皖西學(xué)院電氣工程及其自動(dòng)化專業(yè)2020

Ill皖西學(xué)院電氣工程及其自動(dòng)化專業(yè)2020-2021第二學(xué)期電力Ill電子技術(shù)測(cè)試卷您的姓名：［填空題］*一、單選題（共20題，每題2分，共40分）1、（）出現(xiàn)前的時(shí)期可稱為電力電子技術(shù)的史前期或黎明期。［單選題］*A、 電力二極管B、 水銀整流器C、 晶閘管（正確答案）D、 IGBT2、 （）屬于全控型器件，它是MOSFET和BJT的復(fù)合。其性能十分優(yōu)越，使之成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)的主導(dǎo)器件。［單選題］*A、 電力二極管B、 晶閘管C、 GTOD、 IGBT（正確答案）3、 （）是MOSFET和GTO的復(fù)合。其目前也取得了相當(dāng)?shù)某晒Γ呀?jīng)獲得大量應(yīng)用。［單選題］*A、 SITB、 晶閘管C、 IGBTD、IGCT（正確答案）4、晶閘管屬于半控型器件，它的觸發(fā)信號(hào)加在（）之間。［單選題］*A、 陽(yáng)極與陰極B、 門(mén)極與陰極（正確答案）C、 柵極與集電極D、 柵極與發(fā)射極5、 IGBT屬于電壓驅(qū)動(dòng)型器件，它的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)加在（）之間。［單選題］*A、 陽(yáng)極與陰極B、 門(mén)極與陰極C、 柵極與集電極D、 柵極與發(fā)射極（正確答案）6、 隨著全控型電力電子器件的不斷進(jìn)步，電力電子電路的工作頻率也不斷提高電力電子器件的（）也隨之增大。［單選題］*A、 通態(tài)損耗B、 斷態(tài)損耗C、 開(kāi)關(guān)損耗（正確答案）D、 開(kāi)通損耗7、 電化學(xué)工業(yè)大量使用直流電源，電解鋁、電解食鹽水等都需要大容量（）。［單選題］*A、 整流電源（正確答案）B、 逆變電源C、 直流斬波電源D、 變頻器8、以前的電梯大都采用直流調(diào)速系統(tǒng)，而近年來(lái)（）調(diào)速已成為主流。［單選題］*A、 斬波B、 交流變相C、 交流調(diào)壓D、 交流變頻（正確答案）9、 輕型直流輸電主要采用（）器件。［單選題］*A、 晶閘管B、 電力MOSFETC、 GTOD、 IGBT（正確答案）10、 通信設(shè)備中的程控交換機(jī)所用的直流電源以前用晶閘管整流電源，現(xiàn)在已改為采用全控型器件的（）。［單選題］*A、 逆變電源B、 直流斬波電源C、 線性穩(wěn)壓電源D、 高頻開(kāi)關(guān)電源（正確答案）11、 逆導(dǎo)IGBT相當(dāng)于將一個(gè)IGBT兩端反并聯(lián)一個(gè)（）。［單選題］*A、 快速二極管（正確答案）B、 晶閘管C、 電力MOSFETD、 GTO12、 下列器件中，（）與SIT速度相當(dāng)。［單選題］*A、晶閘管B、GTOC、 電力MOSFET（正確答案）D、 IGBT13、 以下器件中，開(kāi)關(guān)速度達(dá)幾百kHZ,甚至高達(dá)1MHZ的是（）。［單選題］*A、 GTOB、 GTRC、 電力MOSFET（正確答案）D、 IGBT14、 下列器件中,兆瓦級(jí)以上場(chǎng)合可采用的全控器件是（）。［單選題］*A、 SCRB、 GTO（正確答案）C、 電力MOSFETD、 IGBT15、 PN結(jié)具有的（）,使得電力二極管導(dǎo)通時(shí),雖然通過(guò)很大電流,但正向?qū)▔航岛艿?只有1V左右。［單選題］*A、 電容效應(yīng)B、 電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)（正確答案）C、 電感效應(yīng)D、 滯后效應(yīng)16、 某電力二極管在電路中需要流過(guò)實(shí)際電流的有效值為314A,那么考慮1.5倍裕量,選擇額定電流為（）的二極管。［單選題］*A、 314AB、 300A（正確答案）TOC\o"1-5"\h\zC、 471AD、 740A17、 某電力二極管額定電流為300A，那么考慮1.5倍裕量，在電路中允許長(zhǎng)期流過(guò)的實(shí)際電流的有效值I為（）。［單選題］*A、 200AB、 300AC、 314A（正確答案）D、 450A18、 某電路中需要承受的最高反向峰值電壓為220V，考慮2倍裕量，選擇額定電壓U為（）V的二極管。