智慧芽-2023Micro-LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)洞察白皮書

2023技術(shù)洞察白皮書 技術(shù)突破在即后端應(yīng)用在望）｜發(fā)布機(jī)構(gòu)牙國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州以下簡(jiǎn)稱國創(chuàng)中心）圍繞落實(shí)國家科技動(dòng)能，加快我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升。國創(chuàng)中心于2021年3月獲科國創(chuàng)中心目前由郝躍院士擔(dān)任首任主任，擁有核心團(tuán)隊(duì)80余人；建有研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化場(chǎng)地2.1萬平米，建成材料生長創(chuàng)新平臺(tái)、測(cè)試分析與服役評(píng)價(jià)平臺(tái)等公共服務(wù)蘇省、科技部重點(diǎn)研發(fā)任務(wù)。國創(chuàng)中心成立規(guī)模3億元科技專項(xiàng)基金，支持中心項(xiàng)向知識(shí)產(chǎn)權(quán)人群提供包括專利數(shù)據(jù)庫、知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理系統(tǒng)在內(nèi)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)信牙01Micro-LED技術(shù)概覽02Micro-LED產(chǎn)業(yè)&競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境介紹03Micro-LED重點(diǎn)技術(shù)解析04Micro-LED典型企業(yè)技術(shù)布局Micro-LED技術(shù)概覽技術(shù)介紹主要應(yīng)用場(chǎng)景&市場(chǎng)規(guī)模技術(shù)發(fā)展史技術(shù)創(chuàng)新概況壽命，高對(duì)比度，可實(shí)現(xiàn)高分辨率，響應(yīng)速度快，Micro-LED促使顯示屏向輕薄化、小型化、低功耗、高亮度方向發(fā)展壽命，高對(duì)比度，可實(shí)現(xiàn)高分辨率，響應(yīng)速度快，Micro-LED促使顯示屏向輕薄化、小型化、低功耗、高亮度方向發(fā)展OMicro-LED：芯片高集成、高密度和微小尺寸化，將成為LED未來的發(fā)展方向MicroMicro-LED：在一個(gè)芯片上集成高密度微小尺寸的LED陣列Micro-LED：與LCD和OLED相比具有低功耗性能優(yōu)勢(shì)優(yōu)勢(shì)1：低功耗優(yōu)勢(shì)1：低功耗程中需要借助背光源到偏光片再到彩色濾光片，該顯LCD、OLED和Micro-LED功耗比OMicro-LED：與LCD和OLED相比具有高亮度優(yōu)勢(shì)優(yōu)勢(shì)2：高亮度優(yōu)勢(shì)2：高亮度LCD、OLED和Micro-LED資料來源：LED微顯示技術(shù)[J],太平洋證優(yōu)勢(shì)3：高分辨率夠自發(fā)光的像素（Pixel同時(shí)單個(gè)Micr優(yōu)勢(shì)3：高分辨率夠自發(fā)光的像素（Pixel同時(shí)單個(gè)Micr而LCD和OLED屏幕PPI約在800PPMicro-LED：與LCD和OLED相比具有高分辨率5.55.5寸micro-LED屏幕PPI估算facebookNUOfacebookNUOMicro-LED:應(yīng)用場(chǎng)景覆蓋顯示、穿戴設(shè)備、智能終端等場(chǎng)景xdispleysnMSUNG2021年2022年2024年2025年2027年>目前Micro-LED芯片已在眼鏡、電視等顯示場(chǎng)景實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化OMicro-LED顯示應(yīng)用場(chǎng)景預(yù)計(jì)率先實(shí)現(xiàn)較大規(guī)模化市場(chǎng)增長2023-2026年Micro-LEDAR眼鏡顯示器芯片產(chǎn)值預(yù)測(cè)Micro-LED顯示產(chǎn)品應(yīng)用舉例5052>>在較多的Micro-LED顯示應(yīng)用中，微型顯示器應(yīng)用場(chǎng)景（例如VR穿>預(yù)計(jì)在2026年Micro-LEDAR眼鏡顯示器芯片產(chǎn)值高達(dá)41百萬美元OMicro-LED顯示器及其芯片等零配件行業(yè)受下游應(yīng)用市場(chǎng)影響，增幅潛力大2022-2026年全球Micro-LED顯示器芯片產(chǎn)值預(yù)測(cè)全球Micro-LED顯示器出貨量預(yù)測(cè)