2023年關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)任務(wù)揭榜工作方案

2023年關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)任務(wù)揭榜工作方案為貫徹落實(shí)《省政府關(guān)于加快培育先進(jìn)制造業(yè)集群的指導(dǎo)意〔蘇政發(fā)〔2023〕86號(hào)〕和《省政府關(guān)于加快進(jìn)展先進(jìn)制造〔蘇政發(fā)〔2023〕25號(hào)〕要求，加快建設(shè)自主可控的先進(jìn)制造業(yè)體系，提升關(guān)鍵技術(shù)掌握力，制定本方案。一、工作目標(biāo)聚焦省重點(diǎn)培育的型電力〔能源〕裝備、工程機(jī)械、物聯(lián)網(wǎng)、高端紡織、前沿材料、生物醫(yī)藥和型醫(yī)療器械、集成電路、海工裝備和高技術(shù)船舶、高端裝備、節(jié)能環(huán)保、核心信息技術(shù)、汽車及零部件、型顯示等13個(gè)先進(jìn)制造業(yè)集群，遴選一批必需把握的關(guān)鍵核心技術(shù)，組織具備較強(qiáng)創(chuàng)力量的企業(yè)單位揭榜攻關(guān)，逐步推動(dòng)制約產(chǎn)業(yè)進(jìn)展的重大關(guān)鍵核心技術(shù)突破，不斷提高制造業(yè)的自主可控水平。二、步驟安排〔一〕集中發(fā)榜。省工業(yè)和信息化廳系統(tǒng)梳理先進(jìn)制造業(yè)集群進(jìn)展面臨的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，依據(jù)輕重緩急系統(tǒng)地安排揭榜工作打算，結(jié)合當(dāng)年重點(diǎn)工作部署，集中公布年度揭榜任務(wù)，明確任務(wù)完成時(shí)限及具體指標(biāo)要求。〔二〕申請(qǐng)揭榜。從事集群所屬產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的單個(gè)企業(yè)，或者由企業(yè)牽頭多個(gè)單位組成的聯(lián)合體可成為揭榜申請(qǐng)主體。揭榜申請(qǐng)企業(yè)應(yīng)具有較強(qiáng)的創(chuàng)力量，對(duì)申請(qǐng)揭榜的產(chǎn)品或技術(shù)擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)，技術(shù)先進(jìn)且應(yīng)用前景良好。申請(qǐng)企業(yè)需承諾揭榜后能夠在指定期限內(nèi)完成揭榜任務(wù)?！踩硢挝煌婆e。各設(shè)區(qū)市、昆山市、泰興市、沭陽縣的工業(yè)和信息化主管部門〔以下統(tǒng)稱各地工信部門〕為推舉單位，組織符合條件的企業(yè)填寫申請(qǐng)材料，并在審核后集中向省工業(yè)和信〔格式附后?！菜摹辰野衿髽I(yè)遴選。省工業(yè)和信息化廳組織行業(yè)專家和評(píng)測(cè)機(jī)構(gòu)承受集中評(píng)審或現(xiàn)場(chǎng)評(píng)估等形式，綜合考慮各申請(qǐng)企業(yè)的根底條件、創(chuàng)力量、進(jìn)展?jié)摿?、產(chǎn)品指標(biāo)等因素，擇優(yōu)確定并1家揭榜企業(yè)和假設(shè)干入圍企業(yè)〔入圍企業(yè)不超過2家。省財(cái)政對(duì)揭榜企業(yè)的攻關(guān)投入賜予肯定比例的事前補(bǔ)助；對(duì)按期完成揭榜任務(wù)的入圍企業(yè)，按攻關(guān)投入賜予肯定比例的事后獎(jiǎng)補(bǔ)。〔五〕揭榜任務(wù)實(shí)施。揭榜企業(yè)和入圍企業(yè)按《申報(bào)材料》中的進(jìn)度打算開展攻關(guān)工作，組織實(shí)施揭榜任務(wù)。期間，省工業(yè)和信息化廳持續(xù)跟蹤進(jìn)展，適時(shí)組織行業(yè)專家對(duì)揭榜任務(wù)完成情況進(jìn)展階段性評(píng)估。〔六揭榜企業(yè)和入圍企業(yè)完成攻關(guān)任務(wù)后，由省工業(yè)和信息化廳組織行業(yè)專家或托付具備相關(guān)資質(zhì)和檢測(cè)條件的第三方專業(yè)機(jī)構(gòu)開展評(píng)價(jià)工作。評(píng)價(jià)工作基于揭榜任務(wù)和預(yù)期目標(biāo)，依據(jù)攻關(guān)實(shí)際成果進(jìn)展評(píng)估，適時(shí)公布評(píng)估結(jié)果。