低頻電子電路習(xí)題答案及指導(dǎo)

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1-8在題圖1-4所示的硅二極管電路中，輸入交流信號Vim為5mV，問輸出交流電壓Vom為多少？設(shè)電容C對交流信號的容抗可忽略不計。

（1）從電路結(jié)構(gòu)出發(fā)，在兩個電源作用下，電路中每個元器件的電壓和電流原則上均包含兩部分響應(yīng)，即不變的直流和變化的交流；（2）

題圖1-4

具體說來，電容所在支路因電容的存在不可能含直流電流的滾動，即25?電阻上無直流電

壓降；（3）考慮到交流電壓的變化范圍較小，由此在各元件上引起的變化電壓和電流也不會大，即相對于直流屬于小信號。綜合起來，該題可以采用在直流工作點下的小信號分析方法。

（1）在令交流電壓源為零條件下，畫出原電路的直流通路如圖1-8-1（a）所示。

（a）題圖1-4在Vim=0時的電路圖（b）直路分析圖（c）二極管分析模型

圖1-8-1題圖1-4的直流通路獲取

在只提供二極管為“硅管〞信息條件下，我們能采用的最確切二極管模型也只有圖1-8-1（c）的模型了。據(jù)此，得Vo直?6?0.7?5.3V，ID直?5.3/5.1?1.04mA；管子處于

導(dǎo)通狀態(tài)。

（2）在令原圖中直流電壓源為零條件下，畫出原電路的交流通路如圖1-8-2（a）所

示，在二極管用小信號電阻替代，容抗為零的電容用短路線替代后得小信號等效圖（c）。

（a）令原圖直流源為零時的電路（b）整理后的交流通路（c）小信號等效圖

圖1-8-2題圖1-4的交流分析圖獲取

rd?VT26mV??25?IDQ1.04mA常溫Vim?5.1?103//25?2.5mV325?5.1?10//25Vom???????在二極管直流壓降VD直?5.3V，交流壓降Vd交m?2.5mV條件下，可知滿足計

算前的“小信號分析〞假設(shè)條件，因此分析合理，即Vom?2.5mV。

1-9請思考以下說法是否正確：（1）二極管的結(jié)電容越大二極管允許的最高工作頻率越高；（2）二極管的結(jié)電容與外加電壓的關(guān)系是線性的；（3）二極管的結(jié)電容由勢壘電容和擴散電容組成；（4）在反偏時主要由擴散電容起作用。

1-10在某電路保持不變的條件下，溫度為20℃時測得二極管的電壓VD=0.7V。當溫度上升到40℃時，則VD的大小將增加還是減小。

1-11如何用萬用表來判斷二極管好壞、極性。

1-12電路如題圖1-5所示，請在選用圖1-3-7（b）的二極管模型，以及Von?0.6V時，畫出電路輸入輸出電壓關(guān)系曲線。

題圖1-5

1-13電路如題圖1-6所示，已知穩(wěn)壓管VDZ的穩(wěn)壓值VZ＝10V，穩(wěn)定電流的最大值IZmax=20mA，穩(wěn)定電流的最小值IZmin=5mA，負載電阻RL＝2k?。要求當輸入電壓VI由正常值發(fā)生?20%波動時，輸出電壓基本不變。試求：電阻R和輸入電壓VI的正常值。解：

：根據(jù)精度選擇的不同得到兩種結(jié)果：

題圖1-6

1-14請從工程實現(xiàn)角度出發(fā)，思考代表數(shù)字信息1和0的電位要設(shè)定為有一定誤差的電位范圍，而非固定的電位值。

1-15電路如題圖1-7所示，請在輸入只能取+5V和0V條件下，給出輸入vA、vB和輸出vY的關(guān)系。

題圖1-7

：（1）在信息處理電路范疇內(nèi)，該題的二極管模型選取原因與對應(yīng)《低頻電子電路》教材21頁對應(yīng)，即采用直折線電阻近似模型2；（2）做題時采用列表方式給出不同輸入與輸出的對應(yīng)結(jié)果。

思考與練習(xí)

2-1晶體管的基區(qū)為什么必需很??？發(fā)射區(qū)和集電區(qū)有哪些異同點？2-2有一鍺晶體管的ICBO=5?A，??0.98。試求它的ICEO與?值。

????49，ICEO??1???ICBO?250μA1??2-3請在晶體管輸入特性曲線圖2-1-6（a）中，標注出截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)的位置。2-4鍺PNP型晶體管作為放大應(yīng)用時，其極間電壓如何設(shè)置？

2-5當溫度升高時，晶體管參數(shù)ICBO、?、IC將如何變化？（提醒：根據(jù)導(dǎo)電原理和二極管導(dǎo)電特性定性分析）

2-6問：（1）已知某電路中未損壞晶體管的各端電位如題圖2-1（a）（b）所示，請判斷該晶體管所處的工作狀態(tài)；（2）處于放大狀態(tài)的晶體管各端電位如題圖2-1（c）（d）所示，請標明該晶體管各電極名稱、晶體管類型和制造晶體管的材料類型。

題圖2-1

（a）根據(jù)圖可知，晶體管的發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，即處于放大狀態(tài)；（b）（c）

2-7問：（1）測得一個硅PNP型晶體管的b、c、e三個電極對地電壓分別為：VB??3.2V，（2）測得NPN型晶體管的e、b、c三個電極VE??2.5V，VC??7V，判斷該管工作于什么狀態(tài)；

對地電壓分別為：VE?3.2V，VB?2.5V，VC?7V，判斷該管工作于什么狀態(tài)。

2-8問：與PNP晶體管發(fā)射極電流最大相對應(yīng)的直流VBE是：0.02V、?0.05V、0.10V、?0.10V？2-9請思考基區(qū)調(diào)寬效應(yīng)對晶體管特性有何影2-10電路如題圖2-2所示，在每個輸入信號均選擇5V或0V的狀況下，用列表方式給出3個輸入同選擇組合得到的輸入輸出信號對應(yīng)關(guān)系。

二極管和晶體管的輸入特性的導(dǎo)通電能近似等于零。

2-11場效應(yīng)管的輸出特性曲線如題圖2-3所畫出相應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性曲線，指出管子類型，寫出飽和移特性表達式和相應(yīng)的條件。

響?？梢远瞬粔翰皇?，請區(qū)轉(zhuǎn)

題圖2-2

題圖2-3

題圖2-3（續(xù)）

2-12測得在放大狀態(tài)下，MOS場效應(yīng)管各管腳的電位如題圖2-4示，試判斷這是一種什么類型的場效應(yīng)管？并將相應(yīng)的電路符號繪在圖并標出各管腳的符號及襯底箭頭。

2-13請問你能從題圖2-5（a）（b）兩圖分別讀出管子什么信息？出對應(yīng)的管子電路符號，并思考管子安全區(qū)由什么參數(shù)確定。

所中，

題