2021年度中職電子線路習(xí)題庫答案

《電子技術(shù)基本與實訓(xùn)》課程考試答卷

一.填空題(請將對的答案填寫在試題相應(yīng)位置上。)

1.內(nèi)存儲器、高速緩沖存儲器、CPU、內(nèi)、主板、高速緩沖、存取速度

2.逐次逼近、轉(zhuǎn)換速度

3Qn+'^JQ"+K(^}

4.T、"0"

‘1、0"I=S+EQ"(CP=1)、SR=O

6.兩個輸入端連在一起、保持、翻轉(zhuǎn)

7.時鐘脈沖控制、同、異、異、時鐘脈沖控制、同一時刻

8.分頻、控制、測量、三、6、2

9.數(shù)碼、移位、雙向、4、8

10.空翻、鐘控RS、電平

11.TTL,左移和右移、保持?jǐn)?shù)據(jù)、清除數(shù)據(jù)

12.二進、組合、編碼、二進、十進、譯碼、集成、數(shù)值比較

13.隨機存取、可編程邏輯、只讀存儲器ROM、隨機存取存儲器RAM

14.T、"0"

15.回差、整形、變換、單、單、暫穩(wěn)、穩(wěn)、單穩(wěn)、穩(wěn)、暫穩(wěn)、穩(wěn)

16.辨別率、絕對精度、非線性度、建立時間等、相對精度、辨別率、轉(zhuǎn)換速度等

17.參照電壓、譯碼電路、電子開關(guān)、運算放大器

18.R-2RT型電阻、R-2R倒T型電阻、權(quán)電阻、CMOS、雙極型

19.四舍五入、舍尾取整法

20.采樣、采樣、保持、量化、編碼

21.半個周期

22.寄存、觸發(fā)、觸發(fā)、寄存、觸發(fā)

23.進位制、數(shù)、按位權(quán)展開求和

24.橋式整流、單相半波整流、、歷"2、圓2

25.構(gòu)造簡樸、使用元器件少、效率低、輸出脈動大、交流成分低

26.交流成分、電抗元件、輸出直流電、電容、電感、RC型、LC型

27.并聯(lián)、小功率、串聯(lián)、大功率

28.5=125.

29.電網(wǎng)電壓波動、負(fù)載、輸出電壓

30.串聯(lián)型穩(wěn)壓電路、并聯(lián)型穩(wěn)壓電路

31.簡樸、少、不需要調(diào)節(jié)、比較小

32.1、置0、置1

33.基數(shù)、位權(quán)、基、位權(quán)

34.倒T、R、2R、權(quán)電阻、高速電子開關(guān)、轉(zhuǎn)換速度

35.二進、二進制、三位、四位

36.8、4、2、1、二進制、。?9

37.原碼、反碼、補碼、補碼

38.分派、結(jié)合、互換、反演、非非

39.開關(guān)、雙極、單極、雙極、單極

40.圖騰、高電平"1"、低電平"0"、T、"0"、高阻

41.TTL、CMOS、CMOS

42.PMOS,NMOS,輸入、輸出、控制

43.”與〃、懸空、"或"、低、高、低、懸空

44.小、高、好、三端集成穩(wěn)壓器、輸入端、輸出端、公共端、正電壓、負(fù)電壓

45.預(yù)置、清零

46.雙積分、逐次逼近

47.數(shù)據(jù)選取、多路

48.邊沿、主從型JK、維持阻塞D

49.置0、置1、保持、翻轉(zhuǎn)、1、1

50.T、翻轉(zhuǎn)

51.二進制、二進制、二進制、同步、異步、加減、力口、減、可逆

52.十進制、四、8421

53.莫爾、米萊

54.三態(tài)、OC

55.無效、有效循環(huán)體、無效、自啟動

56.T、"0"

57.輸入緩沖、與陣列、或陣列、輸出緩沖、PLA、PAL、GAL

58.簡樸型、復(fù)雜型、寄存器型

59.可編程、固定、可編程、可編程、可編程、固定

60.EPROM,浮置柵

61.整形、穩(wěn)態(tài)、變換、整形

62.正反饋、穩(wěn)定、暫穩(wěn)態(tài)、充放電

63.延時、定期、穩(wěn)態(tài)、單穩(wěn)態(tài)電路內(nèi)部定期元件R和C

64.滯回、強

65.五、自由電子、空穴、正、三、空穴、自由電子、負(fù)

