模擬電子技術(第五版)基礎習題答案

第一章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確，用“√”和“×”表示判斷結果填入空內。（1）在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導體。（）（2）因為N型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。（）（3）PN結在無光照、無外加電壓時，結電流為零。（）（4）處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運動形成的。（）（5）結型場效應管外加的柵-源電壓應使柵-源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其RGS大的特點。（）（6）若耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零，則其輸入電阻會明顯變小。（）解：（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×二、選擇正確（1）PN結加正向電壓時，空間電荷區(qū)將A.變窄B.基本不變答案填入空內。。C.變寬（2）設二極管的端電壓為U，則二極管的電流方程是。B.ISeI(eUU－1)C.A.IeUUUSTST（3）穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在A.正向導通B.反向截止。C.反向擊穿（4）當晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結電壓和集電結電壓應為A.前者反偏、后者也反偏。B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏（5）UGS＝0V時，能夠工作在恒流區(qū)的場效應管有。A.結型管解：（1）A（2）CB.增強型MOS管（3）C（4）BC.耗盡型MOS管（5）AC第一章題解－1三、寫出圖T1.3所示各電路的輸出電壓值，設二極管導通電壓U＝0.7V。D圖T1.3解：U≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，O1UO6≈－2V。四、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值U＝6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin＝5mA。求圖ZT1.4所示電路中U和UO2各為多少伏。O1圖T1.4解：U＝6V，UO2＝5V。O1第一章題解－2五、某晶體管的輸出特性曲線如圖T1.5所示，其集電極最大耗散功率PCM＝200mW，試畫出它的過損耗區(qū)。5解圖T1.圖T1.5解：根據P＝200mW可得：U＝40V時IC＝5mA，UCE＝30V時IC≈CMCE6.67mA，UCE＝20V時IC＝10mA，UCE＝10V時IC＝20mA，將各點連接成曲線，T1.5所示。臨界過損耗線的左邊為過損耗區(qū)。即為臨界過損耗線，如解圖T1.6所示，V＝15V，＝，β100U＝。試問：0.7V六、電路如圖CCBE（1）Rb＝50kΩ時，u＝？O（2）若T臨界飽和，則Rb≈？基極電流、集解：（1）Rb＝50kΩ時，電極電流和管壓降分別為V?UBBRI=BBE=26μAbβI=I=2.6mACBU=V?IR=2VCECCCC所以輸出電壓U＝UCE＝2V。.6圖T1O（2）設臨界飽和時UCES＝UBE＝0.7V，所以V?UCES=2.86mAI=CCCRcIμI=C=28.6AβBV?UBE≈45.4kΩR=bBBIB七．測得某放大電路中三個MOS管的三個電極的電位如表T1.7所示，第一章題解－3它們的開啟電壓也在表中。試分析各管的工作狀態(tài)(截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)），并填入表內。表T1.7管號UGSth/V（）/VU/VGU/VD工作狀態(tài)UST1T2T34513－－433105－460解：因為三只管子均有開啟電壓，所以它們均為增強型MOS管。根據表中所示各極電位可判斷出它們各自的工作狀態(tài)，如解表T1.7所示。解表T1.7管號UGSth/V（）/VU/VGU/VD工作狀態(tài)恒流區(qū)UST1T2T34513－433105截止區(qū)－460可變電阻區(qū)－習題1.1選擇合適答案填入空內。（1）在本征半導體中加入元素可形成P型半導體。A.五價（2）當溫度升高時，二極管的反向飽和電流將。A.增大B.不變C.減小N型半導體，加入元素可形成B.四價C.三價（3）工作在放大區(qū)的某三極管，如果當I從12μA增大到22μA時，IBC從1mA變?yōu)?mA，那么它的約為A.83（4）當β。B.91C.100場效應管的漏極直流電流I從2mA變?yōu)?mA時，它的低頻跨導Dgm將。A.增大B.不變C.減小解：（1）A，C（2）A（3）C（4）A1.2能否將1.5V的干電池以正向接法接到二極管兩端？為什么？第一章題解－4解：不能。因為二極管的正向電流與其端電壓成指數關系，當端電壓為1.5V時，管子會因電流過大而燒壞。1.3電路如圖P1.3所示，已知u＝10sinωt(v)，試畫出ui與uO的波形。設i二極管正向導通電壓可忽略不計。圖P1.3解圖P1.3解：u和uo的波形如解圖P1.3所示。i1.4電路如圖P1.4所示，已知u＝5sinωt(V)，二極管導通電壓U＝0.7V。iD試畫出ui與uO的波形，并標出幅值。圖P1.4解圖P1.4解：波形如解圖P1.4所示。第一章題解－51.5電路如圖P1.5（a）所示，其輸入電壓u和u的波形如圖（b）所示，U＝0.7V。試畫出輸出電壓u的波形，并標出幅值。DOI1I2二極管導通電壓圖P1.5解：u的波形如解圖P1.5所示。O5解圖P1.第一章題解－61.6電路如圖P1.6所示，二極管導通電壓U＝0.7V，常溫下U≈26mV，DT電容C對交流信號可視為短路；u為正弦波，有效值為10mV。i試問二極管中流過的交流電流有效值為多少？