經(jīng)評(píng)估確定完成攻關(guān)任務(wù)的，公開公布攻關(guān)成功企業(yè)名單，并大力支持攻關(guān)成果推廣應(yīng)用。三、工作要求各地工業(yè)和信息化主管部門要加強(qiáng)組織領(lǐng)導(dǎo)，充分調(diào)動(dòng)企業(yè)、科研院所、相關(guān)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟及行業(yè)協(xié)會(huì)的樂觀性；親熱跟蹤揭榜企業(yè)和入圍企業(yè)產(chǎn)品創(chuàng)及應(yīng)用進(jìn)展，適時(shí)開展揭榜任務(wù)的階段性評(píng)估，有效協(xié)調(diào)推動(dòng)揭榜任務(wù)攻關(guān)組織實(shí)施工作。鼓舞各地結(jié)合本地區(qū)產(chǎn)業(yè)進(jìn)展?fàn)顩r，在相關(guān)配套資金、工程、優(yōu)待政策等方面優(yōu)先賜予支持，為揭榜企業(yè)和入圍企業(yè)完成攻關(guān)任務(wù)制造良好環(huán)境。附件：1.2023年第一批揭榜任務(wù)和預(yù)期目標(biāo)揭榜單位申報(bào)材料揭榜申請(qǐng)單位信息匯總表2023年第一批揭榜任務(wù)和預(yù)期目標(biāo)〔27項(xiàng)任務(wù)〕一、集成電路〔聯(lián)系人：電子信息產(chǎn)業(yè)處王小飛〕〔一〕FPGA芯片F(xiàn)PGA芯片自主研制瓶頸，把握億門級(jí)FPGA芯片的硬件設(shè)計(jì)、測(cè)試、封裝、牢靠FPGA開發(fā)工具研發(fā)等關(guān)鍵技術(shù)，建立完備的FPGA產(chǎn)品研發(fā)、制造、測(cè)試體系。預(yù)期目標(biāo)：2023年，到達(dá)以下技術(shù)目標(biāo)：1、工作電壓：內(nèi)核：0.8V，IO：1.2-1.8V；2、規(guī)律單元：1000K；3、DSP〔25×18Slice)Slice：工作頻率：600MHz；4、集成數(shù)量：800個(gè)；60Mb；6、PCIe：Gen3，4Lanes；7、存儲(chǔ)器接口：DDR4；82400bps×64=153.6Gbps；9Serdes32路單通道16.3Gbps6路單通道30.5Gbps；10、LVDS速率：1.25Gbps。〔二〕GaN毫米波集成電路芯片揭榜任務(wù)：對(duì)標(biāo)國(guó)際先進(jìn)水平，提高GaN毫米波芯片的產(chǎn)業(yè)化供給力量，提高通信用產(chǎn)品的線性度、效率。預(yù)期目標(biāo)：2023年，到達(dá)以下技術(shù)目標(biāo)：1、GaN毫米波功率MMIC：頻帶24.25-27.6GHz，飽和功33dBm30%，8dBbackoff7%18dB；2、GaNDohertyMMIC24.25-27.6GHz，飽和功率收LNA，放射PA及收發(fā)開關(guān)；接收：增益17dB，接收飽和輸17dB3123dBm時(shí)IM335dBc?！踩?GFBAR射頻濾波芯片F(xiàn)BAR濾波芯片的國(guó)產(chǎn)化瓶頸，攻克器件設(shè)計(jì)、工藝、制造、封測(cè)全產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵技術(shù)，形成FBAR學(xué)問產(chǎn)權(quán)體系。預(yù)期目標(biāo)：2023年，到達(dá)以下技術(shù)目標(biāo)：1、5G通信wifi芯片，帶寬81MHz，插損2.2dB，抑制度45dB；25G通信n41196MHz3dB40dB；3、5G頻段3.5GHz芯片，帶寬200MHz，插損3dB，抑45dB?！菜摹砎PS成像芯片術(shù)CIS納米以下。預(yù)期目標(biāo)：到2023年，到達(dá)以下技術(shù)目標(biāo)：像素尺寸0.51億?！参濉炒笠?guī)模集成電路用12英寸單晶制造的電子級(jí)多晶硅材料40nm12英寸單晶制造需求。預(yù)期目標(biāo)：到2023年，到達(dá)以下技術(shù)目標(biāo)：1、純度：≥11N；2、施主雜質(zhì)濃度：≤90ppta；3、雜質(zhì)濃度：≤10ppta；4、濃度：≤80ppba；5、氧濃度：≤80ppba；6、基體金屬雜質(zhì)濃度：總金屬雜質(zhì)含≤0.1ppbw；7、外表金屬雜質(zhì)濃度：總雜質(zhì)含≤0.1ppbw?！擦?2MCU芯片32MCU芯片，研發(fā)自主核心處理器及其軟件系統(tǒng)，建立獨(dú)立學(xué)問產(chǎn)權(quán)，滿足位核心處理器中高端市場(chǎng)需求。