0>>2022年Micro-LED大型顯示器芯片產(chǎn)值將達(dá)到5400萬美元，至2026年有望升至45億美元，年復(fù)合增長率為204%，戰(zhàn)略投資技術(shù)合作戰(zhàn)略投資技術(shù)合作OMicro-LED企業(yè)之間主要通過投融資和技術(shù)合作方式形成各自技術(shù)供應(yīng)鏈snMSUNGFoxconnGoogleyanosyssnMSUNGsnMSUNGsnMSUNGyanosys田KOPINsnMSUNGMicro-LED各大主流廠商合作和供應(yīng)鏈關(guān)系主流廠商合作和供應(yīng)關(guān)系BE以三星為中心的合作&供應(yīng)鏈蘋果供應(yīng)鏈snMSUNGe“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”各國出臺(tái)專項(xiàng)扶持政策，國內(nèi)政策支持持續(xù)利好Micro-LED技術(shù)性能優(yōu)市場(chǎng)潛力大技術(shù)創(chuàng)新趨勢(shì)Micro-LED技術(shù)性能優(yōu)市場(chǎng)潛力大技術(shù)創(chuàng)新趨勢(shì)政策環(huán)境好政策環(huán)境好OMicro-LED技術(shù)發(fā)展史：近幾年陸續(xù)有顯示產(chǎn)品面市，國內(nèi)研究熱度較高彩色被動(dòng)模塊彩色被動(dòng)模塊；利結(jié)合Micro-結(jié)合Micro-集成Micro-片權(quán)列列機(jī)FHD分辨率，微型LED術(shù)Wall”O(jiān)Micro-LED技術(shù)全球創(chuàng)新概況：全球技術(shù)創(chuàng)新熱度進(jìn)入高漲期Micro-LED技術(shù)全球?qū)＠蔂顟B(tài)和專利類型統(tǒng)計(jì)Micro-LED技術(shù)全球?qū)＠?0年申請(qǐng)趨勢(shì)Micro-LED技術(shù)主要來源國統(tǒng)計(jì)Micro-LED技術(shù)主要布局區(qū)域統(tǒng)計(jì)OMicro-LED全球&中國主要?jiǎng)?chuàng)新主體中國專利申請(qǐng)量Top10創(chuàng)新主體全球?qū)＠暾?qǐng)量中國專利申請(qǐng)量Top10創(chuàng)新主體三星京東方華星光電蘋果META/facebook群創(chuàng)光電華為天馬微電子友達(dá)光電日本顯示器康佳光電LUMILEDS首爾偉傲世半導(dǎo)體能源研究所0100020003000400050006000京東方華星光電群創(chuàng)光電華為天馬微電子友達(dá)光電康佳光電PLAYNITRIDE辰顯光電OPPOMicro-LED產(chǎn)業(yè)&競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境介紹產(chǎn)業(yè)鏈介紹產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)圖譜國內(nèi)代表性企業(yè)分布OMicro-LED產(chǎn)業(yè)鏈和關(guān)鍵技術(shù)介紹芯片制造&巨量轉(zhuǎn)移面板制造整機(jī)應(yīng)用備顯示）外延&芯片結(jié)構(gòu)外延&芯片結(jié)構(gòu)巨量轉(zhuǎn)移全彩顯示顯示驅(qū)動(dòng)影響Micro-LED產(chǎn)業(yè)化成本&應(yīng)用可靠性技術(shù)發(fā)展4大關(guān)鍵技術(shù)顯示驅(qū)動(dòng)全彩顯示巨量轉(zhuǎn)移snMSUNG顯示驅(qū)動(dòng)全彩顯示巨量轉(zhuǎn)移snMSUNG全球Micro-LED產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)圖譜芯片結(jié)構(gòu)&外延芯片結(jié)構(gòu)&外延廣東省廣東省0中國Micro-LED代表性企業(yè)分布北京市江蘇省臺(tái)灣省Micro-LED重點(diǎn)技術(shù)解析外延&芯片制造巨量轉(zhuǎn)移全彩顯示顯示驅(qū)動(dòng)Micro-LED——外延&芯片制造技術(shù)介紹技術(shù)創(chuàng)新概況主要?jiǎng)?chuàng)新主體主要技術(shù)挑戰(zhàn)專利洞察改進(jìn)側(cè)壁損傷臺(tái)階刻蝕外延電極制備利用MOCVD進(jìn)行氣相外延，臺(tái)階刻蝕外延電極制備利用MOCVD進(jìn)行氣相外延，0外延&芯片結(jié)構(gòu)技術(shù)介紹芯片工藝流程導(dǎo)電層制備0外延&芯片結(jié)構(gòu)全球創(chuàng)新概況專利總量：3500件+有效專利量：1300件+>在外延&芯片結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，目前全球?qū)＠季挚偭砍^3500件，該技術(shù)方外延&芯片結(jié)構(gòu)2010年之后專利申請(qǐng)趨勢(shì)圖>2015年之后該技術(shù)總體創(chuàng)新熱度提升，可能受近幾年Micro-LED領(lǐng)域整體0外延&芯片結(jié)構(gòu)技術(shù)來源國和主要市場(chǎng)分布外延&芯片結(jié)構(gòu)技術(shù)主要專利布局區(qū)域分布外延外延&芯片結(jié)構(gòu)技術(shù)主要專利布局區(qū)域分布0外延&芯片結(jié)構(gòu)全球&中國創(chuàng)新主體競(jìng)爭(zhēng)格局全球?qū)＠暾?qǐng)量Top15創(chuàng)新主體中國專利申請(qǐng)量Top10創(chuàng)新主體>>在外延&芯片結(jié)構(gòu)方向，全球TOP15企業(yè)中0外延&芯片結(jié)構(gòu)目前主要技術(shù)挑戰(zhàn)：聚焦量子效率問題 技術(shù)挑戰(zhàn)波長均勻性波長均勻性低缺陷量子效率量子效率效率急劇降低，這主要是由于制造過程中等離子專利視角洞察業(yè)內(nèi)如何改進(jìn)側(cè)壁損傷有電流調(diào)控結(jié)構(gòu)的區(qū)域，避免側(cè)壁漏電。示例專利示例專利US11101405B2于限定LED內(nèi)部的電流遠(yuǎn)離US11101405B2于限定LED內(nèi)部的電流遠(yuǎn)離US9865772B2OMetaOSRAMOApple/Luxvue：改進(jìn)側(cè)壁損傷主要通過限制電流遠(yuǎn)離側(cè)壁US9768345B2US9450147B2CN107408603BUS9484492B2CN114520280A改善干蝕刻造成的側(cè)壁懸浮鍵。CN113782654A2021202020222017CN114520280A改善干蝕刻造成的側(cè)壁懸浮鍵。CN113782654A2021202020222017多種手段改進(jìn)側(cè)壁損傷錼創(chuàng)(PlayNitride）：多種手段改進(jìn)側(cè)壁損傷錼創(chuàng)(CN109244204BTWI756884B少載流子往側(cè)壁的移動(dòng)。TWI741854BUS11393946B2錼創(chuàng)改進(jìn)側(cè)壁損傷方案較錼創(chuàng)改進(jìn)側(cè)壁損傷方案較多,例如通過改變芯片結(jié)構(gòu)方式：例如在P/N半導(dǎo)體層何電極之間設(shè)置電流調(diào)技術(shù)介紹全球創(chuàng)新概況主要?jiǎng)?chuàng)新主體主要技術(shù)流派代表企業(yè)技術(shù)發(fā)展路線>將Micro-LED移動(dòng)到驅(qū)動(dòng)電路基板的準(zhǔn)確度，>將Micro-LED移動(dòng)到驅(qū)動(dòng)電路基板的準(zhǔn)確度，三大轉(zhuǎn)移難題萬片，還包括是否需要多次維修、重新定位、或>顯示產(chǎn)品對(duì)于像素錯(cuò)誤的容忍度極低，如果要制造少于5個(gè)像素壞點(diǎn)的全彩1920*1080顯示屏，0巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹需要轉(zhuǎn)移步驟將制作好的Micro-LED晶粒轉(zhuǎn)移到驅(qū)動(dòng)電0巨量轉(zhuǎn)移全球創(chuàng)新概況：技術(shù)儲(chǔ)備豐富，總體創(chuàng)新趨勢(shì)趨于平穩(wěn)發(fā)展專利總量：專利總量：3300件+有效專利量：1400件+巨量轉(zhuǎn)移2010年之后專利申請(qǐng)趨勢(shì)圖巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)來源國和主要市場(chǎng)分布巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)主要技術(shù)來源國分布巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)主要技術(shù)來源國分布巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)主要專利布局區(qū)域分布巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)主要專利布局區(qū)域分布0巨量轉(zhuǎn)移全球&中國主要?jiǎng)?chuàng)新主體全球?qū)＠暾?qǐng)量Top15創(chuàng)新主體中國專利申請(qǐng)量Top10創(chuàng)新主體2500501001502000250050100150200APPLEAPPLEXDC康佳京東方 