解：二極管的直流電流I＝（V－UD）/R＝2.6mAD其動態(tài)電阻r≈U/ID＝10ΩDT故動態(tài)電流有效值I＝U/rD≈1mA圖P1.6di1.7現有兩只穩(wěn)壓管，它們的穩(wěn)定電壓向導通電壓分別為6V和8V，正0.7V。試問：（1）若將它們串聯(lián)相接，則可得到幾種穩(wěn)壓值？（2）若將它們并聯(lián)相接，則又可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？1）兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四種穩(wěn)壓為各為多少？解：（值。（2）兩只穩(wěn)壓管并聯(lián)時可得0.7V和6V等兩種穩(wěn)壓值。1.8已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓U＝6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin＝5mA，最Z大功耗PZM＝150mW。試求圖P1.8所示電R的取值范圍。穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流I＝P/UZ＝25mA路中電阻解：ZMZM電阻R的電流為IZM～I，所以其Zmin取值范圍為R=U?UZ=0.36～1.8kΩI圖P1.8IZ第一章題解－71.9已知圖P1.9所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓U＝6V，最小穩(wěn)定電流ZIZmin＝5mA，最大穩(wěn)定電流＝25mA。IZmax（1）分別計算U為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓U的值；IO（2）若UI＝35V時負載開路，則會出現什么現象?為什么？解：（1）當UI＝10V時，若UO＝UZ＝6V，則穩(wěn)壓管的電流為4mA，小于其最小以穩(wěn)壓管未擊穿。故穩(wěn)定電流，所RU=?U≈3.33VLR+ROIL當UI＝15V時，穩(wěn)壓管中的電流大于最圖P1.9I小穩(wěn)定電流，所以ZminUO＝UZ＝6V同理，當UI＝35V時，UO＝UZ＝6V。I=(U?U)R=29mA＞（2）DIZM＝25mA，穩(wěn)壓管將因功耗過大而損IZZ壞。1.10在圖P1.10所示電路中，U＝發(fā)光二極管導通電壓D1.5V，正向電流在5～15mA時才能正常工作。試問：（1）開關S在什么位置時發(fā)光二極管才能發(fā)光？（2）R的取值范圍是多少？解：（1）S閉合。（2）R的范圍為R=(V?U)I≈233ΩDmaxR=(V?U)I=700Ω。minDmaxDDmin圖P1.10第一章題解－81.11電路如圖P1.11（a）、（b）所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓U＝3V，R的Z取值合適，u的波形如圖（c）所示。試分別畫出u和uO2的波形。O1I圖P1.11解：波形如解圖P1.11所示解圖P1.11I問溫度≈？1.12在溫度20℃時某晶體管的＝2μA，試是60℃時ICBOCBO＝32μA。≈I5解：60℃時ICBOCBO（T＝20°C）第一章題解－91.13有兩只晶體管，一只的CEO＝10μA，其它參數大致相同。你認為應選用哪只管解：選用β＝100、ICBO10Aβ＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，子？為什么？子，因其適中、ICEO較小，因而Iβ＝μ的管溫度穩(wěn)定性較另一只管子好。1.14已知兩只晶體管的電流放大系數β分別為50和100，現測得放大電路中這兩只管子兩個電極的電流如圖P1.14所示。分別求另一電極的電流，標出其實際方向，并在圓圈中畫出管子。圖P1.14解：答案如解圖P1.14所示。解圖P1.14第一章題解－101.15測得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖P1.15所示。在圓圈中畫出管子，并分別說明它們是硅管還是鍺管。圖P1.15解：晶體管三個極分別為上、中、下管腳，答案如解表P1.15所示。解表P1.15管號T1T2T3ebcbT4T5T6ecbbbceccbc上中下eee管型PNPNPNNPNPNP材料SiSiSiGePNPNPNGeGe1.16電路如圖P1.16所示，晶體管導通時U＝0.7V，β=50。試分析VBBBE為0V、1V、1.5V三種情況下T的工作狀態(tài)及輸出電壓uO的值。（1）當VBB＝0時，T截止，uO＝12V。（2）當VBB＝1V時，因為解：V?UBEQ=60μAI=BQBBRbβI=I=3mACQBQu=V?IR=9VCCOCQC所以T處于放大狀態(tài)。（3）當VBB＝3V時，因為V?UBEQ=160μAI=BQBB圖P1.16Rb第一章題解－11βI=I=8mACQBQu=V?IR＜UOCCCQCBE所以T處于飽和狀態(tài)。1.17電路如圖P1.17所示，試問時晶體管飽和解：取UCES＝UBE，若管子飽和，β大于多少？則V?UV?Uβ?CCBE=CCBERRbCβR=RbCRbRβ≥=100時，管子飽和。所以，C圖P1.171.18電路如圖P1.18所示，晶體管的β＝50，|UBE|＝0.2V，飽和管壓降|UCES|＝0.1V；穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ＝5V，正向導通電壓UD＝0.5V。試問：當uI＝0V時uO＝？當uI＝－5V時uO＝？解：當uI＝0時，晶體管截止，穩(wěn)壓管擊穿，uO＝－UZ＝－5V。當uI＝－5V時，晶體管飽和，u＝0.1V。O因為u?UBE=480μAI=IBRbβI=I=24mACBU=V?IRV＜CCECCCCC圖P1.18第一章題解－121.19分別判斷圖P1.19所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態(tài)。圖P1.19解：（a）可能（b）可能（c）不能（d）不能，T的發(fā)射結會因電流過大而損壞。（e）可能1.20已知某結型場效應管的IDSS＝2mA，UGS（off）＝－4V，試畫出它的轉移特性曲線和輸出特性曲線，并近似畫出予夾斷軌跡。