TMT硬件行業(yè)市場前景及投資研究報告：碳化硅新能源發(fā)展東風

碳化硅：搭乘新能源發(fā)展東風-

安信國際

TMT硬件行業(yè)深度Jan

2023核心觀點?

SiC

是突破性第三代半導體材料：與前兩代半導體材料相比，以

SiC

制成的器件擁有良好的耐熱性、耐壓性和極低的導通能量損耗，是制造高壓功率器件與高功率射頻器件的理想材料。SiC

下游應用包括新能源、光伏、儲能、通信等領域。據(jù)

Yole預計，全球

SiC

功率半導體市場規(guī)模將從2021年的11億美元增長至2027年的63億美元，CAGR

超過34%。?下游需求旺盛，產(chǎn)品滲透率穩(wěn)步提升：新能源汽車是

SiC

器件最大的下游應用市場。SiC

器件能在縮減體積的情況下提高能量密度和工作穩(wěn)定性，并支持高平臺電壓，有助于解決新能源車“里程焦慮”問題。據(jù)

Yole預計，SiC

新能源領域應用市場將以40%的

CAGR

從2021年的6.9億美元增長至2027年的50億美元。SiC功率器件的市場滲透率將有望在2024年突破10%,行業(yè)前景廣闊且確定性強。?寡頭壟斷市場，產(chǎn)品供不應求：SiC產(chǎn)業(yè)鏈可分為上游襯底材料、中游外延生長、器件制造以及下游應用市場。雖然我國為全球最大的新能源汽車市場，但

SiC

器件生產(chǎn)制造能力距國際領先水平仍有較大差距。SiC

上中游產(chǎn)業(yè)鏈多被美、日、歐等國企業(yè)壟斷，外加近年來各國政府提高對新一代芯片研發(fā)制造的政策支持，使海外頭部公司迅速擴張產(chǎn)能，快速占領市場。盡管近年來我國

SiC

企業(yè)發(fā)展迅速，但在關鍵技術節(jié)點上還有待突破，產(chǎn)品良率與性能均弱于海外競品，短期內(nèi)難度大。??公司推薦：Wolfspeed

（WOLF.US）、

On

Semi

（ON.US）、ST

Micro（STM.US）、Infineon

（IFNNY.US）、三安光電（600703.SH）、天岳先進（688234.SH）、斯達半導（603290.SH）風險提示：新能源車銷量與

SiC滲透率不及預期；行業(yè)競爭加??；SiC國際政策變化風險進度不及預期；1目錄第三代半導體介紹01020304下游市場規(guī)模行業(yè)競爭格局公司推薦什么是碳化硅??碳化硅（Silicone

Carbide,

SiC）是第三代半導體材料。與前兩代半導體材料相比，SiC

有著良好的耐熱性、導熱性和耐高壓性。由

SiC

制成的器件，具有高效率、開關速度快等性能優(yōu)勢，能大幅降低產(chǎn)品能耗、提升能量轉(zhuǎn)換效率并縮小產(chǎn)品體積，是制造高壓功率器件的理想材料。目前

SiC

器件被廣泛運用于新能源汽車、充電樁、智能電網(wǎng)、光伏逆變器和風力發(fā)電等領域。發(fā)展歷程20世紀50年代20世紀90年代21世紀初半導體材料第一代第二代第三代硅

（Si）鍺（Ge）砷化鎵（GaAs）磷化銦（InP）碳化硅（SiC）氮化鎵（GaN）代表材料制造難度較大，技術壁壘高，價格昂貴；主要用于新能源車、光伏發(fā)電、消費電子等領域工作頻率更高、耐高溫、抗輻射；主要用于通訊領域的發(fā)光電子器件低壓、低頻、低功率的集成電路晶體管中主要應用GaAs、InP

資源稀缺，價

禁帶寬度更大，能夠承受更格昂貴，且具有毒性，對環(huán)

高的電壓、更高的工作頻率、產(chǎn)業(yè)鏈成熟，技術完善，成本較低主要特點境損害較大更高的工作溫度禁帶寬度（eV）1.11.51.40.53.24.03.4熱導率