66.驅(qū)動、輸出、次態(tài)、異、時鐘脈沖

67.單門限比較器、滯回比較器、方波

68.CMOS、8、逐次比較、CMOS、8

69.RX1K、陰、陽、擊穿、絕緣老化不通

70.柵

71.大、高、可調(diào)

72.電角度、觸發(fā)延遲角a、移相范疇、導(dǎo)通角0,0~7t

73.錯

74.靜、動、動、直流、交流、大、小

75.窄、越窄

76.并、并、并

77.同相輸入、反相輸入、微分

78.越好、不不大于、砒電=即8（3~5）T/2

79.滯回

80.基本不變、約減小一半

81.線性應(yīng)用、非線性應(yīng)用、線性、非線性

82.250mV>50mV

83.截止區(qū)、截止區(qū)、放大區(qū)、半個、截止區(qū)邊沿、多半個

84.NPN、PNP、使兩個射極輸出器相似、無輸出變壓器、無輸出電容器

85.電感、電容

86.5V、1.5A

87.最小項、相鄰、最小項、一位變量

88.相等、虛短、等于零、虛斷

89.取樣環(huán)節(jié)、基準(zhǔn)電壓環(huán)節(jié)、比較放大環(huán)節(jié)、調(diào)節(jié)環(huán)節(jié)

90.功能真值表、邏輯函數(shù)式、狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖、時序波形圖

91.發(fā)射、基、集電、發(fā)射、集電、發(fā)射、基、集電

92.正反饋和負(fù)反饋、電壓反饋和電流反饋、串聯(lián)反饋和并聯(lián)反饋、直流反饋和交流反饋

93.穩(wěn)定放大器放大倍數(shù)、減小非線性失真、展寬通頻帶

94.虛短、虛斷

95.放大、極限、輸出電壓、輸出電流

96.推動負(fù)載工作

97.電源變壓器、整流電路、濾波電路、穩(wěn)壓電路

98.穩(wěn)定輸出電壓

99.整流、單相半波整流電路、單相全波整流電路、單相橋式整流電路

100.同相、反相、同相、反相、雙端

101.模仿、數(shù)字

102.高、低

103.邏輯、邏輯、邏輯、與邏輯、或邏輯、非邏輯

104.8421、2421、余3、格雷

105.除2取余、乘2取整

106.門電路、與門、或門

107.異或、同或

108.或非、有1出1,全0出0、與非

109.清零、置1、保持、為低電平

110.單向?qū)щ娦?、大小和方向、單向脈動、整流二極管、晶閘管

111.薄弱信號放大、幅值由小增大、實現(xiàn)能量控制、變化量

112.或項、與項

113.硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路、串聯(lián)型穩(wěn)壓電路、集成穩(wěn)壓電路

114.場效應(yīng)（MOS）、N、P

115.可控硅、控制其導(dǎo)通與截止、弱電流、強電流、單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、

迅速晶閘管

116.三個、陽極、陰極、控制極

117.共發(fā)射極、共集電極、共基極

118.發(fā)射、集電

119.發(fā)射、集電

120.放大電路、負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)電路

121.幾十至幾千歐、負(fù)反饋、負(fù)反饋、并聯(lián)一種約為幾十微法較大射極旁路電容CE

122.太低、太高

123.電壓放大電路、功率放大電路

124.具備電壓放大倍數(shù)、增大而減小、反向

125.直流、交流

126.射極輸出器（射極跟隨器）、電壓放大倍數(shù)不大于1、同向、高、低、輸入級、輸出級、中

間隔離級

127.輸入級、中間級、輸出級、耦合方式、阻容耦合、直接耦合、變壓器耦合、光電器件耦合

128.輸出信號、反饋、負(fù)、正、電壓串聯(lián)、電流串聯(lián)、電壓并聯(lián)、電流并聯(lián)