解：根據方程ui=I(1?)2GSDDSSUGS(th)逐點求出確定的uGS下的i，可近似畫出轉移特性和輸出特性；在輸出特性中，D將各條曲線上uGD＝UGS（off）的點連接起來，便為予夾斷線；如解圖P1.20所示。第一章題解－13解圖P1.201.21已知放大電路中一只N溝道場效應管三個極別為4V、8V、12V，管子工作在恒流區(qū)。試判斷它可能是哪種管子（結型管、MOS管、增強型、耗盡型），并說明①、②、③與G、S、D的對應關系。①、②、③的電位分解：管子可能是增強型管、耗盡型管和結型管，三個極①、②、③與G、S、D的對應關系如解圖P1.21所示。解圖P1.21第一章題解－141.22已知場效應管的輸出特性曲線如圖P1.22所示，畫出它在恒流區(qū)的轉移特性曲線。圖P1.22解：在場效應管的恒流區(qū)出其與各條曲線交點的縱坐標值及UGS值，建立iD＝f（uGS）坐標系，描點，連線，即可得到轉移特性曲線，如解圖P1.22（b）所示作橫坐標的垂線〔如解圖P1.22（a）所示〕，讀。解圖P1.22第一章題解－151.23電路如圖1.23所示，T的輸出特性如圖P1.22所示，分析當u＝4V、I8V、12V三種情況下場效應管分別工作在什么區(qū)域。解：根據圖P1.22所示5V，根據圖P1.23所示電路可知所以uGS＝uI。當uI＝4V時，T的輸出特性可知，其開啟電壓為u小于開啟電壓，故T截止。T工作在恒流區(qū)，根據i≈0.6mA，管壓GS當uI＝8V時，設輸出特性可知降DuDS≈V－iRd≈10VDDD因此，uGD＝uGS－uDS≈－2V，小于開啟電壓，說明假設成立，即T工作在恒流區(qū)。圖P1.23當uI＝12V時，由于V＝12V，必然使T工作在可變電阻區(qū)。DD1.24分別各電路中的場效應管是否有可能工作在恒流判斷圖P1.24所示區(qū)。圖P1.24解：（a）可能（b）不能（c）不能（d）可能第一章題解－16第二章基本放大電路自測題一、在括號內用“√”或“（1）只有電路既放大電流又放大電（2）可以說任何放大電路（3）放大電路中輸出的電流和電壓都是由有源元件提供的；（（4）電路中各電量的交流成份是交流信號源提供的；（（5）放大電路必須加上合適的直流電源才能正常工作；（（6）由于放大的對象是變化量，所以當輸入信號為直流信號時，任何的輸出都毫無變化；（（7）只要是共射放大電路×”表明下列說法是否正確。壓，才稱其有放大作用；（））都有功率放大作用；（）））放大電路），輸出電壓的底部失真都是飽和失真。（）解：（1）×（7）×（2）√（3）×（4）×（5）√（6）×二、試分析圖T2.2所示各電路是否能夠放大正弦交流信號，簡述理由。設圖中所有電容對交流信號均可視為短路。第二章題解－1圖T2.2解：（a）不能。因為輸入信號被VBB短路。（b）可能。（c）不能。因為輸入信號作用于基極與地之間，不能馱載在靜態(tài)電壓之上，必然失真。（d）不能。晶體管將因發(fā)射結電壓過大而損壞。（e）不能。因為輸入信號被C2短路。（f）不能。因為輸出信號被VCC短路，恒為零。（g）可能。（h）不合理。因為G-S間電壓將大于零。（i）不能。因為T截止。第二章題解－2βT2.3所示電路中，已知V＝12V，晶體管的＝100，＝100kCCbR'三、在圖Ω。填空：要求先填文字表達式后填得數。（1）當U&i＝0V時，測得UBEQ＝0.7V，若要R基極電流IBQ＝20μA，則'和RW之和Rb＝b≈≈kΩ；而若測得UCEQ＝6V，則Rc＝kΩ。（2）若測得輸入電壓有效值U=5mV時，輸i出電壓有效值U'＝0.6V，則電壓放大倍數oA&u＝≈。若負載電阻RL值與RC相等，則帶上負載后輸出電壓有效值U＝＝V。圖T2.3oβBQ解：（1）(V?U)I，565；(V?U)I，3。CCBEQBQCCCEQR（2）?UU－120；?U'o0.3。LR＋RCoiL四、已知圖T2.3所示電路中V＝12V，RC＝3kΩ，靜態(tài)管壓降UCEQ＝6V；CC并在輸出端加負載電阻RL，其阻值為3kΩ。選擇一個合適的答案填入空內。（1）該電路的最大不失真輸出電壓有效值Uom≈B.3V；A.2VC.6VU&（2）當i＝1mV時，若在不失真的條件下，減小RW，則輸出電壓的幅值將；A.減小B.不變C.增大U&（3）在＝1mV時，將Rw調到輸出電壓最大且剛好不失真，若此時增i大輸入電壓，則輸出電壓波形將；A.頂部失真B.底部失真C.為正弦波（4）若發(fā)現電路出現飽和失真，則為消除失真，可將。A.RW減?。?）CB.Rc減?。?）B（4）BC.VCC減小解：（1）A五、現有直接耦合基本放大電路如下：第二章題解－3A.共射電路B.共集電路C.共基電路D.共源電路E.共漏電路它們的電路分別如圖2.2.1、2.5.1(a)、2.5.4(a)、2.7.2和2.7.9(a)所示；R<，且設圖中I、IDQ均相等。RebCQ選擇正確答案填入空內，只需填A、B、……（1）輸入電（2）輸出電阻最小的電路（3）有電壓放大作用的電路（4）有電流放大作用的電路（5）高頻特性最好的電路（6）輸入電阻最小的電路是，最大的是；是；是；是；是；壓與輸出電壓同相的電路是；反相的電路是。解：（1）C，DE（2）B（5）C（3）ACD（6）BCE（4）ABDE，AD六、未畫完的場效應管放大電路如圖T2.6所示，試將合適的場效應管接使之能夠正常放大。要求給出兩種方案。入電路，解：根據電路接法，可分別采用耗盡型N溝解圖T2.6所示。道和P溝道MOS管，如圖T2.6解圖T2.6第二章題解－4習題2.1按要求填寫下表。電路名稱連接方式（e、c、b）性能比較（大、中、?。〢&uA&RRo其它公共極輸入極輸出極ii共射電路共集電路共基電路解：答案如表所示。連接方式性能比較（大、中、?。╇娐访QA&uA&RRo其它公共端輸入端輸出端iiebccbebec共射電路共集電路共基電路大大大小小大小大小大小大頻帶寬2.2分別改正圖P2.2所示各電路中的錯誤，使它們有可能放大正弦波信號。要求保留電路原來的共射接法和耦合方式。圖P2.2解：（a）將－VCC改為＋V。CC第二章題解－5VBB反接，且在輸入端串聯(lián)一個電阻。V支路加，在－與集電極之間加。RVBBbCC2.3畫出圖P2.3所示各電路的直流通路和交流通路。設所有電容對交流圖解圖P2.3第二章題解－62.4電路如圖P2.4（a）所示，圖（b）是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時UBEQR＝∞和R＝3kΩ時的靜態(tài)＝0.7V。