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浙江省麗水市縉云縣壺鎮(zhèn)職業(yè)高級(jí)中學(xué)高二物理知識(shí)點(diǎn)試題含解析一、選擇題:本題共5小題,每小題3分,共計(jì)15分.每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意1.兩個(gè)相同的帶電金屬小球(可看成點(diǎn)電荷),電量大小之比是1:7,在真空中相距為r?,F(xiàn)將兩球接觸后仍放回原處,則它們間庫(kù)侖力的可能是原來(lái)的()A.7
B.3/7
C.9/7
D.16/7參考答案:CD由庫(kù)侖定律可得:得,當(dāng)兩相同金屬小球帶同種電荷時(shí),兩者相互接觸后再放回原來(lái)的位置上,它們的電荷量變?yōu)?:4,所以庫(kù)侖力是原來(lái)的16:7。當(dāng)兩相同金屬小球帶異種電荷時(shí),兩者相互接觸后再放回原來(lái)的位置上,它們的電荷量是先中和后平分,電量變?yōu)?:3,所以庫(kù)侖力是原來(lái)的9:7.故CD正確,AB錯(cuò)誤。故選CD。2.圖所示,在傾角為α的光滑斜面上,垂直紙面放置一根長(zhǎng)為L(zhǎng),質(zhì)量為m的直導(dǎo)體棒.在導(dǎo)體棒中的電流I垂直紙面向里時(shí),欲使導(dǎo)體棒靜止在斜面上,下列外加勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小和方向正確的是(
)A.B=mg,方向垂直斜面向上B.B=mg,方向垂直斜面向下C.B=mg,方向豎直向上
D.B=mg,方向豎直向下參考答案:AC3.(單選)如圖,兩個(gè)半徑均為R的1/4光滑圓弧對(duì)接于O點(diǎn),有物體從上面圓弧的某點(diǎn)C以上任意位置由靜止下滑(C點(diǎn)未標(biāo)出),都能從O點(diǎn)平拋出去,則(
)A.∠CO1O=30°B.∠CO1O=45°C.落地點(diǎn)距O2最遠(yuǎn)為2RD.落地點(diǎn)距O2最近為R參考答案:C解析:要使物體從O點(diǎn)平拋出去,在O點(diǎn)有mg=mv2/R,解得物體從O點(diǎn)平拋出去的最小速度v=。設(shè)∠CO1O=θ,,由機(jī)械能守恒定律,mgR(1-cosθ)=mv2,解得θ=∠CO1O=60°,選項(xiàng)A、B錯(cuò)誤;由平拋運(yùn)動(dòng)規(guī)律,x=vt,R=gt2,解得落地點(diǎn)距O2最近為R。若物體從A點(diǎn)下滑,到達(dá)O點(diǎn)時(shí)速度為v=。由平拋運(yùn)動(dòng)規(guī)律,x=vt,R=gt2,解得落地點(diǎn)距O2最遠(yuǎn)為2R,選項(xiàng)C正確D錯(cuò)誤。4.(單選)關(guān)于磁場(chǎng)和磁感線的描述,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(
)A.根據(jù)公式B=F/IL可知,通電導(dǎo)線受磁場(chǎng)力大的地方磁感應(yīng)強(qiáng)度一定大B.磁鐵外部的磁感線是從磁鐵的N極出發(fā)到S極C.磁感應(yīng)強(qiáng)度方向就是通電導(dǎo)線受力方向D.磁感線就是磁場(chǎng)中碎鐵屑排列成的曲線參考答案:5.一枚火箭由地面豎直向上發(fā)射,其速度和時(shí)間的關(guān)系圖線如圖所示,則(
)A.t3時(shí)刻火箭距地面最遠(yuǎn)B.t2~t3時(shí)間內(nèi),火箭在向下降落C.t3時(shí)刻火箭落回地面D.0~t3時(shí)間內(nèi),火箭始終處于失重狀態(tài)參考答案:A二、填空題:本題共8小題,每小題2分,共計(jì)16分6.如圖所示,理想變壓器原、副線圈的匝數(shù)比為10:1,b是原線圈的中心抽頭,電壓表和電流表均為理想電表,從某時(shí)刻開始在原線圈c、d兩端加上交變電壓,其瞬時(shí)值表達(dá)式為u1=220sin314t(V),則(1)當(dāng)單刀雙擲開關(guān)與a連接時(shí),電壓表的示數(shù)為_________V(2)當(dāng)t=s時(shí),c、d間的電壓為______V(3)單刀雙擲開關(guān)與a連接,在滑動(dòng)變阻器觸頭P向上移動(dòng)的過(guò)程中,電壓表示數(shù)________,電流表示數(shù)________(填“變大”、“變小”或“不變”)(4)當(dāng)單刀雙擲開關(guān)由a扳向b時(shí),電壓表示數(shù)________,電流表示數(shù)________(填“變大”、“變小”或“不變”)參考答案:22