129.溫度、零點、零點、差動

130.差模、共模

131.共模、差模

132.電壓增益、輸入信號、輸出信號、輸入電阻、輸出電阻

133.滯回、躍變、過零

134.共發(fā)射極電路、共基極電路、共集電極電路

135.阻容耦合、直接耦合

136.互不影響、零點漂移、變化緩慢直流信號、互相影響、零點漂移

137.每一級放大電路放大倍數(shù)乘積、第一級放大電路輸入電阻、最后一級放大電路輸出電阻

138.相等

139.差模放大倍數(shù)與共模放大倍數(shù)之比、抑制共模信號能力

140.深度負(fù)、正、開環(huán)工作、輸入電流、輸出電阻、兩種、零、線性、非線性

141.00、8、0、8

142.溫度、電路中引入電流負(fù)反饋、分壓式偏置放大電路

143.同相、反相、同相、反相

144.一某些或所有、凈輸入、凈輸入信號減小、凈輸入信號增長

145.減小、增大、輸出電壓、減小、輸出電流、增大、增大、減小

146.開環(huán)電壓放大倍數(shù)趨于無窮大、差模輸入電阻趨于無窮大、開環(huán)輸出電阻趨于零、共模抑

制比趨于無窮大

147.大、高、小

148.增長放大器動態(tài)工作范疇、減小電源供應(yīng)平均功率

149.耳、表達(dá)放大電路交流輸出功率、表達(dá)電源供應(yīng)直流功率

150.門電路、觸發(fā)器

151.斷路、短路

152.電容、電感、將整流后單向脈動直流電壓中紋波成分盡量濾除掉、直流電

153.直流電壓、溫度、穩(wěn)定

154.反相、同相、同相、反相

155.輸入數(shù)字、與數(shù)字量成正比輸出模仿、輸入模仿、與其成正比輸出數(shù)字

156.4096

157.字、位、字、位同步

158.邏輯電路、輸入、輸出、功能、分析

159.輸入級、中間級、輸出級、偏置電路

160.0,+1

Q"=S+RQ\R+S=l

161.IkQ

162.存儲容量、存取速度、功耗、可靠性

163.地址譯碼器、存儲矩陣、讀/寫控制

164.固定、可編程、可光擦除可編程、可電擦除可編程

165.相反、多數(shù)載流子、擴散、少數(shù)載流子、漂移、一致、少子、漂移、多子、擴散、反向飽

和

166.P、N、N、P、空間電荷區(qū)、N、P、空間電荷區(qū)、擴散、漂移、PN結(jié)

167.面、硅晶體、反向擊穿

168.帶負(fù)載

169.導(dǎo)通、截止、陽極上加正向電壓、加控制電壓

170.輸入電阻大些、輸出電阻小些

171.上、反饋環(huán)節(jié)、適當(dāng)基極電位

172.越大、越小

173.微變等效用路法、可變甩阻、受控電流源

174.基極、集電極

175.動態(tài)、電壓放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻、交流通路、圖解法、微變等效電路法

176.靜態(tài)、為了消除非線性失真、/BQ、ICQ、UCEQ、直流通路、圖解法、估算法

二.單選題（請將對的答案序號填寫在試題相應(yīng)括號內(nèi)。）

1.A16.A31.A46.A61.C76.C

2.C17.B、A32.B47.B62.A77.C

3.A18.D、B33.C48.B63.C78.B

4.B19.A34.D49.C64.C79.B

5.B、A20.B35.C50.B65.C80.C

6.C21.C36.A51.B66.A81.B

7.B22.C37.A52.B67.C82.B

8.C23.A38.A53.D68.A83.A

9.B24.B39.B54.B69.A84.C

10.C25.C40.D55.A70.C85.A

11.D26.A41.B56.B71.C86.C

12.C27.B、A、A42.C57.A72.B87.B

13.C28.A、C43.B58.B73.A、A、B88.C

14.B29.A44.A59.C74.A89.D

15.CsA30.A45.A、A60.C75.C90.B

91.C105.C119.B133.D147.C161.B

92.B106.B120.B134.C148.C162.A

93.A107.A121.A135.D149.A163.D、B、C

94.A108.A122.B136.B150.C164.B

95.C109.B123.A137.A151.C165.B

96.CUO.B124.A138.C152.C166.C

97.Clll.C125.B139.C153.B167.C

98.B112.A126.C140.A154.A168.B

99.B113.A127.A141.B155.B169.C

100.A114.C128.C142.C156.C170.C

101.A115.A129.A143.B157.C171.A

102.D116.D130.B144.B158.D>A172.C

103.B117.C131.B145.A159.C、B173.C

104.B118.A132.A146.A160.B

三.設(shè)計題(請將你設(shè)計成果填寫在試題下方空白處。)

1.解：顯然是一種三變量多數(shù)表決電路。其中三個裁判為輸入變量，按鍵為輸出變量。普

通裁判批準(zhǔn)為1分，裁判長A批準(zhǔn)為2分，滿3分時F為1,批準(zhǔn)舉重成功局限性3分F為0,表達(dá)舉重

失敗。

真值表為:

ABcF

0000

001()

0100

0110

1000

1011

1101

1111

相應(yīng)邏輯表達(dá)式為：F=ABC+ABC+ABC=AC+AB=ABAC

2.設(shè)計：本題邏輯函數(shù)式可化為最簡式為尸=AB+C,邏輯電路為:

3.設(shè)計：本題邏輯函數(shù)式最簡式為F=MC+ABC+ABC,邏輯電路為:

四.判斷題（判斷對錯，對的打“J”，錯誤打"X"。）

1.對10.錯19.錯28.對37.錯46.錯

2.對11.錯20.對29.錯38.錯47.錯

3.錯12.對21.對30.錯39.錯48.對

4.錯13.對22.錯31.錯40.對49.對

5.對14.對23.錯32.錯41.對50.對

6.對15.對24.錯33.錯42.對51.錯

7.錯16.錯25.對34.對43.錯52.對

8.錯17.錯26.錯35.對44.錯53.對

9.錯18.錯27.錯36.錯45.錯54.錯

55.錯73.錯91.錯109.對127.錯145.對

56.錯74.錯92.錯110.錯128.錯146.錯

57.對75.錯93.錯111.錯129.對147.對

58.錯76.對94.對112.錯130.錯148.錯

59.對77.錯95.錯113.錯131.對149,錯

60.錯78.錯96.對114.錯132.對150.對

61.錯79.錯97.錯115.錯133.錯151.錯

62.錯80.錯98.錯116.對134.對152.錯

63.錯81.對99.對117.對135.對153.錯

64.對82.對100.錯118.對136.對154.對

65.錯83.對101.對119.對137.錯155.錯

66.錯84.錯102.對120.錯138.對156.對

67.錯85.對103.錯121.錯139.對157.對

68.對86.錯104.錯122.對140.對158.錯

69.對87.對105.對123.錯141.對159.對

70.錯88.錯106.錯124.錯142.錯160.錯

71.對89.錯107.對125.錯143.錯161.錯

72.錯90.對108.錯126.錯144.對

五.簡答題（簡要給出各題答案。）

1.答：移位寄存器除寄存數(shù)據(jù)外，還能將數(shù)據(jù)在寄存器內(nèi)移位，因而鐘控RS觸發(fā)器不能用做此

類寄存器，由于它具備“空翻”問題，若用于移位寄存器中，很也許導(dǎo)致一種CP脈沖下多次移位

現(xiàn)象。用作移位寄存器觸發(fā)器只能是克服了"空翻”現(xiàn)象邊沿觸發(fā)器。

2.答：同步時序邏輯電路各位觸發(fā)器是由同一種時鐘脈沖控制；異步時序邏輯電路各位觸發(fā)器

時鐘脈沖控制端各不相似，狀態(tài)發(fā)生變化時間普通也不相似。

3.答：由兩個或非門構(gòu)成基本RS觸發(fā)器如圖所示，其功能與鐘控RS觸發(fā)器相似，不同點是

或非門構(gòu)成基本RS觸發(fā)器是電平觸發(fā)方式，沒有時鐘脈沖控制。

功能真值表也與鐘控RS觸發(fā)器完全相似。

或非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器

4.答：觸發(fā)器常用電路構(gòu)造形式有兩個與非門或兩個或非門構(gòu)成基本RS觸發(fā)器、由基本RS觸發(fā)