利用圖解法分別求出工作點和最大不失LL真輸出電壓U（有效值）。om圖P2.4解：空載時：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真輸出電壓峰值約為5.3V，有效值約為3.75V。帶載時：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真輸出電壓峰值約為2.3V，有效值約為1.63V。如解圖P2.4所示。解圖P2.4第二章題解－7β2.5在圖P2.5所示電路中，已知晶體管的＝80，rbe＝1kΩ，＝20mV；iBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V，IBQ＝20μA。判斷下列結論是否正確，凡對√”，否則打“×”。U&靜態(tài)時U的在括號內打“圖P2.544（1）A&=?20×10?3=?200（（2）A&=?≈?5.71（））0.7uuA&=?80×5（4）A&=?80×2.5=?200（=?400（）））（3）11uu20=(0.70.02)kΩ=35kΩ（=()kΩ=1kΩ（5）RR（）（6）20ii≈3kΩ（≈Ω（（7）R））（8）R1k）ii（9）R≈5kΩ（（10）R≈2.5kΩ（）oo（11）U&解：（1）×（7）×≈20mV()（12）U&≈60mV()s（4）√s（2）×（8）√（3）×（9）√（5）×（6）×（11）×（12）√（10）×β2.6電路情況下，用直流電如圖P2.6所示，已知晶體管＝50，在下列壓表測晶體管的集電極電位，應分別為多少？設VCC＝12V，晶體管飽和管壓降UCES＝0.5V。（1）正常情況（2）Rb1短路（3）Rb1開路（5）RC短路（4）Rb2開路第二章題解－8圖P2.6解：設U＝0.7V。則BE（1）基極靜態(tài)電流V?UBE?UBE≈0.022mAI=CCRRBb2b1U=V?IR≈6.4VCCCCc（2）由于U＝0V，T截止，U＝12V。BEC（3）臨界飽和基極電流V?UCES≈0.045mAI=BSCCβRc實際基極電流V?UBE≈0.22mAI=BCCRb2由于I＞I，故T飽和，U＝UCES＝0.5V。BBSC（4）T截止，U＝12V。C（5）由于集電極直接接直流電源，U＝VCC＝12VCβrbb'2.7電路如圖P2.7所示，晶體管的＝80，=100Ω。分別計算RL＝∞和A&RL＝3kΩ時的Q點、、Ri和Ro。u第二章題解－9圖P2.7解2.7在空載和帶負載情況下，電路的靜態(tài)電流、r均相等，它們分別be為V?UBEQ?UI=BQBEQ≈22μARCCRbβI=I≈1.76mACQBQ26mV≈1.3kΩβr=r+(1+)bebb'IEQ空載時，靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數、輸入電阻和輸出電阻分別為U=V?IR≈6.2VCEQCCCQcβRA&=?uc≈?308rbeR=R∥r≈r≈1.3kΩibbeberA≈&us?A&≈?93ubeR+rsbeR=R=5kΩoc＝5kΩ時，靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數分別為RLRU=?I(R∥R)≈2.3VCQcLLR+RCEQcLβR'A&=?u≈?115LrberA≈&us?A&≈?47ubeR+rsbe第二章題解－10R=R∥r≈r≈1.3kΩibbebeR=R=5kΩoc2.8在圖P2.7所示電路中，由于電路參數不同，在信號源電壓為正弦波時，測得輸出波形如圖P2.8（a）、（b）、（c）所示，試說明電路分別產生了什么失真，如何消除。圖P2.8解：（a）飽和失真，增大R，減小R。bc（b）截止失真，減小R。b（c）同時出現飽和失真和截止失真，應增大V。CC2.9若由PNP型管組成的共射電路中，輸出電壓波形如圖P2.8（a）、（b）、（c）所示，則分別產生了什么失真？解：（a）截止失真；（b）飽和失真；（c）同時出現飽和失真和截止失真。β2.10已知圖P2.10所示電路中晶體管的＝100，rbe=1kΩ。（1）現已測得靜態(tài)管壓降UCEQ＝6V，估算Rb約為多少千歐；U&Ui（2）若測得和的&有效值分別為1mV和100mV，則負載電阻RL為多o少千歐？第二章題解－11圖P2.10解：（1）求解RbV?UCEQ=2mAI=CCCQRcI=ICQ=20μAβBQV?UBEQ≈565kΩR=CCbIBQ（2）求解R：LβR'LUA=?o=?100A=?rbeR'=1kΩL&&uUui1+1=1R=1.5kΩLRRcL2.11在圖P2.10所示電路中，設靜態(tài)時I＝2mA，晶體管飽和管壓降UCQCES＝0.6V。試問：當負載電阻R＝∞和R＝3kΩ時電路的最大不失真輸出電壓LL各為多少伏？解：由于ICQ＝2mA，所以UCEQ＝VCC－ICQRc＝6V。空載時，輸入信號增大到一定幅值，電路首先出現飽和失真。故U?UCES≈3.82VU=omCEQ2=3kΩR時，當輸入信號增大到一定幅值，電路首先出現截止失真。故LIRCQ2'LU=om≈2.12V第二章題解－122.12在圖P2.10所示電路中，設某一參數變化時其余參數不變，在表中填入①增大②減小或③基本不變。&Au參數變化IBQRiUCEQRoRb增大Rc增大RL增大解：答案如解表P2.12所示。解表P2.12所示&A參數變化IBQRiUCEQRouRb增大②①Rc增大③②RL增大③③②①①①③③①③③β2.13電路如圖P2.13所示，晶體管的＝100，r=100Ω。bb'&Q點、A、Ri和Ro；u（1）求電路的（2）若電容Ce開路，化？則將引起電路的哪些動態(tài)參數發(fā)生變化？如何變第二章題解－13圖P2.13解：（1）靜態(tài)分析：RU≈?V=2Vb1R+Rb1BQCCb2U?UBEQ≈1mAI=EQBQR+RfeII=BQ≈10μAEQβ1+≈V?I(R+R+R)=5.7VEQcfeCCUCEQ動態(tài)分析：26mV≈2.73kΩβr=r+(1+)bebb'IEQβ(R∥)Rβr+(1+)RA&=?≈?7.7cLubefβR=R∥R∥[r+(1+)R]≈3.7kΩib1b2befR=R=5kΩocR'LRR+≈?u&&（2）Ri增大，≈4.1kΩ；A減小，A≈－1.92。