(W·cm-1·K-1)1.32.53.3飽和電子漂移速率（107cm/s）1.00.31.00.42.03.5擊穿電場強度（MV/cm）2資料：天岳先進招股書、互聯(lián)網(wǎng)公開資料，安信國際整理技術特性與應用領域??由于

SiC

的擊穿電場強度是第一代硅片的10+倍，因此，使用

SiC器件可以顯著地提高產(chǎn)品最大工作壓強、工作頻率和電流密度，同時大大減少導通能量損耗。SiC的禁帶寬度是硅片的3+倍，保證了

SiC器件在高溫條件下的工作穩(wěn)定性，減少因高溫造成的器件故障現(xiàn)象。理論上一般硅片的極限工作溫度為300°C，而

SiC

器件的極限工作溫度可達600°C以上。同時，由于

SiC

的熱導率比硅更高，在相同的輸出功率下

SiC

能保持更低的器件溫度，因此對散熱設計要求更低，有助于實現(xiàn)設備的小型化。?SiC的飽和電子漂移速率是硅片的2+倍，因此

SiC

器件能實現(xiàn)更高的工作頻率和功率密度。第一代硅料

vs第三代半導體材料對比SiC功率器件主要應用領域資料：英飛凌

Infineon，Yole

Development、天科合達招股書，安信國際整理3技術特性與應用領域（續(xù)）??開關/恢復損耗低：由于

SiC的寬帶隙特性，使得

SiC

器件的導通電阻約為硅件的1/200，導通損耗更低。在

SiFRDs和

SiMOSFETs

中，當從正向偏置切換到反向偏置時，會產(chǎn)生大量的瞬態(tài)電流，造成大量的能量損耗（switching

loss）。而

SiCSBDs

和

SiCMOSFETs

是多子載流器件，切換反向偏置時只會流過少量電流，且不受溫度和正向電流大小的影響，在任何工作環(huán)境都可實現(xiàn)快速穩(wěn)定的反向恢復，大大減少能量損耗。SiCSBDvsSiFRD反向恢復損耗對比SiCSBDvsSiFRD溫度依存性對比資料：ROHM

SiC

Application

Notes、互聯(lián)網(wǎng)公開資料，安信國際整理4技術特性與應用領域（續(xù)）?高壓穩(wěn)定性

&

熱穩(wěn)定性：一般來說

Si

MOSFETs

的正常工作電壓可以達到

900v。而由

SiC制成的器件，最大工作電壓能輕松超過1700v，且能保持極低的漂移層電阻，減少能量損耗。同時，SiMOSFETs

在溫度升高至150

°C時，漂移層電阻將會提高1倍，而

SiC

MOSFETs

在同等條件下漂移層電阻仍能保持較好的穩(wěn)定性，電阻提升幅度遠小于

Si

MOSFETs。SiMOSFETvsSiCMOSFET標準化導通電阻對比SiMOSFETvsSiCMOSFET標準化導通電阻溫度特性資料：ROHM

SiC

Application

Notes，安信國際整理5技術特性與應用領域（續(xù)）?高能量密度

&

設備小型化能力：SiC器件的設備小型化能力主要體現(xiàn)在幾個方面：?

1）SiC

高禁帶寬度決定了它能承受更高的雜質(zhì)濃度并降低漂移層膜厚，縮小芯片體積；?

2）SiC

優(yōu)良的散熱性與熱穩(wěn)定性對芯片散熱系統(tǒng)的要求更低。?

