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無(wú)機(jī)化學(xué)(黑龍江科技大學(xué))智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下黑龍江科技大學(xué)黑龍江科技大學(xué)

第一章測(cè)試

某系統(tǒng)由A態(tài)沿途徑Ⅰ到B態(tài)放熱100J,同時(shí)得到50J的功;當(dāng)系統(tǒng)由A態(tài)沿途徑Ⅱ到B態(tài)做功80J時(shí),Q為(

A:30JB:-70JC:-30JD:70J

答案:30J

已知298K時(shí),,,,,則反應(yīng)的=.......(

)。

A:69.9B:-69.9C:-169.7D:169.7

答案:-69.9

已知298K時(shí),的,的,則的為................(

)。

A:-154.4B:-545.2C:-272.6D:154.4

答案:-272.6

下列說(shuō)法不正確的是(

A:熵作為封閉系統(tǒng)化學(xué)反應(yīng)方向的判據(jù)B:S(完美晶體,0K)=0C:物質(zhì)的溫度越低,熵值越小D:熵是指體系中物質(zhì)粒子混亂度的量度

答案:熵作為封閉系統(tǒng)化學(xué)反應(yīng)方向的判據(jù)

熵的單位是(

A:B:C:D:

答案:

計(jì)算計(jì)算公式是(

)。

A:B:C:D:

答案:

兩個(gè)含義相同的物理量。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

一個(gè)平衡反應(yīng)乘以系數(shù),新的平衡反應(yīng)的平常常數(shù)由。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

工業(yè)生產(chǎn)三氧化硫通常在高溫下使二氧化硫氧化,升高溫度的目的,并不是為了提高平衡的轉(zhuǎn)化率。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第二章測(cè)試

下列物質(zhì)的酸性由強(qiáng)到弱的次序正確的是(

)。

A:B:C:D:

答案:

離子的共軛堿是(

A:B:C:D:

答案:

醋酸的電離常數(shù)為,則醋酸鈉的水解常數(shù)為:(

)

A:B:C:D:

答案:

緩沖溶液的緩沖原理是(

A:稀釋效應(yīng)B:同離子效應(yīng)C:電離平衡的可能性D:鹽效應(yīng)

答案:同離子效應(yīng)

溶度積常數(shù)與組分的初始濃度有關(guān)。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

對(duì)型難溶電解質(zhì)溶解度S和溶度積的關(guān)系(

)。

A:B:溶解度增大C:D:

答案:

離子積和溶度積的相對(duì)大小,可判斷沉淀生成和溶解的關(guān)系。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

欲使在水溶液中溶解度增大,可以采用的方法是(

)。

A:B:C:降低溶液的pH值D:

答案:降低溶液的pH值

能溶于稀鹽酸中。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

是一個(gè)氧化還原反應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)吉布斯函數(shù)變,是標(biāo)準(zhǔn)平衡常數(shù),是標(biāo)準(zhǔn)電動(dòng)勢(shì),下列哪組所表示的,,的關(guān)系是一致的……(

A:B:C:D:

答案:

已知電對(duì),下列表示正確的是……(

A:B:C:D:

答案:

非金屬碘在溶液中,當(dāng)加入少量時(shí),碘的電極電勢(shì)應(yīng)該………(

A:不變B:不能判斷C:減小D:增大

答案:增大

下列電對(duì)中,最大值為哪一種………(

A:B:C:D:

答案:

由給定半反應(yīng)及其,判斷下列關(guān)系正確的是………(

A:B:C:D:

答案:

已知電對(duì),則最強(qiáng)的氧化劑是………(

A:B:C:D:

答案:

,則還原型物質(zhì)的還原性由強(qiáng)到弱排列的次序是………(

)

A:B:C:D:

答案:

下列電對(duì)的E值不受介質(zhì)pH值影響的為……………(

)

A:B:C:D:

答案:

在含有的混合液中,欲使氧化為,而不被氧化,據(jù)判斷,選擇下列哪種氧化劑較為合適………(

)

A:B:C:D:

答案:

已知:電極反應(yīng)

當(dāng)時(shí),上述電對(duì)的電極電勢(shì)是………(

)

A:0.37VB:0.52VC:0.28VD:-0.52V

答案:0.52V

下列命名正確的是(

)

A:B:C:D:

答案:

配位數(shù)是(

)

A:中心離子(或原子)接受配位原子的數(shù)目B:中心離子(或原子)接受配位體的數(shù)目C:中心離子(或原子)與配位離子所帶電荷的代數(shù)和D:中心離子(或原子)與配位體所形成的配位鍵數(shù)目

答案:中心離子(或原子)接受配位原子的數(shù)目

在溶液中穩(wěn)定,這意味著的(

)。

A:不穩(wěn)定常數(shù)較大B:穩(wěn)定常數(shù)較大C:電離平衡常數(shù)較大D:酸性較強(qiáng)

答案:穩(wěn)定常數(shù)較大

第三章測(cè)試

質(zhì)量作用定律只適用于(

)。

A:基元反應(yīng)B:計(jì)算方程C:復(fù)合反應(yīng)D:氧化還原反應(yīng)