預(yù)期目標(biāo)：到2023年，到達(dá)以下技術(shù)目標(biāo)：1、全自主核心微處理器 IP，RISC-V嵌入式CPU 主頻800Mhz@65nm，1.2DMIPS，2.5CoreMark/Mhz。2、圍繞MCU的片上存儲(chǔ)系統(tǒng)、總線架構(gòu)、模擬前端IP系列、通訊IP模塊、掌握專用IP模塊、軟件開發(fā)環(huán)境、應(yīng)用庫(kù)函數(shù)等、物聯(lián)網(wǎng)操作系統(tǒng)。〔七〕超薄芯片(ultra-thinfBGA)封裝技術(shù)揭榜任務(wù)對(duì)標(biāo)國(guó)際先進(jìn)水平，突破國(guó)內(nèi)外超薄芯片(ultra-thinfBGA)專利和先進(jìn)封裝技術(shù)瓶頸，把握超薄芯片fBGA)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、材料研發(fā)、封裝、測(cè)試、牢靠性等(ultra-thinfBGA)產(chǎn)品研發(fā)、制造、測(cè)試以及牢靠性體系。預(yù)期目標(biāo)：2023年，到達(dá)以下技術(shù)目標(biāo)：1、Moldcap:0.20mm；2、Diethickness:0.05mm；3、Wireloop:0.05mm；4、Substratethickness:0.1mm以下；5、Packagethickness：0.4mm以下；6、Reliability:MSL1；7、EMIshielding?！舶恕辰^緣柵雙極晶體管〔IGBT〕揭榜任務(wù)：對(duì)標(biāo)國(guó)際先進(jìn)水平，開發(fā)系列化IGBT器件及組件產(chǎn)品；推廣IGBT在鐵路機(jī)車與城市軌道交通中的應(yīng)用，從應(yīng)IGBT器件及功率組件在風(fēng)電、太陽能發(fā)電、工業(yè)傳動(dòng)、通用高壓變頻器、能源汽車和電力市場(chǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用。預(yù)期目標(biāo)：2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：1、1200V/200A芯片：(1)Vce(sat)<2.2V(Tj=125℃)；開通能耗Eon<30mJ(Tj=125℃)；。2、1700V/200A芯片：(1)Vce(sat)<2.5V(Tj=125℃)；(2)Eon<70mJ(Tj=125℃)；。3、3300V/62.5A芯片：Vce(sat)<4V(Tj=125℃)；(2)開通能耗Eon<70mJ(Tj=125℃)；(3)Eoff<75mJ(Tj=125℃)。20231200V1700V3300V、4500VIGBT芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊封裝技術(shù)。二、物聯(lián)網(wǎng)〔聯(lián)系人：電子信息產(chǎn)業(yè)處韓小平〕〔一〕MEMS傳感器〔加速度〕料技術(shù)，在區(qū)分率、精度、牢靠性等方面實(shí)現(xiàn)較大提升，實(shí)現(xiàn)使該領(lǐng)域的中端產(chǎn)品替代進(jìn)口。預(yù)期目標(biāo)：2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：1、量程：±30g；2、靈敏度≤60mv/g；3、頻率響應(yīng)：0~2300Hz；4、非線性≤0.5%；5、抗沖擊：10000g?！捕硵?shù)字式位移傳感器〔的2類位移傳服驅(qū)動(dòng)的要求，在區(qū)分率、精度、牢靠性等方面實(shí)現(xiàn)較大提升，實(shí)現(xiàn)使該領(lǐng)域的中端產(chǎn)品替代進(jìn)口。預(yù)期目標(biāo)：到2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：1、旋轉(zhuǎn)式單圈24位區(qū)分率；確定定位精度5“；3“。2、直線式區(qū)分率1um；重復(fù)定位精度3um。三、型顯示〔聯(lián)系人：電子信息產(chǎn)業(yè)處于勇〕〔一〕Micro-LED用紫外正性光刻膠揭榜任務(wù):對(duì)標(biāo)國(guó)際先進(jìn)水平，開發(fā)高區(qū)分率的光刻膠，滿足Micro-LED制造需求。預(yù)期目標(biāo)：到2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：1、膜厚1um，殘膜率大于99%；2、旋涂片內(nèi)均勻性小于50埃，區(qū)分率0.3um；3400ms20%DOF窗口形貌角度可控。