SiC的飽和電子漂移速率更大，在實現(xiàn)高工作頻率的同時提高了功率密度，減少了變壓器、電感器等外圍組件的體積，降低整體器件成本并縮減了器件大小。SiC器件能量密度更高、能量損耗更小SivsSiC器件大小對比資料：

ROHM

SiC

Application

Notes、天科合達招股書，安信國際整理6技術特性與應用領域（續(xù)）??SiC

vsSi

器件綜合能力比較：與傳統(tǒng)硅片器件相比，SiC系統(tǒng)可以有效減少約50%的電導通損耗，如運用在新能源車中，能提升約4%的車輛續(xù)航能力，且降低約20%的電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)成本。同時，SiC器件散熱能力強、封裝尺寸小，能更好助力于器械小型化。未來隨著技術與產(chǎn)量的提升，SiC器件價格有望持續(xù)下降，從而擴大下游市場應用規(guī)模，提高產(chǎn)品滲透率。SiC器件能量密度更高、能量損耗小、封裝尺寸小1200vSiCSBD&SiFRD平均價格走勢（￥/A）￥8￥7￥6￥5￥4￥3￥2￥1￥07.56.66.25.24.24.63.83.83.30.92.90.92.01.41.320172018SiC

SBD2019SiFRD2020報價差2021資料：

CASA、PowerElectronics

，安信國際整理7政策助力行業(yè)發(fā)展發(fā)展計劃

（海外）發(fā)布機構主要內(nèi)容圍繞材料、外延、器件、應用等

SiC

全產(chǎn)業(yè)鏈，突破

SiC器件技術，發(fā)展下一代SiC

基電力電子器件，用于風力發(fā)電和新一代固態(tài)變壓器，器件耐壓目標

1.7kv和10kv

以上SPEED

計劃歐盟委員會研制新型寬禁帶半導體材料、器件結構以及制造工藝，提高能量密度，加快開關頻率，增強溫度控制，使電力電子技術成本更低，效率更高，降低電機驅(qū)動和電網(wǎng)電能轉(zhuǎn)換等應用的能量損耗，使得控制和轉(zhuǎn)換電能的方式發(fā)生重大變革SWITCHES

計劃NEXT

計劃美國能源部美國國防部先進研究項目局研發(fā)能夠同時實現(xiàn)極高速度和電壓的

GaN器件制造工藝，滿足大規(guī)模集成要求聯(lián)合德國、法國、意大利、瑞典和英國，強化歐洲

SiC

襯底和

GaN外延片區(qū)域內(nèi)供應能力，降低對歐洲以外國家的依賴性，形成服務于國防工業(yè)的

GaN電子器件產(chǎn)業(yè)鏈MANGA

計劃歐洲防務局日期

（國內(nèi)）發(fā)布機構工信部主要內(nèi)容8月14日，工信部宣布將

SiC

復合材料、Si基復合材料等納入“十四五”產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新相關發(fā)展規(guī)劃2021年8月刊登了《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》，其中“集成電路”領域，特別提出

SiC、GaN

等寬禁帶半導體即第三代半導體要取得發(fā)展2021年3月新華網(wǎng)《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》中指出，國家鼓勵集成電路企業(yè)，自獲利年度起，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率或減半征收企業(yè)所得稅2020年7月國務院工信部《重點新材料首批次應用示范指導目錄》，其中

GaN單晶襯底、功率器件用GaN外延片、SiC

外延片，SiC

單晶襯底等第三代半導體產(chǎn)品進入目錄2019年11月8資料：天科合達招股書、工信部、國務院、新華網(wǎng)、公開資料，安信國際整理目錄第三代半導體介紹01020304下游市場規(guī)模行業(yè)競爭格局公司推薦第三代半導體市場規(guī)模?全球

SiC

功率半導體市場規(guī)模有望于2027年突破60億美元：據(jù)

Yole預測，全球

SiC

功率半導體市場將從2021年的11億美元增長至2027年的63億美元，CAGR將超過34%。從應用領域看，未來新能源汽車領域的應用將會主導

SiC

市場。至2027年，SiC新能源車應用市場份額將占全球

SiC市場的79%。?雖然

Si

仍是主流半導體材料，但第三代半導體滲透率仍將逐年攀升：據(jù)

Yole預測，Si

材料器件未來仍將占據(jù)半導體市場的主導地位，預計未來市場滲透率仍超過80%。第三代半導體材料滲透率將會逐年攀升，整體滲透率預計于2024年超過10%，其中

SiC

的市場滲透率有望接近10%，而GaN滲透率將達到3%。2021-2027SiC功率半導體市場規(guī)模預測SiCvsGaNvsSi市場滲透率預測100%80%60%40%20%0%2021$1.1bnCAGR+34%2027$6.3bn$550M;9%$126M;12%$458M;7%$154M;14%$4,986M;79%$685M;

64%20202021E2022EGaN2023E2024ESi2025ETelecom

&

InfrastructureTransportation資料

：

Yole

Development，安信國際整理ConsumerIndustrialAutomotiveSiCEnergy9新能源車將成為

SiC

最大市場?

