功率器件來(lái)料可靠性抽檢操作指導(dǎo)書(shū)

公司LOGO文件名稱功率器件來(lái)料可靠性抽檢操作指導(dǎo)書(shū)版本:01密級(jí):發(fā)布日期:擬制審核:會(huì)簽:批準(zhǔn):功率器件來(lái)料可靠性抽檢操作指導(dǎo)書(shū)1.目的本操作指導(dǎo)書(shū)為本公司《功率器件來(lái)料可靠性檢驗(yàn)通用規(guī)范》的操作指導(dǎo)，為我司實(shí)際的執(zhí)行提供相關(guān)抽檢計(jì)劃、試驗(yàn)方法和操作指導(dǎo)。2.適用范圍本操作指導(dǎo)書(shū)適用我司功率器件物料，主要物料類別如下：1501類（二極管）1501A整流二極管1501B肖特基二極管1501C快恢復(fù)二極管1501E開(kāi)關(guān)二極管1502類（發(fā)光二極管）1502發(fā)光二極管1503類（整流橋器件）1503整流橋1504類（穩(wěn)壓二極管）1504A穩(wěn)壓二極管1504B瞬態(tài)抑制二極管1505類（三極管）1505三極管1506類（MOSFET）1506絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管1507類（IGBT）1507IGBT1509（晶閘管）1509晶閘管3.引用標(biāo)準(zhǔn)IECSTANDARD：IEC-60747Military(U.S)STANDARD：MIL-STD-750ManufactureSpecifications&ApplicationNotes《功率器件來(lái)料可靠性檢驗(yàn)通用規(guī)范》4.抽檢計(jì)劃本類物料的可靠性抽檢計(jì)劃（包含編碼、廠家、數(shù)量、頻次、試驗(yàn)項(xiàng)目、條件、時(shí)間、設(shè)備、關(guān)鍵參數(shù)等）5.試驗(yàn)關(guān)鍵點(diǎn)說(shuō)明5.1可靠性試驗(yàn)樣品測(cè)試外觀檢查：試驗(yàn)前后對(duì)被測(cè)樣品做外觀檢查，檢查器件外觀的可見(jiàn)損傷、變色，檢查器件絲印和標(biāo)記。參數(shù)測(cè)試：按照測(cè)試記錄表內(nèi)容，在試驗(yàn)前后分別測(cè)試被測(cè)器件參數(shù)，并記錄在表格中。X-RAY和DPA檢查：有條件時(shí)可以做X-RAY和DPA檢查，作為輔助判斷手段。5.2試驗(yàn)設(shè)備高溫高濕試驗(yàn)箱：做HTRB試驗(yàn)時(shí)，環(huán)境溫度要求接近或達(dá)到結(jié)溫，需要最高175℃高溫試驗(yàn)箱；做高溫高濕試驗(yàn)時(shí)，需要85散熱器：功率器件做HTRB試驗(yàn)時(shí)，需要將被測(cè)樣品安裝在散熱器上，根據(jù)被測(cè)器件和高溫試驗(yàn)箱的尺寸，盡量將同一批試驗(yàn)的樣品放到一個(gè)散熱器上。高壓交直流電源：根據(jù)器件種類和試驗(yàn)項(xiàng)目，功率器件試驗(yàn)需要直流或交流電源，HTRB試驗(yàn)電壓約為器件額定耐壓的80％，試驗(yàn)電源要求輸出可調(diào)并且最大達(dá)到1500V。5.3試驗(yàn)項(xiàng)目根據(jù)物料種類的不同，可以選擇如下試驗(yàn)項(xiàng)目：HTRB、高溫高濕、HAST、高溫柵極應(yīng)力等，物料類別和可選試驗(yàn)項(xiàng)目如下表：具體測(cè)試內(nèi)容見(jiàn)功率器件物料可靠性抽檢計(jì)劃表。HTRB高溫高濕HAST高溫柵極應(yīng)力1501類（二極管）√√√1502類（發(fā)光二極管）√√1503類（整流橋器件）√√√1504類（穩(wěn)壓二極管）√√1505類（三極管）√√1506類（MOSFET）√√√1507類（IGBT）√√√1509（晶閘管）√√√5.3操作方法1，高溫高濕試驗(yàn)時(shí)，被測(cè)樣品放置在高溫高濕箱中，試驗(yàn)過(guò)程中不需接線和加電，溫濕度設(shè)定在規(guī)定條件后，開(kāi)始試驗(yàn)。2，HTRB試驗(yàn)時(shí)，需要連接導(dǎo)線和電源，并且在每個(gè)被測(cè)器件上串接一個(gè)限流電阻，阻值根據(jù)施加電壓和被測(cè)器件的漏掉特性，選擇1K～10K歐姆。