不變
變小
變大
變大7.如圖一個(gè)電流表的滿刻度電流值Ig=0.6A,面板如圖所示,那么它每一小格所相應(yīng)的電流是______mA,指針現(xiàn)在的電流示數(shù)是______A。如果這個(gè)量程為0.6A的電流表內(nèi)阻Rg=60Ω,要把這個(gè)電流表的量程擴(kuò)大成3A,那么應(yīng)該在Rg上______聯(lián)一個(gè)電阻Rs,Rs的大小應(yīng)是______Ω;并聯(lián)Rs后,測(cè)某一電流,指針仍指到如圖所示位置,則該電流是______A,并聯(lián)Rs后,刻度盤上每一小格所代表的電流值是未并聯(lián)Rs前的______倍。參考答案:20、0.34、并、15、1.7、58.(4分)如圖所示,空間存在勻強(qiáng)電場(chǎng),實(shí)線是電場(chǎng)中的三個(gè)等勢(shì)面,一帶電量為2×10-10C的負(fù)電荷沿虛線由A經(jīng)B運(yùn)動(dòng)到C,克服電場(chǎng)力做功4×10-10J,已知cm,則勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度E=________V/m,并在圖中畫出三條電場(chǎng)線(sin53°=0.8)。參考答案:
25,電場(chǎng)方向如圖所示
9.小穎在田徑場(chǎng)繞400m環(huán)形跑道跑了2圈,則她的位移大小是______m,路程是_________m。參考答案:___0___800_10.穿過(guò)單匝閉合線圈的磁通量在0.03s內(nèi)由0.2Wb均勻增加到0.8Wb,則在此過(guò)程中穿過(guò)該線圈的磁通量的變化量為
Wb,該線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為
V。參考答案:0.6,20;11.一質(zhì)量為、半徑為,電阻為的金屬圓環(huán),豎直自由下落,經(jīng)過(guò)一個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度為的勻強(qiáng)磁場(chǎng),當(dāng)圓環(huán)進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域的豎直高度為時(shí),圓環(huán)所受的合外力為零,此時(shí)圓環(huán)的速度大小為
。參考答案:12.一塊多用電表的電阻擋有三個(gè)倍率,分別是×10、×100、×1000。用×100擋測(cè)量某電阻時(shí),操作步驟正確,發(fā)現(xiàn)表頭指針偏轉(zhuǎn)角度很大,如圖中虛線位置。為了較準(zhǔn)確地進(jìn)行測(cè)量,應(yīng)換到 擋,換擋后需要先進(jìn)行
的操作,再進(jìn)行測(cè)量。若正確操作后過(guò)行測(cè)量時(shí)表盤的示數(shù)如圖,則該電阻的阻值是 。電流表讀數(shù)(量程50mA) mA.②參考答案:×10,歐姆擋電阻調(diào)零,180
22.013.如圖14所示:紅光和紫光沿同一方向射向玻璃半球的球心,經(jīng)折射后從球面射出,若紅光在玻璃中傳播時(shí)間為t紅,紫光在玻璃中傳播時(shí)間為t紫,則a是
光,t紅
t紫(填>、<或=)參考答案:
紅
、
<
