120道填空題參考答案數(shù)字邏輯要點(diǎn)

120〔*號(hào)的不作要求〕一、數(shù)制和碼制1.十進(jìn)制數(shù)254.75的二進(jìn)制編碼 11111110.11 ，十六進(jìn)制編碼FE.C 。2.將〔459〕編成〔010001011001〕,(011110001100)3.以下數(shù)中哪個(gè)數(shù)最大 D3.以下數(shù)中哪個(gè)數(shù)最大 D〔A、C、。111110C1011004.8進(jìn)制數(shù)B〔、B、C、。A、128B、120C、912D、1A25、[N]=10100101，則其[N]= 11011011 。原補(bǔ)余3碼10001000對(duì)應(yīng)的2421碼為 C 。A．01010101 B.10000101 C.10111011 D.11101011在計(jì)算機(jī)中進(jìn)展加減運(yùn)算時(shí)常承受 D 。、B原碼 C反碼 D補(bǔ)碼、二進(jìn)制小數(shù)-0.0110的補(bǔ)碼表示為 1.1010 。0的原碼有 2 形式反碼有 2 形式補(bǔ)碼有 1 形式。二、門(mén)電路6、CMOS電路不用的輸入端 不能 〔能、不能〕懸空。7、CMOS“與非”門(mén)用的多余輸入端的處理方法有： A A、接規(guī)律“1” B、接規(guī)律“0” C、懸空

5-1、AASCIITTL門(mén)電路的功耗小()。CMOS門(mén)電路速度高〔。工作時(shí)需要外接 上拉電阻 和電源 。111、 OC 門(mén)的輸出端相連可以實(shí)現(xiàn)線與。。它們輸出的凹凸電平均一樣，A〔A、

OFFBoffAonBonAB〕門(mén)的抗干擾力量強(qiáng)。13、一片與非門(mén)芯片具有三個(gè)三輸入端與非門(mén)，該芯片引腳數(shù)至少要 14 。14、16、18、20。14、三態(tài)門(mén)除了具有高電平和低電平兩種狀態(tài)外，還有第三種狀態(tài)叫 態(tài) 。15三極管作為開(kāi)關(guān)器“非門(mén)時(shí)不能工作在放大 狀態(tài)。1、將2輸入端與非門(mén)當(dāng)作非門(mén)使用時(shí)，則另一輸入端接1 〔0，1；將2輸入端或非門(mén)當(dāng)作非門(mén)使用時(shí)則另一輸入端接0 〔01。17、74LS00是TTL電路 電路。74HC00是CMOS電路 〔TTL電路、CMOS電路。18、TTL門(mén)電路主要外部特性參數(shù)有標(biāo)稱(chēng)電平、開(kāi)門(mén)電平、關(guān)門(mén)電平延時(shí)、功耗 、扇入系數(shù)、噪聲容限等等。*1S門(mén)電路如圖19所示輸入變量為輸出函數(shù)= 。1914〔1416、1、20。、74LS00和74HC00芯片， 74LS00芯片速度更快。222圖低電平〔高電平22、上圖中Y1= L ,Y2=L。 ，最大輸入低max=0.1V*23某集成電路芯片查手冊(cè)知其最大輸出低電平其低電平噪聲容限。=BNL A2.0V B1.4V C1.6V D1.2V。23-1、以下真值表完成的規(guī)律函數(shù)為 CF=A+BB D、F=A-B C、F=A⊕A、F=AB B、 1⊕。0=23-2⊕X0⊕1⊕1⊕AF

