W/m2）。典型性分析：該基站代表了居住區(qū)的樓頂鐵塔架設(shè)GSM/TD-SCDMA/TD-LTE三頻共址基站的一種典型情景。

基站天線架設(shè)情況基站所在樓基站北側(cè)基站東側(cè)基站南側(cè)基站西側(cè)

環(huán)城東路66號(hào)環(huán)城東路156號(hào)環(huán)城東路158號(hào)圖7-21詔安環(huán)城東路基站天線架設(shè)情況及敏感目標(biāo)照片圖7-22詔安環(huán)城東路基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)點(diǎn)位示意圖表7-15漳州華安-潭口基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)結(jié)果測(cè)點(diǎn)序號(hào)監(jiān)測(cè)點(diǎn)位名稱監(jiān)測(cè)點(diǎn)位與天線水平距離(m)測(cè)量高度(m)測(cè)量高度差(m)點(diǎn)位距離(m)電場(chǎng)強(qiáng)度（V/m）功率密度（W/m2）1天線Ga1正前方，銀塘小學(xué)4樓教學(xué)樓東側(cè)平臺(tái)中央1012.79133.160.0262天線S1正前方，銀塘小學(xué)4樓教學(xué)樓東側(cè)平臺(tái)中央1014.77123.180.0273天線L1正前方，銀塘小學(xué)4樓教學(xué)樓東側(cè)平臺(tái)中央1412.79172.780.0204天線L2正前方，銀塘小學(xué)4樓教學(xué)樓4樓梯口012.7990.560.000835天線S2正前方，銀塘小學(xué)4樓教學(xué)樓4樓西側(cè)平臺(tái)1114.77132.920.0236天線Ga2正前方，銀塘小學(xué)4樓教學(xué)樓4樓西側(cè)平臺(tái)1112.79142.870.0227天線L2正前方，銀塘小學(xué)教學(xué)樓南側(cè)球場(chǎng)201.720281.760.00828天線S3正前方，銀塘小學(xué)教學(xué)樓北側(cè)空地183.718251.220.0040結(jié)論：各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位的功率密度范圍在0.00083W/m2~0.027W/m2之間，各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位測(cè)值均低于《電磁環(huán)境控制限值》（GB8702-2014）中對(duì)公眾照射的導(dǎo)出限值（0.4W/m2），亦低于單個(gè)基站評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)（0.08W/m2）。典型性分析：該基站代表了文教科研區(qū)的樓頂抱桿架設(shè)GSM/TD-SCDMA/TD-LTE三頻共址基站的一種典型情景。

基站天線架設(shè)情況基站西側(cè)基站北側(cè)基站南側(cè)基站東側(cè)圖7-23漳州華安-潭口基站天線架設(shè)情況及敏感目標(biāo)照片圖7-24漳州華安-潭口基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)點(diǎn)位示意圖表7-16漳州第一職業(yè)學(xué)?；局車h(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)結(jié)果測(cè)點(diǎn)序號(hào)監(jiān)測(cè)點(diǎn)位名稱監(jiān)測(cè)點(diǎn)位與天線水平距離(m)測(cè)量高度(m)測(cè)量高度差(m)點(diǎn)位距離(m)電場(chǎng)強(qiáng)度（V/m）功率密度（W/m2）1S2正下方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職專2號(hào)教學(xué)樓6層梯間內(nèi)021.7441.770.00832L2正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職專2號(hào)教學(xué)樓不上人屋面525.7055.420.0783L2正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職專2號(hào)教學(xué)樓不上人屋面1025.70102.690.0194L2正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職專2號(hào)教學(xué)樓不上人屋面1525.70153.110.0265L2正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職專2號(hào)教學(xué)樓不上人屋面2025.70203.210.0276Gab2正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職?？茖W(xué)樓北樓6層裝配工藝實(shí)訓(xùn)室窗內(nèi)3017.78314.660.0587Gab2正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職?？茖W(xué)樓北樓5層電腦教室1窗內(nèi)3013.712322.560.0178L1正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職專科學(xué)樓北樓6層電氣測(cè)試實(shí)驗(yàn)室窗內(nèi)4517.78463.390.0309L1正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職?？茖W(xué)樓北樓5層高頻電子實(shí)驗(yàn)室窗內(nèi)4513.712471.930.009910L3正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職專3號(hào)教學(xué)樓502門(mén)口2617.78272.630.01811L3正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職專3號(hào)教學(xué)樓402門(mén)口2613.712291.740.008012S1正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職專3號(hào)教學(xué)樓403門(mén)口2613.712291.760.008213S1正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職專3號(hào)教學(xué)樓303門(mén)口269.716312.520.01714Gab4正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職專3號(hào)教學(xué)樓404門(mén)口2613.712291.660.007315Gab4正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職專3號(hào)教學(xué)樓304門(mén)口269.716311.970.01016S3正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職專2號(hào)教學(xué)樓西側(cè)路邊101.724261.110.003317Gab3正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職專2號(hào)教學(xué)樓西側(cè)路邊101.724261.050.002918Gab1正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職專2號(hào)教學(xué)樓東側(cè)空地201.724311.140.003419S2正前方，漳州市薌城區(qū)漳州第一職專2號(hào)教學(xué)樓東側(cè)空地201.724311.060.0030結(jié)論：各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位的功率密度范圍在0.0030W/m2~0.078W/m2之間，各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位測(cè)值均低于《電磁環(huán)境控制限值》（GB8702-2014）中對(duì)公眾照射的導(dǎo)出限值（0.4W/m2），亦低于單個(gè)基站評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)（0.08W/m2）。典型性分析：該基站代表了文教科研區(qū)的樓頂美化天線架設(shè)GSM900/GSM1800/TD-SCDMA/TD-LTE四頻共址基站的一種典型情景。

基站天線架設(shè)情況基站所在樓基站北側(cè)基站東側(cè)基站南側(cè)基站西側(cè)圖7-25漳州第一職業(yè)學(xué)?；咎炀€架設(shè)情況及敏感目標(biāo)照?qǐng)D7-26漳州第一職業(yè)學(xué)?；局車h(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)點(diǎn)位示意圖表7-17漳浦赤湖月示中學(xué)基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)結(jié)果測(cè)點(diǎn)序號(hào)監(jiān)測(cè)點(diǎn)位名稱監(jiān)測(cè)點(diǎn)位與天線水平距離(m)測(cè)量高度(m)測(cè)量高度差(m)點(diǎn)位距離(m)電場(chǎng)強(qiáng)度（V/m）功率密度（W/m2）1天線Gab2正前方，月示中學(xué)教學(xué)樓3樓東側(cè)屋面南側(cè)1513.78171.330.00472天線SL2正前方，月示中學(xué)教學(xué)樓3樓東側(cè)屋面南側(cè)1514.77171.250.00423天線SL1正下方，月示中學(xué)教學(xué)樓3-4樓樓梯拐角210.711110.400.000434天線Gab3正前方，月示中學(xué)教學(xué)樓南側(cè)空地上201.720281.160.00365天線SL3正前方，月示中學(xué)教學(xué)樓南側(cè)空地上203.718271.100.00326天線Gab1正前方，月示中學(xué)教學(xué)樓3樓走廊4210.711432.290.0147天線SL1正前方，月示中學(xué)教學(xué)樓3樓走廊4211.710432.330.0148天線Gab1正前方，月示中學(xué)教學(xué)樓2樓走廊427.714440.660.00129天線SL1正前方，月示中學(xué)教學(xué)樓2樓走廊428.713440.610.00098結(jié)論：各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位的功率密度范圍在0.00043W/m2~0.014W/m2之間，各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位測(cè)值均低于《電磁環(huán)境控制限值》（GB8702-2014）中對(duì)公眾照射的導(dǎo)出限值（0.4W/m2），亦低于單個(gè)基站評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)（0.08W/m2）。典型性分析：該基站代表了文教科研區(qū)的樓頂抱桿架設(shè)GSM900/GSM1800/TD-SCDMA/TD-LTE四頻共址基站的一種典型情景。