四、核心信息技術(shù)〔一〕動(dòng)態(tài)人像識(shí)別系統(tǒng)〔聯(lián)系人：科技處李凱〕揭榜任務(wù):對(duì)標(biāo)國(guó)際先進(jìn)水平，開發(fā)動(dòng)態(tài)人像識(shí)別系統(tǒng)，實(shí)證比對(duì)、身份甄別等應(yīng)用場(chǎng)景供給技術(shù)支撐。預(yù)期目標(biāo)：2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：人臉檢測(cè)：安防監(jiān)控行進(jìn)場(chǎng)景下的動(dòng)態(tài)人臉有效檢出率≥97%；最大人臉檢測(cè)角度≥80°；誤報(bào)率水平由企業(yè)依據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景需求確定?；铙w檢測(cè)方式：可以實(shí)現(xiàn)非協(xié)作下的單目RGB活檢、單目IR3D構(gòu)造光活檢。人臉識(shí)別：安防監(jiān)控行進(jìn)場(chǎng)景下的動(dòng)態(tài)人臉正確識(shí)別率〔1:N〕≥90%；人像左右識(shí)別角度≥40°≥20°；最小人臉像素≤40×40像素點(diǎn)；誤報(bào)率水平由企業(yè)依據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景需求確定。指人臉查找，n:N識(shí)別。系統(tǒng)響應(yīng)時(shí)間≤1秒。安防監(jiān)控行進(jìn)場(chǎng)景下1:N人臉識(shí)別支持的注冊(cè)集規(guī)?！輧|級(jí)?！捕诚到y(tǒng)仿真與機(jī)電液控專業(yè)仿真軟件〔胡錦恒〕揭榜任務(wù):對(duì)標(biāo)國(guó)際先進(jìn)水平，研發(fā)可應(yīng)用于航空、航天、車輛、船舶、能源等裝備制造領(lǐng)域的系統(tǒng)仿真與機(jī)械、掌握、電真和機(jī)電液控仿真軟件。預(yù)期目標(biāo)：到2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：1、系統(tǒng)仿真：供給多領(lǐng)域統(tǒng)一的可視化建模、編譯分析、仿真求解及后處理功能，完全支持Modelica3.4標(biāo)準(zhǔn)；供給高效200仿真C代碼生成功能，支持離線與實(shí)時(shí)代碼生成；供給8種以上建模和仿真工具箱，供給10種以上的求解算法；完全支持FMI1.02.0,FMI2個(gè)以上領(lǐng)域FMI標(biāo)準(zhǔn)接口；在4個(gè)以上行業(yè)開展現(xiàn)范應(yīng)用，供給10000個(gè)模型組件。2、機(jī)械動(dòng)力學(xué)仿真：支持多體系統(tǒng)運(yùn)動(dòng)學(xué)和動(dòng)力學(xué)三維可供給53種以上CAD軟件幾何文件導(dǎo)入；供給車輛、航空等至少2個(gè)以上行業(yè)的機(jī)械專業(yè)建模與仿真模塊；支持ModelicaFMI標(biāo)準(zhǔn)和多領(lǐng)域模型集成。3、掌握仿真：支持專業(yè)化的掌握系統(tǒng)可視化建模與仿真；供給掌握系統(tǒng)分析類工具箱〔支持時(shí)域分析與頻域分析掌握系統(tǒng)設(shè)計(jì)類工具箱〔支持根軌跡法、頻域法統(tǒng)優(yōu)化類工具箱〔支持參數(shù)標(biāo)定、目標(biāo)優(yōu)化、PID整定掌握系統(tǒng)專業(yè)模型庫(kù)〔常用掌握律、濾波器、掌握算法等8ModelicaFMI標(biāo)準(zhǔn)和多領(lǐng)域模型集成。4、液壓仿真：支持液壓系統(tǒng)可視化建模、仿真功能及后處理功能供給100個(gè)以上液壓元件液壓組件及典型回路模型庫(kù)；供給5種以上分析和優(yōu)化工具支持8種以上求解算法供給液壓專業(yè)完整前后處理界面；供給模型治理功能；支持 Modelica和FMI標(biāo)準(zhǔn)和多領(lǐng)域模型集成；實(shí)現(xiàn)3個(gè)以上行業(yè)的典型應(yīng)用。5、電氣仿真：支持電氣系統(tǒng)可視化設(shè)計(jì)與靜態(tài)大圖生成；供給100信息統(tǒng)計(jì)；支持航天IDS接口標(biāo)準(zhǔn)，基于IDS供給電氣系統(tǒng)自動(dòng)導(dǎo)入、設(shè)備自動(dòng)布局、自動(dòng)布線功能；供給2種以上商用電氣ModelicaFMI標(biāo)準(zhǔn)和多領(lǐng)域模型集成功能。