答案:基元反應(yīng)

速率常數(shù)k是一個(gè)(

)。

A:量綱不定的參數(shù)B:無(wú)量綱的參數(shù)C:量綱為的參數(shù)D:量綱為的參數(shù)

答案:量綱不定的參數(shù)

某反應(yīng)的速率方程是,其中速率常數(shù),如果A的起始濃度是,則此反應(yīng)的起始速率是(

)。

A:0.20B:1.3C:0.80D:0.090

答案:0.20

一般說(shuō),溫度升高反應(yīng)速率明顯增加,主要原因是(

)。

A:反應(yīng)的活化能降低B:反應(yīng)物壓力增加C:活化分子的百分率增加D:分子碰撞機(jī)會(huì)增加

答案:活化分子的百分率增加

下列有關(guān)催化劑的說(shuō)法正確的是(

)。

A:催化劑只包括正催化劑B:催化劑具有選擇性

C:催化劑只能使正反應(yīng)速率增大D:金屬的緩蝕劑和腐蝕劑都是正催化劑

答案:催化劑具有選擇性

任一反應(yīng)的半衰期(

)。

A:都與有關(guān)B:都與有關(guān)C:都與有關(guān)D:不一定與有關(guān)

答案:不一定與有關(guān)

當(dāng)一個(gè)反應(yīng)以作圖時(shí),直接影響直線斜率的因素是(

)。

A:活化能B:反應(yīng)焓C:自由能D:內(nèi)能

答案:活化能

反應(yīng)分子數(shù)和反應(yīng)級(jí)數(shù)相等的反應(yīng),一定是(

)。

A:復(fù)雜反應(yīng)B:不能確定C:雙分子反應(yīng)D:基元反應(yīng)

答案:不能確定

升高同等溫度,反應(yīng)速率增加幅度大的是(

)。

A:多分子反應(yīng)B:雙分子反應(yīng)C:活化能大的反應(yīng)D:活化能小的反應(yīng)

答案:活化能大的反應(yīng)

下列陳述正確的是(

)。

A:速率常數(shù)k是反應(yīng)物為單位濃度時(shí)的反應(yīng)速率B:對(duì)于可逆反應(yīng),催化劑只能改變正反應(yīng)或逆反應(yīng)的反應(yīng)速率C:吸熱反應(yīng)的活化能大于放熱反應(yīng)的活化能D:反應(yīng)速率取決于所有反應(yīng)物的濃度

答案:速率常數(shù)k是反應(yīng)物為單位濃度時(shí)的反應(yīng)速率

第四章測(cè)試

以電子概率(幾率)密度表示的空間圖象即為原子軌道,波函數(shù)的空間圖象即為電子云。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

證明電子運(yùn)動(dòng)具有波動(dòng)性的著名實(shí)驗(yàn)是...............................................................(

)。

A:電子衍射實(shí)驗(yàn)B:粒子散射實(shí)驗(yàn)C:陰極射線實(shí)驗(yàn)D:光電效應(yīng)實(shí)驗(yàn)

答案:電子衍射實(shí)驗(yàn)

下列各組量子數(shù)中錯(cuò)誤的是………(

)

A:B:C:D:

答案:

對(duì)于四個(gè)量子數(shù),下列敘述中正確的是………(

)

A:角量子數(shù)l可以取從0到n的正整數(shù)B:決定多電子原子中電子的能量的是主量子數(shù)C:自旋量子數(shù)與原子軌道無(wú)關(guān)D:磁量子數(shù)m=0的軌道都是球形的

答案:自旋量子數(shù)與原子軌道無(wú)關(guān)

某元素的原子序數(shù)小于36,當(dāng)該元素原子失去一個(gè)電子時(shí),其副量子數(shù)等于2的軌道內(nèi)電子數(shù)為全充滿,則該元素為………(

)

A:CuB:BrC:KD:Cr

答案:Cu

周期表中第五、六周期的ⅣB、ⅤB、ⅥB族元素的性質(zhì)非常相似,這是由于以下哪項(xiàng)導(dǎo)致的………(

)

A:d區(qū)元素的影響B(tài):p區(qū)元素的影響C:s區(qū)元素的影響D:鑭系元素的影響

答案:鑭系元素的影響

在多電子原子中,決定軌道能量的是………(

)

A:n,l,mB:n(主量子數(shù))C:n和mD:n和l

答案:n和l

某多電子原子中的電子用下列四組量子數(shù)描述,其中能量最高的為………(

)

A:4,1,0,+1/2B:4,3,0,-1/2C:5,1,0,+1/2D:5,0,0,+1/2

答案:4,1,0,+1/2

下列電子構(gòu)型中,屬于原子激發(fā)態(tài)的是………(

)

A:B:C:D:

答案:

下列有關(guān)電子排布的敘述中正確的是………(

)

A:ⅥB族元素的價(jià)電子層排布為B:ⅥB族所有元素的價(jià)電子層排布均為C:價(jià)電子層有ns電子的元素是堿金屬元素D:63號(hào)元素銪(Eu)和95號(hào)元素镅(Am)的價(jià)電子層排布為