基站天線架設(shè)情況基站北側(cè)基站南側(cè)基站東側(cè)基站西側(cè)圖7-27漳浦赤湖月示中學(xué)基站天線架設(shè)情況及敏感目標(biāo)照片圖7-28漳浦赤湖月示中學(xué)基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)點(diǎn)位示意圖表7-18漳州薌城工行大樓基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)結(jié)果測(cè)點(diǎn)序號(hào)監(jiān)測(cè)點(diǎn)位名稱監(jiān)測(cè)點(diǎn)位與天線水平距離(m)測(cè)量高度(m)測(cè)量高度差(m)點(diǎn)位距離(m)電場(chǎng)強(qiáng)度（V/m）功率密度（W/m2）1La1正下方，漳州薌城工行大樓8層職工之家門(mén)內(nèi)029.7440.340.000312La1正前方，漳州薌城工行大樓8層陽(yáng)臺(tái)1329.74141.340.00483La3正前方，漳州薌城工行大樓8層陽(yáng)臺(tái)1529.74161.230.00404Ga3正前方，漳州薌城工行大樓8層陽(yáng)臺(tái)1029.74110.930.00235SLb3正前方，漳州薌城工行大樓8層陽(yáng)臺(tái)929.74100.550.000806Ga2正前方，漳州薌城工行大樓8層陽(yáng)臺(tái)1029.74110.760.00157SLb2正前方，漳州薌城工行大樓8層陽(yáng)臺(tái)629.7470.640.00118La2正前方，漳州薌城工行大樓8層陽(yáng)臺(tái)629.7471.140.00349SLb1正前方，漳州薌城工行大樓8層陽(yáng)臺(tái)1029.74111.760.008210Ga1正前方，漳州薌城工行大樓8層陽(yáng)臺(tái)1029.74111.640.007111Ga2正前方，漳州薌城新華東路161號(hào)商住樓樓頂4725.78480.920.0022結(jié)論：各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位的功率密度范圍在0.00031W/m2~0.0082W/m2之間，各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位測(cè)值均低于《電磁環(huán)境控制限值》（GB8702-2014）中對(duì)公眾照射的導(dǎo)出限值（0.4W/m2），亦低于單個(gè)基站評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)（0.08W/m2）。典型性分析：該基站代表了行政辦公區(qū)的樓頂抱桿架設(shè)GSM900/TD-SCDMA/TD-LTE-F/TD-LTE-D四頻共址基站的一種典型情景。

基站天線架設(shè)情況基站所在樓基站北側(cè)基站東側(cè)基站南側(cè)基站西側(cè)圖7-29漳州薌城工行大樓基站天線架設(shè)情況及敏感目標(biāo)照片圖7-30漳州薌城工行大樓基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)點(diǎn)位示意圖表7-19漳州龍文-江濱路英橋基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)結(jié)果測(cè)點(diǎn)序號(hào)監(jiān)測(cè)點(diǎn)位名稱監(jiān)測(cè)點(diǎn)位與天線水平距離(m)測(cè)量高度(m)測(cè)量高度差(m)點(diǎn)位距離(m)電場(chǎng)強(qiáng)度（V/m）功率密度（W/m2）1SLb1正下方，漳州下尾社96號(hào)3F屋面010.7224.190.0462SLb3正下方，漳州下尾社96號(hào)3F室內(nèi)07.7550.840.00193SLb1正前方，漳州下尾社96號(hào)北側(cè)12米121.7011160.730.00144SLb1正前方，漳州下尾社96號(hào)北側(cè)30米301.711321.120.00335Ga1La1正前方，漳州下尾社96號(hào)東北側(cè)16米161.711191.320.00466Ga2La2正前方，漳州下尾社96號(hào)東側(cè)25米違建房2F室內(nèi)254.78261.160.00367SLb2正前方，漳州下尾社96號(hào)東側(cè)25米違建房2F室內(nèi)254.78261.350.00488Ga3La3正前方，，漳州下尾社95號(hào)北樓3F屋面710.7272.950.0239Ga3La3正前方，漳州下尾社95號(hào)北樓2F屋面77.7591.130.003410SLb3正前方，漳州下尾社95號(hào)南樓2F室內(nèi)窗口124.78141.540.0063結(jié)論：各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位的功率密度范圍在0.0014W/m2~0.046W/m2之間，各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位測(cè)值均低于《電磁環(huán)境控制限值》（GB8702-2014）中對(duì)公眾照射的導(dǎo)出限值（0.4W/m2），亦低于單個(gè)基站評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)（0.08W/m2）。典型性分析：該基站代表了居住區(qū)的樓頂抱桿架設(shè)GSM900/TD-SCDMA/TD-LTE-F/TD-LTE-D四頻共址基站的一種典型情景。

基站天線架設(shè)情況基站所在樓基站北側(cè)基站東側(cè)基站南側(cè)基站西側(cè)圖7-31漳州龍文-江濱路英橋基站天線架設(shè)情況及敏感目標(biāo)照片圖7-32漳州龍文-江濱路英橋基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)點(diǎn)位示意圖表7-20漳州金峰西院村基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)結(jié)果測(cè)點(diǎn)序號(hào)監(jiān)測(cè)點(diǎn)位名稱監(jiān)測(cè)點(diǎn)位與天線水平距離(m)測(cè)量高度(m)測(cè)量高度差(m)點(diǎn)位距離(m)電場(chǎng)強(qiáng)度（V/m）功率密度（W/m2）1Ga1正下方，漳州市薌城區(qū)金峰西院村康焙食品廠5層廚房013.7661.360.00492SLb2正前方，漳州市薌城區(qū)金峰西院村康焙食品廠東側(cè)倉(cāng)庫(kù)樓上民宅西北窗349.710352.080.0113Ga2正前方，漳州市薌城區(qū)金峰西院村康焙食品廠東側(cè)倉(cāng)庫(kù)樓上民宅西南大廳窗內(nèi)349.710352.660.0194La2正前方，漳州市薌城區(qū)金峰西院村康焙食品廠東南路邊221.718280.830.00185Ga1正前方，漳州市薌城區(qū)金峰西院村康焙食品廠北側(cè)34米民房樓頂東南側(cè)3213.76333.180.0276Ga1正前方，漳州市薌城區(qū)金峰西院村康焙食品廠北側(cè)34米民房樓頂西南側(cè)3213.76332.740.0207La1正前方，漳州市薌城區(qū)金峰西院村康焙食品廠西北側(cè)22米民房3層走廊308.711321.990.0108Ga3SLb3La3正前方，漳州市薌城區(qū)金峰西院村西磘172號(hào)3層平臺(tái)468.711472.860.022結(jié)論：各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位的功率密范圍在0.0018W/m2~0.027W/m2之間，各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位測(cè)值均低于《電磁環(huán)境控制限值》（GB8702-2014）中對(duì)公眾照射的導(dǎo)出限值（0.4W/m2），亦低于單個(gè)基站評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)（0.08W/m2）。典型性分析：該基站代表了非敏感區(qū)的樓頂美化天線架設(shè)GSM900/TD-SCDMA/TD-LTE-F/TD-LTE-D四頻共址基站的一種典型情景。

基站天線架設(shè)情況基站所在樓基站北側(cè)基站東側(cè)基站南側(cè)基站西側(cè)圖7-33漳州金峰西院村基站天線架設(shè)情況及敏感目標(biāo)照片圖7-34漳州金峰西院村基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)點(diǎn)位示意圖表7-21漳州薌城衛(wèi)校8號(hào)宿舍樓室內(nèi)基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)結(jié)果測(cè)點(diǎn)序號(hào)監(jiān)測(cè)點(diǎn)位名稱監(jiān)測(cè)點(diǎn)位與天線水平距離(m)測(cè)量高度(m)測(cè)量高度差(m)點(diǎn)位距離(m)電場(chǎng)強(qiáng)度（V/m）功率密度（W/m2）1L1正下方，薌城區(qū)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院8號(hào)宿舍樓219門(mén)口01.7110.700.00132L1正前方，薌城區(qū)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院8號(hào)宿舍樓219門(mén)口11.7111.170.00363L1正前方，薌城區(qū)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院8號(hào)宿舍樓219門(mén)口21.7121.060.00304L1正前方，薌城區(qū)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院8號(hào)宿舍樓219門(mén)內(nèi)31.7130.600.000955S1正下方，薌城區(qū)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院8號(hào)宿舍樓218門(mén)口01.7110.560.000836S1正前方，薌城區(qū)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院8號(hào)宿舍樓218門(mén)口11.7111.560.00657S1正前方，薌城區(qū)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院8號(hào)宿舍樓218門(mén)口21.7121.670.00748S1正前方，薌城區(qū)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院8號(hào)宿舍樓218門(mén)內(nèi)31.7130.720.0014結(jié)論：各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位的功率密范圍在0.00083W/m2~0.0074W/m2之間，各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位測(cè)值均低于《電磁環(huán)境控制限值》（GB8702-2014）中對(duì)公眾照射的導(dǎo)出限值（0.4W/m2），亦低于單個(gè)基站評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)（0.08W/m2）。典型性分析：該基站代表了學(xué)校宿舍樓內(nèi)走廊的室內(nèi)壁掛架設(shè)室內(nèi)覆蓋基站的一種典型情景。