五、高端裝備〔聯(lián)系人：裝備工業(yè)處劉旭東〕〔一〕PLC揭榜任務(wù)：對(duì)標(biāo)國(guó)際先進(jìn)水平，在精度、響應(yīng)水平、環(huán)境耐器PLC在常規(guī)用途下替代進(jìn)口。預(yù)期目標(biāo)：到2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：1、支持的I/O設(shè)備點(diǎn)數(shù)≥1024；2、程序內(nèi)存≥200k步；3、多任務(wù)特性〔任務(wù)數(shù)量〕≥128；4、快速輸入輸出掌握時(shí)間≤5us；5、支持100M以太網(wǎng)通訊；6、程序內(nèi)存≥16M；7、絕緣耐壓：DC500V，2MΩ以上；8、抗噪聲力量：1000V(峰-峰值)、脈寬1us、1min?！捕持悄苣ゴ矓?shù)控系統(tǒng)揭榜任務(wù)：對(duì)標(biāo)國(guó)際先進(jìn)水平，研發(fā)高性能磨床數(shù)控系統(tǒng)，提高高端數(shù)控軋輥磨床產(chǎn)業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。預(yù)期目標(biāo)：到2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：1、最大通道數(shù)：≥4組，最大聯(lián)動(dòng)軸數(shù)：7軸；2、最大插補(bǔ)軸數(shù)：≥5軸，插補(bǔ)周期：≤0.0625ms，插補(bǔ)方式：直線，圓弧，螺旋線，CVC，樣條曲線等；3、最小區(qū)分率：10-6mm/deg；4、小線段最大前瞻段數(shù)：2048；程序段處理速度：≥7200段/秒；5、實(shí)現(xiàn)砂輪半徑和厚度補(bǔ)償、主軸恒功率磨削掌握?！踩吵咧苊馨雽?dǎo)體自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)測(cè)系統(tǒng)，提高半導(dǎo)體芯片檢測(cè)領(lǐng)域的技術(shù)水平。預(yù)期目標(biāo)：到2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：1、第一階段完成350nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)；2、其次階段完成到250nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)；3、第三階段到達(dá)180nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)；4、第四階段到達(dá)130nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)?！菜摹掣呔群娇蘸教靹?dòng)密封件網(wǎng)紋加工技術(shù)能。預(yù)期目標(biāo)：到2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：1、網(wǎng)紋角度，在中心線方向的夾角為110°～140°；2Ra≤50.1μm；3、輪廓偏斜度Rsk(k－0.5～－1.5)；44mm4μm的5個(gè)；5、輪廓支撐長(zhǎng)度率(tp)滿足要求：去除的峰值高度 Rpk:≤0.35μm；核心粗糙度深度Rk:0.2μm～1.6μm；去除的谷值深度Rvk:0.5μm～3μm；6、在兩個(gè)方向的網(wǎng)紋均勻、無尖角、毛刺和金屬折疊?！参濉掣咝阅芾w維智能化高速多層織造裝備內(nèi)空白。預(yù)期目標(biāo)：到2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：1、單機(jī)直針鋪緯≥20層/min，機(jī)器轉(zhuǎn)速≥1800r/min；2、智能檢測(cè)系統(tǒng)狀態(tài)感知節(jié)點(diǎn)≥8，檢測(cè)出錯(cuò)率＜0.5%；3、光電緯紗狀態(tài)感知系統(tǒng)緯紗在線檢測(cè)力量≥288組，卷裝1000mm；4〔六〕三維五軸數(shù)控激光切割機(jī)內(nèi)高壓成形件和高強(qiáng)度鋼成形件加工等領(lǐng)域的三維五軸數(shù)控激光切割機(jī)。預(yù)期目標(biāo)：2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：1、加工范圍(長(zhǎng)×寬×高)：3000mm×1500mm×650mm；2、X/Y/Z最大速度：≥100m/min；3、X/Y/Z最大加速度：≥1g；4、X/Y/Z定位精度：±0.05mm；5、X/Y/Z重復(fù)定位精度：0.03mm；6、A/B軸最大速度：≥90r/min；7、A/B軸最大加速度：≥60rad/s2；8、A/B軸定位精度：±0.015°；9、A/B軸重復(fù)定位精度：0.005°?！