內存技術規(guī)格介紹

內存技術規(guī)格介紹保存著內存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPDSPDSiSoftSandra2001〔“://sisoftware.co.uk/index.htm“://sisoftware.co.uk/index.htm〕這類工具軟件來查看SPD芯片中的信息，例如軟件中顯示的SDRAMPC133U-333-542就表示被測內存的技術標準。內存技術標準統(tǒng)一的標注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內存標準，其格式也有所不同。1、內存的定義集成電路。電+腦*維+修-知.識_網(wǎng)(w_ww*dnw_xzs*co_m)2、內存的分類內存類型分類RAM(RandomAccessMemory)隨機讀寫存儲器ROM(ReadOnlyMemory)只讀存儲器SRAM(StaticRandomAccessMemory)靜態(tài)隨機讀寫存儲器DRAM(DynamicRandomAccessMemory)動態(tài)隨機讀寫存儲器內存芯片分類FPM(Fast-Mode)DRAMDRAMEDO(ExtendedDataOut)DRAMDRAM速度比FPMDRAM15%~30%BEDO(BurstEDO)DRAMEDODRAM40%左右SDRAM(SynchronousDRAM)DRAMCPURDRAM(RambusDRAM)DDR(DoubleDataRate)DRAMPC66PC100PC133PC200PC266按內存接口形式分SIMM(Single-InLineMemoryModule)3072DIMM(DualIn-LineMemoryModule)168，184200168DIMM。SODIMMSmallOutlineDualIn-lineMemoryModule144DIMMRIMM按是否有緩沖分UnbufferedRegistered按是否有校驗分Non-ECCECC3、PC66/100SDRAM〔1〕1.0---1.2這類版本內存標注格式為：PCa-bcd-efghPC100-322-622Ra2CAS相PC100EEPROM，IntelPC1001。2DIMM〔2〕1.2b+版本其格式為：PCa-bcd-eeffghRPC100-322-54122RaMHZCAS〕，23；cTrcd〔RASCAS〕，用時鐘周期數(shù)表示；dTRP〔RAS〕，用545.4nsSPD12SPD24、PC133SDRAM〔2.0〕內存標注格式PC133CAS=27.5ns，133MHzCAS=2。PC133SDRAMPCab-cde-ffgPC133U-333-542，其中a(RDIMMDIMM即CAS的延遲時間〕，用時鐘周期數(shù)表示，一般為23；dRASCASRAS545.4nstAC；gSPD2SPD2.0。電+腦*維+修-知.識_網(wǎng)(w_ww*dnw_xzs*co_m)5、PC1600/2100DDRSDRAM〔1.0〕內存標注格式PC2100R-2533-750aMB/s；a*1/1621002100MB/s，對應的標準工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b(RDIMMUDIMMccCAS25CL=2.5；dRASCASRAS757.5nstAC；gSPD0SPD1.0。電+腦*維+修-知.識_網(wǎng)(w_ww*dnw_xzs*co_m)6、RDRAM內存標注格式其格式為：aMB/bcdPCe256MB/16ECCPC800ab800800Mt/s800*1/2=400MHZ。電+腦*維+修-知.識_網(wǎng)(w_ww*dnw_xzs*co_m)7、各廠商內存芯片編號HYUNDAI〔現(xiàn)代〕DIMMSDRAM編號格式為：HY5abcdefghijklm-noHY5a(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde〔16=16Mbits、4KRef，64=64Mbits、8KRef，65=64Mbits、4KRef，128=128Mbits、8KRef，129=128Mbits、4KRef，256=256Mbits、16KRef，257=256Mbits、8KRef〕；fg〔40、80、16、32481632Bank23248Bank，2〕；I〔0=LVTTL［LowVoltageTTL］接口〕；j〔可以為ACD〔L=CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］〕。824400milTSOP10SCL=3PC-100。市面上HYHY57V65XXXXXTCXXHY57V651XXXXXATC10ATC10SDRAM133MHzATC8124MHz133MHzBTC-7、-10p75T-HPC133尾號為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購置T-HPC133電+腦*維+修-知.識_網(wǎng)(w_ww*dnw_xzs*co_m)LGS［LGSemicon］LGsHYLGsLGSSDRAMGM72Vabcde1fgThiLGS72SDRAM；ab(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd4、8、16)；eBank〔2=2Bank，4=4Bank〕；f裝〕；hi〔7.5=7.5ns［133MHz］，8=8ns［125MHz］，7K=10ns［PC-100CL23］，7J=10ns［100MHz］，10K=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=15ns［66MHz］〕。CL=3。LGS7.5PC13388nsPC1007K/7J；7K7JPC100SDRAM，兩者主要區(qū)分是第三個反響速度的參數(shù)上，7K7J133MHz7K7J10KPC1007J/7K7J/7K電+腦*維+修-知.識_網(wǎng)(w_ww*dnw_xzs*co_m)Kingmax(勝創(chuàng))KingmaxTinyBGASDRAMTSOPTinyBGATSOPTinyBGA0.36mm，線KingmaxKingmaxPC150KT133KingmaxSDRAMPC150、PC133、PC100PC150150PC133REV1.2VIA694XREV1.1KingmaxJS8nsKingmaxPC1007nsPC133PC150，是否有規(guī)章的刮痕，芯片外表是否發(fā)白等，看看芯片上的編號。