三星普因特TCL華星光電辰顯光電歌爾股份華星光電三安光電VUEREAMIKROMESA南京中電京東方TCL華星光電辰顯光電歌爾股份華星光電三安光電南京中電廣東工業(yè)大學(xué)友達(dá)光電X-Celeprint/XDC蘋果（Luxvue）巨量轉(zhuǎn)移PlayNitrideX-Celeprint/XDC蘋果（Luxvue）巨量轉(zhuǎn)移PlayNitride、ITRIQMAT、UniqartaeLUX、SelfArray0巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)流派及代表企業(yè)技術(shù)流派專利數(shù)量代表企業(yè)分子作用力靜電磁力轉(zhuǎn)移激光轉(zhuǎn)印接收基板轉(zhuǎn)接頭US20220135400A1（審中）高效轉(zhuǎn)移的工具和方法：拾取載體基板上不同區(qū)樞軸CN107195558B轉(zhuǎn)移頭微拾取陣列的支座：包括樞軸和橫梁等US9217541B2載體基板結(jié)構(gòu)：微器件與載體基板僅通過剪切釋放柱CN106794984B支座：樞轉(zhuǎn)平臺(tái)的次彈簧臂剛度較低，提供放大的應(yīng)變接收基板轉(zhuǎn)接頭US20220135400A1（審中）高效轉(zhuǎn)移的工具和方法：拾取載體基板上不同區(qū)樞軸CN107195558B轉(zhuǎn)移頭微拾取陣列的支座：包括樞軸和橫梁等US9217541B2載體基板結(jié)構(gòu)：微器件與載體基板僅通過剪切釋放柱CN106794984B支座：樞轉(zhuǎn)平臺(tái)的次彈簧臂剛度較低，提供放大的應(yīng)變到應(yīng)變感測(cè)元件。US10814496B2轉(zhuǎn)移頭微拾取陣列的支座：樞軸平臺(tái)正面設(shè)加熱元件和電極，背1234US8415768B1US8415767B1基底設(shè)有空腔，補(bǔ)償包括金屬電極的轉(zhuǎn)移頭結(jié)構(gòu)。US9425151B2基底上進(jìn)一步設(shè)置彈簧支撐層。US10276419B1叉指型電極，臺(tái)面結(jié)構(gòu)的電壓極臺(tái)面結(jié)構(gòu)US9034754B2形成硅互連和硅電極，每個(gè)硅電極包括突出于轉(zhuǎn)移頭電極OLUXVUE、蘋果技術(shù)發(fā)展路線：聚焦轉(zhuǎn)移頭組件US8349116B1靜電轉(zhuǎn)移頭結(jié)構(gòu)：基底、臺(tái)面結(jié)構(gòu)、電極、介熱量傳遞到鍵合層使其熔化。US61561706P0US61597109P0US61597658P0US8573469B2US8789573B2US8794501B2US8809875B2US8646505B2US9620478B2US8333860B1法US9463613B2US9831383B2US8552436B2US8558243B2USUS61561706P0US61597109P0US61597658P0US8573469B2US8789573B2US8794501B2US8809875B2US8646505B2US9620478B2US8333860B1法US9463613B2US9831383B2US8552436B2US8558243B2US10121864B2OMetasnMSUNG US10607961B2蘋果/LuxVue核心專利家族解讀：圍繞轉(zhuǎn)移技術(shù)全面專利保護(hù)2011年11月18日2012年02月03日2012年02月09日US61594919P0USUS8349116B1USUS10297712B2 微轉(zhuǎn)印的方法：微轉(zhuǎn)印的方法：彈性印章：激光輔助轉(zhuǎn)?。阂肙XDC技術(shù)發(fā)展路線：持續(xù)改進(jìn)系鏈錨點(diǎn)以弱化器件與原生襯底的連接改進(jìn)系鏈錨點(diǎn)適于微轉(zhuǎn)印的器件結(jié)構(gòu)：適于微轉(zhuǎn)印的器件制造方法：微器件結(jié)構(gòu)：彈性印章：微器件結(jié)構(gòu)：選擇性去除壞點(diǎn)的轉(zhuǎn)印方法：件，利用光源照射移除壞點(diǎn)器件，EPISTAROSRAMOMetafacebooksnMSUNGMicro-LED——全彩顯示技術(shù)介紹全球創(chuàng)新概況主要?jiǎng)?chuàng)新主體主流全彩顯示技術(shù)發(fā)展路線色Micro-LED和藍(lán)色Micro-l藍(lán)光/紫外Micro-LED作為激發(fā)光照射到量子紫外Micro-LED、紅光量子點(diǎn)、綠光量子點(diǎn)lGaN與不同含量的In/Al合金化時(shí)，其發(fā)光范圍可覆蓋RGB光譜，生長InGaN/GaN納米線像素，調(diào)節(jié)納米線直徑以及對(duì)納米線LED中的In含量進(jìn)行精確控制來調(diào)節(jié)光譜，l技術(shù)挑戰(zhàn)：In含量難精確控制,難配置驅(qū)動(dòng)0全彩顯示技術(shù)介紹：以RGB三色LED、波長轉(zhuǎn)換和3D納米線法為主全彩顯示創(chuàng)新概況：未來創(chuàng)新熱度將進(jìn)一步提升，潛在專利障礙大專利總量：2000件+有效