财摺橙蓟栎S控牽引變流器+永磁同步牽引電機(jī)軌道牽引系統(tǒng)全碳化硅軸控牽引變流器+永磁同步牽引電機(jī)，研制一款性能接近的產(chǎn)品替代進(jìn)口。2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：逆變器：1、功率器件：碳化硅MOSFET；2、掌握方式：軸控，冗余性和可用性高；3、連續(xù)輸出功率：1080-1800kVA；4、短時(shí)最大輸出功率：≥2200kVA；5、電機(jī)額定效率：≥97%；6、牽引電機(jī)功率：≥250kW。牽引系統(tǒng)：1、綜合節(jié)能率：≥20%；2、可用性提高：≥30%；3、設(shè)備重量減輕：≥15%；4、全壽命周期本錢節(jié)約：≥30%。六、工程機(jī)械〔聯(lián)系人：裝備工業(yè)處劉旭東〕〔一〕全地面起重機(jī)斷開式驅(qū)動(dòng)橋斷開式驅(qū)動(dòng)橋，帶動(dòng)起重機(jī)械領(lǐng)域傳動(dòng)系統(tǒng)整體水平提升。預(yù)期目標(biāo)：到2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：1、最大輸入扭矩：≥10000N.m；2、最大橋荷：≥30噸；3、壽命：≥1萬小時(shí)；4、行駛里程：≥35萬公里。七、汽車及零部件〔聯(lián)系人：產(chǎn)業(yè)政策處鄒海鵬〕〔一〕自動(dòng)駕駛車輛線控底盤系統(tǒng)揭榜任務(wù)：爭(zhēng)論自主可控的自動(dòng)駕駛電動(dòng)汽車底盤線控系統(tǒng)，包括線控驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、線控轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和線掌握動(dòng)系統(tǒng)；將自動(dòng)駕過車載網(wǎng)絡(luò)傳遞給執(zhí)行機(jī)構(gòu)及其電子掌握器。預(yù)期目標(biāo)：2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：1、線控轉(zhuǎn)向響應(yīng)時(shí)間：<0.1秒；2、線控轉(zhuǎn)向速度：>36°/秒〔轉(zhuǎn)向輪；3<0.2間：<0.1秒；4、車輛速度掌握精度誤差：<5%；5、橫向軌跡跟蹤掌握精度誤差：<0.3米；6、支持CAN、RS232、TCP/IP、TTL；7、支持多路信號(hào)處理、路由功能；8、支持OTA、CAN-FD、Cybersecurity；9、支持模式掌握：駕駛員模式和無人駕駛模式；10、支持功能安全，容錯(cuò)掌握。〔二〕預(yù)裝式配充一體化充電站驗(yàn)證和評(píng)估，從而帶動(dòng)和引領(lǐng)電動(dòng)汽車充換電設(shè)施產(chǎn)業(yè)的進(jìn)展。預(yù)期目標(biāo)：2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：配充一體化充電系統(tǒng)：1、系統(tǒng)總功率：≥2MW；2、單個(gè)充電終端最大輸出功率：≥350kW；3、輸出電壓范圍：150-950V；4、系統(tǒng)效率：≥96%；5、功率安排充電終端數(shù)量：≥6。移相多脈沖變壓器：1、單個(gè)變壓器功率：≥1MW；2、變壓器效率：≥98.5%。液冷及熱治理系統(tǒng)：1、單個(gè)液冷模塊制冷量：≥21.5kW；2、全系統(tǒng)制冷量：≥80kW；3、噪聲：≤65dB。〔三〕能源汽車用高性能特種充電電纜充電電纜。預(yù)期目標(biāo)：到2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：1、滿足快速充電要求：主線芯35mm2充電電纜的通電電流500A；2、信號(hào)芯導(dǎo)體拉力：500N；3、填充完整性：125℃、10天，無碎裂；4、電纜耐曲繞20230萬次不斷芯、不開裂，耐壓不擊穿；5、電纜耐掛磨50000次不露內(nèi)部線芯；6、電纜環(huán)保要求無鹵、ROHS、REACH；75次，耐壓試驗(yàn)不擊穿?！菜摹畴婒?qū)動(dòng)一體化總成揭榜任務(wù):輪加工與研磨、軸類周密加工、鑄造殼體技術(shù)，爭(zhēng)論高速驅(qū)動(dòng)電機(jī)與減速器構(gòu)造集成、潤(rùn)滑與冷卻系統(tǒng)、NVH技術(shù)，把握電驅(qū)能源汽車的高性能電驅(qū)動(dòng)總成產(chǎn)品。