黃光制程工藝流程課件

黃光制程黃光制程2總流程圖BM制程ITO1制程OC1制程ITO2制程MAM制程OC2制程Glass2總流程圖BM制程ITO1制程OC1制程ITO2制程MAM制3黃光制程：通過對涂覆在玻璃表面的光敏性物質(zhì)(又稱為光刻膠或光阻)，經(jīng)曝光、顯影后留下的部分對底層起保護(hù)作用，然后進(jìn)行蝕刻脫膜并最終獲得永久性圖形的過程。3黃光制程：通過對涂覆在玻璃表面的光敏性物質(zhì)(又稱為光刻膠或4制程流程CleanIR/UV/CPCTPre-bakeExpoDevGlassPost-bakeEtchStripSputterClean4制程流程CleanIR/UV/CPCTPre-bakeEx5素玻璃經(jīng)過清洗、烘烤后進(jìn)入真空室進(jìn)行濺鍍ITO/MAM。GlassGlass5素玻璃經(jīng)過清洗、烘烤后進(jìn)入真空室進(jìn)行濺鍍ITO/MA6CleanGlassCleaning：去除玻璃表面的臟污、油污等，使玻璃表面清潔，以保證后續(xù)光阻的涂布效果及結(jié)合力。主要控制參數(shù)：清洗液濃度，清洗速度，脫脂毛刷壓入量。Cleaning6CleanGlassCleaning：去除玻璃表面的臟污7Clean成膜前清洗流程：入料→液切→洗滌劑噴淋→洗滌劑刷洗→液切→沖洗→純水刷洗→高壓噴淋→中壓噴淋→二流體噴淋→末端DI水噴淋→風(fēng)刀吹干→出料Cleaning7Clean成膜前清洗流程：入料→液切→洗滌劑噴淋→洗滌劑刷8Sputter濺鍍原理：靶材接陰極，玻璃接正極或接地，導(dǎo)入氬氣。電子在電場的作用下加速飛向玻璃的過程中與Ar原子發(fā)生碰撞，電離出大量的Ar+和e-，形成等離子體(電漿)。Ar+在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)玻璃沉積成膜。

ITO(IndiumTinOxide):是一種N類型的寬能隙的半導(dǎo)體，具有高透光率及導(dǎo)電性，因此相當(dāng)符合應(yīng)用于同樣需高透光率及導(dǎo)電性的顯示屏等相關(guān)產(chǎn)品材料上。ITO能吸收空氣中的CO2和H2O而發(fā)生“霉變”，需防潮。ITO層在活性正價(jià)離子溶液中易產(chǎn)生離子置換反應(yīng)，形成其它導(dǎo)電和透過率不佳的反應(yīng)物質(zhì)，所以在加工過程中，應(yīng)盡量避免長時(shí)間放在活性正價(jià)離子溶液中。主要參考參數(shù)：鍍膜厚度，膜層附著力。Sputter8Sputter濺鍍原理：靶材接陰極，玻璃接正極或接地，導(dǎo)入9CleanGlassCleaning：去除玻璃表面的臟污、油污等，使玻璃表面清潔，以保證后續(xù)光阻的涂布效果及結(jié)合力。主要控制參數(shù)：清洗液濃度，清洗速度，脫脂毛刷壓入量。Cleaning9CleanGlassCleaning：去除玻璃表面的臟污10Clean清洗流程：入料→液切→洗滌劑噴淋→洗滌劑刷洗→液切→沖洗→純水刷洗→高壓噴淋→中壓噴淋→二流體噴淋→末端DI水噴淋→風(fēng)刀吹干→出料Cleaning10Clean清洗流程：入料→液切→洗滌劑噴淋→洗滌劑刷洗→11IR/UV/CPIRUVCPIR：高溫烘干玻璃表面水分。UV：去除玻璃的表面的有機(jī)物，使玻璃被進(jìn)一步清潔。CP：將玻璃溫度冷卻至室溫。主要控制參數(shù)：IR溫度，傳導(dǎo)速度。11IR/UV/CPIRUVCP12CTCoating：在玻璃正面均勻的涂上一層感光物質(zhì)——光阻。光阻(Photoresist，簡稱PR)：光阻是利用材料光化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移的媒體，有正性光阻和負(fù)性光阻之分。正性光阻經(jīng)過紫外曝光后，被曝光的區(qū)域發(fā)生光分解或降解反應(yīng)，使性質(zhì)發(fā)生變化優(yōu)先溶于正性顯影液，未曝光的部分則被保留形成正型圖形。負(fù)性光阻的性質(zhì)正好與之相反，是未被曝光的部分溶于負(fù)性顯影液中。主要控制參數(shù)：Roller的前擠量及下壓量，涂布速度，抽泵頻率，抽泵強(qiáng)度。主要參考參數(shù)：膜層厚度(屬過渡光阻,膜厚1.4~2.3um)，膜層均勻性。主要品質(zhì)異常：涂布針孔、涂布箭影。Coating12CTCoating：在玻璃正面均勻的涂上一層感光物質(zhì)——13CTCoatingCoater一般分為RollCoater，SlitCoater，SpinCoater。我們公司用的是Roller。我們公司的BM&OC1用的是Inkjet印刷，而OC2用的是APR凸版印刷。13CTCoatingCoater一般分為RollCoat14Pre-bakePre-Bake