專利量：650件+>全彩顯示技術(shù)目前全球?qū)＠季挚偭砍^2000件，該技術(shù)方向目前專利儲(chǔ)備巨量轉(zhuǎn)移2010年之后專利申請(qǐng)趨勢(shì)圖材料的可靠性以及波長一致性不高、納米線中In含量難精確>2017年開始該技術(shù)創(chuàng)新熱度明顯提升，潛在原因在于全球龍頭三星，國內(nèi)頭部企業(yè)京東方、華星光電等近幾年在該方向創(chuàng)新熱全彩顯示技術(shù)來源國和主要市場(chǎng)分布全彩顯示技術(shù)主要技術(shù)來源國分布全彩顯示技術(shù)主要專利布局區(qū)域分布0全彩顯示技術(shù)全球&中國主要?jiǎng)?chuàng)新主體華星光電京東方三星群創(chuàng)光電英特爾V-TECHLUMENS應(yīng)用材料康佳光電LUMILEDS全球?qū)＠暾?qǐng)量Top10新主體020406080100120中國專利申請(qǐng)量Top10創(chuàng)新主體020406080100120華星光電京東方群創(chuàng)光電康佳光電辰顯光電天馬微電子深圳撲浪福州大學(xué)思坦科技南方科技大學(xué)0全彩顯示技術(shù)創(chuàng)新概況：目前技術(shù)創(chuàng)新以波長轉(zhuǎn)換方法為主換方法研究最多，并且研究熱度也遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于RGB>三個(gè)主流方法各個(gè)創(chuàng)新代表企業(yè)中，京東方、群創(chuàng)光電和三星在波長轉(zhuǎn)換方法專利申請(qǐng)較多，另外在RGB自發(fā)光和3D納米線技術(shù)方向?qū)＠麅?chǔ)備較企業(yè)分別為：山海顯耀顯示、LUMENS和英特爾、>從三個(gè)主流方向的專利申請(qǐng)趨勢(shì)來看，仍以波長（應(yīng)用材料）US11295972B2（韓國科學(xué)技術(shù)院）（應(yīng)用材料）US11295972B2（韓國科學(xué)技術(shù)院）微真空模塊的Mava模塊定位在芯片型微LED陣列上，將在母基板或臨時(shí)基板上的紅色、藍(lán)色和綠色的微發(fā)光二極管利用真空吸力從母基板或臨時(shí)基板分離,然后轉(zhuǎn)印到目標(biāo)基板。CN110970458B(中國科學(xué)院）紅色像素單元位于藍(lán)綠像素陣列陰極和共用陽極的下方，通過銦錫合金層與下方的紅色像素陣列陰極互連，紅綠像素單元和紅藍(lán)像素單元為上下疊加式排布。0RGB三色LED法技術(shù)路線：重點(diǎn)關(guān)注巨量轉(zhuǎn)移&像素與驅(qū)動(dòng)電路鍵合技術(shù)（華中科技大學(xué)）可控微反射鏡陣列后被分為三束圖案化激光，并分別照射于三種微型發(fā)光二極管所連接的激光釋放層上，使三種顏色的微型發(fā)光二極管選擇性地轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基板上。年年CN110249429B(香港北大青鳥）LED依次由接合接觸116-216連接到對(duì)應(yīng)驅(qū)US9484504B2（蘋果）每個(gè)波長轉(zhuǎn)換層包括分散在其中的US9484504B2（蘋果）每個(gè)波長轉(zhuǎn)換層包括分散在其中的多個(gè)GaN二極管是單色藍(lán)n-GaN層納米多孔表面，在納米孔內(nèi)嵌入綠色發(fā)光量子點(diǎn)成分或紅綠色發(fā)光量子點(diǎn)成分。0波長轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)全彩化的技術(shù)路線：重點(diǎn)關(guān)注量子轉(zhuǎn)換效率和光串?dāng)_問題色彩轉(zhuǎn)換材料來達(dá)成全彩化是目前比較可行的方（華星光電）（三星）利用應(yīng)變弛豫效應(yīng)顏色轉(zhuǎn)換層和透射層。變?yōu)樗{(lán)光。（西安賽富樂斯）（西安賽富樂斯）于防止GaN像素點(diǎn)間的光串?dāng)_。春光學(xué)）在濾光膜層上設(shè)置的PDMS膜層、在在基板上均勻排布凹槽,凹槽內(nèi)部填充不同顏色量子點(diǎn)材料，凹槽側(cè)壁制備金屬反射層，凹槽底部蒸鍍分布布拉格反射層，避免不同量子點(diǎn)之間組分的交聯(lián)，抑制相鄰像素發(fā)光單元之間的光串?dāng)_，墨打印后出現(xiàn)的“咖啡環(huán)效應(yīng)”?；?、兩次量子點(diǎn)注入過程和一次光隔離結(jié)構(gòu)制作過程即可完成量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換層的的制備。ALEDIA基于三維(3D)結(jié)構(gòu)的GANALEDIA基于三維(3D)結(jié)構(gòu)的GAN(3D)結(jié)構(gòu)的形狀為帶有錐形頂部的電線或金字塔形狀。構(gòu)具有鉛筆形狀。