預(yù)期目標(biāo)：到2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：1、驅(qū)動(dòng)電機(jī)及高速減速器的最高轉(zhuǎn)速：≥21000轉(zhuǎn)/分；2〔峰值功率/總重量；最高效率%；3、空載狀況下最高轉(zhuǎn)速狀態(tài)電驅(qū)動(dòng)總成噪聲：≤80dB(A)。八、生物醫(yī)藥和型醫(yī)療器械〔聯(lián)系人：消費(fèi)品處劉群〕〔一〕腫瘤診療一體熒光影像手術(shù)導(dǎo)航設(shè)備揭榜任務(wù)：源、高清圖像及定量分析等熒光影像技術(shù)；實(shí)現(xiàn)微小腫瘤查找、與光動(dòng)力治療的集成應(yīng)用。預(yù)期目標(biāo)：到2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：1、靈敏度：面光源成像熒光示蹤劑〔ICG〕最低檢測(cè)濃度<10-9M；2、面光源成像面積：≥100cm2；3320萬像素、1080P；4、熒光、可見光、激光多模圖像融合：自適應(yīng)圖像配準(zhǔn)精度≤3個(gè)像素，圖像融合相關(guān)系數(shù)>10；5<1nm〔ICG〕最低檢測(cè)濃度<10-11M；6、體內(nèi)腫瘤組織檢出最小直徑<1mm?！捕矼RI設(shè)備揭榜任務(wù)：MRI快速定量影像、MRI引導(dǎo)介入治療、消融效果快速評(píng)估、成像算法優(yōu)化等技術(shù)，MRI設(shè)備影像與介入手術(shù)治療的集成應(yīng)用。預(yù)期目標(biāo)：到2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：11.5T1.5T±2%，磁體長(zhǎng)度<1.5m，病人孔徑≥70cm；23.0T3.0T±2%，磁體長(zhǎng)度<1.65m，病人孔徑≥70cm；3、梯度系統(tǒng)：梯度強(qiáng)度≥45mT/m，梯度切換率≥200mT/m/ms；4、單層圖像最短成像時(shí)間：≤0.45、圖像區(qū)分率：≤0.5mm；6、圖像均勻性：≥70%；7、圖像信噪比：≥350；8、磁共振溫度成像：測(cè)溫精度±2℃。九、海工裝備和高技術(shù)船舶(聯(lián)系人：民爆船舶處程夢(mèng)瑋)〔一〕2-5MW永磁電力吊艙推動(dòng)器系列化研發(fā)極地運(yùn)輸船、半潛平臺(tái)等高端船型的2-5MW永磁電力吊艙推動(dòng)器，突破高功率密度永磁電機(jī)、多介質(zhì)滑環(huán)、大長(zhǎng)徑比電機(jī)、冷卻系統(tǒng)、推力軸承、密封等關(guān)鍵部件研制技術(shù)，完善大型吊艙異術(shù)水平。預(yù)期目標(biāo)：2023年，到達(dá)以下目標(biāo)：1、功率范圍：2-5MW；額定轉(zhuǎn)速：150-350rpm；2、電機(jī)類型:永磁同步電機(jī)；電機(jī)效率＞97%；3、冷卻方式：水冷或空冷；溫升＜80K；4PC5；5、轉(zhuǎn)舵精度：±1%；6、電機(jī)掌握方式：轉(zhuǎn)矩變頻掌握；7、絕緣等級(jí)：H級(jí)；8、安裝方式：可水下安裝。2023年關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)任務(wù)揭榜單位申報(bào)材料任務(wù)名稱： 揭榜申請(qǐng)單位〔蓋章： 工程負(fù)責(zé)人： 單位負(fù)責(zé)人： 地址及： 聯(lián)系人及手機(jī)： 填報(bào)日期： 江蘇省工業(yè)和信息化廳印制填報(bào)須知一、揭榜單位應(yīng)認(rèn)真閱讀《2023年關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)任務(wù)揭榜工作方案》的有關(guān)說明，照實(shí)、具體地填寫每一局部?jī)?nèi)容。附件證明材料。料一起交推舉單位郵寄。以紙質(zhì)材料為準(zhǔn)。資料真實(shí)性負(fù)責(zé)，對(duì)能否按打算完成重點(diǎn)揭榜任務(wù)作出有效承諾，并簽署企業(yè)承諾聲明〔見“揭榜任務(wù)承諾書”模板。不對(duì)外公開，僅用于專家和評(píng)測(cè)機(jī)構(gòu)評(píng)價(jià)參考?！敖野袢蝿?wù)和預(yù)期目標(biāo)”中所提及的指標(biāo)，可在此根底上合理增加指標(biāo)。