。 B 、以下規(guī)律函數(shù)中，與23-3相等的是⊙01AFFAAFA1F1)D(A)(BC2143三、規(guī)律函數(shù)化簡(jiǎn)和冒險(xiǎn)。= 0 ，m= 0 210有〔險(xiǎn)象。26X有〔險(xiǎn)象。26ACAEFCDE27〔構(gòu)成的規(guī)律電路，規(guī)律冒險(xiǎn)。328〔正確、錯(cuò)誤〕1這樣將不會(huì)產(chǎn)生多余圈”正確 〔正確、錯(cuò)誤〕說(shuō)“卡諾圈中1的個(gè)數(shù)應(yīng)當(dāng)為2的整數(shù)倍如246…個(gè)1”錯(cuò)誤 。〔正確、錯(cuò)誤〕3132、競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)是由于門(mén)電路延時(shí) 產(chǎn)生的。四、組合規(guī)律電路、常用MSI組合規(guī)律電路有編碼器、 譯碼器 、 擇器等。 、 全加器 數(shù)值比較器34、說(shuō)法“組合規(guī)律電路的輸出只和即時(shí)輸入有關(guān)，與過(guò)去的輸入和輸出無(wú)關(guān)”正確 〔正確、錯(cuò)誤〕35、與門(mén)、或門(mén)和非門(mén)是 組合規(guī)律電路 的根本單元。36奇偶校驗(yàn)器只能檢測(cè) 奇次〔奇次偶次數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤。3、數(shù)據(jù)選擇器的功能是 C 〔、、C、。B、把一路信號(hào)分時(shí)從幾路輸出。C、從多路輸入信號(hào)中選一路輸出。D、依據(jù)掌握信號(hào)，打算是輸出輸入信號(hào)，還是輸出處于高阻狀態(tài)。3234“100911141“10011、12、13、15接“1001。那么567腳分別輸出 001 。39、超前進(jìn)位加法器與串行進(jìn)位加法器相比，速度更快 。4，則、假設(shè)要某共陰極數(shù)碼管顯示數(shù)字“3”63。 為〕〔0000000~1111111為0000000~1111111五、時(shí)序電路是時(shí)序規(guī)律電路的根本單元。 40、 觸發(fā)器次，1CP的一個(gè)變化周期中，它的狀態(tài)轉(zhuǎn)變了41、就總體而言，主從觸發(fā)器在 現(xiàn)象?？辗?抑制了D〕抑制了空翻現(xiàn)象。B、C、 C 〔A、42、JK觸發(fā)器A、根本JK觸發(fā)器〕B、時(shí)鐘JK觸發(fā)器〔即電平JK觸發(fā)器C、主觸發(fā)器D、時(shí)鐘性能更好、與主從觸發(fā)器相比，邊沿觸發(fā)器抗干擾43 、鐘控觸發(fā)器、44、觸發(fā)器按構(gòu)造可分為根本觸發(fā)器 等。、邊沿觸發(fā)器主從觸發(fā)器觸發(fā)器、 D JK 觸發(fā)器、觸發(fā)器、45、觸發(fā)器按功能可分為RS觸發(fā)器等。T =1,n+1nQQ=046、JKD。B、CJK狀態(tài)是 A 〔A、 0)或(X表示1X1 DX0 、 A1XB、0X C個(gè)觸發(fā)器。 4 47、某同步時(shí)序電路有9個(gè)狀態(tài)，該電路需要 個(gè)觸發(fā)器。 4 48、要設(shè)計(jì)一個(gè)14進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器，該電路至少需要 狀態(tài)表狀態(tài)圖、、 49、時(shí)序電路的規(guī)律功能等方式描述。時(shí)序圖。存放器 計(jì)數(shù)器50、請(qǐng)列舉兩種常用集成時(shí)序規(guī)律部件、551、兩片十進(jìn)制計(jì)數(shù)器級(jí)聯(lián)后，最多可構(gòu)成 100 進(jìn)制計(jì)數(shù)器。5、狀態(tài)編碼時(shí)，狀態(tài)表中消滅次數(shù)最多的次態(tài)應(yīng)安排規(guī)律 0 〔0、1。53、異步時(shí)序電路中，觸發(fā)器狀態(tài)的變化不是〔是、不是〕同時(shí)發(fā)生的。5、下面哪種說(shuō)法正確 B 〔、、C。RSRS主從觸發(fā)器，輸出狀態(tài)一樣。RSRS主從觸發(fā)器，輸出狀態(tài)未必一樣。RSRS主從觸發(fā)器，輸出狀態(tài)一樣。55圖示電路〔同步時(shí)序電路異步時(shí)序電路〕 異步時(shí)序電路 。、某同步時(shí)序電路，狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖如下圖，其功能56。 啟動(dòng)功能的模5二進(jìn)制加法同步計(jì)數(shù)器是時(shí)序規(guī)律電路〔組合規(guī)律電路、時(shí)序規(guī)律電路〕產(chǎn)生。號(hào)應(yīng)當(dāng)用1”鍵，再按一次“258、〔組合規(guī)律電路、時(shí)序規(guī)律電路時(shí)序規(guī)律電路〕開(kāi)啟掌握信號(hào)應(yīng)當(dāng)用59。序列檢測(cè)器是61116、IIN/OUT、、C、60、時(shí)序規(guī)律電路設(shè)計(jì)步驟是： A 〔A 題意畫(huà)出狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖，列狀態(tài)表，簡(jiǎn)化狀態(tài)表，狀態(tài)編碼，畫(huà)鼓勵(lì)和輸出依、A卡諾圖，得到鼓勵(lì)函數(shù)和輸出函數(shù)表達(dá)式，依據(jù)鼓勵(lì)函數(shù)和輸出函數(shù)表達(dá)式畫(huà)電路圖題意畫(huà)出狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖列狀態(tài)表狀態(tài)編碼簡(jiǎn)化狀態(tài)表畫(huà)鼓勵(lì)和輸出依、B卡諾圖得到鼓勵(lì)函數(shù)和輸出函數(shù)表達(dá)式依據(jù)鼓勵(lì)函數(shù)和輸出函數(shù)表達(dá)式畫(huà)電路圖、依題意畫(huà)出狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖，進(jìn)展?fàn)顟B(tài)編碼，畫(huà)電路圖，得到鼓勵(lì)函數(shù)和輸出函C數(shù)表達(dá)式。題意畫(huà)出狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖，簡(jiǎn)化狀態(tài)圖，得到鼓勵(lì)函數(shù)和輸出數(shù)表達(dá)式，進(jìn)依D、行狀態(tài)編碼，畫(huà)電路圖。 QQ的是 BD 。61、n1n以下電路中，實(shí)現(xiàn)規(guī)律功能Q