Riufe&2.14試求出圖P2.3（a）所示電路Q點、A、Ri和Ro的表達式。u解：Q點為V?UI=CCBEQβ++(1+)RRR12IBQβ=V?(1+)IRCCBQcBQc=βICQUCEQ&A、Ri和Ro的表達式分別為uR∥RA&=?β23,R=r∥R,R=R∥Rribe1o23ube2.15試求出圖P2.3（b）所示電路Q點、A、Ri和Ro的表達式。設靜態(tài)&時uR2中的電流遠大于T的基極電流。第二章題解－14解:Q點：R+RRCCβR1=(2?)[∥＋(1＋)]IVURRBQBEQ2323β=IIBQCQU=?IR+UVCCCEQCQcBEQ&A、Ri和Ro的表達式分別為uβRA&=u4rber1+RRi=∥beβ1R=Ro4&2.16試求出圖P2.3（c）所示電路Q點、A、Ri和Ro的表達式。設靜態(tài)時uR2中的電流遠大于T2管的基極電流且R3中的電流遠大于T1管的基極電流。解：兩只晶體管的靜態(tài)電流、管壓降分析如下：V?UUBEQ1I≈CCBEQ1?R+RR3BQ112βI≈I=ICQ2CQ1BQ1U=V?IRCQ2CCCQ24R(V?)+UBEQ1U≈U2+BQ2RRCCBEQ112UU=U－UBQ2CEQ1CEQ2BEQ2=U－U+UCQ2BQ2BEQ2&A、Ri和Ro的表達式分析如下：u第二章題解－15rbe2βA&=??1+β12ru1be1βRA&=u224rbe2A&=A&A&uu1u2R=R∥R∥ri23be1R=Ro42.17設圖P2.17所示電路所加輸入電壓為正弦波。試問：圖P2.17A&U&/U&A&=U&/U&≈?≈?u2o2i（1）=u1o1i（2）畫出輸入電壓和輸出電壓u、u、u的波形；io1o2β＞＞1，所以電壓解：（1）因為通常放大倍數分別應為βRRA&=?≈－c=?1cβr+(1+)RRu1beeeβ(1+)RA&=r+(1+)R≈+1eβu2bee第二章題解－16（2）兩個電壓放大倍數說明uo1≈－u，uo2≈ui。波形如解圖P1.17所i示。解圖P1.17β2.18電路如圖P2.18所示，晶體管的＝（1）求出Q點；（2）分別求出RL＝∞和RL＝3kΩ時電路的A和Ri；80，rbe=1kΩ。&u第二章題解－17（3）求出R。o圖P2.18解：（1）求解Q點：VCC?UIBQ=BEQ≈32.3μAβR+(1+)RbeβIEQ=(1+)IBQ≈2.61mAUCEQ=VCC?IEQRe≈7.17V（2）求解輸入電阻和電壓放大倍數：RL＝∞時βR=R∥[r+(1+)R]≈110kΩibbeeβr+(1+)R(1+)RβA&=u≈0.996ebeeRL＝3kΩ時βR=R∥[r+(1+)(R∥R)]≈76kΩibbeeLβ(1+)(R∥)RLr+(1+)(R∥R)≈0.992&A=eβubeeL（3）求解輸出電阻：R∥R+rbe≈37ΩR=R∥sbβ1+oeβ2.19電路如圖P2.19所示，晶體管的＝60，r=100Ω。bb'&（1）求解Q點、A、Ri和；Rou（2）設U＝10mV（有效值），問U＝？U＝？若C3開路，則U＝？Usioio＝？第二章題解－18圖P2.19解：（1）Q點：V?UI=≈31μACCBEQβR+(1+)RBQbeβI=I≈1.86mACQBQ≈V?I(R+R)=4.56VUCEQCCEQce&A、Ri和的分析：Rou26mV≈952Ωβr=r+(1+)bebb'IEQR=R∥r≈952Ωibbeβ(R∥R)≈?95A&=?ucrLbeR=R=3kΩoc（2）設U＝10mV（有效值），則sR=?≈3.2mVUUUiR+Rs=A&U≈304mVuisioi若C3開路，則βR=R∥[r+(1+)R]≈51.3kΩibbeeR∥RL=?1.5A&≈?ucReRR+RsU=i?U≈9.6mVsiiU=A&U≈14.4mVoiu第二章題解－192.20改正圖P2.20所示各電路中的錯誤，使它們有可能放大正弦波電壓。要求保留電路的共漏接法。圖P2.20解：（a）源極加電阻RS。（b）漏極加電阻RD。（c）輸入端加耦合電容。（d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改為－VDD如解圖P2.20所示改正電路。第二章題解－20解圖P2.20第二章題解－212.21已知圖b）(c)所示。（1）利用圖解法求解P2.21(a)所示電路中場效應管的轉移特性和輸出特性分別如圖（Q點；&（2）利用等效電路法求解A、Ri和。Rou圖P2.21解：（1）在轉移特性中作直線uGS＝－iDRS，與轉移特性的交點即為Q點；讀出坐標值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。如解圖P2.21（a）所示。解圖P2.21第二章題解－22U在輸出特性中作直流負載線u＝VDD－iD（RD＋RS），與＝－2V的那DSGSQ條輸出特性曲線的交點為Q點，UDSQ≈3V。如解圖P2.21（b）所示。然后進行動態(tài)分析。（2）首先畫出交流等效電路（圖略），?i?uGS?2g=m=II=1mA/VDSSDQDUGS(off)UDSA&=?gR=?5mDuR=R=1MΩgiR=R=5kΩoD2.22已知圖P2.22（a）所示電路中場效應管的轉移特性如圖（b）所示。&求解電路的Q點和A。u圖P2.22解：（根據電路圖可知，UGSQ＝VGG＝3V。從轉移特性查得，當UGSQ＝3V時的漏極電流1）求Q點：IDQ＝1mA因此管壓降UDSQ＝－＝5V。VIRDDDQD（2）求電壓放大倍數：2g=mII=2mAVDQDOUGS(th)A&=?gR=?20mDu第二章題解－23&2.23電路如圖P.23所示，已知場效應管的低頻跨導為g，試寫出、AR和miuRo的表達式。&解：、AR和Ro的表達式分別為iu=?g(R∥)m&ARLDu=+∥RRRRi312R=RoD圖P2.232.24圖P2.24中的哪些接法可以構成復合管？標出它們等效管的類型N溝道結型……）及管腳（b、e、c、d、g、s）。（如NPN型、PNP型、圖P2.24解：（a）不能。（b）不能。（c）構成NPN型管，上端為集電極，中（d）不能。（e）不能。（f）PNP型管，上端為發(fā)射極，中端為基極，下端為集電極。（g）構成NPN型管，上端為集電極，中端為基極，下端為發(fā)射極。端為基極，下端為發(fā)射極。第二章題解－24第三章多級放大電路自測題一、判斷下列說法是否正確，凡對的在括號內打“√”，否則打“×”。