US10658422B2（英特爾）在一晶片上生長的第一彩色納米線LED和第二彩色納米線LED，在另一個(gè)晶片上生長一體的第二彩色納米線LED和第三彩色納米線LED，將納米線LED從源晶片轉(zhuǎn)移到背板以形成具有背板的微英特爾US10923622B2（英特爾）微型發(fā)光二極管(LED)顯示面板的像素元件包括第一顏色納米線LED、第二顏色納米線LED、與第一顏色不同的第二顏色、以及一對(duì)第三顏色納米線LED。US11245053B2(英特爾）金字塔502外延生長為納米棒關(guān)聯(lián)的有不同量的銦。CN114664987A（英特爾）背板包括多個(gè)藍(lán)色微LED、多個(gè)綠色微LED和多個(gè)紅色微LED，每個(gè)微LED由多個(gè)納米金字塔LED組成，每個(gè)納米金字塔LED具有接收墊03D納米線Micro-LED技術(shù)發(fā)展路線：以ALEDIA和英特爾技術(shù)創(chuàng)新為主流維發(fā)光二極管，具有不同的GaN界首款納米線Micro-LED芯片，英特爾于2018年也0303-4Micro-LED——顯示驅(qū)動(dòng)技術(shù)介紹全球創(chuàng)新概況主要?jiǎng)?chuàng)新主體CMOS驅(qū)動(dòng)技術(shù)挑戰(zhàn)TFT驅(qū)動(dòng)技術(shù)挑戰(zhàn)>簡(jiǎn)介：Micro-LED陣列用行列掃描方式驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮，列信>簡(jiǎn)介：Micro-LED陣列用行列掃描方式驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮，列信號(hào)由數(shù)三大主流驅(qū)動(dòng)方式>簡(jiǎn)介：使用鍵合技術(shù)將Micro-LED陣列轉(zhuǎn)移到含有TFT驅(qū)動(dòng)背板T倒裝到驅(qū)動(dòng)基板后再應(yīng)用倒裝鍵合技術(shù)將芯片倒裝到硅基CMOS主動(dòng)驅(qū)動(dòng)0Micro-LED顯示驅(qū)動(dòng)技術(shù)介紹MicroMicro-LED顯示驅(qū)動(dòng) 又稱無源尋址、被動(dòng)尋址、無源驅(qū)動(dòng)等等）與有源選址 有源驅(qū)動(dòng)等）Micro-LED顯示驅(qū)動(dòng)全球創(chuàng)新概況專利總量：1700件+有效專利量：560件+顯示驅(qū)動(dòng)2010年之后專利申請(qǐng)趨勢(shì)圖Micro-LED顯示驅(qū)動(dòng)技術(shù)來源國和主要市場(chǎng)分布顯示驅(qū)動(dòng)技術(shù)主要技術(shù)來源國分布顯示驅(qū)動(dòng)技術(shù)主要專利布局區(qū)域分布OMicro-LED顯示驅(qū)動(dòng)技術(shù)全球&中國主要?jiǎng)?chuàng)新主體有差距全球?qū)＠暾?qǐng)量Top10創(chuàng)新主體050100150200250300350中國專利申請(qǐng)量Top10創(chuàng)新主體050100150200250三星華星光電京東方群創(chuàng)光電株式會(huì)社半導(dǎo)體能源所天馬微電子首爾半導(dǎo)體APPLE友達(dá)光電華星光電京東方群創(chuàng)光電天馬微電子 友達(dá)光電 惠科股份 重慶康佳 思坦科技北大青鳥南京中電Micro-Micro-LED顯示驅(qū)動(dòng)技術(shù)專利分布>Micro-LED顯示驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新熱度在TFT驅(qū)動(dòng)，其次是CMOSMicro-LED顯示主流驅(qū)動(dòng)技術(shù)——CMOS驅(qū)動(dòng)和TFT驅(qū)動(dòng)以CMOS和TFT為代表的主動(dòng)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案將成為Micro-LED技術(shù)發(fā)展良伴>視覺刷新頻率越高，畫面顯示越>視覺刷新頻率越高，畫面顯示越過采用數(shù)字化的驅(qū)動(dòng)或數(shù)?；旌系腃MO技術(shù)挑戰(zhàn)技術(shù)挑戰(zhàn)S驅(qū)動(dòng)技術(shù)簡(jiǎn)介轉(zhuǎn)移鍵合技術(shù)，難對(duì)準(zhǔn)轉(zhuǎn)移鍵合技術(shù)，難對(duì)準(zhǔn)>技術(shù)難度高，將RGB三色LED陣列準(zhǔn)備轉(zhuǎn)移到驅(qū)動(dòng)基板上實(shí)現(xiàn)全彩的襯底膨脹系數(shù)與驅(qū)動(dòng)電路的襯底的膨脹系數(shù)不同，導(dǎo)致Micro-LED像不穩(wěn)定>驅(qū)動(dòng)晶體管的內(nèi)部特性發(fā)生緩慢變化，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓發(fā)生漂移，從而影響驅(qū)動(dòng)晶體管的綜合特性，進(jìn)而可能導(dǎo)致在Micro-灰度調(diào)節(jié)，亮度補(bǔ)償難灰度調(diào)節(jié)，亮度補(bǔ)償難（福州大學(xué)）觸層，并采用微接觸印CN（福州大學(xué)）觸層，并采用微接觸印CN110310907B（思坦）將所述Micro-LED芯片以倒裝方式對(duì)準(zhǔn)轉(zhuǎn)移至所述驅(qū)通過導(dǎo)電膠與CMOS驅(qū)動(dòng)電表面的共面電觸點(diǎn)直接路的超平鍵合界面,晶圓到晶圓的直接鍵合。