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認證主體：韓**（實名認證）

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IP屬地：上海 上傳時間：2023-12-25 格式：PPTX 頁數(shù)：9 大小：3.48MB 積分：17.9 舉報 版權申訴

PN結(jié)及其單向?qū)щ娦砸?、PN結(jié)的形成在同一片半導體基片的兩端，分別摻入三價元素硼和五價元素磷，使其形成P型半導體和N型半導體，在它們的交界處就形成了PN結(jié)。P型半導體（P區(qū)）N型半導體（N區(qū)）＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－－－－－空穴自由電子負離子自由電子空穴正離子＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－－－－－多子：擴散運動擴散運動P區(qū)N區(qū)空間電荷區(qū)（耗盡層）在半導體中由于濃度差別，多數(shù)載流子從濃度高向濃度低的區(qū)域擴散，也就是P區(qū)的空穴往N區(qū)擴散，N區(qū)的電子往P區(qū)擴散。在擴散時，大部分的自由電子和空穴相遇產(chǎn)生復合運動，使得自由電子和空穴成對消失。一、PN結(jié)的形成＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－－－－－P區(qū)N區(qū)空間電荷區(qū)（耗盡層）擴散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬?！麅?nèi)電場由于空間電荷區(qū)一側(cè)帶正電一側(cè)帶負電，從而形成內(nèi)電場，內(nèi)電場的方向從N區(qū)指向P區(qū)。隨著擴散運動的進行，使得空間電荷區(qū)逐漸變寬，內(nèi)電場進一步增強。內(nèi)電場會阻礙多子的擴散運動，而使得少子的漂移運動。一、PN結(jié)的形成＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－－－－－少子：漂移運動漂移運動P區(qū)N區(qū)內(nèi)電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空間電荷區(qū)變窄←內(nèi)電場空間電荷區(qū)（耗盡層）少數(shù)載流子在內(nèi)電場作用下的運動稱為漂移運動。內(nèi)電場作用下，P區(qū)的少數(shù)載流子電子向N區(qū)運動，填補了交界面附近缺失的電子；N區(qū)的少數(shù)載流子空穴向P區(qū)運動，填補缺失的空穴；這樣漂移運動會使得空間電荷區(qū)變窄。一、PN結(jié)的形成＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－－－－－P區(qū)N區(qū)←內(nèi)電場空間電荷區(qū)（耗盡層）擴散運動使得空間電荷區(qū)變寬，漂移運動使得空間電荷區(qū)變窄；當擴散運動與漂移運動達到動態(tài)平衡時，空間電荷區(qū)的寬度保持不變。就把這個空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。一、PN結(jié)的形成PN結(jié)正偏時，PN結(jié)變窄，電流大，PN結(jié)處于導通狀態(tài)。二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.PN結(jié)正偏PN結(jié)P區(qū)接電源正極（+），N區(qū)接電源負極（-），稱PN結(jié)外加正向電壓，或稱PN結(jié)正向偏置，簡稱為正偏。外電場方向與內(nèi)電場方向相反內(nèi)電場被削弱，空間電荷區(qū)變窄多子的擴散運動加強少子的漂移運動受抑制形成較大的擴散電流（正向電流）PN結(jié)反偏時，PN結(jié)變寬，電流很小，PN結(jié)處于截止狀態(tài)。PN結(jié)P區(qū)接電源負極（-），N區(qū)接電源正極（+），稱PN結(jié)外加反向電壓，或稱PN結(jié)反向偏置，簡稱為反偏。外電場方向與內(nèi)電場方向相同內(nèi)電場被增強，空間電荷區(qū)變寬多子的擴散運動受抑制少子的漂移運動加強但少子有限，形成較小的反向二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.PN結(jié)反偏PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮區(qū)N區(qū)空間電荷區(qū)＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－－