【西安交通大學(xué)】【姚熹張良瑩】【徐卓魏曉勇】【電子科學(xué)與技術(shù)系】【電介質(zhì)物理】【考試試卷B】

#/3西安交通大學(xué)考試題成績西安交通大學(xué)考試題成績課程電介質(zhì)物理學(xué)院電信學(xué)院考試日期2008年12月31日專業(yè)班號 電子姓名學(xué)號期中期末一、填空（分，每空分）實(shí)際電介質(zhì)中的介電損耗的主要原因是和。在tgb與溫度的關(guān)系中，在低溫區(qū)，以為主，在高溫區(qū)，以為主。在洛倫茲有效電場 的情況下，電介質(zhì)極化宏觀參數(shù)￡與微觀參數(shù)和a之間關(guān)系。.諾伊曼法則表述為的對稱素必須包含的對稱素。離子位移極化率a=，它與溫度有關(guān)，溫度升高，極化率ai i缺陷偶極子的平均偶極矩N與溫度成；設(shè)宏觀平均電場，則N。E Em種電介質(zhì)并聯(lián)，等效介電常數(shù)8=；em種電介質(zhì)串聯(lián)，等效介電常數(shù)8=；e.在電介質(zhì)的頻率響應(yīng)中，設(shè)德拜弛豫函數(shù)為f則介電常數(shù)的實(shí)部'（3）=,虛部￡"（3）=。r r.在德拜方程中，溫度降低，8（3）的峰位向移動(dòng)；頻率降低，8（T）的峰位向移動(dòng)。.從￡“?￡‘柯爾-柯爾圖得知￡'（3）=；￡''（3）=。rr rm rm.固體電介質(zhì)的擊穿場強(qiáng)比氣體和液體介質(zhì)，固體電介質(zhì)交變電場下的擊穿場強(qiáng)直流電場下的擊穿場強(qiáng)。氣體在均勻電場中自持放電的條件：；非自持放電的條件：。.彈性柔順常數(shù)Sjkl是四階張量，有個(gè)分量，i和j,k和/互換，其獨(dú)立分量個(gè)數(shù)有個(gè)，j和kl互換，其獨(dú)立分量有個(gè)。對德拜弛豫方程偏離實(shí)際結(jié)果進(jìn)行修正，假設(shè)弛豫時(shí)間分布函數(shù)f（T）則e,（3）=；s''（3）=。r r14.在32種點(diǎn)群中，有個(gè)點(diǎn)群可能具有壓電效應(yīng)。其中10種具有的點(diǎn)群有熱釋電效應(yīng)。晶體介電常數(shù)張量是一個(gè)二階對稱張量，只有個(gè)獨(dú)立分量，而且獨(dú)立分量個(gè)數(shù)還與有關(guān)。16.三階張量有27個(gè)分量，列舉三個(gè)四階張量；四階張量有81個(gè)分量，列舉四個(gè)四階張量。.液體電介質(zhì)的離子電導(dǎo)率丫 ；雜質(zhì)離子電導(dǎo)率比本征離子電導(dǎo)率。二、簡述題（15分，每題5分）.簡述Lorentz模型、Lorentz有效場與克勞修斯-莫索締方程和Onsager模型、Onsager有效場及它們的區(qū)別。.試敘述德拜弛豫復(fù)介電常數(shù)S*的實(shí)部s'和虛部s"在一定頻率下的溫度特r r r性。.簡述壓電效應(yīng)、電致伸縮效應(yīng)、熱釋電效應(yīng)。三、證明題（20分，每題10分）.試證明在中引入一偶極矩為目的分子，則該分子具有勢能為0… 1「卬=_從--aE2,a為分子極化率。02.證明介電常數(shù)s是一個(gè)二階對稱張量ij四、半徑為a的兩個(gè)相同原子組成的非球狀雙原子分子模型，如圖（a）和（b）所示，設(shè)每個(gè)原子的電子位移極化率為ae，1.導(dǎo)出電場E平行于分子長軸方向的電子位移極化率a.導(dǎo)出電場E平行于分子短軸方向的電子位移極化率a。 （分）電場平行于分子長軸 電場平行于分子短軸五、極化軸沿x軸的壓電陶瓷的壓電常數(shù)矩陣為3TOC\o"1-5"\h\z（0 0 0 0 d 0、150 0 0 d 0 015Iddd0 00l、31 31 33 /.若要產(chǎn)生切向應(yīng)變，如何施加電場E?.若要產(chǎn)生法向應(yīng)變，如何施加電場E？ （10分）六、在某一種偶極子氣體中，若每個(gè)偶極子的極化強(qiáng)度