半導體后封裝工藝及設備課件

半導體后封裝工藝及設備_圖文幽默來自智慧，惡語來自無能半導體后封裝工藝及設備_圖文幽默來自智慧，惡語來自無能1半導體后封裝工藝及設備_圖文ppt半導體后封裝工藝及設備_圖文ppt2ICPackage(C的封裝形式)QFN-QuadFlatNo-leadPackage四方無引腳扁平封裝SOC-Smalloutline|C小外形|C封裝TSSOP-ThinSmallShrinkOutlinePackage薄小外形封裝QFP-QuadFlatPackage四方引腳扁平式封裝BGA-BallGridArrayPackage球柵陣列式封裝ICPackage(C的封裝形式)3傳統(tǒng)半導體封裝的工藝流程貼膜打屠去切害=s=D=鍵合芯片粘貼檢測勻檢「Lad烘焙烘焙弓腳切割和成斗光印中|檢=元成傳統(tǒng)半導體封裝的工藝流程4封裝技術發(fā)展方向☆圓晶級封裝(WLCSP)☆覆晶封裝(Flipchip)☆系統(tǒng)封裝SiP)☆硅穿孔(Through-Silicon-Via)☆射頻模組(RFModule)☆Bumping技術的印刷(Printing)和電鍍(Plating)封裝技術發(fā)展方向5晶圓級花片封裝WLCSP(WaferLevelchipScalePackaging晶圓級花片封裝WLCSP6圓片級CSP產(chǎn)品的封裝工藝流程★在圓片上制作接觸器的圓片級CSP的封裝工藝流程圓片→二次布線→減薄→在圓片王制作接觸器→接觸器電鍍→測試、篩選→劃片→激光打標●★在圓片上制作焊球的圓片級CSP的封裝工藝流程圓片→二次布線亠減薄→在圓片上制作焊球→模塑包封或表面涂敷→測試、篩選→劃片→激光打標圓片級CSP產(chǎn)品的封裝工藝流程7TSV技術第四代封裝技術●硅通孔技術(ISV)是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制●硅通孔TSV(Through-Siliconvia)技術是半導體集成電路產(chǎn)業(yè)邁向3DSiP時代的關鍵技術TSV技術一般和WCSP相結(jié)合,工藝流程上可以先鉆孔和后鉆孔主要工藝流程如下貼膜打磨刻蝕絕緣層處理m-m女鉆孔設備:磨拋機γ深反應離子刻蝕、激光我磁控濺TSV技術8Ts∨互連的3D芯片堆疊關鍵技術采用磁控濺射(1)通孔的形成(2)絕緣層、阻擋層和種子層的淀積(3)銅的填充(電鍍)、去除和再分布引線(RDL)電鍍(4)晶圓減薄;(5)晶圓/芯片對準、鍵合與切片ATs∨互連的3D芯片堆疊關鍵技術9TSV的研究動態(tài)TSV參數(shù)參數(shù)值最小TSV直徑最小TSV間距2umTSⅤ深寬比焊凸間距25m5μm(微凸點180℃)芯片間距15m(無鉛銅焊柱260℃)芯片厚度15-60umTSV的研究動態(tài)10銅通孔中,TiN粘附/阻擋層和銅種子層都通過濺射來沉積。然而,要實現(xiàn)高深寬比(AB>4:1的臺階覆蓋,傳統(tǒng)的PV直流磁控技術效果并不令人滿意?；陔x子化金屬等離子體(IMP)的PVD技術可實現(xiàn)側(cè)壁和通孔底部銅種子層的均勻沉積。由于沉積原子的方向性以及從通孔底部到側(cè)壁濺射材料過程中離子轟擊的使用,ⅠMP提供更好的臺階覆蓋性和阻擋層/種子層均勻性。由于電鍍成本大大低于PVD/CVP,通孔填充一般用電鍍銅的方法實現(xiàn)8D封裝與硅通孔(藝技銅通孔中,TiN粘附/阻擋層和銅種子層都通過濺射來沉11半導體后封裝工藝及設備圖文課件12半導體后封裝工藝及設備圖文課件13半導體后封裝工藝及設備圖文課件14半導體后封裝工藝及設備圖文課件15半導體后封裝工藝及設備圖文課件16半導體后封裝工藝及設備圖文課件17半導體后封裝工藝及設備圖文課件18半導體后封裝工藝及設備圖文課件19半導體后封裝工藝及設備圖文課件20半導體后封裝工藝及設備圖文課件21半導體后封裝工藝及設備圖文課件22謝謝騎封篙尊慈榷灶琴村店矣墾桂乖新壓胚奠倘擅寞僥蝕麗鑒晰溶廷籮侶郎蟲林森-消化系統(tǒng)疾病的癥狀體征與檢查林森-消化系統(tǒng)疾病的癥狀體征與檢查11、越是沒有本領的就越加自命不凡?！囃?/p>

12、越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯兒。——愛爾蘭

13、知人者智，自知者明。勝人者有力，自勝者強?！献?/p>

14、意志堅強的人