金屬-金屬接合而接合到電極焊CN113885211A（康佳）Micro-LED發(fā)光芯片通過UBM焊盤與CMOS集成電路驅(qū)動(dòng)基CMOS驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)移鍵合技術(shù)路線：重點(diǎn)探索Micro-LED與CMOS驅(qū)動(dòng)電路的鍵合技術(shù)（香港北大青鳥）微型LED陣列通過使用粘合劑被轉(zhuǎn)移到中間Si襯底上，通過中間襯底將微型LED陣列鍵合到CMOS像素驅(qū)動(dòng)器US11270644B2（樂金）驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的補(bǔ)償時(shí)間被充分固定,以便通過CN112992062B（天馬微電子）US11270644B2（樂金）驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的補(bǔ)償時(shí)間被充分固定,以便通過CN112992062B（天馬微電子）將驅(qū)動(dòng)晶體管分為第一驅(qū)動(dòng)部和第二第一漏極間的第一驅(qū)動(dòng)部或者第一漏極與第二漏極間的第二驅(qū)動(dòng)部中的一US11373590B2（天馬微電子）偏置模塊連接在驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極和發(fā)光控制信號(hào)線之間，在偏置階段,通過調(diào)整驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電位和漏極電位,可以平衡非偏置階段驅(qū)動(dòng)晶體管I-V曲線的偏差。CN114758612A（華星光電）通過采用兩種不同類型的能夠互補(bǔ)極性的晶體管，并接入第一掃描線和第二掃描線，即可實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管中的閾值電壓的功能，使得OCMOS驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓補(bǔ)償技術(shù)路線：各創(chuàng)新主體補(bǔ)償方式各有特色US10217402B1（蘋果）補(bǔ)償電路配置為調(diào)整驅(qū)動(dòng)電流信號(hào),以使驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)獨(dú)立于高電壓軌(VDD)和閾值電壓VTH（第一晶使用大的LFET來產(chǎn)生參考電流，然后使用相同的大的LFET來充當(dāng)鏡像參考電流的電流源，從而確保參考電流FETUS11056047B2（三星）對(duì)于多個(gè)像素的每條行線,按照用于設(shè)置PWM數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)設(shè)置US11056047B2（三星）對(duì)于多個(gè)像素的每條行線,按照用于設(shè)置PWM數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)設(shè)置時(shí)段和發(fā)光時(shí)段的順序驅(qū)動(dòng)，當(dāng)驅(qū)動(dòng)顯示面板時(shí)，可以同時(shí)執(zhí)行PWM數(shù)據(jù)的設(shè)置(或編程)和發(fā)光將PAM與PWM混合調(diào)制方法應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)芯片架構(gòu)，取代現(xiàn)有PWM控制模式，獲得更好的小電流模式下圖像灰階均勻性；采用DAC小電流精準(zhǔn)控制電路來獲CMOS驅(qū)動(dòng)亮度補(bǔ)償調(diào)節(jié)技術(shù)路線CN112863427A（天馬微電子）第一脈寬調(diào)制信號(hào)和第一電壓信號(hào)同時(shí)對(duì)控制發(fā)光單元的通電時(shí)間和導(dǎo)通電流的共同交互作用，基于兩者的交互作用影響，生成較相關(guān)技術(shù)中通過脈沖寬度調(diào)制信號(hào)的方式調(diào)節(jié)更多種的亮度的梯電流調(diào)節(jié)模塊，用于產(chǎn)生調(diào)節(jié)電流，鏡像模塊用于復(fù)制調(diào)節(jié)電流以生成多個(gè)鏡像電流，譯碼器模塊用于將多個(gè)鏡像電流整合，生成亮度調(diào)節(jié)信號(hào)；控制模塊，用于根據(jù)控制信號(hào)輸出亮度調(diào)節(jié)信號(hào)至通過驅(qū)動(dòng)模塊、光電轉(zhuǎn)換模塊和數(shù)據(jù)的調(diào)節(jié)，使得LED陣列中的每個(gè)LED芯片的發(fā)光亮度相同，提高了Micro-LED目前在工藝上仍然還存在一定難度。