文案板設(shè)計指導(dǎo)hi3519v101hdi

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前 目 HDI板簡 單板布 參考層設(shè)計 第5層信號..... 第3層和TOP層信 阻抗控 DDR信號分 MIPI信號分 CORE電源分 1.8V電源分 3.3V電源分 TOP層走 第3層走 第6層走 疊層結(jié)構(gòu)，阻抗控制........................................................................... 重點信號分布............................................................................................ DDR信號分 MIPI信號分布 電源平面分布................................................................... 1.8V電源分布...................................... 芯片下濾波電容排布 TOP層GND焊球連接處 圖2-16層1階板典型結(jié)構(gòu) 圖2-28層2階板典型結(jié)構(gòu)....................................................................... 圖3-1網(wǎng)口部分出線...................................................................................... 圖3-26層1階REFBBOTTOM層幾乎無走 圖3-38層2階EMCP評估板TOP層出線較 圖4-2多數(shù)信號走線在第5層 圖4-3外圈PINBOTTOM層走短線打孔到第5 圖4-4內(nèi)圈信號放在第3層出 圖4-5BOTTOM層是較完整的 圖4-6第4層是完整的地平 圖4-7第5層示意 圖4-8第2層是較完整的 圖4-9第3層參考第2 圖4-10疊層結(jié)構(gòu) 圖4-11阻抗控制............ 圖4-12DDR信號從第5層 圖4-13部分信號TOP層出線后打孔到第5 圖4-14內(nèi)圈DDR信號第3層出線參考第2 圖4-15AC信號T型連接結(jié) 圖4-16第5層MIPI信 圖4-17第3層MIPI信 圖4-18MEDIA平面在TOP 圖4-19MEDIA電源2到5層的過 圖4-20CPUCORE電源分 圖4-221.8V電源平面分布（藍(lán)色 圖4-233.3V電源平面分布（黃色 圖4-24芯片濾波電容排 圖5-2TOP層出線較 圖5-3第3層是主要的出線 圖5-4第6層出線較多 圖5-5TOP層走線..................................................................................... 圖5-6第3層走線.......................................................................................... 圖5-7第5層DDR信號上面是 圖5-8DDR信號（紫色）參考第5/7 圖5-9BOTTOM層走 圖5-10疊層結(jié)構(gòu) 圖5-11阻抗控制 圖5-12TOP層DQ信號（黃色 圖5-13第3層DQ信號（黃色 圖5-14第6層DQ信號（黃色 圖5-15TOP層AC信號（黃色 圖5-16第3層AC信號（黃色 圖5-17第6層AC信號（黃色 圖5-18第3層MIPI走 圖5-19第6層MIPI走線 圖5-203.3V/MEDIACORE/DDR_CORE/VDD_CORE電源分 圖5-21CPU_CORE分布在第6 圖5-2218V電源分 圖5-23主芯片下濾波電容排 圖6-10201電容防“立碑“PCB設(shè) 圖6-2表層GND焊球連接處 11述了的HDI板PCB設(shè)計思路。2HDIInterconnector用圖示的方法，簡述了常用了6182階板的結(jié)構(gòu)。612-1所示，12層的孔是盲孔，25層的是埋孔。L3L4LAMINATE次，因此是2次電鍍2次壓合。其他HDI板結(jié)構(gòu)可以以此類推。822230%，因此在設(shè)計時候，要充分考慮降層，降階。

都要出線，就需要用2階板實現(xiàn)。如果只是需要部分接口，可以考慮1階板。景，VOIPC應(yīng)用中，VO不出線，網(wǎng)口出線，網(wǎng)口內(nèi)圈出線就占用了VO的位置。以，VO如果和RGMII一起用，就無法用1階板實現(xiàn)。BOTTOM的線難以有足夠?qū)挼膮⒖糋ND，并且容易和第5層走線串?dāng)_。PINMAPPINBOTTOM層出線，然后從芯片下面出來后，3-3所示，82EMCP評估單板，面積比較小，難以有足夠大的面積在第5層或者第2層走大量的線，因此考慮用2階板實現(xiàn)。 5層無法出線，因此需要大孔到第34-4所示。5圖4-753TOP2層3434-104-11DDR保證信號質(zhì)量，DDR信號全部參考GND，出線方式如圖4-12所示。連接到同層DDR的時候，可以從TOP4-13所示。孔到第5層出線，芯片內(nèi)圈的PIN，第3層出線。DDR采用了正反對貼結(jié)構(gòu)，因此AC信號，走T型連接點，分別連接到兩片上，DDR下面仍然是盲埋孔。出線方式如圖4-15所示。MIPI6BOTTOMBOTTOM5層參考，因此法走電源。第2，4GND，分別用來給第53層參考，也無法走CORE電源。MEDIATOP12的孔，25的孔，56的孔連接到可以減小通路電感。如圖4-18到圖4-19所示。芯片的PIN上。如圖4-20所示。VDD_COREDDR_CORE12層的過孔連接到芯片的PIN4-21所示。1.8V3.3V3.3V由于電壓較高，抗干擾能力強。且芯片很多地方用到，可以從芯片周圍引入到芯片。如圖4-23所示。12的過孔連接到第2GND4-24所示。紹及用戶的應(yīng)用習(xí)慣來放置外設(shè)模塊，如圖5-1所示。多，如圖5-2所示。TOP3圖5-636BOTTOM5-105-11DDRTOPDQ2層5-12DDRACTDDRMIPI圖5-183MIPI圖5-196MIPICPU_CORE5-21.8V0201GND0201張力小，由于0201電容重量很小，這樣張力小的那側(cè)就會翹起，就是所說的“立6-1，電容一端接電源，另一端接GND，但是GND銅皮面積較