：也叫softbake。將光阻中的大部分有機(jī)溶劑烘烤到4%~7%，使原本液態(tài)的光阻固化。主要控制參數(shù):烘烤時(shí)間，烘烤溫度，烘烤熱板Pin高度。主要品質(zhì)異常：玻璃受熱不均，使光阻局部過烤或烘烤不足，造成后續(xù)的顯影不凈或顯影過顯。Pre-Bake14Pre-bakePre-Bake：也叫softbak15EXPOExposure：此步驟是黃光制程中的關(guān)鍵所在，通過曝光，使受到光照的部分光阻溶解于顯影液的速度異于未曝光的那部分光阻，從而達(dá)到轉(zhuǎn)移光罩上圖形的過程。曝光方式有三種：接觸式、接近式和投影式。其中投影式又分scan和step。我們公司采用的曝光方式為接近式，曝光GAP值一般為100~250μm。主要控制參數(shù)：曝光能量，曝光GAP，曝光機(jī)platestage溫度。主要品質(zhì)異常：曝光偏移，固定光阻殘留異常，過曝。AAExposure15EXPOExposure：此步驟是黃光制程中的關(guān)鍵所在，16EXPO曝光波長：i線（365nm），h線（405nm），g線（436nm）。Mask：也叫掩膜板。電路圖即是通過曝光從Mask上轉(zhuǎn)移到玻璃上。高壓汞燈發(fā)光原理：在真空的石英管中加入定量的高純汞，通過對兩端電極提供高電壓差，產(chǎn)生高熱，將汞汽化，汞蒸氣在高電位差下，受激發(fā)而放電，從而產(chǎn)生紫外線輻射。內(nèi)部的鹵素元素，就有催化及保護(hù)的功用。AAExposure16EXPO曝光波長：i線（365nm），h線（405nm17DEVDeveloping：將(正性)光阻中的被曝光的那部分光阻溶解快速顯影液中(負(fù)性光阻正好與之相反,是未曝光的部分溶于顯影液中),未曝光的那部分光阻溶解速度緩慢，從而通過控制顯影時(shí)間，可以顯現(xiàn)出光罩上的圖形。主要控制參數(shù)：顯影時(shí)間，顯影液濃度，顯影溫度，顯影噴壓。主要品質(zhì)異常：顯影不凈，顯影過顯，光阻回黏。ADeveloping17DEVDeveloping：將(正性)光阻中的被曝光的那18DEV顯影液：TMAH(TetramethylAmmoniumHydroxide)，四甲基氫氧化銨，分子式(CH3)4NOH,是一種有機(jī)弱堿，濃度為2.38%（ITO1&ITO2&MAM)或者0.4%（BM&OC1)。我們公司用的是KOH。ADeveloping18DEV顯影液：TMAH(TetramethylAmm19Post-bakePostBake：也叫Hardbake。使經(jīng)顯影后的光阻固化，從而使其圖形穩(wěn)定。主要控制參數(shù)：烘烤溫度，烘烤時(shí)間。PostBakeA19Post-bakePostBake：也叫Hardba20ADIAfterDevelopingInspection：檢查玻璃品質(zhì)。AADI20ADIAfterDevelopingInspecti21CDCCriticalDimension：關(guān)鍵尺寸，線寬。Overlay：套合度。TotalPitch：第一層的套合度。ACDC21CDCCriticalDimension：關(guān)鍵尺寸，線22SRResistThickness：光阻的厚度測量。SR22SRResistThickness：光阻的厚度測量。S23EtchEtching

：用強(qiáng)酸將玻璃中未受光阻保護(hù)的那部分ITO腐蝕，留下所需圖形的過程。主要控制參數(shù)：蝕刻液濃度，蝕刻液溫度，蝕刻時(shí)間，噴淋壓力。主要品質(zhì)異常：蝕刻不凈，ITO過蝕，以及由涂布異常而引起的蝕刻異常。AAEtching23EtchEtching：用強(qiáng)酸將玻璃中未受光阻保護(hù)的那24Etch蝕刻液：ITO我們用HNO3與HCl的混酸。MAM我們用HNO3，H3PO4和HAc的混酸。AAEtching24Etch蝕刻液：ITO我們用HNO3與HCl的混酸。MA25StripStripping：