實(shí)驗(yàn)二-存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)

實(shí)驗(yàn)二存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康耐ㄟ^看懂教學(xué)計(jì)算機(jī)中已經(jīng)使用的幾個(gè)存儲(chǔ)器芯片的邏輯連接關(guān)系和用于完成存儲(chǔ)器容量擴(kuò)展的幾個(gè)存儲(chǔ)器芯片的布線安排，在教學(xué)計(jì)算機(jī)上設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)并調(diào)試出存儲(chǔ)器容量擴(kuò)展的實(shí)驗(yàn)內(nèi)容。其最終要到達(dá)的目的是：1．深入理解計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器的功能、組成知識(shí)；2．深入地學(xué)懂靜態(tài)存儲(chǔ)器芯片的讀寫原理和用他們組成教學(xué)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器系統(tǒng)的方法〔即字、位擴(kuò)展技術(shù)〕，控制其運(yùn)行的方式；思考并比照靜態(tài)存儲(chǔ)器芯片和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器芯片在特性與使用場合等方面的異同。實(shí)驗(yàn)說明教學(xué)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器系統(tǒng)由8K的ROM和2K的RAM兩個(gè)存儲(chǔ)區(qū)組成，分別用EPROM芯片〔或EEPROM芯片〕和RAM芯片構(gòu)成。TEC-2000教學(xué)計(jì)算機(jī)中還安排了另外幾個(gè)存儲(chǔ)器器件插座，可以插上相應(yīng)存儲(chǔ)器芯片以完成存儲(chǔ)器容量擴(kuò)展的教學(xué)實(shí)驗(yàn)，為此必須比擬清楚地了解：1．TEC-XP教學(xué)機(jī)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的總體組成及其連接關(guān)系；2．TEC-XP教學(xué)機(jī)的有關(guān)存儲(chǔ)器芯片、I／0接口芯片的片選控制和讀寫命令的給出及具體使用方法；3．RAM和EPROM、EEPROM存儲(chǔ)器芯片在讀寫控制、寫入時(shí)間等方面的異同，并正確建立連線關(guān)系和在程序中完成正確的讀寫過程；4．如何在TEC-XP教學(xué)機(jī)中使用擴(kuò)展的存儲(chǔ)器空間并檢查其運(yùn)行的正確性。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1．要完成存儲(chǔ)器容量擴(kuò)展的教學(xué)實(shí)驗(yàn)，需為擴(kuò)展存儲(chǔ)器選擇一個(gè)地址，即將擴(kuò)展存儲(chǔ)器的片選〔標(biāo)有／CS的2個(gè)插孔的上面一個(gè)〕與標(biāo)有MEM／CS的插孔中的一個(gè)相連；2．用監(jiān)控程序的D、E命令對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫，比擬RAM〔6116〕、EEPROM〔28系列芯片〕EPROM〔27系列芯片〕在讀寫上的異同；3．用監(jiān)控程序的A命令編寫一段程序，對(duì)RAM〔6116〕進(jìn)行讀寫，用D命令查看結(jié)果是否正確；4．用監(jiān)控程序的A命令編寫一段程序，對(duì)擴(kuò)展存儲(chǔ)器EEPROM〔28系列芯片〕進(jìn)行讀寫，用D命令查看結(jié)果是否正確；如不正確，分析原因，改寫程序，重新運(yùn)行。實(shí)驗(yàn)要求1．實(shí)驗(yàn)之前，應(yīng)認(rèn)真預(yù)先準(zhǔn)備，寫出實(shí)驗(yàn)步驟和具體設(shè)計(jì)內(nèi)容，否那么實(shí)驗(yàn)效率會(huì)特別低，一次實(shí)驗(yàn)時(shí)間根本無法完成實(shí)驗(yàn)任務(wù)，即使根本做對(duì)了，也很難說學(xué)懂了些什么重要教學(xué)內(nèi)容；2．實(shí)驗(yàn)過程中，應(yīng)認(rèn)真進(jìn)行實(shí)驗(yàn)操作，既不要因?yàn)榇中脑斐啥搪返仁鹿识鴵p壞設(shè)備，又要仔細(xì)思考實(shí)驗(yàn)有關(guān)內(nèi)容，提高學(xué)習(xí)的主動(dòng)性和創(chuàng)造性，把自己想不太明白的問題通過實(shí)驗(yàn)理解清楚，爭取最好的實(shí)驗(yàn)效果，力求到達(dá)教學(xué)實(shí)驗(yàn)的主要目的；3．實(shí)驗(yàn)之后，應(yīng)認(rèn)真思考總結(jié)，寫出實(shí)驗(yàn)報(bào)告，包括實(shí)驗(yàn)步驟和具體實(shí)驗(yàn)結(jié)果，遇到的主要問題以及分析與解決問題的思路。實(shí)驗(yàn)報(bào)告中，還應(yīng)寫出自己的學(xué)習(xí)心得和切身體會(huì)，也可以對(duì)教學(xué)實(shí)驗(yàn)提出新的建議等。實(shí)驗(yàn)步驟4．AT28C64B的讀操作和RAM一樣，而寫操作需要一定的時(shí)間，大約為1毫秒。因此，需要編寫一段延時(shí)子程序，在對(duì)EEPROM進(jìn)行寫操作時(shí)，調(diào)用該延時(shí)子程序，以完成正確的讀寫。1〕用E命令改變內(nèi)存單元的值并用D命令觀察結(jié)果。<1>在命令行提示符狀態(tài)下輸入：E5000↙屏幕將顯示；5000內(nèi)存單元原值：按如下形式鍵入：5000原值：2424〔空格〕原值：3636〔空格〕原值：4848〔空格〕原值：5050↙<2>在命令行提示符狀態(tài)下輸入：D5000↙屏幕將顯示5000H~507FH內(nèi)存單元的值，從5000開始的連續(xù)四個(gè)內(nèi)存單元的值依次為2424363648485050。<3>斷電后重新啟動(dòng)，用D命令觀察內(nèi)存單元5000~5003的值。2〕AT28C64B存儲(chǔ)器不能直接用A命令輸入程序〔建議試一試〕，可將編寫好的程序用編程器寫入片內(nèi)；也可將程序放到RAM〔6116〕中，調(diào)用延時(shí)子程序，訪問AT28C64B中的內(nèi)存地址。下面給出的程序，在5000H~500FH單元中依次寫入數(shù)據(jù)0000H、0001H、．．．000FH。<1>從2000H單元開始輸入主程序：〔2000〕MVRDR0，0000MVRDR2，0010 ；R2記錄循環(huán)次數(shù)MVRDR3，5000 ；R3的內(nèi)容為16位內(nèi)存地址〔2006〕STRR[R3]，R0 ；將R0存放器的內(nèi)容放到R3給出的內(nèi)存單元中CALA2200 ；調(diào)用延時(shí)子程序INCR0 ；R0加11NCR3 ；R3加1DECR2 ；R2減lJRNZ2006 ；R2不為0跳轉(zhuǎn)到2006HRET<2>從2200H單元開始輸入延時(shí)子程序：〔2200〕PUSHR3MVRDR3，000F〔2203〕DECR3JRNZ2203POPR3RET<3>運(yùn)行主程序，在命令提示符下輸入：G2000↙<4>程序執(zhí)行結(jié)束后，在命令提示符下輸入：D5000↙〔2〕修改延時(shí)子程序，將其延時(shí)改短，可將延時(shí)子程序中R3的內(nèi)容賦成00FF或0FFF等，再看運(yùn)行結(jié)果，并記錄下來。實(shí)驗(yàn)總結(jié)：