（1）現測得兩個共射放大電路們連成兩級放大電路，其電壓放大倍數應為10000。()（2）阻容耦合多級放大電路Q點相互獨立，()它只能放大流信號。()（3）直接耦合多級放大電路流信號。()（4）只有直接耦合放大電路（5）互補輸出級應采用共集或共漏接法。(解：（1）×（2）√√（3）√×（4）×空載時的電壓放大倍數均為－100，將它各級的交各級的Q點相互影響，()它只能放大直中晶休管的參數才隨溫度而變化。())（5）√二、現有基本放大電路：A.共射電路B.共集電路C.共基電路D.共源電路E.共漏電路根據要求選擇合適電路組成兩級放大電路。（1）要求輸入電阻為1kΩ至2kΩ，電壓放大倍數大于3000，第一級應二級應采用采用用，第。（2）要求輸入電阻大于10MΩ，電壓放大倍數大于300，第一級應采二級應采用，第。（3）要求輸入電阻為100kΩ～200kΩ，電壓放大倍數數值大于100，應采用二級應采用第一級，第。（4）要求電壓放大阻小于100Ω，第一級應采用（5）設信號源為內阻很大的電倍數的數值大于10，輸入電阻大于10MΩ，輸出電，第二級應采用。壓源，要求將輸入電流轉換成輸出電壓，且A&=U&I&＞1000，輸出電阻Ro＜100，第一級應采用，第二級應uioi采用。解：（1）A，A（2）D，A（3）B，A（4）D，B（5）C，B第三章題解－1三、選擇合適答案填入空內。（1）直接耦合放大電路存在零點漂移的原因是。A.電阻阻值有誤差C.晶體管參數受溫度影響D.電源電壓不穩(wěn)定（2）集成放大電路采用直接耦合方式的原因是A.便于設計B.放大交流信號C.不易制作大容量電容（3）選用差分放大電路的原因是A.克服溫漂B.提高輸入電阻C.穩(wěn)定放入倍數（4）差分放大電路的差模信號是兩個輸入端信號的B.晶體管參數的分散性。。，共模信號是兩個輸入端信號的。A.差B.和C.平均值（5）用恒流源取代長尾式差分放大電路中的發(fā)射極電阻R，將使電路e的。A.差模放大倍數數值增大B.抑制共模信號能力增強C.差模輸入電阻增大（6）互補輸出級采用共集形式是為了使A.電壓放大倍數大。B.不失真輸出電壓大C.帶負載能力強解：（1）C，D（2）C（3）A（4）A，C（5）B（6）Cβ60四、電路如圖PT3.4所示，所有晶體管均為硅管，均為，=100rbb'Ω，靜態(tài)時｜UBEQ｜≈0.7V。試求：（1）靜態(tài)時T1管和T管的發(fā)射極電流。2（2）若靜態(tài)時uO＞0，則應如何調節(jié)R的值才能使u＝0V？若靜態(tài)uO＝c2O0V，則Rc2＝？電壓放大倍數為多少？第三章題解－2圖T3.4解：（1）T3管的集電極電流I＝（U－UBEQ3）/Re3＝0.3mAZC3靜態(tài)時T管和T管的發(fā)射極電流12IE1＝IE2＝0.15mA（2）若靜態(tài)時u＞0，則應減小R。Oc2當uI＝0時uO＝0，T4管的集電極電流I＝VEE/Rc4＝0.6mA。Rc2的電流CQ4及其阻值分別為II=I?I=I?＝0.14mACQ4βRc1C2B4C2IR+UR=c2BEQ4≈7.14kΩE4E4IRC2電壓放大倍數求解過程如下：26mV≈10.7kΩβr=r+(1+)Ibe2bb'EQ226mV≈2.74kΩβr=r+(1+)be4bb'IEQ4{}ββR∥[r+(1+)R]≈16.5A=&c2be4e4u12rbe2βRA=?&≈?18c4β(1)r++Ru2be4e4A=A?A≈－297&&&uu1u2第三章題解－3習題3.1判斷圖P3.1所示各兩級放大電路中，T和T2管分別組成哪種基本接1法的放大電路。設圖中所有電容對于交流信號均可視為短路。圖P3.1解：（a）共射，共基（b）共射，共射（d）共集，共基（e）共源，共集（c）共射，共射（f）共基，共集第三章題解－43.2設圖P3.2所示各電路的靜態(tài)工作點均合適，分別畫出它們的交流等&效電路，并寫出、R和Ro的表達式。iAu圖P3.2解：（1）圖示各電路的交流等效電路如解圖P3.2所示。&A（2）各電路、R和Ro的表達式分別為iu圖（a）{}?βββ2R∥[r+(1+)R](1+)Rβr+(1+)Rbe223A=?&12be2233R+ru1be1R=R+ri1be1r+RR=R∥+β1be22o32圖（b）ββ(1+)(R∥R∥r)RA&=?(?4)123be22βr+(1+)(R∥R∥r)rube1123be2be2βR=R∥[r+(1+)(R∥R∥r)]be1i1123be2R=Ro4第三章題解－5圖（c）{}?[?βββR∥[r+(1+)r]R3A&=?u]12be22d2βR+rr+(1+)r1be1be22dR=R+rbe1i1R=Ro3圖（d）βRA=[?g(R∥R∥R∥r)]?(?&)28um467be2rbe2R=R+R∥R2i31R=Ro8解圖P3.2第三章題解－63.3基本放大電路如圖b）虛線框內為電路Ⅱ。由電路（e）所示，它們均正常工作。試說明圖（P3.3（a）（a）虛線框內為電路Ⅰ，Ⅰ、Ⅱ組成的多級放大電路如圖（c）、（d）、c）、（d）、（e）所示電路b）所示，圖（圖（中（1）哪些電路的輸入電阻比較大；（2）哪些電路的輸出電阻比較小；&&&（3）哪個電路的A=UU最大。usos圖P3.3解:（1）圖（d）、（e）所示電路的輸入電阻較大。（2）圖（c）、（e）所示電路的輸出電阻較小。&（3）圖（e）所示電路的A最大。us第三章題解－7P3.1（a）（b）所示，晶體管的均為，r均為Ω1.2k，β503.4電路如圖be&Q點合適。求解A、Ri和Ro。u解：在圖（a）所示電路中r1+βbe2??β1A=u1&2rbe1βA=2R3=125&u2rbe2A=A?A≈?125&&&uu1u2R=R∥R∥r≈0.93kΩi12be1R=R=3kΩo3在圖（b）所示電路中β??(R∥r)≈?50A=&11rbe1be2u1βA=?2R4≈?42&u2rbe2A=A?A≈2100&&&uu1u2R=(R+R∥R)∥r≈1.2kΩi523be1R=R=1kΩo43.5電路如圖場效應管的g為P3.1（c）（e）所示，晶體管的均為，β80r均為Ω1.5k，be&3mA/V；Q點合適。求解A、Ri和Ro。mu解：在圖（c）所示電路中β??