SiC

功率器件降低新能源車電力損耗：SiC在新能源車中主要應用在牽引逆變器、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（DC/DC轉(zhuǎn)換器）、電源驅(qū)動系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)和非車載充電樁中。據(jù)統(tǒng)計，B級以上新能源車SiC器件需求量約為66-150顆之間（TeslaModel

S僅

SiCSBD

使用量已超過60顆），而直流充電樁大概需要150多顆

SiC器件。?

SiC

滲透率提升四大驅(qū)動力：1）各國“碳達峰、碳中和”目標

；2）新能源車里程與功率的提升；3）車載電池的小型化；4）SiC器件價格持續(xù)下降?搭載

SiC

器件能使新能源車輛損耗將降低50%以上、充電速度可提升2倍、功率密度提升50%以上，同時器件體積能減小50%。第三代半導體在新能源車中的應用主要國家宣布的碳中和時間表國家中國美國歐盟英國德國法國目標年份2060前20502050205020452050資料：

Keysight

Automotive

Power

Electronics

Test、Wikipedia，安信國際整理10新能源車將成為

SiC

最大市場（續(xù)）全球新能源車銷售統(tǒng)計（百萬輛）30M25.8M25M111%20M90%82%15M10M5M61%61%57%13%35%0.96520%0.8622.5423.2050.00620130.01420140.0590.22220160.4180.79720180M2015APAC

xChina2017EMEA2019USA202020212022Total2030AMER

xUSAChinaRestof

the

WorldYoY

TotalGrowth新能源車搭載第三代芯片時間統(tǒng)計800v充電平臺時間統(tǒng)計品牌特斯拉保時捷豐田時間2018201920202020202120212022逆變器技術SiCMOSFETSiCMOSFETSiCMOSFETSiCMOSFETSiCMOSFETSiCMOSFETSiCMOSFET品牌保時捷時間形式2018202020202021202120212021車型、充電樁起亞、特斯拉奧迪、現(xiàn)代比亞迪充電樁平臺比亞迪奧迪平臺平臺吉利現(xiàn)代長城車型蔚小理等蔚小理等車型、平臺、充電樁資料：

Bloomberg、IEA、懂車帝、維科網(wǎng)、公司官網(wǎng)，安信國際整理11光伏發(fā)電驅(qū)動

SiC

器件需求提升?傳統(tǒng)

Si

器件是光伏系統(tǒng)能量損耗主要

之一：在光伏發(fā)電中，傳統(tǒng)

Si

逆變器成本約占10%，但卻是系統(tǒng)能量損耗的主要

之一。使用

SiC

器件的光伏逆變器可以將能量損耗降低50%以上，將能量轉(zhuǎn)換效率從96%提升至99%，且能提高設備循環(huán)壽命50倍并縮小設備體積。預計未來第三代半導體將在光伏發(fā)電領域逐步替代傳統(tǒng)硅基器件。?據(jù)

SolarPower

Europe

數(shù)據(jù)，在中性預期下，全球光伏新增裝機量將以

15.6%

CAGR從2021年的168GW增長至2026年的346GW，而光伏逆變器中

SiC

器件的市場滲透率將在同年提升至50%左右。第三代芯片的市場占有率將隨著裝機量與滲透率的提升而持續(xù)擴大。全球光伏新增裝機量預測光伏逆變器中

SiC器件占比預測500GW400GW300GW200GW100GW0GW458.8100%80%60%40%20%0%85%80%75%70%11%10%243.511%270.812%36%50%181.416810%2017

2018

2019

2020

2021

2022

2023

2024

2025

2026歷史數(shù)據(jù)