基站天線架設(shè)情況基站西側(cè)基站北側(cè)基站東側(cè)基站南側(cè)圖7-35漳州薌城衛(wèi)校8號(hào)宿舍樓室內(nèi)基站天線架設(shè)情況及敏感目標(biāo)照片圖7-36漳州薌城衛(wèi)校8號(hào)宿舍樓室內(nèi)基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)點(diǎn)位示意圖表7-22南靖縣醫(yī)院全向基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)結(jié)果測(cè)點(diǎn)序號(hào)監(jiān)測(cè)點(diǎn)位名稱監(jiān)測(cè)點(diǎn)位與天線水平距離(m)測(cè)量高度(m)測(cè)量高度差(m)點(diǎn)位距離(m)電場(chǎng)強(qiáng)度（V/m）功率密度（W/m2）1Ga1正下方，南靖縣縣醫(yī)院住院樓1F大廳01.70.80.80.920.00222Ga1北側(cè)，南靖縣縣醫(yī)院住院樓1F大廳11.70.81.30.580.000893Ga1東側(cè)，南靖縣縣醫(yī)院住院樓1F大廳11.70.81.30.530.000754Ga1南側(cè)，南靖縣縣醫(yī)院住院樓1F大廳11.70.81.30.620.00105Ga1西側(cè)，南靖縣縣醫(yī)院住院樓1F大廳11.70.81.30.660.00126SL1正下方，南靖縣縣醫(yī)院住院樓1F大廳01.70.80.80.620.00107SL1北側(cè)，南靖縣縣醫(yī)院住院樓1F大廳11.70.81.30.570.000868SL1東側(cè)，南靖縣縣醫(yī)院住院樓1F大廳11.70.81.30.740.00149SL1南側(cè)，南靖縣縣醫(yī)院住院樓1F大廳11.70.81.30.760.001510SL1西側(cè)，南靖縣縣醫(yī)院住院樓1F大廳11.70.81.30.740.0014結(jié)論：各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位的功率密度范圍在0.00075W/m2~0.0022W/m2之間，各監(jiān)測(cè)點(diǎn)位測(cè)值均低于《電磁環(huán)境控制限值》（GB8702-2014）中對(duì)公眾照射的導(dǎo)出限值（0.4W/m2），亦低于單個(gè)基站評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)（0.08W/m2）。典型性分析：該基站代表了大廳的全向吸頂架設(shè)室內(nèi)覆蓋基站的一種典型情景。

基站天線架設(shè)情況基站所在樓基站北側(cè)基站東側(cè)基站南側(cè)基站西側(cè)圖7-37南靖縣醫(yī)院全向基站天線架設(shè)情況及敏感目標(biāo)照片圖7-38南靖縣醫(yī)院全向基站周圍環(huán)境電磁輻射監(jiān)測(cè)點(diǎn)位示意圖綜上所述，類比監(jiān)測(cè)19個(gè)典型基站正常運(yùn)行時(shí)，周圍環(huán)境功率密度在低于儀器檢出限~0.078W/m2之間，均低于《電磁環(huán)境控制限值》（GB8702-2014）中對(duì)公眾照射的導(dǎo)出限值（0.4W/m2），也低于本項(xiàng)目單個(gè)基站評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)（0.08W/m2）。2、抽測(cè)基站監(jiān)測(cè)統(tǒng)計(jì)分析本次漳州移動(dòng)二批次通信基站項(xiàng)目選取了419套GSM宏站系統(tǒng)、337套TD-SCDMA宏站系統(tǒng)、474套TD-LTE宏站系統(tǒng)和229套室內(nèi)覆蓋系統(tǒng)進(jìn)行了電磁環(huán)境影響監(jiān)測(cè)，對(duì)監(jiān)測(cè)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)評(píng)價(jià)如下（其中超標(biāo)整改基站的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)為整改復(fù)測(cè)后的監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)）：（1）抽測(cè)基站監(jiān)測(cè)結(jié)果分析A、宏基站監(jiān)測(cè)結(jié)果統(tǒng)計(jì)表7-23宏基站不同測(cè)值范圍測(cè)點(diǎn)數(shù)量統(tǒng)計(jì)功率密度測(cè)值范圍S（W/m2）單頻GSM單頻TD-SCDMA單頻TD-LTEGSM/TD-SCDMA兩頻共址GSM/TD-LTE兩頻共址測(cè)點(diǎn)數(shù)（個(gè)）占該類基站測(cè)點(diǎn)總數(shù)的百分比（%）測(cè)點(diǎn)數(shù)（個(gè)）占該類基站測(cè)點(diǎn)總數(shù)的百分比（%）測(cè)點(diǎn)數(shù)（個(gè)）占該類基站測(cè)點(diǎn)總數(shù)的百分比（%）測(cè)點(diǎn)數(shù)（個(gè)）占該類基站測(cè)點(diǎn)總數(shù)的百分比（%）測(cè)點(diǎn)數(shù)（個(gè)）占該類基站測(cè)點(diǎn)總數(shù)的百分比（%）0.04≤S<0.0810.7%0081.7%21.6%184.4%0.02≤S<0.0453.3%0091.9%43.3%102.5%0.01≤S<0.0296.0%00173.5%1512.2%256.1%0.001≤S<0.015335.3%730.4%20542.5%4738.2%18044.1%S<0.0018254.7%1669.6%24350.4%5544.7%17542.9%合計(jì)150100%23100%482100%123100%408100%均值（W/m2）0.00370.000860.00380.00530.0062最大值（W/m2）0.0430.00400.0760.0650.077續(xù)表7-23宏基站不同測(cè)值范圍測(cè)點(diǎn)數(shù)量統(tǒng)計(jì)功率密度測(cè)值范圍S（W/m2）TD-SCDMA/TD-LTE兩頻共址GSM/TD-SCDMA/TD-LTE三頻共址GSM900/GSM1800/TD-SCDMA/TD-LTE四頻共址GSM/TD-SCDMA/TD-LTE-F/TD-LTE-D四頻共址測(cè)點(diǎn)數(shù)（個(gè)）占該類基站測(cè)點(diǎn)總數(shù)的百分比（%）測(cè)點(diǎn)數(shù)（個(gè)）占該類基站測(cè)點(diǎn)總數(shù)的百分比（%）測(cè)點(diǎn)數(shù)（個(gè)）占該類基站測(cè)點(diǎn)總數(shù)的百分比（%）測(cè)點(diǎn)數(shù)（個(gè)）占該類基站測(cè)點(diǎn)總數(shù)的百分比（%）0.04≤S<0.0851.1%523.3%183.5%33.9%0.02≤S<0.04224.8%835.3%346.7%56.5%0.01≤S<0.02296.3%1499.6%5611.0%45.2%0.001≤S<0.0118439.9%66042.3%24748.5%4457.1%S<0.00122147.9%61639.5%15430.3%2127.3%合計(jì)461100%1560100%509100%77100%均值（W/m2）0.00420.00660.00750.0066最大值（W/m2）0.0600.0760.0780.053圖7-39宏基站不同測(cè)值范圍測(cè)點(diǎn)數(shù)量統(tǒng)計(jì)圖從表7-23和圖7-39監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)分析可知，本次抽測(cè)的所有宏基站的功率密度監(jiān)測(cè)值均可以滿足單個(gè)項(xiàng)目管理目標(biāo)限值0.08W/m2的標(biāo)準(zhǔn)要求，項(xiàng)目對(duì)周圍環(huán)境的影響可以控制在國(guó)家的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)。由表7-23和圖7-39可知，在本次抽測(cè)宏基站的所有監(jiān)測(cè)點(diǎn)位中，從均值角度分析，單頻TD-SCDMA基站均值處于10-4數(shù)量級(jí)，其他各種類型基站均值均處于10-3數(shù)量級(jí)，均值差別不大，但三頻或四頻共址基站均值相對(duì)高些，這是由于共址基站多個(gè)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)疊加，會(huì)造成測(cè)值偏大。從均值角度看，由于天線架設(shè)與周圍建筑物保持一定的水平距離和垂直高差，所以基站建設(shè)對(duì)周圍的輻射環(huán)境影響不大。測(cè)值小于0.01W/m2的測(cè)點(diǎn)數(shù)在單頻GSM、單頻TD-SCDMA、單頻TD-LTE、GSM/TD-SCDMA兩頻共址、GSM/TD-LTE兩頻共址、TD-SCDMA/TD-LTE兩頻共址、GSM/TD-SCDMA/TD-LTE三頻共址、GSM900/GSM1800/TD-SCDMA/TD-LTE四頻共址、GSM/TD-SCDMA/TD-LTE-F/TD-LTE-D四頻共址基站中分別占90.0%、100%、92.9%、82.9%、87.0%、87.8%、81.8%、78.8%、84.4%，可見(jiàn)，本項(xiàng)目宏基站對(duì)周圍的電磁環(huán)境影響較小，周邊電磁環(huán)境監(jiān)測(cè)值大多集中在0.01W/m2（評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)的12.5%）以下。B、室內(nèi)覆蓋基站監(jiān)測(cè)結(jié)果統(tǒng)計(jì)本項(xiàng)目室內(nèi)覆蓋基站監(jiān)測(cè)點(diǎn)位設(shè)置為天線正下方距地面1.7m處和東、南、西、北距正下方測(cè)點(diǎn)1m處（高度1.7m）。室內(nèi)覆蓋基站不同測(cè)值范圍測(cè)點(diǎn)數(shù)量統(tǒng)計(jì)見(jiàn)表7-24。表7-24室內(nèi)覆蓋基站不同測(cè)值范圍測(cè)點(diǎn)數(shù)量統(tǒng)計(jì)功率密度測(cè)值范圍S(W/m2)測(cè)點(diǎn)數(shù)(個(gè))占室內(nèi)覆蓋基站測(cè)點(diǎn)總數(shù)的百分比(%)0.04≤S<0.08101.3%0.02≤S<0.04405.3%0.01≤S<0.0210714.1%0.001≤S<0.0139752.2%S<0.00120627.1%合計(jì)760100%均值(W/m2)0.0064最大值(W/m2)0.066圖7-40室內(nèi)分布基站不同測(cè)值范圍測(cè)點(diǎn)數(shù)量統(tǒng)計(jì)圖從表7-24和圖7-40監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)分析可知，本次抽測(cè)的所有室內(nèi)覆蓋基站的功率密度監(jiān)測(cè)值均可以滿足單個(gè)項(xiàng)目管理目標(biāo)限值0.08W/m2的標(biāo)準(zhǔn)要求，項(xiàng)目對(duì)周圍環(huán)境的影響可以控制在國(guó)家的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)。由表7-24和圖7-40可知，室內(nèi)覆蓋基站各監(jiān)測(cè)值均值為0.0064W/m2，占評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)0.08W/m2的8%；測(cè)值處于0.04W/m2~0.08W/m2之間的測(cè)點(diǎn)數(shù)占總測(cè)點(diǎn)數(shù)的1.3%；測(cè)值處于0.02W/m2~0.04W/m2之間的測(cè)點(diǎn)數(shù)占總測(cè)點(diǎn)數(shù)的5.3%；測(cè)值小于0.02W/m2的測(cè)點(diǎn)數(shù)占總測(cè)點(diǎn)數(shù)的93.4%；由此可知，室內(nèi)覆蓋基站對(duì)周圍的電磁環(huán)境影響很小。（2）抽測(cè)宏基站監(jiān)測(cè)結(jié)果分類統(tǒng)計(jì)分析A、統(tǒng)計(jì)分析范圍本小節(jié)對(duì)419個(gè)GSM宏基站、337個(gè)TD-SCDMA宏基站、474個(gè)TD-LTE宏基站的監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。