金額單位：萬元揭榜申請(qǐng)單位根本信息揭榜申請(qǐng)單位名稱 統(tǒng)一社會(huì)信用代碼所在地區(qū)〔具體到縣區(qū)〕合作攻關(guān)單位 1 單位全稱

全部制類型

攻關(guān)任務(wù)

所屬行業(yè)〔如無，可不填〕…2023年經(jīng)濟(jì)指標(biāo)

單位全稱總資產(chǎn)

攻關(guān)任務(wù)凈利潤(rùn) 資產(chǎn)負(fù)債率〔%〕

上繳稅金2023年研發(fā)投入

研發(fā)投入金額

銷售收入 研發(fā)投入占收入比〔%〕 研發(fā)人員數(shù)量企業(yè)技術(shù)中心級(jí)別□國(guó)家級(jí)□省級(jí)□市級(jí)

其他認(rèn)定研發(fā)機(jī)構(gòu)名稱及級(jí)別單位人員數(shù)擁有授權(quán)專利數(shù)

企業(yè)銀行信用等級(jí)其中：制造專利數(shù) 其中：工程相關(guān)制造專利數(shù)攻關(guān)任務(wù)根本信息揭榜任務(wù)工程簡(jiǎn)介〔300字左右，簡(jiǎn)要說明實(shí)施目標(biāo)、實(shí)施后解決的關(guān)鍵技術(shù)和行業(yè)問題〕投入預(yù)算

工程總投入* 〔工程總投入=自籌資金+申請(qǐng)財(cái)政補(bǔ)助〕

自籌資金申請(qǐng)財(cái)政補(bǔ)助〔萬元〕

總投入中