器和導(dǎo)引門構(gòu)成鐘控RS觸發(fā)器、主從型JK觸發(fā)器以及維護阻塞D觸發(fā)器等?；綬S觸發(fā)器輸出

隨著輸入變化而變化，電平觸發(fā)；鐘控RS觸發(fā)器是在CP=1期間輸出隨輸入變化而變化；主從型

JK觸發(fā)器在時鐘脈沖下降沿到來時觸發(fā)；維持阻塞D觸發(fā)器是在時鐘脈沖上升沿到來時刻觸發(fā)。

5.答：譯碼是編碼逆過程，就是把機器辨認(rèn)二進制代碼還原成人們辨認(rèn)特定信息或十進制。譯

碼器輸入量是二進制代碼；輸出量則為十進制。

6.答：編碼就是把人們熟悉特定信息編成機器辨認(rèn)二進制代碼過程。二-十進制編碼是每四位二

進制數(shù)相應(yīng)一種十進制數(shù)，其中具備無效碼；而二進制編碼中不存在無效碼。

7.答：數(shù)制是指計數(shù)進制，如二進制碼、十進制碼和十六進制碼等等碼制是指不同編碼方式，

如各種BCD碼、循環(huán)碼等。在本書簡介范疇內(nèi)，8421BCD碼和2421BCD碼屬于有權(quán)碼余3碼和格

雷碼屬于無權(quán)碼。

8.答：該RAM集成芯片有4096個存儲單元地址線為10根具有1024個字，字長是4位；訪問該RAM

時，每次會選中4個存儲單元。

9.答：所謂‘'空翻"，是指觸發(fā)器在一種CP脈沖為1期間輸出狀態(tài)發(fā)生多次變化現(xiàn)象。抑制”空翻

“最有效辦法就是選用邊沿觸發(fā)方式觸發(fā)器。

10.答：普通按照求負(fù)數(shù)補碼逆過程，數(shù)值某些應(yīng)是最低位減1,然后取反。但是對二進制數(shù)來

說，先減1后取反和先取反后加1得到成果是同樣，因而也可以采用取反加1辦法求其補碼原碼。

11.答：圖（a）、（c）不對的，圖（b）對的，管腳1、2、3分別相應(yīng)于e、b、c電極。

12.答：（a）圖：兩穩(wěn)壓管串聯(lián)，總穩(wěn)壓值為14V,因此d=14V；

（b）圖：兩穩(wěn)壓管并聯(lián)，輸出電壓按小值計，因而U°=6V：

（c）圖：兩穩(wěn)壓管反向串聯(lián)，U°=8.7V；

（d）圖：兩穩(wěn)壓管反向并聯(lián)，可以為Dzi截止不通，則Uo=0.7V。

13.答：直接耦合多級放大電路，當(dāng)輸入信號為零時，輸出信號電壓并不為零現(xiàn)象稱為零點漂移。

晶體管參數(shù)受溫度影響是產(chǎn)生零漂主線和直接因素。采用差動放大電路可以有效地解決零漂問

題。

14.答：在輸入電壓從足夠低逐漸增大至足夠高過程中，單門限電壓比較器和滯回比較器輸出電

壓均只躍變一次。

15.答：同相端所接電阻起平衡作用。

16.答：不是

17.答：選20W、4Q音箱。

18.答：TTL門電路中，0C門有效地解決了"線與"問題，三態(tài)門可以實現(xiàn)"總線”構(gòu)造。

19.答：這一正向電壓較小，僅使兩個管子都工作在微導(dǎo)通狀態(tài)下即可。由于，交越失真事實上

是兩個功放管都存在正向死區(qū)電壓導(dǎo)致，消除交越失真，事實上就是解決死區(qū)電壓問題。如果這

一正向偏置電壓不不大于死區(qū)電壓較多，勢必導(dǎo)致兩個功放管不能正常工作。

20.答：圖（a）為電壓串聯(lián)負(fù)反饋

圖（b）為電流串聯(lián)負(fù)反饋

圖（c）為電流并聯(lián)負(fù)反饋

圖（d）為電壓串聯(lián)負(fù)反饋

21.答：所謂自啟動能力：是指時序邏輯電路中某計數(shù)器中無效狀態(tài)碼，若在開機時浮現(xiàn)，不用

人工或其他設(shè)備干預(yù)，計數(shù)器可以不久自行進入有效循環(huán)體，使無效狀態(tài)碼不再浮現(xiàn)能力。

22.答：用卡諾圖化簡時，合并小方格應(yīng)構(gòu)成正方形或長方形，同步滿足相鄰原則。運用卡

諾圖化簡邏輯函數(shù)式環(huán)節(jié)如下：

①依照變量數(shù)目，畫出相應(yīng)方格數(shù)卡諾圖；

②依照邏輯函數(shù)式，把所有為"1"項畫入卡諾圖中；

③用卡諾圈把相鄰最小項進行合并，合并時就遵循卡諾圈最大化原則；

④依照所圈卡諾圈，消除圈內(nèi)所有互非變量，每一種圈作為一種''與"項，將各''與"項相或,

即為化簡后最簡與或表達(dá)式。

23.答：電路中某點并未真正接"地"，但電位與"地"點相似，稱為“虛地”；電路中兩點電位相似,

并沒有真正用短接線相連，稱為"虛短"，若把"虛地"真正接"地"，如反相比例運放，把反相端也

接地時，就不會有輸入電流等于反饋電流成立，反相比例運算電路也就無法正常工作。

24.答：a、b、e能產(chǎn)生振蕩，c、d、f、g不能產(chǎn)生振蕩。

25.三端集成穩(wěn)壓器連接如圖所示。

Ui,3Uo

o------——W7815—1------。

答：Cl、C2作用：防止自激振蕩，減小高頻噪聲、改進負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。