進(jìn)入統(tǒng)計(jì)的測(cè)點(diǎn)總數(shù)為3793個(gè)。本次評(píng)價(jià)保守假定所測(cè)得的功率密度值全部為該項(xiàng)目對(duì)環(huán)境的貢獻(xiàn)值，在此基礎(chǔ)上進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。B、不同環(huán)境的輻射水平①統(tǒng)計(jì)結(jié)果根據(jù)現(xiàn)狀監(jiān)測(cè)結(jié)果，對(duì)于不同類型環(huán)境測(cè)點(diǎn)的輻射水平分類統(tǒng)計(jì)結(jié)果分別見(jiàn)表7-25及圖7-41。將測(cè)點(diǎn)所處環(huán)境分為“屋面環(huán)境”、“室內(nèi)環(huán)境”和“地面環(huán)境”三大類。其中“室內(nèi)環(huán)境”包括走廊、陽(yáng)臺(tái)、房間窗戶、樓梯轉(zhuǎn)角窗戶和與窗口有一定距離的室內(nèi)等。表7-25宏基站周圍環(huán)境輻射水平按環(huán)境分類統(tǒng)計(jì)表環(huán)境分類測(cè)點(diǎn)數(shù)最大測(cè)值(W/m2)均值(W/m2)功率密度測(cè)值S(W/m2)統(tǒng)計(jì)區(qū)間的測(cè)點(diǎn)數(shù)/百分比0.04≤S<0.080.02≤S<0.040.01≤S<0.020.001≤S<0.01S<0.001地面環(huán)境15090.0760.00236/0.4%15/1.0%30/2.0%581/38.5%877/58.1%室內(nèi)環(huán)境15070.0770.007153/3.5%90/6.0%163/10.8%642/42.6%559/37.1%屋面環(huán)境7770.0780.01048/6.2%67/8.6%111/14.3%404/52.0%147/18.9%點(diǎn)數(shù)合計(jì)37930.0780.0058107/2.8%172/4.5%304/8.0%1627/42.9%1583/41.7%圖7-41宏基站周圍環(huán)境輻射水平按環(huán)境分類統(tǒng)計(jì)圖②不同環(huán)境類型的對(duì)比分析由表7-25及圖7-41可知，基站周圍屋面環(huán)境的電磁輻射水平相對(duì)較高，其測(cè)點(diǎn)功率密度均值為0.010W/m2，相當(dāng)于評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)的12.8%，有6.2%的屋面測(cè)點(diǎn)功率密度值大于0.04W/m2即評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)(0.08W/m2)的50%。室內(nèi)、地面環(huán)境的電磁輻射水平相對(duì)較低，測(cè)點(diǎn)功率密度均值分別為0.0071W/m2和0.0023W/m2，分別僅為評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)(0.08W/m2)的8.8%和2.8%。僅有3.5%的室內(nèi)測(cè)點(diǎn)和0.4%的地面測(cè)點(diǎn)的功率密度值大于0.04W/m2即評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)(0.08W/m2)的50%。分別從功率密度均值及各功率密度統(tǒng)計(jì)區(qū)間的測(cè)點(diǎn)數(shù)百分比等幾個(gè)方面比較，各類環(huán)境的電磁輻射水平高低排序?yàn)椋何菝?gt;室內(nèi)>地面。人員活動(dòng)較多、環(huán)境較為敏感的室內(nèi)及地面環(huán)境的輻射水平較低；人員活動(dòng)較少、環(huán)境較不敏感的屋面環(huán)境的輻射水平較高。C、不同架設(shè)方式宏基站的環(huán)境輻射水平根據(jù)現(xiàn)狀監(jiān)測(cè)結(jié)果，對(duì)于不同架設(shè)方式各測(cè)點(diǎn)的輻射水平分類統(tǒng)計(jì)結(jié)果分別見(jiàn)表7-26及圖7-42。表7-26宏基站周圍環(huán)境輻射水平按不同架設(shè)方式分類統(tǒng)計(jì)表不同架設(shè)方式分類測(cè)點(diǎn)數(shù)最大測(cè)值(W/m2)均值(W/m2)功率密度測(cè)值S(W/m2)統(tǒng)計(jì)區(qū)間的測(cè)點(diǎn)數(shù)/百分比0.04≤S<0.080.02≤S<0.040.01≤S<0.020.001≤S<0.01S<0.001屋面鐵塔架設(shè)860.0150.00210/00/03/3.5%32/37.2%51/59.3%屋面抱桿架設(shè)23690.0770.006172/3.0%114/4.8%210/8.9%1010/42.6%963/40.7%屋面美化天線架設(shè)7600.0780.007028/3.7%43/5.7%65/8.6%343/45.1%281/37.0%落地鐵塔架設(shè)5780.0760.00387/1.2%15/2.6%26/4.5%242/41.9%288/49.8%點(diǎn)數(shù)合計(jì)37930.0780.0058107/2.8%172/4.5%304/8.0%1627/42.9%1583/41.7%圖7-42宏基站周圍環(huán)境輻射水平按不同架設(shè)方式分類統(tǒng)計(jì)圖由表7-26及圖7-42可知，宏基站中屋面抱桿架設(shè)基站和屋面美化天線架設(shè)基站分別有3.0%和3.7%的測(cè)點(diǎn)測(cè)值大于0.04W/m2即評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)(0.08W/m2)的50%，落地鐵塔架設(shè)基站有1.2%的測(cè)點(diǎn)測(cè)值大于0.04W/m2，而屋面鐵塔架設(shè)基站沒(méi)有測(cè)值大于0.04W/m2的測(cè)點(diǎn)。從均值的角度分析，屋面抱桿架設(shè)基站和屋面美化天線架設(shè)基站周圍環(huán)境輻射水平較高，分別為0.0061W/m2和0.0070W/m2；屋面鐵塔架設(shè)基站和落地鐵塔架設(shè)基站周圍環(huán)境輻射水平相對(duì)較低，分別為0.0021W/m2和0.0038W/m2。D、環(huán)境輻射水平與水平、垂直距離的關(guān)系為便于分析，將測(cè)點(diǎn)與天線的水平距離分為5m寬度的區(qū)間，垂直距離分為3m寬度的區(qū)間，水平區(qū)間以[5，10）形式表示，含義是“5m≤測(cè)點(diǎn)與天線水平距離<10m”；垂直區(qū)間以[3，6）形式表示，含義是“3m≤測(cè)點(diǎn)與天線垂直距離<6m”。經(jīng)統(tǒng)計(jì)，各水平/垂直距離區(qū)間的功率密度平均值隨水平/垂直距離的變化趨勢(shì)分別見(jiàn)圖7-43和圖7-44。圖7-43水平距離區(qū)間的功率密度平均值與水平距離的關(guān)系圖圖7-44垂直距離區(qū)間的功率密度平均值與垂直距離的關(guān)系圖由圖7-43可知，在水平距離的所有區(qū)間功率密度測(cè)值的平均值均處于10-3數(shù)量級(jí)，遠(yuǎn)低于本項(xiàng)目評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)0.08W/m2；在水平距離的[5，20）和[20，30）區(qū)間功率密度測(cè)值的平均值有了較明顯的抬升，處于0.0040W/m2~0.0083W/m2之間，測(cè)值抬升的原因與本次監(jiān)測(cè)布點(diǎn)位置直接相關(guān)，本次監(jiān)測(cè)在基站所在樓屋面測(cè)量最大值和在基站臨近樓天線主射方向上居民可到達(dá)的最不利位置（距離天線最近、高度差最小，如樓頂或頂樓住戶陽(yáng)臺(tái)處）處測(cè)量最大值（監(jiān)測(cè)布點(diǎn)圖見(jiàn)圖3-1）；在水平距離的[5，20）區(qū)間測(cè)點(diǎn)位置基本處于基站所在樓屋面，與天線水平距離和垂直距離均較近，所以功率密度測(cè)值相對(duì)較高；在水平距離的[20，30）區(qū)間測(cè)點(diǎn)位置基本處于基站臨近樓的樓頂或頂樓住戶陽(yáng)臺(tái)，測(cè)點(diǎn)處于天線主射范圍內(nèi)，所以功率密度測(cè)值相對(duì)較高。這也驗(yàn)證了本次監(jiān)測(cè)布點(diǎn)的合理性。由圖7-44可知，在垂直距離區(qū)間，功率密度測(cè)值的平均值隨著測(cè)點(diǎn)與天線垂直距離的增加而迅速減小，主要集中在[0，3）的區(qū)間內(nèi)，即在垂直距離上，電磁環(huán)境影響較大區(qū)域?yàn)榫嚯x天線垂直距離在3m內(nèi)的區(qū)域，在距天線垂直距離3m以上的區(qū)域，功率密度測(cè)值的平均值均處于10-3數(shù)量級(jí)，遠(yuǎn)低于本項(xiàng)目評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)0.08W/m2，對(duì)周圍的電磁環(huán)境影響很小。圖7-43和圖7-44對(duì)比表明，功率密度均值隨高差的衰減比隨水平距離的衰減更為迅速。3、類比分析結(jié)論由于移動(dòng)通信基站的結(jié)構(gòu)和原理均類似，各類基站產(chǎn)生的電磁波傳播形式具一定的規(guī)律性，有較好的可比性，因此，雖然本項(xiàng)目移動(dòng)通信基站數(shù)量眾多，但采用類比監(jiān)測(cè)的方法來(lái)預(yù)測(cè)同類型基站的電磁輻射環(huán)境影響是可行的。通過(guò)抽測(cè)基站監(jiān)測(cè)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)分析，本項(xiàng)目抽測(cè)基站對(duì)周邊環(huán)境的電磁輻射影響較小，功率密度貢獻(xiàn)值能夠滿足管理目標(biāo)限值的要求，周圍環(huán)境輻射水平能夠滿足國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)公眾照射導(dǎo)出限值的要求。根據(jù)“環(huán)境質(zhì)量狀況”章節(jié)抽測(cè)基站包絡(luò)性分析，所抽測(cè)的基站具有良好的代表性，監(jiān)測(cè)結(jié)果能充分反映本項(xiàng)目所有已建基站對(duì)周圍環(huán)境的電磁輻射影響水平。本報(bào)告類比監(jiān)測(cè)選擇的19個(gè)典型基站已經(jīng)包括本項(xiàng)目基站的各種類型，由類比基站的監(jiān)測(cè)結(jié)果和抽測(cè)基站大量監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)分析可得：本項(xiàng)目其他基站在架設(shè)方式合理和正常運(yùn)行情況下，其對(duì)周圍環(huán)境的電磁輻射影響也能滿足相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)的要求。由以上移動(dòng)通信基站電磁輻射類比監(jiān)測(cè)結(jié)果和抽測(cè)基站大量監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)分析可得：本次評(píng)價(jià)包括的各基站，在架設(shè)方式合理和正常運(yùn)行情況下，其對(duì)周圍的電磁環(huán)境影響能滿足相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)的要求。