［單選題］*A、 220B、 440C、 500（正確答案）D、 100019、 以下器件中，（）可以保證控制電路與主電路之間的良好絕緣而應(yīng)用于高壓電力設(shè)備中。［單選題］*A、 快速晶閘管B、 雙向晶閘管C、 逆導(dǎo)晶閘管D、 光控晶閘管（正確答案）20、 要使原來(lái)導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，須將流過(guò)晶閘管的電流降到（）以下。［單選題］*A、 額定電流；B、 維持電流；（正確答案）c、擎住電流；D、觸發(fā)電流。二、多選題（共20題，每題2分，共40分）1、 PWM控制在電力電子變流技術(shù)中占有十分重要的位置，它在（）等電力電子電路中均可應(yīng)用。*A、 整流（正確答案）B、 逆變（正確答案）C、 直流斬波（正確答案）D、 交流-交流控制（正確答案）2、 目前電力電子集成電路的功率都比較小、電壓也較低，它面臨著（）等幾大難題。*A、 電壓隔離（正確答案）B、 熱隔離（正確答案）C、 光隔離D、 電磁干擾（正確答案）3、 為了減小開(kāi)關(guān)損耗，軟開(kāi)關(guān)技術(shù)便應(yīng)運(yùn)而生，（）就是軟開(kāi)關(guān)的最基本形式。*A、 ZVS（正確答案）B、 ZCS（正確答案）C、 TSCD、 TCR4、工業(yè)中大量應(yīng)用各種交直流電動(dòng)機(jī)。其中直流電動(dòng)機(jī)有良好的調(diào)速性能，為其供電可以是下面的（）。*A、 整流電源（正確答案）B、 逆變電源C、 直流斬波電源（正確答案）D、 變頻器5、 高頻開(kāi)關(guān)電源具有（）的優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在已逐漸取代了線性電源。*A、 體積?。ㄕ_答案）B、 重量輕（正確答案）C、 效率高（正確答案）D、 不產(chǎn)生諧波6、 （）和（）受環(huán)境的制約，發(fā)出的電力質(zhì)量較差，常需要儲(chǔ)能裝置緩沖，需要改善電能質(zhì)量，這就需要電力電子技術(shù)。*A、 火力發(fā)電B、 核能發(fā)電C、 太陽(yáng)能發(fā)電（正確答案）D、 風(fēng)力發(fā)電（正確答案）7、 同處理信息的電子器件相比，電力電子器件一般具有如下特征：（）*A、 處理電功率的能力比較大；（正確答案）B、 工作在放大狀態(tài)；C、 由信息電子電路來(lái)控制；（正確答案）D、 需要安裝散熱器（正確答案）8、 以下器件中，（）屬于全控型器件。*A、 電力二極管B、 晶閘管C、 電力MOSFET（正確答案）D、 IGBT（正確答案）9、以下器件中，（）屬于單極型器件。*A、 晶閘管B、 SIT（正確答案）C、 電力MOSFET（正確答案）D、 IGBT10、以下器件中，（）屬于復(fù)合型器件。*A、 IGCT（正確答案）B、 MCT（正確答案）C、 電力MOSFETD、 IGBT（正確答案）11、 電力電子器件可以按照器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況分為（）*A、 單極型器件（正確答案）B、 雙極型器件（正確答案）C、 復(fù)合型器件（正確答案）D、 反極型器件12、 按照控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)，可以將電力電子器件分為。（）*A、 電流驅(qū)動(dòng)型（正確答案）B、 電壓驅(qū)動(dòng)型（正確答案）C、 電平驅(qū)動(dòng)型D、 脈沖驅(qū)動(dòng)型13、電力電子器件的開(kāi)關(guān)損耗包括。（）*A、 通態(tài)損耗B、 斷態(tài)損耗C、 開(kāi)通損耗（正確答案）D、 關(guān)斷損耗（正確答案）14、 IGBT是哪兩種器件的復(fù)合。（）*A、 GTOB、 SCRC、 MOSFET（正確答案）D、 GTR（正確答案）15、 以下器件屬于全控型器件的是（）*A、 晶閘管B、 門(mén)極可關(guān)斷晶體管（正確答案）C、 電力雙極型晶體管（正確答案）D、 電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（正確答案）16、 電力電子學(xué)是由（）學(xué)科交叉而形成的。*A、 電力學(xué)（正確答案）B、 電子學(xué)（正確答案）C、 控制理論（正確答案）D、 電機(jī)學(xué)17、 目前用于電力電子器件制造的寬禁帶半導(dǎo)體材料主要有（）。