樂觀預期

悲觀預期

中性預期202020252030203520402048資料：

CASA、SolarPower

Europe、天科合達招股書，安信國際整理12目錄第三代半導體介紹01020304下游市場規(guī)模行業(yè)競爭格局公司推薦產(chǎn)業(yè)鏈梳理設備晶片襯底導電型外延設計制造封測應用新能源車電力系統(tǒng)SiC外延功率器件半導體器械SiC晶片微波射頻器件半絕緣型GaN外延5G通訊AMATWOLF、ON、

ROHM、GEInfineon、MCHP、NXPISTM、

POWILRCXII-VI三安光電、時代電氣天岳先進芯源微天岳先進北方華創(chuàng)天科合達斯達半導華微電子晶盛電機露笑科技資料：公開資料，安信國際整理海外公司國內(nèi)公司13產(chǎn)業(yè)鏈價值對比??SiC

產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底的價值占比最高：SiC襯底材料是碳化硅芯片的核心，在一個典型的

SiCMOSFET

中，襯底的制造成本能占到器件總成本的35%以上。而在6英寸

SiC

襯底制造過程中，包含良率損失的襯底成本占到總成本的70%以上。SiC

單晶生長緩慢、襯底制造困難、良品率低等因素是

SiC

器件價格高企的主要原因。SiC6英寸襯底成本拆分SiCMOSFETs成本占比23%32%35%8%44%4%13%17%17%7%芯片良率成本

外延良率成本

測試成本

制造成本

外延成本

襯底成本資料

：System

Plus、JENRS,安信國際整理襯底制造外延正反面處理良率損失14SiC

襯底生產(chǎn)流程介紹碳化硅襯底生產(chǎn)流程碳化硅襯底分為半絕緣型和導電型產(chǎn)品1.粉料合成2.籽晶穩(wěn)定半絕緣型導電型圖例技術難點制作工藝4.襯底切割3.晶體生長以

SiC

晶片為襯底，

以

SiC

晶片為襯底，在晶片上生長氮化鎵（GaN）外延片在晶片上生長碳化硅（SiC）外延片主要

HEMT

等微波視頻器SDB、MOSFET、IGBT

等功率器件器件件6.清洗檢測5.研磨拋光應用領域新能源汽車、軌道交通、大功率變電器、儲能等信息通訊、無線電探測等資料：天岳先進招股書、公開資料，安信國際整理15全球市場競爭格局?美、日、歐廠商占領全球

SiC

襯底市場的主導地位：得益于先發(fā)優(yōu)勢，全球

SiC襯底市場被美、日、歐等企業(yè)所主導，其中技術領先、市場占有率高的有

Wolfspeed（原

CREE）、II-VI（貳陸）、SiCrystal（ROHM）等。上述三家公司全球市場占有率總和超過90%，其中

Wolfspeed一家獨大，襯底占市率超過60%。?

SiC

功率器件市場由美歐兩國主導:

從

SiC器件市場上看，STM

(意法半導體）與

Infineon（英凌飛）占據(jù)超過50%的全球

SiC功率器件市場份額。美企

Wolfspeed從襯底技術出發(fā)，向下游功率器件市場拓展，2021年

SiC功率器件市場份額占比達14%。2020SiC導電型襯底市場競爭格局2021SiC功率器件市場競爭格局11%2%4%21%5%9%13%7%14%62%14%38%Infineon

(德)On

Semi

(美)ROHM

(日)STMicro

(瑞)Wolfspeed（美）SK

Siltron

(韓)II-VI

（美）SiCrystal

（日）OthersWolfspeed

(美)Others天科合達資料：Yole

Development、The

Information

Network，安信國際整理16未來技術發(fā)展方向??SiC

襯底圍繞提高晶片尺寸、提升良品率、提升襯底附加價值發(fā)展：目前全球市場

SiC

襯底以4-6英寸為主，提升晶片尺寸大小能有效提高產(chǎn)品良率與生產(chǎn)效率。目前各大襯底制造商已陸續(xù)開始8英寸襯底的研發(fā)與量產(chǎn)，未來8英寸襯底將成為市場主流。SiC