二、理論計(jì)算分析1、計(jì)算參數(shù)及計(jì)算模式A、與場(chǎng)強(qiáng)計(jì)算相關(guān)的幾個(gè)角度的相互關(guān)系考慮觀測(cè)點(diǎn)位于天線輻射主瓣軸向所在立面內(nèi)的情況，如果觀測(cè)點(diǎn)到天線中心點(diǎn)連線與天線正面垂線的夾角為θ2，天線中心點(diǎn)對(duì)預(yù)測(cè)點(diǎn)的“俯視角”(也就是預(yù)測(cè)點(diǎn)對(duì)天線中心點(diǎn)的仰角)為θ1，天線機(jī)械下傾角為θt，則三者之間的關(guān)系為：θ2=θ1-θt。天線輻射垂直面主瓣總下傾角為機(jī)械下傾角與電下傾角之和，即θt+θe，則預(yù)測(cè)點(diǎn)方向偏離天線輻射垂直面主瓣軸向的角度θ=θ2-θe=θ1-(θt+θe)，各角度之間的關(guān)系如圖7-45所示。圖7-45天線正前方立面內(nèi)角度關(guān)系圖B、方向性函數(shù)根據(jù)基本電磁學(xué)和天線工程學(xué)基本內(nèi)容“均勻直線陣陣因子”公式，已知基站天線在垂直面的半功率角2θ1/2,V，其方向性函數(shù)可寫(xiě)為：(式7-1)式中θ為預(yù)測(cè)點(diǎn)方向偏離天線輻射垂直面主瓣軸向的角度，如圖7-1所示。C、計(jì)算模式①軸向場(chǎng)計(jì)算模式《輻射環(huán)境保護(hù)管理導(dǎo)則·電磁輻射環(huán)境影響評(píng)價(jià)方法與標(biāo)準(zhǔn)》（HJ/T10.3-1996）中列出的微波頻段遠(yuǎn)場(chǎng)軸向場(chǎng)分析模式適用于本評(píng)價(jià)：遠(yuǎn)場(chǎng)軸向功率密度S為：(W/m2)(式7-2)式中：P─基站實(shí)際發(fā)射功率(W)；G─天線增益(倍數(shù))；r─天線與預(yù)測(cè)點(diǎn)之間的距離（m）。②非軸向場(chǎng)分析模式根據(jù)天線原理和電磁場(chǎng)理論，式7-2是天線遠(yuǎn)場(chǎng)軸向場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)計(jì)算模式，在將式7-2考慮方向性函數(shù)后可應(yīng)用于遠(yuǎn)場(chǎng)非軸向場(chǎng)。根據(jù)天線工程學(xué)中天線方向性函數(shù)的定義（《天線與電波傳播》第二版，西安電子科技大學(xué)出版社），天線輻射功率密度的計(jì)算公式應(yīng)包含方向性函數(shù)的平方值因子：(W/m2)(式7-3)式中：F(θ,φ)為預(yù)測(cè)點(diǎn)方向的天線歸一化方向性函數(shù)值，本報(bào)告僅對(duì)天線正前方即φ=0的方位進(jìn)行分析計(jì)算，此時(shí)F(θ,φ)=F(θ,0)與方位角φ無(wú)關(guān)，可寫(xiě)為F(θ)。D、計(jì)算參數(shù)根據(jù)建設(shè)單位提供的基站信息資料及現(xiàn)場(chǎng)調(diào)查，項(xiàng)目基站天線下傾角多數(shù)在10°以內(nèi)，取典型值8°。根據(jù)工程分析章節(jié)及上述分析，單頻GSM900宏基站、單頻TD-SCDMA宏基站、單頻TD-LTE宏基站、GSM900/TD-SCDMA兩頻共址宏基站、GSM900/TD-LTE兩頻共址宏基站、TD-SCDMA/TD-LTE兩頻共址宏基站、GSM900/TD-SCDMA/TD-LTE三頻共址宏基站、GSM900/GSM1800/TD-SCDMA/TD-LTE四頻共址宏基站、GSM900/TD-SCDMA/TD-LTE-F/TD-LTE-D四頻共址宏基站天線計(jì)算參數(shù)見(jiàn)表7-27。計(jì)算模式中天線位置以天線中心點(diǎn)為代表，而實(shí)際應(yīng)用中一般以天線面板底端為代表，二者高度相差天線長(zhǎng)度的一半。表7-27宏基站遠(yuǎn)場(chǎng)模式計(jì)算參數(shù)一覽表天線類型發(fā)射功率(W)天線增益(dBi)垂直面半功率角(°)天線下傾角(°)天線長(zhǎng)度(m)遠(yuǎn)近場(chǎng)分界距離(m)單頻GSM90014.116781.32.5單頻TD-SCDMA3.915.5881.23.0單頻TD-LTE7.715.5881.23.5GSM900/TD-SCDMA兩頻共址GSM90014.116781.32.5TD-SCDMA3.915.5881.23.0GSM900/TD-LTE兩頻共址GSM90014.116781.33.0TD-LTE7.715.5881.23.5TD-SCDMA/TD-LTE兩頻共址TD-SCDMA3.915.5881.23.0TD-LTE7.715.5881.23.5GSM900/TD-SCDMA/TD-LTE三頻共址GSM90014.116781.32.5TD-SCDMA3.915.5881.23.0TD-LTE7.715.5881.23.5GSM900/GSM1800/TD-SCDMA/TD-LTE四頻共址GSM90014.115781.32.5GSM180012.415781.32.5TD-SCDMA3.915881.23.0TD-LTE7.715881.23.5GSM900/TD-SCDMA/TD-LTE-F/TD-LTE-D四頻共址GSM90014.115781.32.5TD-SCDMA3.915881.23.0TD-LTE-D7.715881.23.5TD-LTE-F7.715881.23.5注：模式計(jì)算按各共址類型相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)天線口最大發(fā)射功率、最大增益進(jìn)行取值。對(duì)于該項(xiàng)目GSM基站、TD-SCDMA基站、TD-LTE基站共址的情況，還需要考慮幾種網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)輻射場(chǎng)的疊加問(wèn)題，漳州移動(dòng)同一站址的幾套網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的功率密度疊加值不應(yīng)超過(guò)0.08W/m2的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)幾套網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的天線架設(shè)高度、在水平面的位置、輻射主瓣方向一致時(shí)，疊加的輻射場(chǎng)最強(qiáng)，從保守角度考慮，評(píng)價(jià)設(shè)定共址基站天線完全處于同一位置，輻射能量按最大疊加。2、計(jì)算結(jié)果分析根據(jù)表7-27計(jì)算參數(shù)及式7-1~7-3，計(jì)算出各天線正前方垂直面功率密度空間分布，以等值線圖形式列出計(jì)算結(jié)果。其中單頻GSM900基站的天線正前方垂直面功率密度分布等值線圖見(jiàn)圖7-46，單頻TD-SCDMA基站的見(jiàn)圖7-47，單頻TD-LTE基站的見(jiàn)圖7-48，GSM900/TD-SCDMA兩頻共址基站的見(jiàn)圖7-49，GSM900/TD-LTE兩頻共址基站的見(jiàn)圖7-50，TD-SCDMA/TD-LTE兩頻共址基站的見(jiàn)圖7-51，GSM900/TD-SCDMA/TD-LTE三頻共址基站的見(jiàn)圖7-52，GSM900/GSM1800/TD-SCDMA/TD-LTE四頻共址基站的見(jiàn)圖7-53，GSM900/TD-SCDMA/TD-LTE-F/TD-LTE-D四頻共址基站的見(jiàn)圖7-54。其中0m高度為天線底部高度。天線中心水平距離23.4m天線中心水平距離23.4m天線底端天線底端垂直距離3.1m垂直距離3.1m主瓣主瓣方向圖7-46單頻GSM900基站天線正前方垂直面功率密度分布等值線圖（μW/cm2）水平距離11.8m水平距離11.8m天線中心天線中心天線底端天線底端垂直距離1.2m主瓣方向垂直距離1.2m主瓣方向圖7-47單頻TD-SCDMA基站天線正前方垂直面功率密度分布等值線圖（μW/cm2）天線中心水平距離16.3m天線中心水平距離16.3m天線底端天線底端垂直距離2.0m主瓣垂直距離2.0m主瓣方向圖7-48單頻TD-LTE基站天線正前方垂直面功率密度分布等值線圖（μW/cm2）天線中心水平距離26.1m天線中心水平距離26.1m天線底端天線底端垂直距離3.4m垂直距離3.4m主瓣主瓣方向圖7-49GSM900/TD-SCDMA兩頻共址基站天線正前方垂直面功率密度分布等值線圖（μW/cm2）天線中心水平距離28.6m天線中心水平距離28.6m天線底端天線底端垂直距離3.9m主瓣垂直距離3.9m主瓣方向圖7-50GSM900/TD-LTE兩頻共址基站天線正前方垂直面功率密度分布等值線圖（μW/cm2）水平距離20.1m水平距離20.1m天線中心天線中心天線底端天線底端主瓣方向主瓣方向垂直距離2.8m垂直距離2.8m圖7-51TD-SCDMA/TD-LTE兩頻共址基站天線正前方垂直面功率密度分布等值線圖（μW/cm2）天線中心水平距離30.9m天線中心水平距離30.9m天線底端天線底端垂直距離4.1m垂直距離4.1m主瓣主瓣方向圖7-52GSM900/TD-SCDMA/TD-LTE三頻共址基站天線正前方垂直面功率密度分布等值線圖（μW/cm2）天線中心水平距離34.3m天線中心水平距離34.3m天線底端天線底端垂直距離4.9m主瓣垂直距離4.9m主瓣方向圖7-53GSM900/GSM1800/TD-SCDMA/TD-LTE四頻共址基站天線正前方垂直面功率密度分布等值線圖（μW/cm2）天線中心水平距離32.0m天線中心水平距離32.0m天線底端天線底端垂直距離4.5m主瓣垂直距離4.5m主瓣方向圖7-54GSM900/TD-SCDMA/TD-LTE-F/TD-LTE-D四頻共址基站天線正前方垂直面功率密度分布等值線圖（μW/cm2）（1）天線正前方的垂直面功率密度分布計(jì)算結(jié)果由圖7-46~圖7-54可知，紅色虛線框外的環(huán)境電磁輻射功率密度預(yù)測(cè)值均低于評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)(0.08W/m2)；紅色虛線框內(nèi)相對(duì)天線仰角較大的部分區(qū)域的預(yù)測(cè)值也低于評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)，其原因是旁瓣區(qū)輻射較弱，俗稱“塔下黑”的現(xiàn)象。由圖7-46~圖7-54可知，測(cè)點(diǎn)與天線高差h越大，功率密度S越小。一般情況下，不同類別環(huán)境測(cè)點(diǎn)與天線高差h的大小排序?yàn)椋篽(地面)>h(室內(nèi))>h(屋面)，因此從理論上功率密度S的大小排序?yàn)椋篠(地面)<S(室內(nèi))<S(屋面)，總體趨勢(shì)與實(shí)測(cè)分析結(jié)果符合。屋面點(diǎn)與天線高度最為接近，故功率密度值總體最高；地面測(cè)點(diǎn)與天線的高差最大，故功率密度值總體最低；而室內(nèi)測(cè)點(diǎn)與天線高差介于屋面、地面之間，但受到建筑物屏蔽，減弱了其輻射源的影響，因此測(cè)值總體介于二者之間，而更接近于地面測(cè)點(diǎn)。（2）垂直面主瓣與旁瓣的功率密度比較由圖7-46~圖7-54可知，預(yù)測(cè)點(diǎn)功率密度隨高度變化迅速。在水平距離相同的條件下，主瓣與旁瓣區(qū)的功率密度值相差很大。因此，在監(jiān)測(cè)與評(píng)價(jià)時(shí)，預(yù)測(cè)點(diǎn)與天線的高差是必需重點(diǎn)考慮的因素。3、計(jì)算分析結(jié)論通過(guò)上述理論計(jì)算分析可得，在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)移動(dòng)通信基站對(duì)環(huán)境的電磁輻射貢獻(xiàn)隨距離的增大而減小。