光伏物理基礎(chǔ)（山東聯(lián)盟）智慧樹(shù)知到課后章節(jié)答案2023年下青島科技大學(xué)

光伏物理基礎(chǔ)（山東聯(lián)盟）智慧樹(shù)知到課后章節(jié)答案2023年下青島科技大學(xué)青島科技大學(xué)

第一章測(cè)試

理想的電池結(jié)構(gòu)包括發(fā)射區(qū)，基區(qū)，減反射膜，前端接觸電極和背接觸電極。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

產(chǎn)生光伏效應(yīng)的器件核心是pn結(jié)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

太陽(yáng)能電池板可以應(yīng)用于無(wú)法架設(shè)線(xiàn)路的偏遠(yuǎn)地區(qū)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

半導(dǎo)體激光器是電向光轉(zhuǎn)化的器件。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

光可以產(chǎn)生光生電動(dòng)差的效應(yīng)成為光伏效應(yīng)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第二章測(cè)試

光既有波動(dòng)性又有粒子性。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

光在不同介質(zhì)中的速度不變，頻率改變。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

光的粒子性表現(xiàn)為能量不連續(xù)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

黑體只吸收電磁波，不發(fā)射電磁波。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

通過(guò)普朗克定律可知溫度越高黑體的光譜輻射強(qiáng)度越強(qiáng)，峰值波長(zhǎng)越短。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第三章測(cè)試

多晶體是由許多個(gè)小晶粒組成的。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

晶粒和晶粒之間存在晶界。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

雙折射現(xiàn)象不能夠體現(xiàn)晶體的各向異性。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

硫化銀的電阻隨溫度的變化情況不同于金屬。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

空穴擴(kuò)散電流的方向和空穴濃度梯度增加的方向相反。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第四章測(cè)試

遷移率是描述載流子輸運(yùn)現(xiàn)象的一個(gè)重要參數(shù)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

vth為平均熱運(yùn)動(dòng)速度。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

平均自由時(shí)間是指載流子運(yùn)行一個(gè)平均自由程的總時(shí)間（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

在外電場(chǎng)條件下載流子僅作定向運(yùn)動(dòng)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

愛(ài)因斯坦關(guān)系式將遷移率和擴(kuò)散系數(shù)聯(lián)系起來(lái)了。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第五章測(cè)試

如果讓硅達(dá)到熔融狀態(tài)溫度需達(dá)1000度以上。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

通過(guò)氧化，晶體硅表面會(huì)形成一氧化硅薄層。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

擴(kuò)散電流的來(lái)源是載流子的濃度梯度的存在。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

熱平衡狀態(tài)的pn結(jié)其費(fèi)米能級(jí)不隨線(xiàn)度變化而變化。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

內(nèi)建電勢(shì)的大小和摻雜濃度的數(shù)值成正比。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

第六章測(cè)試

Pm和Pin分別是最大輸出功率和最小輸出功率。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

轉(zhuǎn)換效率與材料的禁帶寬度具有密切依賴(lài)關(guān)系。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

當(dāng)電池受到能量小于禁帶寬度的光照后，光子能量將會(huì)被電池所吸收并貢獻(xiàn)一個(gè)光生電子-空穴對(duì)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

理想轉(zhuǎn)換效率，是在不考慮各種能量損失的前提下，由計(jì)算得到的轉(zhuǎn)換效率。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

光子流密度與半導(dǎo)體禁帶寬度密切相關(guān)，隨著禁帶減小，光子流密度急劇減小。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第七章測(cè)試

標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)輻照下，Si太陽(yáng)能電池表面的載流子生成率最低。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

對(duì)于電池的相同區(qū)域，鈍化程度越低，其收集概率的數(shù)值越大。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

單晶硅晶圓加工成型是指將單晶硅錠制成硅晶圓片的過(guò)程。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

硅材料按照結(jié)晶