>技術(shù)挑戰(zhàn)2：每個(gè)晶體管會(huì)持續(xù)受到不同柵壓的影響，閾值電壓會(huì)發(fā)生漂移，從而導(dǎo)致輸出的圖像不穩(wěn)定，出現(xiàn)圖像偽像OTFT驅(qū)動(dòng)技術(shù)簡(jiǎn)介分類類型優(yōu)勢(shì)高劣勢(shì)連接線和設(shè)置在基板的另一表面上的焊盤部分通過連接包括碳納米管。連接線和設(shè)置在基板的另一表面上的焊盤部分通過連接包括碳納米管。在薄膜晶體管玻璃基板的邊緣處形成多個(gè)側(cè)布線，將TFT基板的前表面電連接到TFT基板的后表面的布線可CN114695421A（三星）在顯示區(qū)域DA之間的組合區(qū)域SM的耦合構(gòu)件，顯示區(qū)域DA對(duì)外部光的反射率與顯示裝置之間的組合區(qū)域SM對(duì)外部光的反射率基本相同，第一光阻擋部分三星第一單元顯示模塊的單元顯示區(qū)的背面具有遠(yuǎn)離單元非顯示區(qū)端部的挖空部,第二單元顯示模塊的單元非顯示區(qū)設(shè)置在挖空部內(nèi)。在玻璃基板的下方制備背面金屬層，背面金屬層包括用于連接驅(qū)動(dòng)芯片的金屬光阻擋層，減少了大尺寸的Micro-LED應(yīng)用中面板拼接時(shí)的邊框。通過在基底與載板之間設(shè)置第一調(diào)節(jié)構(gòu)件和第二調(diào)節(jié)構(gòu)件，使第二調(diào)節(jié)構(gòu)件相對(duì)于第一調(diào)節(jié)構(gòu)件在平行華星光電OTFT驅(qū)動(dòng)Micro-LED芯片的無縫拼接屏技術(shù)CN114078915A（三星）連接線和焊盤部件通過貫穿基底的接觸孔在基底的下表面上CN115000132A（三星）通過設(shè)置在襯底的底表面上的第二焊盤部分將設(shè)置在襯底上的第一焊盤部分電連接到設(shè)置在襯底的底表面上的柔性膜。CN114898668A華星光電）第一顯示模塊的容納槽與另一第一顯示模塊的容納槽拼接形成容納腔，至少一個(gè)第二顯示模塊，設(shè)置在容納腔內(nèi)，且第二顯示向薄膜晶體管傳輸掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)的掃描線和數(shù)據(jù)線設(shè)置在襯底基板背離驅(qū)動(dòng)電路層的一側(cè)，從而避免了拼接縫隙大、生產(chǎn)良率低的處理電路被配置為預(yù)測(cè)與像素的晶體管相關(guān)聯(lián)的閾值電壓的變化;并且基于閾值電壓的預(yù)測(cè)變化來調(diào)整圖像數(shù)據(jù)以生成調(diào)整后的圖像數(shù)據(jù)。處理電路被配置為預(yù)測(cè)與像素的晶體管相關(guān)聯(lián)的閾值電壓的變化;并且基于閾值電壓的預(yù)測(cè)變化來調(diào)整圖像數(shù)據(jù)以生成調(diào)整后的圖像數(shù)據(jù)。過動(dòng)態(tài)調(diào)整施加到顯示像素的偏置電壓來減輕視覺偽影，偏置電壓源為圖像數(shù)據(jù)幀的第一子幀、第二子幀向顯示像蘋果將相互獨(dú)立的PWM控制單元以及PAM控制單元同時(shí)控制發(fā)光單元驅(qū)動(dòng)發(fā)光，在解決PAM驅(qū)動(dòng)色偏移的將驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管（T1-T6）分別接入第一掃描線、第二掃描線、第三掃描線、數(shù)據(jù)信號(hào)線、復(fù)位信號(hào)線和控制驅(qū)動(dòng)晶體管采用多晶硅薄膜晶體管且補(bǔ)償晶體管采用氧化物薄膜晶體管，可以降低或者消除華星光電第一電容的第一端用于接收第一電容對(duì)驅(qū)動(dòng)單元的耦合TFT驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓補(bǔ)償技術(shù)路線使用外部補(bǔ)償電路抵消因發(fā)光二極管隨時(shí)間推移出現(xiàn)的電壓漂移而引起的負(fù)偽影，向多個(gè)像素提供像素?cái)?shù)據(jù)之前，顯示面板外部的補(bǔ)償電路將偏移數(shù)據(jù)即電壓信通過獲取發(fā)光二極管陣列面板的使用時(shí)間查找數(shù)據(jù)電壓補(bǔ)償值，然后通過