對(duì)于單頻GSM基站、單頻TD-SCDMA基站、單頻TD-LTE基站，分別在其天線主瓣軸向23.4m、11.8m、16.3m處或者距天線底部3.1m、1.2m、2.0m處時(shí)，電磁輻射功率密度值已衰減到本項(xiàng)目單個(gè)物理基站的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)0.08W/m2；對(duì)于GSM900/TD-SCDMA、GSM900/TD-LTE、TD-SCDMA/TD-LTE兩頻共址基站，分別在其天線主瓣軸向26.1m、28.6m、20.1m處或者距天線底部3.4m、3.9m、2.8m處時(shí)，電磁輻射功率密度值已衰減到本項(xiàng)目單個(gè)物理基站的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)0.08W/m2；對(duì)于GSM900/TD-SCDMA/TD-LTE三頻共址基站，在其天線主瓣軸向30.9m處或者距天線底部4.1m處時(shí)，電磁輻射功率密度值已衰減到本項(xiàng)目單個(gè)物理基站的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)0.08W/m2；對(duì)于GSM900/GSM1800/TD-SCDMA/TD-LTE、GSM900/TD-SCDMA/TD-LTE-F/TD-LTE-D四頻共址基站，分別在其天線主瓣軸向34.3m、32.0m處或者距天線底部4.9m、4.5m處時(shí)，電磁輻射功率密度值已衰減到本項(xiàng)目單個(gè)物理基站的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)0.08W/m2。在上述距離之外，不會(huì)對(duì)更遠(yuǎn)處的環(huán)境保護(hù)目標(biāo)造成電磁輻射環(huán)境影響。由于理論計(jì)算中選取參數(shù)未考慮各種軟件調(diào)控對(duì)發(fā)射功率的降低作用，發(fā)射功率參數(shù)偏保守，因此理論計(jì)算結(jié)果均偏保守，實(shí)際測(cè)量值將比理論計(jì)算值低。三、綜合分析1、天線架設(shè)形式的分析和評(píng)價(jià)本工程建設(shè)的宏蜂窩基站，是利用射頻天線完成無(wú)線電信號(hào)的發(fā)射和接收工作。由工程分析可知，基站發(fā)射機(jī)的功率和天線的增益組成其電磁輻射的源強(qiáng)，決定了電磁環(huán)境影響的程度，天線的輻射方向性決定了電磁環(huán)境影響的范圍。發(fā)射天線架設(shè)形式是基站的外在表現(xiàn)，決定了對(duì)具體的電磁環(huán)境影響影響的方式。由于基站的發(fā)射功率、天線增益和方向性圖在同一期工程中基本是一致或類似的，故源強(qiáng)也是相同的?；景l(fā)射天線架設(shè)形式卻根據(jù)不同的建設(shè)目的，而采用不用的形式，主要包括樓頂鐵塔架設(shè)、樓頂抱桿架設(shè)、樓頂美化天線架設(shè)、落地鐵塔架設(shè)等多種類型。發(fā)射天線的外在形式和與其所在的周圍環(huán)境的位置距離關(guān)系是決定電磁輻射環(huán)境影響程度的直接原因。以下結(jié)合具體天線架設(shè)形式以及其站址周圍環(huán)境狀況逐一進(jìn)行分析和評(píng)價(jià)。A、落地鐵塔架設(shè)落地鐵塔架設(shè)的主要形式包括角鋼塔、單管塔、落地?zé)魲U等，這種架設(shè)方式可以根據(jù)網(wǎng)絡(luò)信號(hào)覆蓋情況進(jìn)行落地鐵塔設(shè)計(jì)，便于管理、穩(wěn)定性較好，但存在的缺點(diǎn)是占用一定的土地資源，建設(shè)成本一次性投資相對(duì)較高。落地鐵塔架設(shè)形式通常應(yīng)用在地面開(kāi)闊的鄉(xiāng)村、城郊區(qū)域，通常離地高度在20~40m，比周圍的樓房（敏感目標(biāo)）要高出很多。一般情況下，落地鐵塔周圍環(huán)境比較空曠，高層樓宇很少，而且其本身鐵塔高度相對(duì)一般多層樓房要高，具體情形可見(jiàn)圖7-55。在這種情形下，發(fā)射天線的主瓣前方?jīng)]有遮擋，主瓣區(qū)域內(nèi)沒(méi)有公眾活動(dòng)或滯留，無(wú)線電波在空間中迅速衰減，到達(dá)地面或遠(yuǎn)處的環(huán)境保護(hù)目標(biāo)時(shí)，已經(jīng)可以符合電磁輻射環(huán)境影響的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。在個(gè)別情形下，落地鐵塔附近建設(shè)有高層建筑，或規(guī)劃擬建設(shè)高層建筑，建筑的高度與鐵塔高度接近，甚至超出，并且相對(duì)水平距離較近，具體情形可見(jiàn)圖7-56。在這種情形下，發(fā)射天線的主射方向正對(duì)臨近的高層建筑，對(duì)在高層建筑的屋頂、露臺(tái)或者陽(yáng)臺(tái)等直接暴露的位置活動(dòng)的人群可能產(chǎn)生超標(biāo)的電磁輻射環(huán)境影響。故針對(duì)落地鐵塔架設(shè)形式，必須在基站的選址規(guī)劃階段和已建基站周圍擬建設(shè)建筑物時(shí)避免出現(xiàn)圖7-56的情形，時(shí)時(shí)了解基站附近的建筑物建設(shè)情況，保證天線主瓣方向留有足夠的空間（大于相應(yīng)類型主射方向理論計(jì)算超標(biāo)區(qū)），確保周圍環(huán)境保護(hù)目標(biāo)的電磁環(huán)境達(dá)標(biāo)。圖7-55落地鐵塔架設(shè)基站符合電磁輻射環(huán)境影響評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)的情形圖7-56落地鐵塔架設(shè)基站可能產(chǎn)生電磁輻射環(huán)境影響超標(biāo)的情形B、樓頂鐵塔架設(shè)樓頂鐵塔的架設(shè)主要包括樓頂角鋼塔和樓頂拉線塔等形式。樓頂鐵塔的架設(shè)主要應(yīng)用在城市或集鎮(zhèn)內(nèi)不易建設(shè)落地鐵塔的地方，借助建筑物的高度以及鐵塔高度，以滿足天線的架設(shè)高度要求。樓頂鐵塔架設(shè)可以利用原有建筑物的高度，租用（或購(gòu)買）現(xiàn)有的房間作為機(jī)房，可以節(jié)省鐵塔和機(jī)房建設(shè)的成本。樓頂鐵塔架設(shè)也存在機(jī)房和樓頂?shù)淖饨鹗苁袌?chǎng)行情變化的情況，存在拆遷、租賃合同到期等不穩(wěn)定因素，還需要考慮原有建筑的結(jié)構(gòu)安全，受到建筑承載能力的制約，相對(duì)其他形式不夠美觀等問(wèn)題。樓頂鐵塔架設(shè)和落地鐵塔對(duì)周圍電磁環(huán)境影響的情形類似。一般情況下，落地鐵塔高度相對(duì)一般多層樓房要高，具體情形可見(jiàn)圖7-57。在這種情形下，發(fā)射天線的主瓣前方?jīng)]有遮擋，無(wú)線電波在空間中迅速衰減，到達(dá)地面或遠(yuǎn)處的環(huán)境保護(hù)目標(biāo)時(shí)，已經(jīng)可以符合對(duì)電磁輻射環(huán)境影響的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。在個(gè)別情形下，樓頂鐵塔附近建設(shè)有高層建筑，或規(guī)劃擬建設(shè)高層建筑，建筑的高度與鐵塔高度接近，甚至超出，并且相對(duì)水平距離較近，具體情形可見(jiàn)圖7-58。在這種情形下，發(fā)射天線的主射方向正對(duì)臨近的高層建筑，對(duì)在高層建筑的屋頂、露臺(tái)或者陽(yáng)臺(tái)等直接暴露的位置活動(dòng)的人群可能產(chǎn)生超標(biāo)的電磁輻射環(huán)境影響。樓頂鐵塔架設(shè)由于天線與樓頂有一定高差，一般不會(huì)對(duì)其所在樓的樓頂、露臺(tái)等位置造成超標(biāo)的影響。故針對(duì)樓頂鐵塔架設(shè)形式，必須在基站的選址規(guī)劃階段和已建基站周圍擬建設(shè)建筑物時(shí)避免出現(xiàn)圖7-58的情形，時(shí)時(shí)了解基站附近的建筑物建設(shè)情況，保證天線主瓣方向留有足夠的空間（大于相應(yīng)類型主射方向理論計(jì)算超標(biāo)區(qū)），確保周圍環(huán)境保護(hù)目標(biāo)的電磁環(huán)境達(dá)標(biāo)。圖7-57樓頂鐵塔架設(shè)基站符合電磁輻射環(huán)境影響評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)的情形圖7-58樓頂鐵塔架設(shè)基站可能造成周圍建筑電磁輻射環(huán)境影響超標(biāo)的情形C、樓頂抱桿架設(shè)（樓頂美化天線架設(shè)）樓頂抱桿的架設(shè)主要應(yīng)用在城市或集鎮(zhèn)內(nèi)不易建設(shè)落地鐵塔的地方，利用樓頂支撐方式安裝天線較為復(fù)雜，且絕大多數(shù)是安裝定向天線，應(yīng)根據(jù)樓頂?shù)牟季趾椭車臉侨航ㄖ姆植紒?lái)選擇安放天線的位置和方向。樓頂抱桿的架設(shè)方式主要包括：①

將天線支撐桿固定在樓頂上，利用U型卡子和膨脹螺栓等對(duì)墻加固，再將天線架設(shè)在支撐桿上，一般天線的架設(shè)高度高于架設(shè)樓頂?shù)?~6m左右。

②直接將天線支撐桿固定在樓頂梯間或水箱等構(gòu)筑物上，再將天線架設(shè)在支撐桿上，一般天線的架設(shè)高度高于架設(shè)樓頂?shù)?~9m左右。樓頂抱桿的架設(shè)可以充分利用原有建筑物的高度，租用（或購(gòu)買）現(xiàn)有的房間作為機(jī)房，可以節(jié)省鐵塔和機(jī)房建設(shè)的成本?？梢岳媒ㄖ锝Y(jié)構(gòu)進(jìn)行隱蔽或者偽裝，具有一定的美觀性。但是機(jī)房和樓頂?shù)淖饨鹗苁袌?chǎng)行情變化，存在拆遷、租賃合同到期等不穩(wěn)定因素，還需要考慮原有建筑的結(jié)構(gòu)安全。一般情況下，樓頂抱桿架設(shè)在無(wú)線信號(hào)服務(wù)小區(qū)中相對(duì)高度突出的建筑上，天線架設(shè)高度比臨近的建筑要高，具體情形可見(jiàn)圖7-59。在這種情形下，發(fā)射天線的主瓣前方?jīng)]有遮擋，無(wú)線電波在空間中迅速衰減，到達(dá)地面或遠(yuǎn)處的環(huán)境保護(hù)目標(biāo)時(shí)，已經(jīng)可以符合電磁輻射環(huán)境影響的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。在少數(shù)情形下，樓頂抱桿架設(shè)的建筑附近建設(shè)有高層建筑，或規(guī)劃擬建設(shè)高層建筑，建筑的高度與天線架設(shè)高度接近，甚至超出，并且相對(duì)水平距離較近，具體情形可見(jiàn)圖7-60。在這種情形下，發(fā)射天線的主射方向正對(duì)臨近的高層建筑，對(duì)在高層建筑的屋頂、露臺(tái)或者陽(yáng)臺(tái)等位置活動(dòng)的人群可能產(chǎn)生電磁輻射環(huán)境影響。在個(gè)別情形下，樓頂抱桿架設(shè)在樓頂梯間或水箱等構(gòu)筑物上，具體情形可見(jiàn)圖7-61，由于架設(shè)高度較低，天線主射方向直接面對(duì)樓頂露臺(tái)或陽(yáng)臺(tái)等位置，導(dǎo)致在上述位置活動(dòng)的人群可能受到電磁輻射環(huán)境影響。故針對(duì)樓頂抱桿架設(shè)形式，必須在基站的選址規(guī)劃階段和已建基站周圍擬建設(shè)建筑物時(shí)避免出現(xiàn)圖7-60的情形，充分掌握基站附近的建筑物的建設(shè)和規(guī)劃情況，在抱桿的具體位置選擇時(shí)，必須保證天線主瓣方向（大于相應(yīng)類型主射方向理論計(jì)算超標(biāo)區(qū)）沒(méi)有敏感建筑，確保周圍環(huán)境保護(hù)目標(biāo)的電磁環(huán)境達(dá)標(biāo)。對(duì)于樓頂抱桿天線架設(shè)在樓頂梯間或水箱等構(gòu)筑物上時(shí)，必須了解建筑物樓頂?shù)睦们闆r，明確是否有人群在樓頂活動(dòng)（種花、晾曬衣物等），是否具有封閉樓頂?shù)臈l件，避免出現(xiàn)圖7-61的情形。若條件不允許，則應(yīng)改用其他天線架設(shè)形式。