QK1 Q

)(B(A)N1Q 0D1QC1CP C1CP(D) )C( QQ62、某移位存放器的時(shí)鐘脈沖頻率為100KHZ，欲將存放在該存放器中的數(shù)左移8位，完成該操作需要B 時(shí)間。7A.10μS B.80μS C.100μS D.800ms63、異步時(shí)序電路分為脈沖異步時(shí)序電路和電位異步時(shí)序電路。規(guī)律函數(shù)〔不用簡(jiǎn)化。64。六存儲(chǔ)器和可編程器件 、規(guī)律函數(shù)〔不用簡(jiǎn)化。64。,,為不喪失信息電容 存儲(chǔ)信息的65、動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元〔DRAM〕是利用電路。DRAM工作時(shí)必需輔以 刷必需定期刷所以 ，66ROMMROM，。PROM EPROM ，E210。 條數(shù)據(jù)線，該儲(chǔ)存器的容量是2字節(jié)67、某存儲(chǔ)器有10條地址線和810、存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)矩陣由與陣列和或陣列組成。68。，輸出可組態(tài)可編程，或陣列固定GAL70、與陣列七、其他t*70N。pd為蕩周期多諧振蕩、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)*71、555定時(shí)器可構(gòu)施密特觸發(fā)電路。無(wú)關(guān)。 、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的暫穩(wěn)態(tài)維持時(shí)間與觸發(fā)脈沖的寬度和幅度適觸發(fā)， *73施密特觸發(fā)器與雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的區(qū)分為施密特觸發(fā)器是靠不適合于慢變的信號(hào)而雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器是 觸發(fā)用于慢變化的信號(hào)， 現(xiàn)的戶(hù)依據(jù)自己需要來(lái)設(shè)計(jì)并通過(guò)的器件是用功能、74規(guī)律可由、〔組合規(guī)律器件、時(shí)序規(guī)律器件、PLD 。A/DD/APLD8*75、要保證采樣后的信號(hào)能反映原來(lái)的模擬信號(hào)，假設(shè)A/D轉(zhuǎn)換器輸入模擬信號(hào)最高變化頻率為1MHz，取樣頻率的下限是 。8ADC10V5V電壓值，數(shù)字輸出量為10000000 。*77、A/D轉(zhuǎn)換要經(jīng)過(guò)采樣、保持、量化、編碼等步驟。7、雙蹤示波器可以C〔、、C、。ABCD712K的電阻阻值，應(yīng)把量程打到C〔、、C、。A、1K檔B、10K檔C、20K檔D、1M檔8、74LS00芯片應(yīng)用時(shí)，電源引腳應(yīng)接A、、C、。A、5V10V12VD、220V8、做數(shù)字電路試驗(yàn)時(shí)，C 〔、、C、?！踩缦汝P(guān)試驗(yàn)箱的電源，再關(guān)芯片工作電源〔如?！踩?，再開(kāi)試驗(yàn)箱的電源；關(guān)電源時(shí)：先關(guān)試驗(yàn)箱的電源，再關(guān)芯片工作電源〔如。C〔如先關(guān)芯片工作電源〔如，再關(guān)試驗(yàn)箱的電源。〔，再開(kāi)試驗(yàn)箱的電源；關(guān)電源時(shí)：9先關(guān)芯片工作電源〔如，再關(guān)試驗(yàn)箱的電源。8、推斷門(mén)電路芯片引腳號(hào)，D 〔、、C、。腳的引腳就是1腳。B、缺口朝右，腳朝下，左下腳第1腳的引腳就是1腳。C、缺口朝左，腳朝下，左上腳第1腳的引腳就是1腳。腳的引腳就是1腳。83、EEPROM是電可擦 ROM。*84、A/D表示 模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào) 功能。8、數(shù)字電路的開(kāi)發(fā)步驟是： B 〔A、、C、。到電路板上，進(jìn)展調(diào)試。B、進(jìn)展仿真試驗(yàn)，再購(gòu)置元器件，然后制作印刷電路板，最終把器件焊接到電路板上，進(jìn)展調(diào)試。到電路板上，進(jìn)展調(diào)試。D、制作印刷電路板，再購(gòu)置元器件，然后把器件焊接到電路板上，進(jìn)展調(diào)試。最終進(jìn)展仿真試驗(yàn)。果時(shí)，只能看波形，發(fā)光元件不能模擬發(fā)光發(fā)聲元件不能模擬發(fā)出聲音這種說(shuō)法 錯(cuò)〔對(duì)錯(cuò)。這種說(shuō)法 錯(cuò)〔對(duì)、錯(cuò)。88〔常用中大規(guī)模集成電路與應(yīng)用〕。89、RAM又分為： DRAM 和 SRAM 等種類(lèi)。90、存儲(chǔ)器必需有掌握線、地址線和數(shù)據(jù) 線。91、EWB仿真時(shí)，通過(guò)修改元件屬性 可以轉(zhuǎn)變?cè)怠?用示波器觀看1K的矩形波信號(hào)“掃描時(shí)間/分度旋紐應(yīng)當(dāng)打到 D 使得波形清楚可辨，且便于讀出信號(hào)周期。10A、5ms/分度 B、0.05ms/分度C、50ms/分度 D、0.5ms/分度RAM〔RAMROM〕11 為8位屬于CY7C128A-15RAM〔RAMROM〕。D 94、試驗(yàn)時(shí)，TTL芯片發(fā)燙，不行能的緣由是反芯片A、BC4V電源使用D、。 矩形波 、鋸齒波 波等電路參數(shù)。電阻 電流 、、96、萬(wàn)用表可測(cè)量電壓。F= 實(shí)現(xiàn)規(guī)律函數(shù)F=AB+CD，規(guī)律函數(shù)應(yīng)當(dāng)改成、AB〕 A 〔碼轉(zhuǎn)換成余98、將84213碼，應(yīng)當(dāng)使用B時(shí)序規(guī)律電路、組合規(guī)律電路 A大規(guī)模集成LSI指的是 電路。99 。D/A*100、指的是將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成模擬信號(hào)的芯片 0、規(guī)律代數(shù)又稱(chēng)布爾代數(shù)它的值為或1 101要使輸出為，則必有一輸入端取值為0 11