26.答：這種說法是錯誤。由于晶體在摻入雜質(zhì)后，只是共價鍵上多了電子或少了電子，從而獲

得了N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體，但整塊晶體中既沒有失電子也沒有得電子，因此仍呈電中性。

27.答：金屬導(dǎo)體中只有自由電子一種教流子參加導(dǎo)電，而半導(dǎo)體中則存在空穴載流子和自由電

子兩種載流子，它們同步參加導(dǎo)電，這就是金屬導(dǎo)體和半導(dǎo)體導(dǎo)電機理上本質(zhì)不同點。單極型晶

體管內(nèi)部只有多數(shù)載流子參加導(dǎo)電，因而和雙極型晶體管中同步有兩種載流子參加導(dǎo)電也是不

同。

28.答：Rc起作用是把晶體管電流放大轉(zhuǎn)換成放大器電壓放大。

29.答：集成運放普通由輸入級、輸出級和中間級及偏置電路構(gòu)成。輸入級普通采用差動放大電

路，以使運放具備較高輸入電阻及很強抑制零漂能力，輸入級也是決定運放性能好壞核心環(huán)節(jié):

中間級為獲得運放高開環(huán)電壓放大倍數(shù)（103?107）,普通采用多級共發(fā)射極直接耦合放大電路；

輸出級為了具備較低輸出電阻和較強帶負(fù)載能力，并能提供足夠大輸出電壓和輸出電流，常采用

互補對稱射極輸出器構(gòu)成為了向上述三個環(huán)節(jié)提供適當(dāng)而又穩(wěn)定偏置電流,普通由各種晶體管恒

流源電路構(gòu)成偏置電路滿足此規(guī)定。

30.答:集成運放抱負(fù)化條件有四條：①開環(huán)差模電壓放大倍數(shù)Au°=oo；②差模輸入電阻力=8；

③開環(huán)輸出電阻力=0；④共模抑制比KCMR=8。

31.答：小功率直流穩(wěn)壓電源由電源變壓器、整流電路、濾波電路和穩(wěn)壓電路構(gòu)成。電源變壓器

作用是將交流電網(wǎng)電壓變?yōu)檫m當(dāng)交流電壓，整流電路作用是將交流電壓變?yōu)槊}動直流電壓，濾波

電路作用是將脈動直流電壓轉(zhuǎn)變?yōu)槠交绷麟妷?，穩(wěn)壓電路作用是清除電網(wǎng)波動及負(fù)載變化影

響，保持輸出電壓穩(wěn)定。

32.答：數(shù)字信號是離散，模仿信號是持續(xù)，這是它們最大區(qū)別。它們之中，數(shù)字電路抗干擾能

力較強。

33.答：數(shù)字電路中門電路，其輸入和輸出之間關(guān)系屬于邏輯關(guān)系，因而常稱為邏輯門。若邏輯

電路輸出僅取決于輸入現(xiàn)態(tài)，則稱為組合邏輯電路，其中輸出僅取決于輸入現(xiàn)態(tài)就是組合邏輯電

路明顯特點。

34.答：集電極和發(fā)射極對調(diào)使用，三極管不會損壞，但是其電流放大倍數(shù)會大大減少。由于集

電極和發(fā)射極雜質(zhì)濃度差別很大，且結(jié)面積也不同。

35.答：時序邏輯電路基本單元是觸發(fā)器，組合邏輯電路基本單元是門電路。

36.答：鐘控RS觸發(fā)器特性方程：Q*'=S+RQ”（CP=D,SR=0（約束條件）；JK觸

發(fā)器特性方程：Q"M=JQ"+KQ”；D觸發(fā)器特性方程：

37.答：施密特觸發(fā)器明顯特性有兩個：一是輸出電壓隨輸入電壓變化曲線不是單值，具備回差

特性；二是電路狀態(tài)轉(zhuǎn)換時，輸出電壓具備陡峭跳變沿。運用施密特觸發(fā)器上述兩個特點，可對

電路中輸入電信號進行波形整形、波形變換、幅度鑒別及脈沖展寬等。