答案:63號(hào)元素銪(Eu)和95號(hào)元素镅(Am)的價(jià)電子層排布為

下列原子半徑大小順序正確的是………(

)

A:Be>Na>MgB:Be<Mg<NaC:Na<Be<MgD:

Be<Na<Mg

答案:Be<Mg<Na

第五章測(cè)試

共價(jià)鍵形成的條件為………(

)

A:自旋方向相同的成對(duì)電子B:自旋方向相反的單電子C:自旋方向相反的成對(duì)電子D:自旋方向相同的單電子

答案:自旋方向相反的單電子

下列敘述中正確的是………(

)

A:Be原子的外電子層構(gòu)型為,激發(fā)一個(gè)電子到2p軌道上,就有可能形成分子B:在分子中,C與C之間有一個(gè)鍵和兩個(gè)鍵,性質(zhì)活潑;在分子中,N與N之間也有一個(gè)鍵和兩個(gè)鍵,故分子也活潑C:He原子的電子構(gòu)型為,因此兩個(gè)He原子不能形成分子D:C原子和O原子的外層電子構(gòu)型分別為,都有兩個(gè)未成對(duì)電子所以CO分子中存在一個(gè)鍵和一個(gè)鍵

答案:He原子的電子構(gòu)型為,因此兩個(gè)He原子不能形成分子

NCl3分子的幾何構(gòu)型及分子中N原子的雜化方式分別是………(

)

A:三角錐,雜化B:T形,雜化C:三角形,雜化

D:四面體,雜化

答案:三角錐,雜化

下列有關(guān)分子特性中,能用雜化軌道理論解釋的是………(

)

A:分子中化學(xué)鍵的類型

B:分子的空間幾何構(gòu)型C:分子中的三電子鍵D:分子中鍵的極性

答案:分子的空間幾何構(gòu)型

下列分子或離子中,屬于三角錐構(gòu)型的是………(

)

A:B:C:D:

答案:

根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論,分子為正四面體結(jié)構(gòu)。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

用價(jià)層電子對(duì)互斥理論分別預(yù)測(cè)的立體構(gòu)型,兩個(gè)結(jié)論都正確的是:(

A:直線形??三角錐形B:直線形??平面三角形C:V形??三角錐形D:V形??平面三角形

答案:V形??平面三角形

對(duì)于一個(gè)反鍵分子軌道,下列敘述中正確的是..............(

)。

A:有電子進(jìn)入反鍵軌道就不能形成有一定穩(wěn)定性的分子B:它不能有電子占有C:它的能級(jí)比相應(yīng)的原子軌道能級(jí)高D:它的能級(jí)比所在分子中所有成鍵分子軌道的能級(jí)都高

答案:它的能級(jí)比相應(yīng)的原子軌道能級(jí)高

的分子軌道電子排布式為.............(

)

A:B:C:D:

答案:

配離子的穩(wěn)定性與其配位鍵類型有關(guān),根據(jù)價(jià)鍵理論,可以判斷下列配合物穩(wěn)定性的大小,指出正確的是………(

)

A:B:C:D:

答案:

配合物空間構(gòu)型的主要因素是………(

)

A:中心原子的氧化數(shù)

B:中心原子空軌道的雜化類型C:中心原子的配位數(shù)D:中心原子的空軌道

答案:中心原子空軌道的雜化類型

第六章測(cè)試

金屬K晶體為體心立方結(jié)構(gòu),在單位晶胞中K原子的個(gè)數(shù)是………(

)

A:9B:4C:6D:2

答案:2

金屬原子在二維空間的放置有如圖所示的兩種方式,下列說(shuō)法中正確的是………(

)

A:圖a為非密置層,配位數(shù)為6B:圖b在三維空間里堆積僅得簡(jiǎn)單立方堆積C:圖b為密置層,配位數(shù)為4D:圖a在三維空間里密堆積可得六方最密堆積和面心立方最密堆積

答案:圖a為非密置層,配位數(shù)為6

不能填充電子的能區(qū)稱為………(

)

A:禁帶B:空帶C:導(dǎo)帶D:滿帶

答案:禁帶

下列哪種離子不具有Ar的電子構(gòu)型………(

)

A:B:C:D:

答案:

下列說(shuō)法中正確的是………(

)

A:離子晶體中每個(gè)粒子周圍吸引著6個(gè)帶相反電荷的離子B:分子晶體的熔沸點(diǎn)很低,常溫下都呈液態(tài)或氣態(tài)C:金屬導(dǎo)電的原因是在外加電場(chǎng)作用下產(chǎn)生自由電子,電子定向移動(dòng)D:原子晶體中的各相鄰原子都以共價(jià)鍵相結(jié)合

答案:分子晶體的熔沸點(diǎn)很低,常溫下都呈液態(tài)或氣態(tài)

下列化合物中,離子間相互極化作用最強(qiáng)的是………(

)

A:B:AgBrC:D:HgS

答案:HgS

一個(gè)離子具有下列哪一特性,方能使另一個(gè)與它接近的離子極化或變形能力增大………(

)

A:電荷低,半徑大B:電荷低,半徑小C:電荷

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