KINGMAXPC150內存承受了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用PC133，其速度也會比一般的PC133KingmaxPC133-7PC100-8〔局部是-7〔KSV884T4A0-07〕KINGMAXPC133PC100PC100外頻下〔CL=2〕。電+腦*維+修-知.識_網(wǎng)(w_ww*dnw_xzs*co_m)Geil(金邦、原樵風金條)SPDPC133綠色金條是PC100內存；藍A色金條針對AMD750/760K7系主板，面對超頻玩家；藍V色金條針對KX133TKT-133PC133GL2000GP6LC16M84TG-7AMIR0032GL2000〔GL2000TSOPsSDRAM=BLP〕；GP表金邦科技的產品；6〔6=SDRAM〕；LC〔C=5VVccCMOS，LC=0.23.3VVddCMOS，V=2.5VVddCMOS〕；16M8〔深度*寬度，內存芯片容量=內存基128Mbit168=基粒數(shù)目；M=容量單寬型8*16FBGA，F(xiàn)C=6011*13FBGA，F(xiàn)P=反轉芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉芯片密封，F(xiàn)BGA，TG=TSOP〔其次代〕，U=μBGA〕；-7〔7=7ns〔143MHz〕〕；AMIR128MB，TSOP〔其次代〕封裝，0.23.3VVddCMOS制造工藝，7ns、143MHz電+腦*維+修-知.識_網(wǎng)(w_ww*dnw_xzs*co_m)SEC〔SamsungElectronics，三星〕EDODRAMKM416C254DKM4RAM表電壓〔C=5V、V=3.3V〕；254256Kbit〔256[254]256Kx、512(514)512Kx、1C=4D5〕256Kbit*16=4MbSDRAMKM416S16230A-G10：KM4RAM16Mbit〔11M、22M、44M、88M、1616M〕；2〔04K、12K、2=8K〕；3〔2=23=4〕；0〔0=LVTTL、1=SSTL〕；A存版本〔1A=2B=3〕；G〔G=自動刷、F=低電壓自動刷〕；10〔77ns[143MHz]、88ns[125MHz]、1010ns[100MHz]、H100MHzS16M*16=256MbitSDRAM8K，內Banks3LVTTL，210ns(100MHz)。PC133SDRAMsxxxxBT/BTS/ATS-GARegistered：KMM390sxxxxBTI/ATI-GADDRDRAMKM416H4030TRAML=DDRSDRAM[2.5V]〕；44Mbit〔4=4M、88M、1616M、3232M、64=12=、25=、51=、1G=、2G=、4G=〔0=64m/4K[15.6μs]、1=32m/2K[15.6μs]、2=128m/8K[15.6μs]、3=64m/8K[7.8μs]、4=128m/16K[7.8μs]〕；3〔3=44=8〕；0〔0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)〕；T〔T=66TSOPII、B=BGA、C=微型BGA(CSP)〕；Z133MHz〔55ns,200MHz(400Mbps)、66ns,166MHz(333Mbps)、Y=6.7ns,150MHz(300Mbps)、Z7.5ns,133MHz(266Mbps)、88ns,125MHz(250Mbps)、010ns,4Mbit*16=64Mbit3.3VDDRSDRAM064m/4K(15.6μs)，4〔兩面各兩排〕，LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66TSOPII133MHZ。RAMBUSDRAMKM418RD8CKM4RAMx1618RAMBUS=600Mbps、80=800Mbps〕。即三星8M*18bit=144M，BGA800Mbps。電+腦*維+修-知.識_網(wǎng)(w_ww*dnw_xzs*co_m)Micron〔美光〕Micron〔MicronPC143SDRAM〕，SDRAM芯片編號格式為：MT48abcdMefAgTG-hijMTMicron48〔48=SDRAM4=DRAM46=DDRSDRAMs容量(481632481632WriteRecovery［Twr］(A2=Twr=2clk)；TG〔TG=TSOPIIDJ=SOJ，DW=SOJ，F(xiàn)=5448*1611*132FBGA，F(xiàn)2=842FBGA，LF=90FBGA，LG=TQFP，R1=622FBGA，R2=842行微型FBGA，U=μ BGA〕；j代表功耗〔L=低耗，空白=一般〕；hj代表速度，分成以下四類：、DRAM-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70nsSDRAM，x32DDRSDRAM〔@CL3〕-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHzDDRSDRAM〔x4，x8，x16〕時鐘率@CL=2.5-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz、Rambus〔時鐘率〕-4D=400MHz40ns，-4C=400MHz45ns，-4B=400MHz50ns，-3C=356MHz45ns，-3B=356MHz50ns，-3M=300MHz53ns+的含義-8EPC66PC100〔CL2CL3〕-75PC66、PC100〔CL2CL3〕、PC133〔CL=3〕-7PC66、PC100〔CL2CL3〕、PC133〔CL2CL3〕-7EPC66、PC100〔CL2CL3〕、PC133〔CL2+CL3〕、DDRSDRAM-8PC200〔CL2〕-75PC200〔CL2〕PC266B〔CL=2.5〕-7PC200〔CL2〕，PC266B〔CL2〕，PC266A〔CL=2.5〕。MT48LC16M8A2TG-75L_ESSDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz其它內存芯片編