器件則圍繞降低生產(chǎn)成本，提升生產(chǎn)效率發(fā)展：據(jù)

CASA數(shù)據(jù)，2021年

1200vSiC

SBD的均價為

Si

器件的3.7倍，而2020年差額約為4.2倍，同比下降12%。根據(jù)調(diào)查，SiC

器件實際成交價低于公開報價。未來，除了各器件廠向上游襯底技術延伸，努力成為全流程服務商外，降低

SiC器件的

ASP

，提高產(chǎn)品滲透率，也將成為行業(yè)主旋律。各企業(yè)8英寸晶片研發(fā)歷史晶片尺寸增長提升產(chǎn)品良率1200vSiCSBDvsSiFDR價差（￥）64205.24.2x3.7x3.8SiC

SBDSiFRD1.40.920202021資料：Yole

Development、Wolfspeed、CASA，安信國際整理17目錄第三代半導體介紹01020304下游市場規(guī)模行業(yè)競爭格局公司推薦海外公司推薦

–

Wolfspeed

（WOLF.US）?Wolfspeed為全球

SiC

產(chǎn)業(yè)龍頭公司之一，提供從襯底制造到器件生產(chǎn)與代工的全流程服務。公司前身為

CREE.Inc，原是集

LED、芯片、封裝、化合物半導體材料等業(yè)務為一身的著名制造商。公司現(xiàn)任

CEO

-GreggLowe自2017年上任以來，著手啟動以第三代芯片業(yè)務為中心的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，成效顯著。??自2018年始，公司先后出售其原有

LED與照明業(yè)務，以支持在

SiC

方面的生產(chǎn)研發(fā)投入，總出售收入預計超過6億美元。公司于2021年10月正式更名為

Wolfspeed，專注于第三代半導體領域的技術創(chuàng)新與產(chǎn)品開發(fā)。公司于2019年宣布投資10億美元，于紐約州打造全球最大的自動化

SiC

器件生產(chǎn)基地。2022年，公司宣布將在北卡州投入數(shù)十億美元，建設

SiC

材料生產(chǎn)基地,主要為紐約州基地提供8英寸

SiC襯底。預計北卡州基地建成后可將公司現(xiàn)有產(chǎn)能提高10倍，基地第一期將于2024年底完工并投入使用。?公司為全球首家研發(fā)并量產(chǎn)8英寸

SiC

襯底的企業(yè)，技術遠領先于競爭對手。公司下游主要客戶包括

STM（意法半導體）、Infineon（英凌飛）、OnSemi（安森美）等行業(yè)龍頭公司。公司襯底研發(fā)軌跡資料：Wolfspeed，安信國際整理18海外公司推薦

–

On

Semi（ON.US）?

OnSemi（安森美）前身為摩托羅拉標準化半導體業(yè)務線，于1999年從母公司拆分后成立。2000年公司上市后，陸續(xù)收購了多家半導體制造企業(yè)，并在全球建立了超過40家半導體基地和設計工廠。公司于2004年開始研制

SiC

功率器件，并2011年發(fā)布了第一代

SiC

SBD。目前公司

SiC

系列產(chǎn)品已研發(fā)更新到第四代。?2021年，公司完成了對

SiC

晶圓供應商

GTAdvancedTechnologies

（GTAT）的收購，進一步提高了公司在6-8英寸

SiC

晶體生長領域的技術水平。?

2022年，公司于

NewHampshire建立了新一代

SiC

器件工廠，同時宣布與其各大客戶簽立了高達40億美元的長期

SiC

器件供應合同。預計2023年公司

SiC

業(yè)務收入將超過10億美元，是2022年的3倍。?公司可以提供從襯底、外延、到晶圓設計與器件制造的

SiC

業(yè)務全流程服務。ON提供

SiC板塊全流程服務公司各代

SiCMOSFET器件組合資料：安森美

On

Semi、公司官網(wǎng)，安信國際整理19海外公司推薦

–

ST

Micro（STM.US）???STMicro

(意法半導體）為2021年全球

SiC功率器件占市率最高的公司，市場份額占比約為38%。2018年，Tesla

率先在

Model

3逆變器上采用了

STM

供應的

650vSiC

MOSFET，此舉成為

SiC領域里程碑性事件之一，也標志著

SiC

功率器件正式打開了新能源車市場的大門。公司于2022年12月宣布加深與法國

SiC晶片行業(yè)領導者

Soitec的合作，在未來18個月內(nèi)

