5-常用半導(dǎo)體器件 修復(fù)的

第五章常用半導(dǎo)體器件5.1PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?.2半導(dǎo)體二極管5.3穩(wěn)壓二極管5.6光電器件5.4半導(dǎo)體三極管*5.5絕緣柵型場效應(yīng)晶體管學(xué)習(xí)目標(biāo)理解電子和空穴兩種載流子及擴(kuò)散運動和漂移運動的概念。理解PN結(jié)的單向?qū)щ娦?。掌握二極管的伏安特性、主要參數(shù)及主要應(yīng)用場合。掌握穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用、主要參數(shù)及應(yīng)用。理解三極管的工作原理、特性曲線、主要參數(shù)、放大作用和開關(guān)作用。理解三極管的三種工作狀態(tài)。理解場效應(yīng)管的恒流、夾斷、變阻三種工作狀態(tài)，了解場效應(yīng)管的應(yīng)用。5.1PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?.1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識5.1.2PN結(jié)的形成5.1.3PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識導(dǎo)體：自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)，例如金屬。絕緣體：電阻率很高的物質(zhì)，幾乎不導(dǎo)電，如橡皮、陶瓷、塑料和石英等。半導(dǎo)體：導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，例如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。半導(dǎo)體的特點當(dāng)受外界熱和光的作用時，它的導(dǎo)電能力明顯變化。往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會使它的導(dǎo)電能力明顯改變。1.本征半導(dǎo)體GeSi本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理純凈的半導(dǎo)體，如：硅和鍺。1）最外層四個價電子。2）共價鍵結(jié)構(gòu)+4+4+4+4共價鍵共用電子對+4表示除去價電子后的原子共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為自由電子，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。共價鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。+4+4+4+463）在絕對0度和沒有外界激發(fā)時,價電子完全被共價鍵束縛著，本征半導(dǎo)體中沒有可以運動的帶電粒子（即載流子），它的導(dǎo)電能力為0，相當(dāng)于絕緣體。4）在熱或光激發(fā)下，使一些價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為自由電子，同時共價鍵上留下一個空位，稱為空穴?？昭ㄊ`電子自由電子+4+4+4+4+4+4+4+4在其它力的作用下，空穴吸引臨近的電子來填補，這樣的結(jié)果相當(dāng)于空穴的遷移，而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷的移動，因此可以認(rèn)為空穴是載流子。5）自由電子和空穴的運動形成電流可見因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時成對出現(xiàn)的，稱為電子空穴對。+4+4+4+4本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴。溫度越高

載流子的濃度越高

本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。歸納

2.雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體使某種載流子濃度大大增加。在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量雜質(zhì)。1）N型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體（四價）中摻入少量的五價元素磷，使自由電子濃度大大增加。多數(shù)載流子（多子）：電子。取決于摻雜濃度；少數(shù)載流子（少子）：空穴。取決于溫度。+4+4+5+4N型半導(dǎo)體多余電子磷原子2）P型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體（四價）中摻入少量的三價元素硼，使空穴濃度大大增加。多數(shù)載流子（多子）：空穴。取決于摻雜濃度；少數(shù)載流子（少子）：電子。取決于溫度。+4+4+3+4空穴硼原子雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半導(dǎo)體++++++++++++++++++++++++N型半導(dǎo)體歸納3、雜質(zhì)半導(dǎo)體中起導(dǎo)電作用的主要是多子。4、N型半導(dǎo)體中電子是多子，空穴是少子；P型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子。1、雜質(zhì)半導(dǎo)體中兩種載流子濃度不同，分為多數(shù)載流子和少數(shù)載流子（簡稱多子、少子）。2、雜質(zhì)半導(dǎo)體中多數(shù)載流子的數(shù)量取決于摻雜濃度，少數(shù)載流子的數(shù)量取決于溫度?！簟簟簟?.1.2PN結(jié)的形成在一塊本征半導(dǎo)體在兩側(cè)通過擴(kuò)散不同的雜質(zhì),分別形成N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。

因濃度差

多子的擴(kuò)散運動

由雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)