*A、 硅B、 碳化硅（正確答案）C、 氮化鎵（正確答案）D、 鍺18、 電力MOSFET具有（）特點(diǎn)。*A、 驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，需要的驅(qū)動(dòng)功率小（正確答案）B、 開(kāi)關(guān)速度快（正確答案）C、 電流容量小，耐壓低，多用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置（正確答案）D、 電流容量大，耐壓高，多用于功率大于10kW的電力電子裝置19、 與相控整流電源相比，開(kāi)關(guān)電源具有（）特點(diǎn)。*A、 需要的濾波器更大B、 采用了高頻變壓器（正確答案）C、 體積小（正確答案）D、 重量輕（正確答案）20、 下列換流方式中，（）是針對(duì)晶閘管而言的*A、 器件換流B、 電網(wǎng)換流（正確答案）C、 負(fù)載換流（正確答案）D、 強(qiáng)迫換流（正確答案）三、判斷題（共20題，每題1分，共20分）1、電力電子器件總是工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。（）［單選題］*A、 正確（正確答案）B、 錯(cuò)誤2、為了減小通態(tài)損耗，軟開(kāi)關(guān)技術(shù)便應(yīng)運(yùn)而生。（）［單選題］*A、 正確B、 錯(cuò)誤（正確答案）3、在系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率較低的情況下，開(kāi)關(guān)損耗是電力電子器件功率損耗的主要成因。（）［單選題］*A、 正確B、 錯(cuò)誤（正確答案）4、 雙向晶閘管的額定電流是以能流過(guò)的最大正弦半波電流的平均值來(lái)定義的（）。［單選題］*A、 正確B、 錯(cuò)誤（正確答案）5、 電力二極管內(nèi)部PN結(jié)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)影響PN結(jié)的工作頻率。（）［單選題］*A、 正確B、 錯(cuò)誤（正確答案）6、 從外形上來(lái)看，晶閘管主要有螺栓形和平板形兩種封裝結(jié)構(gòu)。其中電流大的做成螺栓形，電流小的做成平板形。（）［單選題］*A、 正確B、 錯(cuò)誤（正確答案）7、 當(dāng)晶閘管承受正向電壓時(shí)，晶閘管開(kāi)通；晶閘管承受反向電壓時(shí)，晶閘管關(guān)斷。（）［單選題］*A、 正確B、 錯(cuò)誤（正確答案）8、 若要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，需要將晶閘管兩端的電壓降到零。（）［單選題］A、 正確B、 錯(cuò)誤（正確答案）9、晶閘管的電壓定額中有反向重復(fù)峰值電壓URRM和斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM，通常取晶閘管的UDRM和URRM中較大的標(biāo)值作為該器件的額定電壓。（）［單選題］*A、 正確B、 錯(cuò)誤（正確答案）10、 GTO導(dǎo)通時(shí)飽和程度比晶閘管導(dǎo)通時(shí)飽和程度深。（）［單選題］*A、 正確B、 錯(cuò)誤（正確答案）11、 如果將電力電子器件與邏輯、控制、保護(hù)、傳感、檢測(cè)、自診斷等信息電子電路制作在同一芯片上，則稱為功率模塊。（）［單選題］*A、 正確B、 錯(cuò)誤（正確答案）12、 通過(guò)控制觸發(fā)脈沖的相位來(lái)控制輸出電壓大小的方式稱為斬波控制方式。（）［單選題］*A、 正確B、 錯(cuò)誤（正確答案）13、 阻感負(fù)載的特點(diǎn)是負(fù)載電流的變化超前于負(fù)載電壓。（）［單選題］*A、 正確B、 錯(cuò)誤（正確答案）14、 三相全控橋式整流電路，為變壓器副邊相電壓有效值，帶純電阻負(fù)載。晶閘管承受的最大正向和最大反向電壓均為變壓器二次線電壓峰值，即。（）［單選題］*A、 正確B、 錯(cuò)誤（正確答案）15、三相全控橋整流電路，為變壓器副邊相電壓有效值，帶阻感負(fù)載。晶閘管承受的最大正向和最大反向電壓均為變壓器二次線電壓峰值，即。（）［單選題］*A、 正確（正確答案）B、 錯(cuò)誤16、逆變角太小會(huì)造成逆變失敗。（）［單選題］*A、 正確（正確答案）B、 錯(cuò)誤17、電流驅(qū)動(dòng)型器件的特點(diǎn)是輸入阻抗高，所需驅(qū)動(dòng)