(R∥r)≈?62A=&13rbe1be2u1βA=?2R4≈?107&u2rbe2A=A?A≈6634&&&uu1u2R=R∥r≈1.5kΩi1be1R=R=2kΩi4第三章題解－8在圖（e）所示電路中βA=?gR∥[r+(1+)R]≈?gR≈?6&{}4u1m2bem2β(1+)Rr+(1+)RA=≈1&4βu2be4A=A?A≈?6&&&u1uu2R=R=10MΩi1r+RR=R∥2≈43Ωbeβ1+o43.6圖P3.6所示電路參數理想對稱，β＝β2＝β，rbe1＝rbe2＝rbe。1（1）寫出RW的滑動端在中點時Ad的表達式；（2）寫出RW的滑動端在最右端時Ad的表達式，比較兩個結果有什么不同。圖P3.6解：（1）RW的滑動端在中點時Ad的表達式為(R+RW)βΔuO=?2cA=dΔuIrbe（2）RW的滑動端在最右端時第三章題解－9ββR(R+R)?ΔuΔu=?Δu=+C2c?ΔuIcW2r2rbeC1Ibe(R+RW)βΔu=Δu?Δu=?2c?ΔuIOC1C2rbe所以A的表達式為d(R+RW)βΔuO=?2cA=dΔurIbe比較結果可知，兩種情況下的Ad完全相等；但第二種情況下的Δu＞Δu。C2C13.7圖P3.7所示電路參數理想對稱，晶體管的β均為50，r=100Ω，bb'UBEQ≈0.7。試計算RW滑動端在中點時T1管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流I，以及EQ動態(tài)參數A和Ri。d圖P3.7解：RW滑動端在中點時T1管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流分析如下：RU+I?W+2IR=VEE2BEQEQEQeV?UBEQ≈0.517mAI=EQEERW＋2R2e第三章題解－10Ad和Ri分析如下：26mV≈5.18kΩβr=r+(1+)bebb'IEQβRA=?d≈?97cβr+(1+)RW2beβR=2r+(1+)R≈20.5kΩibeW3.8電路如圖若輸入直流信號uI1=20mv，uI2=10mv，則電路的電壓uId=？輸出動態(tài)電壓△uO=?P3.8所示，T管和T管的β均為40，r均為3kΩ。試問：12be共模輸入電壓uIC=？差模輸入圖P3.8解：電路的共模輸入電壓uIC、差模輸入電壓uId、差模放大倍數Ad和動態(tài)電壓△uO分別為u+uI2=15mVu=ICI12u=u?u=10mVIdI1I2βRA=?dc≈?672rbeΔu=Au≈?0.67VOdId由于電路的共模放大倍數為零，故△uO僅由差模輸入電壓和差模放大倍數決定。第三章題解－113.9電路如圖P3.9所示，晶體管的β=50，r=100Ω。bb'（1）計算靜態(tài)時T1管和T2管的集電極電流和集電極電位；（2）用直流表測得uO=2V，uI=？若uI=10mv，則uO=？圖P3.9解：（1）用戴維寧定理計算出左邊電路的等效電阻和電源為RR'=R∥R≈6.67kΩ,V'=?V=5VCCLR+RLcLCCcL靜態(tài)時T1管和T2管的集電極電流和集電極電位分別為V?UBEQ=0.265mAI=I=I≈I≈EE2RCQ1CQ2CQEQeU=V'?IR'≈3.23VCQ1CCCQLU=V=15VCQ2CC（2）先求出輸出電壓變化量，再求解差模放大倍數，最后求出輸入電壓，如下：△uO＝uO－UCQ1≈－1.23V26mA≈5.1kΩβr=r+(1+)Ibebb'EQβR'LA=?2(R+r)≈?32.7dbbeΔuO≈37.6mVu=IAd若uI=10mv，則Δu=Au≈?0.327VOdIu=U+Δu≈2.9VOCQ1O3.10試寫出圖P3.10所示電路A和Ri的近似表達式。設T1和T2的電流放d第三章題解－12大系數分別為1和2，b-e間動態(tài)電阻分別為ββr和rbe2。be1圖P3.10解：Ad和Ri的近似表達式分別為(R∥RL)ββ12c2βA≈?+(1+)rbe2drbe11βbe2R=2[r+(1+)r]ibe113.11電路如圖P3.11所示，T1和T2的低頻跨導gm均為2mA/V。試求解差模放大倍數和輸入電阻。圖P3.11解：差模放大倍數和輸入電阻分別為Ad＝－gmRD＝－40Ri＝∞3.12試求出圖P3.12所示電路的Ad。設T1與T3的低頻跨導gm均為2mA/V，第三章題解－13T2和T4的電流放大系數β均為80。圖P3.12解：首先求出輸出電壓和輸入電壓的變化量，然后求解差模放大倍數。βΔu=?(Δi+Δi)R=?(gΔu+gΔu)RODCDmGSmGSD12Δu=Δu+Δu=Δu+Δir=Δu+gΔurGSbeIGSBEGSDbeGSmβ21+gr1(1+)gRA=??r，若=1kΩ，則Ad＝－540。bemDdmbe3.13電路如圖P3.13所示，T1～T5的電流放大系數分別為β～β5，b-e1間動態(tài)電阻分別為rbe1～rbe5，寫出A、Ri和Ro的表達式。u圖P3.13解:A、Ri和Ro的表達式分析如下：u第三章題解－14{}O1=β12be4β45ΔuΔuR∥[r+(1+)R]A=2rbe1u1{}Iββ5ΔuΔuR∥[r+(1+)R]7A=u2O2=?46be5βr+(1+)Rbe445I2βΔu(1+)Rr+(1+)Rbe5A=ΔΔuuO=A?A?Au3A=u3O3=57βΔuI357uu1u2IR=r+rbe2ibe1r+RR=R∥7be56β1+o53.14電路如圖3.14所示。已知電壓放大倍數為－100，輸入電壓uI為正弦波，T2和T3管的飽和壓降｜UCES｜=1V。試問：（1）在不失真的情況下，輸入電壓最大有效值Uimax為多少伏？（2）若Ui＝10mv(有效值)，則Uo＝？若此時R3開路，則Uo=？若R3短路，則Uo=？P3.14解：（1）最大不失真輸出電壓有效值為V?UCES≈7.78VU=omCC2故在不失真的情況下，輸入電壓最大有效值Uimax第三章題解－15UU=om≈77.8mVimax&Au（2）若U＝10mV，則U＝1V（有效值）。io若R開路，則T和T組成復合管，等效≈βββ133，T3可能飽和，使得uO≈31－11V（直流）。若R3短路，則u≈11.3V（直流）。O第三章題解－16第四章集成運算放大電路自測題一、選擇合適答案填入空內。（1）集成運放電路采用直接耦合方式是因為。A．可獲得很大的放大倍數B.可使溫漂小C．集成工藝難于制造大容量電容（2）通用型集成運放適用于放大。A．高頻信號B.低頻信號C.任何頻率信號（3）集成運放制造工藝使得同類半導體管的。A.指標參數準確C．參數一致性好B.參數不受溫度影響（4）集成運放的輸入級采用差分放大電路是因為可以。