高三公開課演示文稿

物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)專題復(fù)習(xí)

高三（4）—王阿三一、考綱要求1.原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì)（1）了解原子核外電子的運動狀態(tài)、能級分布和排布規(guī)律，能正確書寫1～36號元素原子核外電子、價電子的排布和軌道表達(dá)式。（2）了解電離能的含義，并能用以說明元素的某些性質(zhì)。（3）了解電子在原子軌道之間的躍遷及其簡單應(yīng)用。（4）了解電負(fù)性的概念，并能用以說明元素的某些性質(zhì)。2.化學(xué)鍵與分子結(jié)構(gòu)（1）理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)。（2）了解共價鍵的形成、極性、類型（σ鍵和π鍵）、了解配位鍵的含義。（3）能用鍵能、鍵長、鍵角等說明簡單分子的某些性質(zhì)。（4）了解雜化軌道理論及常見的雜化軌道類型（sp，sp2，sp3）。（5）能用價層電子對互斥理論或者雜化軌道理論推測簡單分子或離子的空間結(jié)構(gòu)。3.分子間作用力與物質(zhì)的性質(zhì)（1）了解范德華力的含義及對物質(zhì)性質(zhì)的影響。（2）了解氫鍵的含義，能列舉存在氫鍵的物質(zhì)，并能解釋氫鍵對物質(zhì)性質(zhì)的影響。4.晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（1）了解晶體的類型，了解不同類型晶體中結(jié)構(gòu)微粒，微粒間作用力的區(qū)別。（2）了解晶格能的概念及其對離子晶體性質(zhì)的影響。（3）了解分子晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。（4）了解原子晶體的特征，能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。（5）了解金屬鍵的含義，能用金屬理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)，了解金屬晶體常見的堆積方式。（6）了解晶胞的概念，能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)計算。二、考題規(guī)律

該模塊試題屬于選做題，題型為綜合題，分值為15分。命題涉及的知識點主要有：能層、能級、軌道數(shù)分析，原子、離子的核外電子排布式或價電子的軌道表達(dá)式（或示意圖）等，第一電離能、元素電負(fù)性大小比較，原子軌道雜化方式、化學(xué)鍵、氫鍵以及離子或分子的空間構(gòu)型判斷，晶胞結(jié)構(gòu)的分析和有關(guān)晶胞、晶體的計算等。命題形式有兩種：一是直接給出元素，圍繞給出元素的原子結(jié)構(gòu)、形成的物質(zhì)等進(jìn)行考查；二是給出元素的原子的一些結(jié)構(gòu)特點等，首先判斷出元素，然后再進(jìn)行相應(yīng)的考查。三、知識框圖四、考點精講考點1：原子核外電子排布1、考查內(nèi)容：（1）電子排布式的書寫（2）以電子排布式為載體考查能層、能級、電子運動狀態(tài)、電子云形狀等相關(guān)知識2、解題策略：能熟練掌握1～36號元素原子核外電子。3、題型示例：質(zhì)檢卷（1）、（3）第三問

考點2：有關(guān)性質(zhì)大小的比較：1、考查內(nèi)容：（1）第一電離能(2）電負(fù)性（3）熔沸點高低2、解題策略：（1）第一電離能與電負(fù)性掌握有關(guān)第一電離能和電負(fù)性的兩種遞變性（2）掌握“兩角度”比較晶體熔、沸點的高低方法3、題型示例：質(zhì)檢卷（2）、（4）第二問

同周期（從左到右）同主族（從上到下）第一電離能增大（注意ⅡA、ⅤA的特殊性）依次減小電負(fù)性依次增大依次減小考點3：有關(guān)類型的判斷1、考查內(nèi)容：（1）物質(zhì)含有的作用力(2）共價鍵（3）分子的極性（4）晶體類型（5）雜化方式2、解題策略：熟練掌握相關(guān)類型的判斷依據(jù)：物質(zhì)含有的作用力、晶體類型判斷依據(jù)：構(gòu)成物質(zhì)的粒子；共價鍵判斷依據(jù)：重疊方式、電子對偏移、成鍵方式；分子極性判斷依據(jù)：正負(fù)電荷中心是否重合；雜化方式判斷依據(jù)：價層電子對互斥理論。3、題型示例：質(zhì)檢卷（3）第一問考點4：空間構(gòu)型1、考查內(nèi)容：（1）根據(jù)分子式判斷空間構(gòu)型，(2）等電子體2、解題策略：3、題型示例：CuSO4陰離子的空間構(gòu)型；寫出一種與它互為等電子體的分子電子對數(shù)成鍵數(shù)孤電子對數(shù)價層電子對立體構(gòu)型分子立體構(gòu)型實例220直線形直線形CO2330三角形三角形BF3

21

V形SO2440四面體形正四面體形CH4

31

三角錐形NH3

22

V形H2O考點5：晶胞的有關(guān)計算1、考查內(nèi)容：（1）晶胞的化學(xué)組成(2）晶體密度及微粒間距離的計算（3）微粒的空間占有率及坐標(biāo)2、解題策略：簡單計算晶胞含有粒子數(shù)------均攤法密度計算3、題型示例：質(zhì)檢卷（4）第一、三問五、專題練習(xí)六、專題專練專題練習(xí)1、1.鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素,在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛.回答下列問題:(1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]________________,有________個未成對電子。(2)Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、三鍵,但Ge原子之間難以形成雙鍵或三鍵.從原子結(jié)構(gòu)角度分析,原因是_______________________________.(3)比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點,分析其變化規(guī)律及原因___________________.

GeCl4GeBr4GeI4熔點/℃－49.526146沸點/℃83.1186約400(4)光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中,帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑.Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是________________.(5)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu),其中Ge原子的雜化方式為________,微粒之間存在的作用力是____________.(6)晶胞有兩個基本要素:①原子坐標(biāo)參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置.下圖為Ge單晶的晶胞,其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0);B為(2(1)，0，2(1));C為(2(1)，2(1)，0).則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為________.②晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a＝565.76pm,其密度為________g·cm－3(列出計算式即可)。2砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等.回答下列問題:(1)寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式______________________________.(2)根據(jù)元素周期律,原子半徑Ga________As,第一電離能Ga________As(填“大于”或“小于”)(3)AsCl3分子的立體構(gòu)型為________,其中As的雜化軌道類型為________.(4)GaF3的熔點高于1000℃,GaCl3的熔點為77.9℃,其原因是______________________________________________________________.(5)GaAs的熔點為1238