圖7-59樓頂抱桿架設(shè)基站符合電磁輻射環(huán)境影響評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)的情形圖7-60樓頂抱桿架設(shè)基站可能造成周圍建筑電磁輻射環(huán)境影響超標(biāo)的情形圖7-61樓頂抱桿架設(shè)基站可能造成本樓頂電磁輻射環(huán)境影響超標(biāo)的情形2、站址共享基站分析按照工業(yè)和信息化部與國(guó)務(wù)院國(guó)有資產(chǎn)監(jiān)督管理委員會(huì)聯(lián)合發(fā)布的《關(guān)于推進(jìn)電信基礎(chǔ)設(shè)施共建共享的經(jīng)濟(jì)通知》（工信部聯(lián)通〔2008〕235號(hào)）要求，各電信企業(yè)積極貫徹落實(shí)政府倡導(dǎo)的基礎(chǔ)設(shè)施共享共建和節(jié)能減排政策，大力推進(jìn)網(wǎng)絡(luò)建設(shè)中鐵塔、機(jī)房等基礎(chǔ)設(shè)施資源的共建共享。在本項(xiàng)目中部分基站是共建共享基站，不同運(yùn)營(yíng)商（電信、聯(lián)通）的基站建設(shè)在同一地點(diǎn)，架設(shè)在同一座鐵塔上，其電磁環(huán)境影響在一定程度上存在疊加影響。為確保本項(xiàng)目建設(shè)的基站對(duì)周圍環(huán)境保護(hù)目標(biāo)電磁影響達(dá)標(biāo)，需要在評(píng)價(jià)指標(biāo)上進(jìn)行總量控制。按照《輻射環(huán)境影響評(píng)價(jià)管理導(dǎo)則電磁輻射環(huán)境影響評(píng)價(jià)方法與標(biāo)準(zhǔn)》（HJ/T10.3-1996）中的規(guī)定：為使公眾受到的總照射劑量小于GB8702的規(guī)定值，對(duì)單個(gè)項(xiàng)目的影響必須限制在GB8702限值的若干分之一；在評(píng)價(jià)時(shí)，對(duì)于國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局負(fù)責(zé)審批的大型項(xiàng)目可取GB8702中場(chǎng)強(qiáng)限值的，或功率密度限值的1/2；其他項(xiàng)目則取場(chǎng)強(qiáng)限值的，或功率密度限值的1/5作為評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。本項(xiàng)目單個(gè)物理基站對(duì)公眾的曝露控制限值取《電磁環(huán)境控制限值》（GB8702-2014）功率密度限值的1/5作為評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)（0.08W/m2），既考慮了已有背景電磁輻射的影響，又給今后建設(shè)其他基站等電磁輻射設(shè)施留下了一定的余量，確保滿足對(duì)公眾曝露控制限值（0.4W/m2）。四、主要環(huán)境保護(hù)目標(biāo)電磁環(huán)境影響分析1、主要環(huán)境保護(hù)目標(biāo)電磁環(huán)境影響根據(jù)典型基站的抽樣調(diào)查原則，在大量現(xiàn)場(chǎng)調(diào)查的基礎(chǔ)上，評(píng)價(jià)對(duì)624個(gè)物理基站周圍的環(huán)境保護(hù)目標(biāo)分布情況進(jìn)行了實(shí)地調(diào)查，該些基站周圍的保護(hù)目標(biāo)分布具體情況見(jiàn)表3-23。根據(jù)現(xiàn)狀監(jiān)測(cè)結(jié)果，本項(xiàng)目各典型基站周圍環(huán)境保護(hù)目標(biāo)處的電磁輻射功率密度最大值為0.078W/m2，均低于評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)限值0.08W/m2。通過(guò)典型基站的典型性和代表性說(shuō)明，本項(xiàng)目非典型基站周圍環(huán)境保護(hù)目標(biāo)在滿足基站架設(shè)方式合理和正常運(yùn)行情況下，均可以滿足0.08W/m2的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)限值要求。2、重點(diǎn)環(huán)境保護(hù)目標(biāo)滿足評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)保證措施情況對(duì)于基站周圍有醫(yī)院、幼兒園、學(xué)校、養(yǎng)老院等重點(diǎn)環(huán)境保護(hù)目標(biāo)，主要采取如下措施，以保證各重點(diǎn)環(huán)境保護(hù)目標(biāo)處電磁環(huán)境影響可以滿足評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)要求：與天線的水平距離較遠(yuǎn)（大于相應(yīng)類型主射方向理論計(jì)算超標(biāo)區(qū)）、與天線的垂直高差較大（大于相應(yīng)類型主射方向理論計(jì)算超標(biāo)區(qū)）、水平面位于天線側(cè)方或后方、垂直面位于天線旁瓣方向、受建筑物遮擋、公眾實(shí)際活動(dòng)區(qū)域是否可到達(dá)等措施。各重點(diǎn)環(huán)境保護(hù)目標(biāo)具體采取的措施情況見(jiàn)表7-28。表7-28重點(diǎn)環(huán)境保護(hù)目標(biāo)達(dá)標(biāo)保證措施情況一覽表序號(hào)基站名稱基站詳細(xì)地址重點(diǎn)環(huán)境保護(hù)目標(biāo)水平距離（m）垂直高差（m）達(dá)標(biāo)保證措施1漳州金峰有朋來(lái)公寓薌城區(qū)勝利西路822號(hào)有朋來(lái)公寓金峰開(kāi)發(fā)區(qū)實(shí)驗(yàn)幼兒園2012與天線的垂直高差較大，建筑物遮擋2漳州薌城-石亭仙景路北監(jiān)控桿薌城區(qū)第一技工學(xué)校教學(xué)樓基站50m范圍內(nèi)無(wú)重點(diǎn)環(huán)境保護(hù)目標(biāo)3漳州天寶過(guò)塘薌城區(qū)天寶鎮(zhèn)過(guò)塘村路旁居民樓頂上過(guò)塘小學(xué)、過(guò)塘幼兒園2F289與天線的垂直高差較大，建筑物遮擋過(guò)塘衛(wèi)生院1F4012與天線的水平距離較遠(yuǎn)、與天線的垂直高差較大4漳州薌城-天寶中學(xué)薌城區(qū)天寶焦薌北路供銷大樓上基站50m范圍內(nèi)無(wú)重點(diǎn)環(huán)境保護(hù)目標(biāo)5漳州石亭田邊小學(xué)薌城區(qū)石亭鎮(zhèn)田邊小學(xué)外居民樓基站50m范圍內(nèi)無(wú)重點(diǎn)環(huán)境保護(hù)目標(biāo)6漳州浦南謝坑薌城區(qū)浦南鎮(zhèn)謝坑小學(xué)謝坑小學(xué)3F03天線下方樓內(nèi)，建筑物遮擋，垂直面位于天線旁瓣方向7漳州浦南園坑薌城區(qū)浦南鎮(zhèn)園坑村舊小學(xué)樓頂基站50m范圍內(nèi)無(wú)重點(diǎn)環(huán)境保護(hù)目標(biāo)8漳州浦南中學(xué)薌城區(qū)浦南鎮(zhèn)浦南中學(xué)旁一處民房上基站50m范圍內(nèi)無(wú)重點(diǎn)環(huán)境保護(hù)目標(biāo)9漳州師院綜合樓漳州市薌城區(qū)漳州師院綜合樓屋面漳州師院綜合樓7F02天線下方樓內(nèi)，建筑物遮擋，垂直面位于天線旁瓣方向6號(hào)宿舍樓5F488天線的水平距離較遠(yuǎn)、與天線的垂直高差較大10漳州師院勵(lì)志樓室內(nèi)薌城區(qū)閩南師范學(xué)院勵(lì)志樓室內(nèi)勵(lì)志樓走廊01.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小11漳州師院篤行樓室內(nèi)薌城區(qū)閩南師范學(xué)院篤行樓室內(nèi)篤行樓走廊01.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小12漳州師院綜合樓北區(qū)室內(nèi)薌城區(qū)閩南師范學(xué)院綜合樓北區(qū)室內(nèi)綜合樓北區(qū)走廊01.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小13漳州師院綜合樓西區(qū)室內(nèi)薌城區(qū)閩南師范學(xué)院綜合樓西區(qū)室內(nèi)綜合樓西區(qū)走廊01.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小14漳州師院綜合樓南區(qū)室內(nèi)薌城區(qū)閩南師范學(xué)院綜合樓南區(qū)室內(nèi)綜合樓南區(qū)走廊01.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小15漳州薌城-師院芙蓉餐廳室內(nèi)薌城區(qū)閩南師院大學(xué)芙蓉餐廳芙蓉餐廳內(nèi)01.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小16漳州薌城-師院達(dá)理營(yíng)業(yè)廳室內(nèi)薌城區(qū)閩南師院大學(xué)達(dá)理營(yíng)業(yè)廳達(dá)理營(yíng)業(yè)廳大廳01.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小17漳州師院達(dá)理樓南區(qū)室內(nèi)薌城區(qū)閩南師范學(xué)院達(dá)理樓南區(qū)室內(nèi)達(dá)理樓南區(qū)走廊01.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小18漳州師院達(dá)理樓北區(qū)室內(nèi)薌城區(qū)閩南師范學(xué)院達(dá)理樓北區(qū)室內(nèi)達(dá)理樓北區(qū)走廊01.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小19漳州師院逸夫樓漳州師院逸夫樓樓上漳州師院逸夫樓6F02天線下方樓內(nèi)，建筑物遮擋，垂直面位于天線旁瓣方向漳州師院圖書(shū)館2F1714與天線的垂直高差較大，建筑物遮擋20漳州薌城師院薌城區(qū)師院瑞京公寓學(xué)生宿舍樓頂B北學(xué)生公寓7F06天線下方樓內(nèi)，建筑物遮擋，垂直面位于天線旁瓣方向A南、B南學(xué)生公寓7F186建筑物遮擋，與天線的垂直高差較大21漳州師院新校區(qū)薌城區(qū)師范學(xué)院達(dá)理樓D北學(xué)生公寓7F02天線下方樓內(nèi)，建筑物遮擋，垂直面位于天線旁瓣方向22TD_漳州師院瑞京公寓C室內(nèi)薌城區(qū)閩南師范學(xué)院瑞京公寓C瑞京公寓C走廊01.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小23漳州師院瑞京公寓D室內(nèi)薌城區(qū)閩南師范學(xué)院瑞京公寓D瑞京公寓D走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小24漳州師院白宮室內(nèi)薌城區(qū)閩南師范學(xué)院白宮室內(nèi)白宮走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小25漳州薌城-師院逸夫樓室內(nèi)薌城區(qū)閩南師范大學(xué)逸夫樓室內(nèi)逸夫樓走廊01.