對(duì)于使用過(guò)程中需要安裝散熱片的器件，要安裝到符合要求的散熱器上；對(duì)于不需散熱片的器件，直接做器件固定就可以了，安裝好以后連接導(dǎo)線和限流電阻，試驗(yàn)箱設(shè)定在規(guī)定溫度后，開(kāi)始試驗(yàn)。二極管類器件，每個(gè)被測(cè)器件串連限流電阻后并接在一起，測(cè)試連接方法如下：三極管、MOSFET、IGBT、PIM、SCR、TRIAC等器件，要將驅(qū)動(dòng)極短接，以MOSFET為例，GS極短接在一起，連接方法如下：?jiǎn)蜗嗪腿嗾鳂蜉斎攵舜B電阻后接在電源端，輸出端懸空，連接方法如下：半橋結(jié)構(gòu)的整流橋，可以將兩個(gè)器件組合成一個(gè)全橋形式，按照單相整流橋方式連接。連接好以后，放置到高溫箱中，檢查無(wú)誤后加電并且升溫，同時(shí)監(jiān)測(cè)電源狀態(tài)和被測(cè)器件以及限流電阻。3，HAST試驗(yàn)時(shí)，被測(cè)樣品置于試驗(yàn)箱中，試驗(yàn)過(guò)程中被測(cè)樣品不需要接線和加電，試驗(yàn)箱設(shè)定在規(guī)定條件后，開(kāi)始試驗(yàn)。4，高溫柵極應(yīng)力測(cè)試時(shí)，將MOSFET的DS極短接，G極串連限流電阻后接入電源，IGBT和IPM等將CE短接，G極串連限流電阻后接入電源，放入試驗(yàn)箱后，試驗(yàn)箱設(shè)定在規(guī)定條件后，開(kāi)始試驗(yàn)。以MOSFET為例，連接方法如下：6．試驗(yàn)前后物料合格判定標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試或檢查項(xiàng)性能要求及試驗(yàn)判據(jù)初始測(cè)試外觀檢查無(wú)可見(jiàn)損傷、管腳良好、絲印正確。關(guān)鍵電氣參數(shù)在廠家Datasheet規(guī)定的參數(shù)范圍內(nèi)。X-Ray檢查樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)正常，鍵合引線、電極框架、芯片等相對(duì)位置正確?？煽啃栽囼?yàn)后測(cè)試關(guān)鍵電氣參數(shù)在廠家Datasheet規(guī)定的參數(shù)范圍內(nèi)，相對(duì)初測(cè)值無(wú)明顯劣化。X-Ray檢查樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)正常，鍵合絲、引線框架、芯片等相對(duì)位置正確。DPA檢查（可選）芯片版圖（包含鈍化層檢查）無(wú)異常，廠家標(biāo)示正確。X-Ray檢查、DPA檢查標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)參考《功率**器件DPA檢驗(yàn)規(guī)范與標(biāo)準(zhǔn)》及其操作指導(dǎo)進(jìn)行，具體的各類物料關(guān)鍵電氣參數(shù)合格判斷標(biāo)準(zhǔn)如下：試驗(yàn)前試驗(yàn)后1501/1503VF、IR值不高于Datasheet上限VF、IR值不高于Datasheet上限，VF值變化低于10％，IR變化小于2倍試驗(yàn)前測(cè)試值。1502VF、IR值不高于Datasheet上限VF、IR值不高于Datasheet上限，VF值變化低于10％，IR變化小于2倍試驗(yàn)前測(cè)試值。試驗(yàn)后樣品發(fā)光亮度無(wú)明顯下降。1504VZ、VBR值在規(guī)定范圍內(nèi)，IR不高于Datasheet上限VZ值在規(guī)定范圍內(nèi)，IR不高于Datasheet上限，IR變化小于2倍試驗(yàn)前測(cè)試值。1505VCESAT、ICBO值不高于Datasheet上限VCESAT、ICBO值不高于Datasheet上限，VCESAT值變化低于20％，ICBO變化小于2倍試驗(yàn)前測(cè)試值。1506RDSON、IDSS值不高于Datasheet上限RDSON、IDSS、IGSS值不高于Datasheet上限，RDSON和IDSS值變化低于10％。1507VCESAT、ICES值不高于Datasheet上限VCESAT、ICES、IGES值不高于Datasheet上限，VCESAT值變化低于20％，ICES變化小于2倍試驗(yàn)前測(cè)試值。1509VFM、IR值不高于Datasheet上限VFM、IR值不高于Datasheet上限，VFM值變化低于