STM將引進

Soitec

8英寸

SiC晶片制造技術。這次深度合作將擴展

STM

在

SiC

襯底制造領域的足跡并加強公司產(chǎn)業(yè)鏈縱向服務能力，提高生產(chǎn)效率和提升產(chǎn)品良率。公司足跡STM1200vSiCMOSFET器件資料：意法半導體

ST

Micro，安信國際整理20海外公司推薦

–

Infineon（IFNNY.US）?

Infineon

（英凌飛）是歐洲半導體龍頭企業(yè)。公司自1992年開始研發(fā)

SiC

功率器件，不斷提升其產(chǎn)品的技術優(yōu)勢，2021年，英凌飛以21%的市場占有率位列全球第三。?公司于2018年收購了以芯片冷切割工藝聞名的公司

Siltectra，逐步加大對

SiC功率器件的研發(fā)投入，憑借其產(chǎn)品更高的功率密度與更小巧的設計快速占領市場份額。公司在已有的1200v產(chǎn)品線基礎之上，于今年推出了2000v冷切

SiC

模組，進一步完善了公司的

SiC功率器件組合。公司提供除

SiC

襯底制造外的全流程器件生產(chǎn)服務?公司

SiCMOSFET產(chǎn)品組合公司各代

SiC功效價格對比資料：英飛凌

Infineon，安信國際整理21美股推薦公司對比營收利潤P/SP/E第三代半導體業(yè)務%公司市值LTM

FY23E

FY24ELTM

FY23E

FY24ECurr.

FY23E

FY24E

5Y

Avg.Curr.

FY23E

FY24E

5Y

Avg.WOLF100.0%$8.37B$.83B$1.01B$1.49B-$.13B$2.16B€2.37B$3.47B-$.03B$2.33B€2.67B$3.70B$.12B$2.01B€2.91B$3.33B9.9x3.2x2.6x2.2x8.3x3.2x2.4x2.0x5.6x3.1x2.2x1.9x17.2x3.4x3.3x2.7x--63.1x13.3x12.5x9.5x-ONIFNNYSTM~12.5%<5.0%~6.5%$26.07B$39.19B$32.04B$8.07B$8.31B$8.03B12.5x16.8x9.5x11.4x13.4x8.9x17.7x26.7x15.7x€15.41B

€15.35B

€16.44B$15.26B

$16.10B

$16.21BWOLF、ON、IFNNY、STMvs費城半導體指數(shù)

YTD總回報率資料：Bloomberg（數(shù)據(jù)時間12/29/22），安信國際整理22國內(nèi)公司推薦–三安光電（600703.SH）???三安光電是國內(nèi)

SiC

行業(yè)頭部公司之一。三安憑借其在

LED

行業(yè)的技術積累與優(yōu)勢，全面布局化合物半導體賽道。公司

SiC

系列產(chǎn)品已經(jīng)取得多點突破，在功率器件與射頻器件等下游市場實現(xiàn)穩(wěn)定出貨。公司于2022年9月在新能源汽車驅(qū)動技術創(chuàng)新峰會上發(fā)布

SiCMOS

1200v系列新品。其全資子公司于11月與需求方簽署總金額達38億元人民幣的3年期《戰(zhàn)略采購意向協(xié)議》，進一步表明公司在國產(chǎn)

SiC

芯片領域的領先地位。公司下游主要客戶包括比亞迪、陽光電源、固德威、長城、格力、上能等。三安光電業(yè)務范圍公司

SiC器件產(chǎn)品組合資料：三安光電招股書、公司官網(wǎng)，安信國際整理23國內(nèi)公司推薦–斯達半導（603290.SH）?公司為

SiC

IGBT器件國產(chǎn)化領軍企業(yè)，目前其

SiIGBT模塊