38.答：管腳③和管腳②電壓相差0.7V,顯然是硅管，一種是基極，另一種是發(fā)射極，而管腳①

比管腳②和③電位都高，因此一定是一種NPN型硅管。再依照管子在放大時原則可判斷出管腳②

是發(fā)射極，管腳③是基極，管腳①是集電極。

39.答：分析：依照電路可知，當(dāng)“乂時，二極管導(dǎo)通u0=&；當(dāng)水泄，二極管截止時，4=￡。

因此m波形圖如圖所示：

uN

40.答：將兩個二極管背靠背地連接在一起是不能構(gòu)成一種三極管。由于，兩個背靠背二極管，

其基區(qū)太厚，不符合構(gòu)成三極管基區(qū)很薄內(nèi)部條件，雖然是發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子，到基區(qū)后也

都會被基區(qū)中大量空穴復(fù)合掉，主線不也許有載流子繼續(xù)向集電區(qū)擴散，因此這樣“三極管"是不

會有電流放大作用。

41.答：分析組合邏輯電路目是找出已知組合邏輯電路功能，分析環(huán)節(jié)為四步：①依照已知邏輯

電路圖用逐級遞推法寫出相應(yīng)邏輯函數(shù)表達(dá)式;②用公式法或卡諾圖法對寫出邏輯函數(shù)式進行化

簡，得到最簡邏輯表達(dá)式；③依照最簡邏輯表達(dá)式，列出相應(yīng)邏輯電路真值表；④依照真值表找

出電路可實現(xiàn)邏輯功能并加以闡明，以理解電路作用。

42.答：調(diào)零是為了抑制零漂，使運算更精確。

43.答：設(shè)立靜態(tài)工作點目是使放大信號能所有通過放大器。Q點過高易使傳播信號某些進入飽

和區(qū)Q點過低易使傳播信號某些進入截止區(qū)，其成果都是信號發(fā)生失真。

44.答：(a)圖缺少基極分壓電阻扁，導(dǎo)致心心太高而使信號進入飽和區(qū)發(fā)生失真，此外

還缺少而、4負(fù)反饋環(huán)節(jié)，當(dāng)溫度發(fā)生變化時，易使放大信號產(chǎn)生失真

(b)圖缺少集電極電阻尼，無法起電壓放大作用，同步缺少幾、G負(fù)反饋環(huán)節(jié)

(c)圖中G、C極性反了，不能正常隔直通交，并且也缺少余、&負(fù)反饋環(huán)節(jié)

(d)圖管子是PNP型，而電路則是按NPN型管子設(shè)立，因此，只要把管子調(diào)換成NPN型管

子即可。

六.計算題(計算有關(guān)物理量。)

1.(1)IB=20UA,Ic=lmA,UCE=8V,Q(8V,1mA,)；

(2)rbe=1600Q,Au=-62.5,Rj=1.6kQ,Ro=Rc=4kQ,Au$=-38.5；

(3)直流負(fù)載線方程：UCE=Vcc-IcRc=12-41。

交流負(fù)載線方程：UcE-UcE=-(ic-Ic)R'L。(圖略)

2.解：圖(a)作用是防止電源極性錯接，圖(b)作用是以免電流過大損壞表頭，起分流作用。

3.解：電路輸出電壓為3V。若輸出電壓為7V,則V4也許會被擊穿而燒壞。

4.解：①圖示電路X3?X。狀態(tài)為1001,因而有：

八=URQ=_L22S§.=_]OmA,/0~^-=——=-1.25mA,>/=-11.25mA

R/238R8A

Uo=一/&=11.25x1=1L25V

②若要使輸出電壓等于1.25V,則/=/0=—1.25mA,即輸入四位二進制數(shù)D=0001。

5.解：用1KBX1位RAM擴展成1KBX4位存儲器

需用4片如圖所示RAM芯片，接線圖為:

