低頻磁場屏蔽的原理及屏蔽物的結構要點_第1頁
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5.3.4低頻磁場屏敝的原理及屏敝物的結構要點1.低頻磁場屏蔽原理減小低頻磁場干擾的方法，除了合理地布置元器件、走線的相對位置和方位外，對于低頻(如50H2)交變磁場的干擾，可采用低頻磁場屏蔽的方法來減小其影響，見圖5—32圖5-32低頻磁場屏蔽原理圖5—32(a)中，T為電子元器件或電路，當不加屏蔽地放在磁場中時，將會受到低頻A磁場于擾，如電子束受力發(fā)生偏轉，改變磁性材料的磁化性能等。圖5—32(b)為用高磁導A串材料做的一個屏蔽盒。斯麥迪電子磁力線通過時阻力很小，而空氣的磁導率很低，磁力線通過時受A到很大阻力。因此磁力線將絕大部分從屏蔽體上流過，只有很少量經(jīng)過屏蔽體內(nèi)的空氣A到達元器件了上。即磁力線主要經(jīng)1—2—3—4線路流走，很少量經(jīng)1—2’一3’一4流走，A從而對T起到了保護作用。A綜上所述，低頻磁場的屏蔽原理就是磁分路原理，即用高磁導率的材料做成屏蔽體，A使磁力線分路而起到屏蔽效果。屏蔽體導磁率越南，屏蔽體的壁厚越厚，磁分路作用就越4好，屏蔽效果也就越好。幾種常用材料的相對導磁串見表5—9。相對導磁率是材料的導A磁率與空氣導磁串之比，空氣的相對導磁串為1。從表5—9中可知：作為低頻敬屏蔽物的4材料應選鋼鐵、不銹鋼或坡莫合金，而不應選銅或鋁等電的良導體。A表5-9幾種常用材料的相對導磁率材料空氣根鋁金黃銅鐐青銅據(jù)不銹鋼坡莫合金相對導磁率11111111so~i0005008000?120002.低頻疆場屏蔽物的結構要點A(1)減小蹬屏蔽盒在接口處的接繼A磁力線通過屏蔽罩的接口縫隙處時，將會受到很大的磁阻，使磁力線產(chǎn)生泄漏，因此^在設計時縫隙處應有較大的重矗［見圖5—33(a)中的A3,且應使配合緊密，盡量減小縫隙。A還應注意統(tǒng)歐與磁力線的相對位置，不應使接縫切斷磁力線而增加磁阻。圖5—33(a)的A安裝是正確的，圖5—33(b)的安裝則不正確。A

(時正確 (b)(時正確 (b)不正確圖5T3減小接縫(2)對屏蔽物上孔洞的布置屏蔽物上的通風孔排列應使其盡量不切斷磁力線或盡量少增加磁力線的長度，以降低孔洞處的滋阻，如圖5—34所示。鉭電容(b)正確 (c)不正確弋亦M<d)iE確圖5-35圖5-35雙層磁屏蔽圖5-34孔洞的正確布置(3)雙層屏蔽為了提高磁屏蔽的效果。除了選用高導磁性能的材料外,還可以增加磁屏蔽的厚度，一般為1mm左右，最多不超過2mm,否則將使重量增加很多，且加工困難，縫隙的質(zhì)量難

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