空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場

內(nèi)電場促使少子漂移

內(nèi)電場阻止多子擴(kuò)散

多子的擴(kuò)散和少子的漂移達(dá)到動態(tài)平衡－－－－P型半導(dǎo)體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半導(dǎo)體++++++++++++++++++++++++擴(kuò)散運動內(nèi)電場E漂移運動空間電荷區(qū)PN結(jié)處載流子的運動漂移運動P型半導(dǎo)體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半導(dǎo)體++++++++++++++++++++++++擴(kuò)散運動內(nèi)電場EPN結(jié)處載流子的運動擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬。內(nèi)電場越強(qiáng)，就使漂移運動越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。漂移運動P型半導(dǎo)體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半導(dǎo)體++++++++++++++++++++++++擴(kuò)散運動內(nèi)電場EPN結(jié)處載流子的運動所以擴(kuò)散和漂移這一對相反的運動最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個區(qū)之間沒有電荷運動，空間電荷區(qū)的厚度固定不變?？臻g電荷區(qū)N型區(qū)P型區(qū)－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++PN結(jié)

空間電荷區(qū)中沒有載流子。

空間電荷區(qū)中內(nèi)電場阻礙多子（P中的空穴、N中的電子）的擴(kuò)散運動。

P中的電子和N中的空穴（都是少子）數(shù)量有限，因此由它們形成的漂移電流很小。

空間電荷區(qū)中內(nèi)電場推動少子（P中的電子、N中的空穴）的漂移運動。歸納

1）PN結(jié)加正向電壓時的導(dǎo)電情況

外加的正向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，方向與PN結(jié)內(nèi)電場方向相反，削弱了內(nèi)電場。于是,內(nèi)電場對多子擴(kuò)散運動的阻礙減弱，擴(kuò)散電流加大。擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響，PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性。

2）PN結(jié)加反向電壓時的導(dǎo)電情況

外加的反向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，方向與PN結(jié)內(nèi)電場方向相同，加強(qiáng)了內(nèi)電場。內(nèi)電場對多子擴(kuò)散運動的阻礙增強(qiáng)，擴(kuò)散電流大大減小。此時PN結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場的作用下形成的漂移電流大于擴(kuò)散電流，可忽略擴(kuò)散電流，PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關(guān)，這個電流也稱為反向飽和電流。

空間電荷區(qū)中沒有載流子。

空間電荷區(qū)中內(nèi)電場阻礙多子（P中的空穴、N中的電子）的擴(kuò)散運動。

P中的電子和N中的空穴（都是少子），數(shù)量有限，因此由它們形成的漂移電流很小。

空間電荷區(qū)中內(nèi)電場推動少子（P中的電子、N中的空穴）的漂移運動。PN結(jié)加正向電壓（正向偏置）：P區(qū)接電源的正極、N區(qū)接電源的負(fù)極。PN結(jié)加反向電壓（反向偏置）：P區(qū)接電源的負(fù)極、N區(qū)接電源的正極。5.1.3PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)正向偏置內(nèi)電場外電場變?。?+++PN+_內(nèi)電場被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)能夠形成較大的擴(kuò)散電流。I正PN結(jié)反向偏置變厚I反內(nèi)電場外電場－－－－++++NP+_++++++++－－－－－－－－內(nèi)電場被被加強(qiáng)，多子的擴(kuò)散受抑制。少子漂移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉蛱匦苑聪蛱匦詺w納◆◆P（+），N（-），外電場削弱內(nèi)電場，結(jié)導(dǎo)通，I大；I的大小與外加電壓有關(guān)。P（-），N（+），外電場增強(qiáng)內(nèi)電場，結(jié)不通，I反很??；I反的大小與少子的數(shù)量有關(guān)，與溫度有關(guān)。PN結(jié)的伏安特性uiU(BR)0u>0，u↑→i↑正向特性反向特性|u|↑>U(BR)，反向擊穿u<0，i≈-IS，恒定不變按指數(shù)規(guī)律快速增加5.2.1二極管的基本結(jié)構(gòu)5.2.2二極管的伏安特性5.2.3二極管的主要參數(shù)5.2.4二極管的應(yīng)用舉例5.2半導(dǎo)體二極管5.2.1二極管的基本結(jié)構(gòu)小功率二極管大功率二極管穩(wěn)壓二極管發(fā)光二極管PN結(jié)+引線+封裝=二極管。PN陽極陰極VD二極管結(jié)構(gòu)類型(1)點接觸型二極管—PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。(2)面接觸型二極管—PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。uiU(BR)0UonIS20℃開啟電壓反向飽和電流擊穿電壓材料開啟電壓導(dǎo)通電壓反向飽和電流硅Si0.5V0.5~0.8V1μA以下鍺Ge0.1V0.1~0.3V幾十μA5.2.2二極管的伏安特性VD2.反向特性硅：Is<0.1