A．減小溫漂B.增大放大倍數C.提高輸入電阻（5）為增大電壓放大倍數，集成運放的中間級多采用。A．共射放大電路C．共基放大電路B.共集放大電路解：（1）C（2）B（3）C（4）A（5）A二、判斷下列說法是否正確，用“√”或“×”表示判斷結果填入括號內。（1）運放的輸入失調電壓U是兩輸入端電位之差。()IO（2）運放的輸入失調電流IIO是兩端電流之差。()=AA（3）運放的共模抑制比Kd()CMRc（4）有源負載可以增大放大電路的輸（5）在輸入信號1）×（2）√（出電流。()作用時，偏置電路改變了各放大管的動態(tài)電流。()解：（3）√（4）√（5）×第四章題解－1三、電路如圖T4.3所示，已知β=β=β=100。各管的U均為0.7V，123BE試求IC2的值。圖T4.3解：分析估算如下：I=V?U?UBE1=100μACCBE2RRI=I=IC0I=IE2C1CE1II=I+I=I+I=I+CβRC0B2C0B1Cβ1+βI=C?I≈I=100μARR四、電路如圖T4.4所示。圖T4.4第四章題解－2（1）說明電路是幾級放大電路，各級分別是哪種形式的放大電路（共射、共集、差放……）；（2）分別說明各級采用了哪些措施來改善其性能指標（如增大放大倍數、輸入電阻……）。解：（1）三級放大電路，第一級為共集-共基雙端輸入單端輸出差分放大電路，第二級是共射放大電路，第三級是互補輸出級。（2）第一級采用共集-共基形式，增大輸入電阻，改善高頻特性；利用有源負載（T5、T6）增大差模放大倍數，使單端輸出電路的差模放大倍數近似等于雙端輸出電路的差模放大倍數，同時減小共模放大倍數。第二級為共射放大電路，以T7、T8構成的復合管為放大管、以恒流源作集電極負載，增大放大倍數。第三級為互補輸出級，加了偏置電路，利用D1、D2的導通壓降使T9和T10在靜態(tài)時處于臨界導通狀態(tài)，從而消除交越失真。五、根據下列要求，將應優(yōu)先考慮集成運致的類型是：①通用型②高阻型③⑥大功率型⑦高精度型使用的集成運放填入空內。已知現有高速型④低功耗型⑤高壓型（1）作低頻放大器，應選用。（2）作寬頻帶放大器，應選用。（3）作幅值為1μV以下微弱信號的量測放大器，應選用。（4）作內阻為100kΩ信號源的放大器，應選用。（5）負載需5A電流驅動的放大器，應選用。（6）要求輸出電壓幅值為±80的放大器，應選用。（7）宇航儀器中所用的放大器，應選用。解：（1）①（2）③（3）⑦（4）②（5）⑥（6）⑤（7）④第四章題解－3習題4.1通用型集成運放一般由幾部分電路組成，每一部分常采用哪種基本電路？通常對每一部分性能的要求分別是什么？解：通用型集成運放由輸入級、中間級、輸出級和偏置電路等四個部分組成。通常，輸入級為差分放大電路，中間級為共射放大電路，輸出級為互補電路，偏置電路為電流源電路。對輸入級的要求：輸入電阻大，溫漂小，放大倍數盡可能大。對中間級的要求：放大倍數大，一切措施幾乎都是為了增大放大倍數。對輸出級的要求：帶負載能力強，最大不失真輸出電壓盡可能大。對偏置電路的要求：提供的靜態(tài)電流穩(wěn)定。4.2已知一個集成運放的開環(huán)差模增益A為100dB，最大輸出電壓峰u（即uP－uN）為10μV、100μV、1mV、1V和－10μV、－100μV、－1mV、－1V時的輸出電壓u。-od峰值U＝±14V，分別計算差模輸入電壓oppIO解：根據集成運放的開環(huán)差模增益，可求出開環(huán)差模放大倍數20lgA=100dBodA=105od當集成運放工作在線性區(qū)時，輸出電壓u＝AoduI；當AoduI超過±14V時，OuO不是＋14V，就是－14V。故uI（即uP－uN）為10μV、100μV、1mV、1V和－10μV、－100μV、－1mV、－1V時，uO分別為1V、10V、14V、14V、－1V、－10V、－14V、－14V。4.3已知幾個集成運放的參數如表P4.3所示，試分別說明它們各屬于哪種類型的運放。表P4.3IIB－3dBfHKCMR特性指標AodridUIOIIOSR單位增益帶寬dBMΩmvnAnAHzdBV/μV0.5MHz單位A1A2A3A410021302520060077860.0152400.020.031200.586100100010020.56552201509612.5解：A為通用型運放，A為高精度型運放，A為高阻型運放，A為高速1234型運放。第四章題解－44.4多路電流源電路如圖P4.4所示，已知所有晶體管的特性均相同，UBE均為0.7V。試求I、IC2各為多少。C1圖P4.4解：因為T、T2、T3的特性均相同，且UBE均相同，所以它們的基極、集1電極電流均相等，設集電極電流為I。先求出R中電流，再求解I、IC2。CC1I=V?U?UBE0=100μACCBE4RR3I3ICI=I+I=I+=I+CBβββ(1+)1+RC0B3C0β+β2I=C?Iββ++32R當（＋）＞＞3時β1βI=I≈I=100μAC1C2R第四章題解－54.5圖4.5所示為多集電極晶體管構成的多路電流源。已知集電極C與0C所接集電區(qū)的面積相同，C所接集電區(qū)的面積是C的兩倍，I/I=4，e-b120COB間電壓約為0.7V。試求解I、IC2各為多少C1圖P4.5解：多集電極晶體管集電極電流正比于集電區(qū)的面積。先求出R中電流，再求解I、IC2。C1V?UEB=200μAI=(其中U=0.7V)EBCCRRII=I+I=I+C0βRCBC0βII=R=160μAβC01+I=I=160μAC1C0I=2I=320μAC2C0第四章題解－64.6電路如圖P4.6所示，T管的低頻跨導為g，T1和T2管d-s間的動態(tài)電m阻分別為r和rds2。試求解電壓放大倍數A=△uO/△uI的表達式。ds1u圖P4.6解：由于T和T所組成的鏡像電流源是以T1為放大管的共射放大電路的23有源負載，T、T2管d-s間動態(tài)電阻分別為r、rds2，所以電壓放大倍數A的1ds1u表達式為A=ΔuO=?Δi(r∥r)ds2ΔuI=?g(r∥r)mds1ds2ΔuDds1uI4.7電路如圖P4.7所示，T與T2管特性相同，它們的低頻跨導為g；T3與1mT4管特性對稱；T2與T4管d-s間動態(tài)電阻為r和rds4。試求出兩電路的電壓放ds2大倍數A=△uO/△(uI1－uI2)的表達式。u圖P4.7第四章題解－7解：在圖（a）（b）所示電路中Δi