1n102、芯片54LS00與74LS00相比，溫度范圍更 寬 。9道關(guān)口，9道關(guān)口的輸入密碼分別是“10，00，01011011009道關(guān)口的開(kāi)關(guān)掌握信號(hào)應(yīng)承受時(shí)序規(guī)律 路實(shí)現(xiàn)，至少要用 4 個(gè)觸發(fā)器。105、n1。*106AD轉(zhuǎn)換的主要性能指標(biāo)有區(qū)分率、轉(zhuǎn)換時(shí)間。1079個(gè)狀態(tài)，狀態(tài)編碼需要4 位二進(jìn)制數(shù)，電路實(shí)現(xiàn)時(shí)需要4 個(gè)觸發(fā)器。108、用 16 片8K*1位存儲(chǔ)器可以構(gòu)成16K*8位的存儲(chǔ)器。109、ewb是一種 電路仿真 軟件。110274161〔16的二進(jìn)制同步加法計(jì)數(shù)器〕最多能構(gòu)成模256 的計(jì)數(shù)器。111、用ewb仿真，運(yùn)行時(shí) 可以〔可以，不行以〕轉(zhuǎn)變多項(xiàng)選擇一開(kāi)關(guān)的導(dǎo)向。112、用ewb仿真時(shí)， 可以〔可以，不行以〕旋轉(zhuǎn)元器件的放置方向。113ewb仿真時(shí)