A，鍺：Is＝幾十

A。U（BR）=幾十伏uiU(BR)0UTIS20℃1.正向特性死區(qū)電壓UT：正向電壓超過某一數(shù)值后，才有明顯的正向電流。硅：UT=0.5V；鍺：UT=0.1V正向?qū)妷篣范圍：

硅：0.6~0.8V（計算時取0.7V）鍺：0.1~0.3V（計算時取0.2V）使用時應(yīng)加限流電阻。反向電流很小，與溫度有關(guān)；|U|

擊穿電壓，擊穿導(dǎo)通，反向電流急劇增加；EVDEVD溫度對二極管伏安特性的影響0uiU(BR)UonIS20℃80℃溫度增加，Uon減小，IS增加。正向曲線左移，反向曲線下移。T（℃）↑→在電流不變情況下管壓降u↓→反向飽和電流IS↑，U(BR)↓5.2.3二極管的主要參數(shù)1.最大正向電流IFM2.最高反向工作電壓URM二極管長時間連續(xù)工作時，允許流過的最大正向平均電流。二極管正常工作時，允許承受的最大反向工作電壓。3.正向?qū)妷篣F二極管通過額定正向電流時，在兩極間所產(chǎn)生的導(dǎo)通壓降。4.反向電流IR二極管通過額定正向電流時，在兩極間所產(chǎn)生的導(dǎo)通壓降。1.理想二極管U>0，D導(dǎo)通；UD=0，I取決于外電路；相當(dāng)于一個閉合的開關(guān)EVDIUDEIUU

0，D截止；I=0，UD（負(fù)值）取決于外電路；相當(dāng)于一個斷開的開關(guān)EVDI反UDEI反U5.2.4二極管的應(yīng)用舉例2.二極管的應(yīng)用電路如圖示：已知E=5V，ui=10sin

tVRVDEuiuO解：此類電路的分析方法：當(dāng)D的陽極電位高于陰極電位時，D導(dǎo)通，將D作為一短路線；當(dāng)D的陽極電位低于陰極電位時，D截止，將D作為一斷開的開關(guān)；將二極管看成理想二極管ui

tuO

t10V5V5V削波例1求：uO的波形RRLuiuRuotttuiuRuo設(shè)

=RC

tp，求uo的波形tp例2電路如圖示：已知VA=3VVB=0V求：VF=？解：此類電路的分析方法：將二極管看成理想二極管。當(dāng)幾個二極管共陽極或共陰極連接時，承受正向電壓高的二極管先導(dǎo)通。VDB通，VF=0VRVDAAVDBB+12VF箝位隔離例3二極管的特點單向?qū)щ娦远O管的應(yīng)用開關(guān)、箝位、隔離、檢波、整流等歸納5.3穩(wěn)壓二極管uiUZIZIZmax

UZ

IZ曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。1.結(jié)構(gòu)和符號：結(jié)構(gòu)同二極管2.伏安特性：穩(wěn)壓值同二極管VDZ穩(wěn)壓誤差+-+-3.主要參數(shù)(1)穩(wěn)定電壓UZ(2)穩(wěn)定電流IZ穩(wěn)壓管中的電流為規(guī)定電流時，穩(wěn)壓管兩端的電壓值。穩(wěn)壓管正常工作時的參考電流值，對應(yīng)UZ的值。UIUZIZIZmax(3)動態(tài)電阻rZ類似二極管的動態(tài)電阻，反映了穩(wěn)壓區(qū)電壓變化量與電流變化量之比，越小越好。一般為幾歐到幾十歐。（4）最大穩(wěn)定電流IZM保證穩(wěn)壓管不被熱擊穿允許通過的最大反向電流。（6）溫度系數(shù)α溫度升高，UZ增加，正溫度系數(shù)。溫度升高，UZ減小，負(fù)溫度系數(shù)。（%/℃）（5）最大耗散功率PZM管子不發(fā)生熱擊穿的最大耗散功率。4.穩(wěn)壓管與二極管的主要區(qū)別穩(wěn)壓管運用在反向擊穿區(qū)

二極管運用在正向區(qū)；穩(wěn)壓管比二極管的反向特性更陡。

穩(wěn)壓二極管在工作時應(yīng)反接，并串入一只電阻。電阻的作用：一是起限流作用，以保護(hù)穩(wěn)壓管；其次是當(dāng)輸入電壓或負(fù)載電流變化時，通過該電阻上電壓降的變化，取出誤差信號以調(diào)節(jié)穩(wěn)壓管的工作電流，從而起到穩(wěn)壓作用。UODZRRL+－R---串聯(lián)在穩(wěn)壓電路中；