6.①[+36]=[00100100B]ia=[01011011B]s=[0lOlllOOBh

②[-49]="0110001B]以=口1001110Bk=[l1001111B],h

7.①A8+C@AC+B③A5+AB+BC@AB+CD+BC

8.(1)UB=4V,I,F1.65mA,UCE=7.75V,Q(7.75V,1.65mA)；

(2)ri)e=1245Q,Au=-96.4,Ri=1245Q,R?=Rt=3kQ,AuS=-89.2；

(3)風(fēng)=38.2kQ。

3

,/RF=g〃。=—^^D=--^-(lx2+1x2°)=-=-2.8IV

9.解:16

10.①(365)io=()2=(555)8=(16D)l6

②(11101.1)2=(29.5)H)=(35.4)8=(1D.8)l6

③(57.625)io=(71.5)8=(39.A)l6

11.解：雙端輸出電壓為3.00375V

12.解：(1)0.82mA、0.82mA、6.424V、6.424V

(2)-40、5.8k。、13.6kQ

(3)-0.25、5.8kQ、41dB

/=4

13.(1)%="/，⑵與

14.10.1mA

15.(l)5mA6.3V(2)30Q

16.0.1V

17.(1)V,>V2為NPN型，V3、V4為PNP型

(2)14W

(3)48

18.4>/2U2,3亞U?,不能。

19.(l)20V(2)IF>(80~120)mA,URM>31.108V,C2(50.7~83.5)uF

20.(1)12V(2)5.4V

解.K=ABC+ABC

與陣列

或陣歹lj

Y2=ABCD+BCD+ABCD=ABCD+ABCD+ABCD+ABCD

與陣列

或陣列

丫3=ABCD+ABCD

Y4=ABCD+ABCD

IB=21.4UA,直流負(fù)載線方程為：UCE=Vcc-IcRc，取兩點A(0,3mA)和B(12V,0),連接A和B點,

即為直流負(fù)載線。(圖略)

23.①(47)10=(01111010)余3科=(01000111)8421?

②(3D)16=(00101101)陽洞

24.(1)Pom=1.125W；Peinl=0.225W；

(2)Pcni>0.5W,Itml>0.56A,U(BR)CEO>18V.

25.解：圖（a）三極管為NPN型Si管，處在放大狀態(tài)。

圖（b）三極管為PNP型Ge管，處在放大狀態(tài)。

圖（c）三極管為PNP型Si管，管子損壞，發(fā)射結(jié)開路。

圖（d）三極管為NPN型Si管，處在飽和狀態(tài)。

圖（e）三極管為PNP型Ge管，處在截止?fàn)顟B(tài)。

26.解：靜態(tài)工作點為：

25x10,5-0.7?o_/

VB=-----=5VICQ?/EQ=----?2.87mA

40+101.5

,2.87s

/BQ=----?40/zAA

1+70

t/CEQ=25-2.87（3.3+1.5）?l1.2V

27.解：微變等效電路如圖所示。

小=300+(1+70)工943Q

2.87mA

r、=RB\HRB2//rbe=40000//10000//943?843Q

ro=Rc=3.3KQ

“RC”3300…

=-Bn—=-70------?-245

rbe943

28.解：從電路圖來看，此電路為一反相比例運算電路，因而:

=_&x]0=_i(r，Rx

°io6工

29.解：此電路為同相輸入電路

1Q

U=U=——X1=O.9V

-2+18

(7()=(14-1)X0.9=3.15V

30.解：仇產(chǎn)q=5mV=@2,第二級運放是反向比例運算電路，因此:

Uo二-三心=-5x5=-25mV

31.解：其開環(huán)放大倍數(shù)至少應(yīng)為15。

32.IF>0.3A,URM>20.74V

97642

t/0=-^-￡>=-^-(1X2+1X2+1X2+1X2+1X2+1X2°)

j8V

33.解:喘

°LSB401

UpSR一280一2”-1

34.解:.??2〃=8〃=3

u=----u;xdt------ui2dt

35.解:0200"400

36.解:放大器閉環(huán)增益分別為:9.92,92.59,555.56.

孫)

37.解:uo=5(+%2

38.解：A區(qū)是飽和區(qū)，B區(qū)是放大區(qū)，C區(qū)是截止區(qū)。

(1)觀測圖，相應(yīng)/B=60UA、UCE=3V處，集電極電流/c約為3.5mA；

(2)觀測圖，相應(yīng)/c=4mA、UCE=4V處，/B約不大于80uA和不不大于70uA；

(3)相應(yīng)A/B=20NA、UCE=3V處，A/c^lmA,因此尸石1000/20七50。

39.10.2V

40.(l)uo=-Uj,(2)uo=Uj,(3)u0=Uj

41.輸出電壓為0V。

42.(l)Aui=-7.59,AU2=0.99,則AU=-7.51。

(2)R；=Rii=