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小26漳州正興學(xué)校女生宿舍樓薌城區(qū)正興學(xué)校女生宿舍樓A區(qū)屋頂正興學(xué)校學(xué)生公寓A區(qū)6F02天線下方樓內(nèi)，建筑物遮擋，垂直面位于天線旁瓣方向27漳州正興學(xué)校男生宿舍樓薌城區(qū)正興學(xué)校男生宿舍樓C區(qū)屋頂正興學(xué)校學(xué)生公寓C區(qū)6F02天線下方樓內(nèi)，建筑物遮擋，垂直面位于天線旁瓣方向正興學(xué)校學(xué)生公寓B區(qū)6F182建筑物遮擋28漳州正興學(xué)校小學(xué)宿舍樓漳州市薌城區(qū)芝山鎮(zhèn)正興學(xué)校小學(xué)宿舍樓屋頂正興學(xué)校小學(xué)宿舍樓6F02天線下方樓內(nèi)，建筑物遮擋，垂直面位于天線旁瓣方向正興學(xué)校小學(xué)藝術(shù)樓3F3011與天線的垂直高差較大，建筑物遮擋29漳州正興學(xué)校行政樓薌城區(qū)北環(huán)城路正興學(xué)校行政樓屋面正興學(xué)校行政樓8F02天線下方樓內(nèi)，建筑物遮擋，垂直面位于天線旁瓣方向正興學(xué)校藝術(shù)樓3F3317與天線的水平距離較遠(yuǎn)、與天線的垂直高差較大漳州正興學(xué)校行政樓室內(nèi)薌城區(qū)北環(huán)城路正興學(xué)校行政樓室內(nèi)行政樓大廳00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小30漳州正興醫(yī)院室內(nèi)薌城區(qū)北環(huán)城路1608號(hào)正興醫(yī)院住院部地下室住院部地下室00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小31漳州正興醫(yī)院門(mén)診樓室內(nèi)薌城區(qū)正興醫(yī)院門(mén)診樓門(mén)診樓大廳01.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小32漳州薌城正興家園薌城區(qū)正興醫(yī)院住院部樓頂正興醫(yī)院住院部12F01天線下方樓內(nèi)，建筑物遮擋，垂直面位于天線旁瓣方向正興醫(yī)院門(mén)診樓4F3424與天線的水平距離較遠(yuǎn)、與天線的垂直高差較大33漳州師院博文樓漳州市薌城區(qū)閩南師院大學(xué)博文樓樓頂博文樓6F06天線下方樓內(nèi)，建筑物遮擋，垂直面位于天線旁瓣方向34TD_漳州師院博文樓室內(nèi)漳州市薌城區(qū)閩南師院大學(xué)博文樓室內(nèi)博文樓走廊01室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小35TD_漳州薌城衛(wèi)校8號(hào)宿舍樓室內(nèi)漳州市薌城區(qū)西洋坪路12號(hào)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院8號(hào)宿舍樓8號(hào)宿舍樓走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小漳州薌城衛(wèi)校8號(hào)樓室內(nèi)漳州市薌城區(qū)西洋坪路12號(hào)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院8號(hào)宿舍樓8號(hào)宿舍樓走廊01室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小36TD_漳州衛(wèi)職院5宿舍樓室內(nèi)漳州市薌城區(qū)西洋坪路12號(hào)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院5號(hào)宿舍樓室內(nèi)5號(hào)宿舍樓走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小37漳州薌城-衛(wèi)職院食堂室內(nèi)漳州市薌城區(qū)西洋坪路12號(hào)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院食堂內(nèi)食堂大廳02.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小38TD_漳州衛(wèi)職院明德樓室內(nèi)漳州市薌城區(qū)西洋坪路12號(hào)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院明德樓室內(nèi)明德樓走廊01.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小39TD_漳州衛(wèi)職院行政樓圖書(shū)館室內(nèi)漳州市薌城區(qū)西洋坪路12號(hào)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院圖書(shū)館室內(nèi)圖書(shū)館走廊00.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小40漳州薌城-衛(wèi)職院行政樓室內(nèi)漳州市薌城區(qū)西洋坪路12號(hào)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院行政樓室內(nèi)行政樓走廊00.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小41TD_漳州衛(wèi)職院明誠(chéng)樓室內(nèi)漳州市薌城區(qū)西洋坪路12號(hào)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院明誠(chéng)樓明誠(chéng)樓走廊01.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小42漳州衛(wèi)職院致馨樓室內(nèi)漳州市薌城區(qū)西洋坪路12號(hào)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院致馨樓致馨樓大廳01.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小43漳州薌城-衛(wèi)職院致遠(yuǎn)樓室內(nèi)漳州市薌城區(qū)西洋坪路12號(hào)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院致遠(yuǎn)樓致遠(yuǎn)樓走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小44漳州薌城-衛(wèi)職院致賢樓室內(nèi)漳州市薌城區(qū)西洋坪路12號(hào)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院致賢樓致賢樓走廊01.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小45漳州薌城-衛(wèi)職院明智樓室內(nèi)漳州市薌城區(qū)西洋坪路12號(hào)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院明智樓室內(nèi)明智樓走廊01.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小46漳州薌城-衛(wèi)校8號(hào)宿舍樓漳州市薌城區(qū)西洋坪路12號(hào)衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院8號(hào)宿舍樓樓頂8號(hào)宿舍樓7F07天線下方樓內(nèi)，建筑物遮擋，垂直面位于天線旁瓣方向2號(hào)食堂4F616與天線的垂直高差較大，建筑物遮擋宿舍樓6F3010與天線的垂直高差較大，建筑物遮擋47漳州薌城-漳職院通鑫營(yíng)業(yè)廳室內(nèi)漳州市薌城區(qū)漳職院通鑫營(yíng)業(yè)廳通鑫營(yíng)業(yè)廳大廳02.2室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小48漳州薌城-通鑫公寓D9室內(nèi)漳州市薌城區(qū)漳州大學(xué)通鑫公寓D9號(hào)樓室內(nèi)D9號(hào)樓走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小49漳州薌城-通鑫公寓A9低層室內(nèi)漳州市薌城區(qū)漳州大學(xué)通鑫公寓A9號(hào)樓室內(nèi)A9號(hào)樓走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小50漳州薌城-通鑫公寓A9高層室內(nèi)漳州市薌城區(qū)漳州大學(xué)通鑫公寓A9號(hào)樓室內(nèi)A9號(hào)樓走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小51漳州薌城-通鑫公寓A8室內(nèi)漳州市薌城區(qū)漳州大學(xué)通鑫公寓A8號(hào)樓室內(nèi)A8號(hào)樓走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小52漳州薌城-通鑫公寓A7低層室內(nèi)漳州市薌城區(qū)漳州大學(xué)通鑫公寓A7號(hào)樓室內(nèi)A7號(hào)樓走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小53漳州薌城-通鑫公寓A7高層室內(nèi)漳州市薌城區(qū)漳州大學(xué)通鑫公寓A7號(hào)樓室內(nèi)A7號(hào)樓走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小54漳州薌城-通鑫公寓A6室內(nèi)漳州市薌城區(qū)漳州大學(xué)通鑫公寓A6號(hào)樓室內(nèi)A6號(hào)樓走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小55漳州薌城-通鑫公寓A5室內(nèi)漳州市薌城區(qū)漳州大學(xué)通鑫公寓A5號(hào)樓室內(nèi)A5號(hào)樓走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小56漳州薌城-通鑫公寓A4室內(nèi)漳州市薌城區(qū)漳州大學(xué)通鑫公寓A4號(hào)樓室內(nèi)A4號(hào)樓走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小57漳州薌城-通鑫公寓A3室內(nèi)漳州市薌城區(qū)漳州大學(xué)通鑫公寓A3號(hào)樓室內(nèi)A3號(hào)樓走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小58漳州薌城-通鑫公寓A2室內(nèi)漳州市薌城區(qū)漳州大學(xué)通鑫公寓A2號(hào)樓室內(nèi)A2號(hào)樓走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小59漳州薌城-通鑫公寓A10室內(nèi)漳州市薌城區(qū)漳州大學(xué)通鑫公寓A10號(hào)樓A10號(hào)樓走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小60漳州第一職業(yè)學(xué)校漳州市薌城區(qū)漳州第一職專2號(hào)教學(xué)樓樓頂2號(hào)教學(xué)樓6F02天線下方樓內(nèi)，建筑物遮擋，垂直面位于天線旁瓣方向3號(hào)教學(xué)樓2510與天線的垂直高差較大，建筑物遮擋教學(xué)樓6F302建筑物遮擋61漳州一職校宿舍樓室內(nèi)漳州市薌城區(qū)第一職業(yè)技術(shù)學(xué)校宿舍樓宿舍樓走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小62漳州薌城財(cái)貿(mào)干校教學(xué)樓漳州市薌城區(qū)大通北路57號(hào)財(cái)貿(mào)干校教學(xué)樓樓頂教學(xué)樓5F02天線下方樓內(nèi)，建筑物遮擋，垂直面位于天線旁瓣方向63TD_漳州城職院綜合樓室內(nèi)漳州市薌城區(qū)西洋坪路城職院綜合樓室內(nèi)綜合樓走廊00.8室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小64漳州薌城-城職院教學(xué)樓室內(nèi)漳州市薌城區(qū)西洋坪路城職院教學(xué)樓內(nèi)綜合樓走廊01.3室內(nèi)覆蓋基站，發(fā)射功率和天線增益很小65漳州薌城-城職院綜合樓漳州市薌城區(qū)西洋坪路城職院綜合樓樓頂東部綜合樓6F02天線下方樓內(nèi)，建筑物遮擋，垂直面位于天線旁瓣方向漳州衛(wèi)生職業(yè)學(xué)院附屬口腔醫(yī)院4F4610與天線的水平距離較遠(yuǎn)、與天線的垂直高差較大66漳州薌城