---必不可少！

---取值合適（使穩(wěn)壓管工作在擊穿區(qū)）R---限流電阻

---調(diào)整電阻5.應(yīng)用電路已知圖示電路中，UZ=6V，最小穩(wěn)定電流IZ=5mA，最大穩(wěn)定電流IZmax=25mA，負(fù)載電阻RL=600Ω，求限流電阻R的取值范圍。UI=10V解：由：得：uiO△u△iIZUZIZM例4UOVDZRRL5.4.1三極管的基本結(jié)構(gòu)5.4.2三極管的工作原理5.4.3三極管的伏安特性5.4.4三極管的主要參數(shù)5.4半導(dǎo)體三極管BipolarJunctionTransistor------BJT簡稱晶體管或三極管雙極型器件兩種載流子（多子、少子）半導(dǎo)體三極管--雙極型晶體管晶體管具有的能力電流控制（currentcontrol）電流放大（currentamplify）

5.4.1三極管的基本結(jié)構(gòu)NPN集電區(qū)發(fā)射區(qū)基區(qū)發(fā)射極集電極基極ECB發(fā)射結(jié)集電結(jié)1.基區(qū)很薄2.發(fā)射區(qū)摻雜濃度>>基區(qū)摻雜濃度3.集電區(qū)尺寸>發(fā)射區(qū)尺寸，集電區(qū)摻雜濃度<發(fā)射區(qū)摻雜濃度結(jié)構(gòu)特點：集電區(qū)：面積較大發(fā)射區(qū)：摻雜濃度較高基區(qū)：較薄，摻雜濃度低類型及符號NPN型PNP型BECNNP基極發(fā)射極集電極PNP集電極基極發(fā)射極BCE三極管放大的條件①內(nèi)部條件發(fā)射區(qū)高摻雜(故管子E、C極不能互換)

基區(qū)很薄(幾個

m)

②外部條件發(fā)射結(jié)(EB結(jié))正偏集電結(jié)(CB結(jié))反偏

5.4.2三極管的工作原理發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏VC>VB>VEVC<VB<VEB（P）C（N）iBiEiCNPN型三極管E（N）iBiEiCPNP型三極管C（P）B（N）E（P）1.放大狀態(tài)BECNNPEBRBEcRCEB保證發(fā)射結(jié)正偏，EC>EB保證集電結(jié)反偏。進(jìn)入P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流IB

，多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。BECNNPEBRBEc發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流IE。IEIBRCIB電流分配從基區(qū)擴(kuò)散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成IC。BECNNPEBRBEcIEICIBICRCIB發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流IE。進(jìn)入P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流IB

，多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。電流分配IC與IB之比稱為電流放大系數(shù)靜態(tài)電流放大系數(shù)：動態(tài)電流放大系數(shù)：通常：電流放大系數(shù)2.飽和狀態(tài)當(dāng)三極管的UCE<UBE時，BC結(jié)處于正向偏置，此時，即使再增加IB，IC也不會增加了。

飽和狀態(tài)飽和的三極管相當(dāng)于一個閉合的開關(guān)3.截止?fàn)顟B(tài)當(dāng)三極管的UBE<UT時，BE結(jié)處于反向偏置。

截止?fàn)顟B(tài)飽和的三極管相當(dāng)于一個斷開的開關(guān)5.4.3三極管的伏安特性

測試線路：（共發(fā)射極電路）mA

AVVuCEuBERBiBECEBRCiC

輸入特性：

輸出特性：發(fā)射結(jié)電壓uBE與基極電流iB的關(guān)系。集電極電流iC與管壓降uCE的關(guān)系。死區(qū)電壓，硅管0.5V，鍺管0.2V（1）輸入特性iB(

A)uBE(V)204060800.40.8UCE

1VUBEIB工作壓降：硅管UBE

0.6~0.7V,鍺管UBE

0.2~0.3VECBiBuBE+-（2）輸出特性iCuCEECB+-uCEiC0IB=0IB1IB2IB3IB4IB5①取IB=IB2，起始部分很陡，UCE≥1V后，較平坦。原因：UCE較小時，UCE增加，集電區(qū)收集能力增強(qiáng)，使IC增強(qiáng)；UCE≥1V后，集電區(qū)收集能力足夠大，IC不再增強(qiáng)。②IB取不同的值，可得到一組曲線。原因：

相同UCE下，IB增加，

IC增加，曲線上移。晶體管的三個工作區(qū)域②放大區(qū)：線性區(qū)特點：IC=βIB；特點：IB≤0，

IC≤

ICEO≈0③飽和區(qū)：特點：IC≦βIB。飽和管壓降：UCE(sat)≈0.1V，IC取決于外電路。uCEiC0IB=0IB1IB2IB3IB4IB5放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)條件：發(fā)射結(jié)反偏(UBE≤UT)。①截止區(qū)：的區(qū)域。條件：發(fā)射結(jié)正偏(UBE≤UT)

，集電結(jié)反偏(UCE>UBE)

條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏(UCE<UBE)

特性歸納輸入特性同二極管的正向特性uBE

iB

輸出特性一組曲線（一個iB對應(yīng)一條曲線）uBE>0，uCE>uBE發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏iC=

iB電流放大作用uBE<0，iB

0

發(fā)射結(jié)反偏uBE>0，uCE<uBEiC=

iB發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏無電流放大作用放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)iC(mA)1234uCE(V)36912iB=020

A40

A60

A80

A100

A5.4.4三極管的主要參數(shù)直流電流放大倍數(shù)：1.電流放大倍數(shù)交流電流放大倍數(shù)：兩者非常接近，通常用作：一般為20~2002.最大集電極電流ICM集電極電流IC上升會導(dǎo)致三極管的

值的下降，當(dāng)

值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為ICM。3.最大耗散功耗PCMPC=iCuCE必定導(dǎo)致結(jié)溫上升，所以PC有限制。PC

PCM4.集-射極反向截止電流ICEO

AICEO基極開路時的集電極電流。隨溫度變化。所以集電極電流應(yīng)為：IC=

IB+ICEO而ICEO受溫度影響很大，當(dāng)溫度上升時，ICEO增加很快，所以IC也相應(yīng)增加。三極管的溫度特性較差。iCuCEiCuCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作區(qū)例5：測得電路中各晶體管各極的電位，判斷各管的工作狀態(tài)。解：判據(jù)：發(fā)射結(jié)正偏，且UBE>UT，集電結(jié)反偏；放大發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏；飽和發(fā)射結(jié)反偏，或UBE<Uon，集電結(jié)反偏；截止VT1發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏放大VT2發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)正偏飽和VT3發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏放大VT4發(fā)射結(jié)零偏集電結(jié)反偏截止*5.5絕緣柵型場效應(yīng)晶體管1.場效應(yīng)管的符號學(xué)習(xí)場效應(yīng)管遇到的第一個難題就是FET種類太多，符號復(fù)雜。為了便于理解最精華的知識，我們將場效應(yīng)管的符號簡化為一個三端器件，如圖所示。2.場效應(yīng)管與三極管的相似之處場效應(yīng)管的柵極G、漏極D和源極S分別可對應(yīng)三極管的基極B、集電極C和發(fā)射極E。對于三極管，控制信號是加載在BE之間；而場效應(yīng)管是加載在GS之間。三極管的“主電流”為集電極電流IC，場效應(yīng)管的“主電流”為漏極電流ID。N型三極管（NPN）的主電流是自C流向E，P型（PNP）則反過來由E流向C。N型場效應(yīng)管（N溝道）的主電流是自D流向S，P型（P溝道）也是反過來。3.場效應(yīng)管與三極管的不同之處+-uGSiBiCiD三極管通常等效為為流控電流源，即基極電流iB控制集電極電流iC；場效應(yīng)管（FET）則對應(yīng)等效為壓控電流源，即柵源電壓uGS控制漏極電流iD。三極管屬于“線性控制”，即控制信號iB與被控信號iC兩者之間的關(guān)系近似正比（iC=βiB），輸出特性曲線是等間距的。而場效應(yīng)管控制信號uGS與被控制信號iD兩者之間的關(guān)系不是正比關(guān)系而是二次曲線，輸出特性曲線間隔逐漸增大。場效應(yīng)管的輸出特性曲線晶體管輸出特性曲線4.場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線由于場效應(yīng)管的壓控電流特性不是線性的，因此就有了所謂的轉(zhuǎn)移特性曲線來描述兩者的關(guān)系。由簡入繁，這里我們