三、簡(jiǎn)答題:本題共2小題,每小題11分,共計(jì)22分14.分子勢(shì)能隨分子間距離r的變化情況可以在如圖所示的圖象中表現(xiàn)出來(lái),就圖象回答:(1)從圖中看到分子間距離在r0處分子勢(shì)能最小,試說(shuō)明理由.(2)圖中分子勢(shì)能為零的點(diǎn)選在什么位置?在這種情況下分子勢(shì)能可以大于零,也可以小于零,也可以等于零,對(duì)嗎?(3)如果選兩個(gè)分子相距r0時(shí)分子勢(shì)能為零,分子勢(shì)能有什么特點(diǎn)?參考答案:解:(1)如果分子間距離約為10﹣10m數(shù)量級(jí)時(shí),分子的作用力的合力為零,此距離為r0.當(dāng)分子距離小于r0時(shí),分子間的作用力表現(xiàn)為斥力,要減小分子間的距離必須克服斥力做功,因此,分子勢(shì)能隨分子間距離的減小而增大.如果分子間距離大于r0時(shí),分子間的相互作用表現(xiàn)為引力,要增大分子間的距離必須克服引力做功,因此,分子勢(shì)能隨分子間距離的增大而增大.從以上兩種情況綜合分析,分子間距離以r0為數(shù)值基準(zhǔn),r不論減小或增大,分子勢(shì)能都增大.所以說(shuō),分子在平衡位置處是分子勢(shì)能最低點(diǎn).(2)由圖可知,分子勢(shì)能為零的點(diǎn)選在了兩個(gè)分子相距無(wú)窮遠(yuǎn)的位置.因?yàn)榉肿釉谄胶馕恢锰幨欠肿觿?shì)能最低點(diǎn),據(jù)圖也可以看出:在這種情況下分子勢(shì)能可以大于零,也可以小于零,也可以等于零是正確的.(3)因?yàn)榉肿釉谄胶馕恢锰幨欠肿觿?shì)能的最低點(diǎn),最低點(diǎn)的分子勢(shì)能都為零,顯然,選兩個(gè)分子相距r0時(shí)分子勢(shì)能為零,分子勢(shì)能將大于等于零.答案如上.【考點(diǎn)】分子勢(shì)能;分子間的相互作用力.【分析】明確分子力做功與分子勢(shì)能間的關(guān)系,明確分子勢(shì)能的變化情況,同時(shí)明確零勢(shì)能面的選取是任意的,選取無(wú)窮遠(yuǎn)處為零勢(shì)能面得出圖象如圖所示;而如果以r0時(shí)分子勢(shì)能為零,則分子勢(shì)能一定均大于零.15.如圖4-1-24所示,一閉合金屬環(huán)從上而下通過(guò)通電螺線管,b為螺線管的中點(diǎn),金屬環(huán)通過(guò)a、b、c三處時(shí),能產(chǎn)生感應(yīng)電流嗎?參考答案:金屬環(huán)通過(guò)a、c處時(shí)產(chǎn)生感應(yīng)電流;通過(guò)b處時(shí)不產(chǎn)生感應(yīng)電流.四、計(jì)算題:本題共3小題,共計(jì)47分16.如圖所示,在x軸的上方(y>0的空間內(nèi))存在著垂直于紙面向里、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),一個(gè)不計(jì)重力的帶正電粒子從坐標(biāo)原點(diǎn)O處以速度v進(jìn)入磁場(chǎng),粒子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度方向垂直于磁場(chǎng)且與x軸正方向成45°角,若粒子的質(zhì)量為m,電量為q,求:(1)該粒子在磁場(chǎng)中作圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑;(2)粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間。
參考答案:(1)∵qvB=mv2/R
---------------------2分
∴R=mv/qB------------------------------------2分
(2)∵T=2πR/v
=2πm/qB
--------------------2分
粒子軌跡如圖示:------------------2分
∴t=T=
----------17.如圖所示PQ、MN為足夠長(zhǎng)的兩平行金屬導(dǎo)軌,它們之間連接一個(gè)阻值的電阻;導(dǎo)軌間距為,電阻,長(zhǎng)約的均勻金屬桿水平放置在導(dǎo)軌上,它與導(dǎo)軌的滑動(dòng)摩擦因數(shù),導(dǎo)軌平面的傾角為在垂直導(dǎo)軌平面方向有勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度為,今讓金屬桿AB由靜止開始下滑從桿靜止開始到桿AB恰好勻速運(yùn)動(dòng)的過(guò)程中經(jīng)過(guò)桿的電量,求:
(1)當(dāng)AB下滑速度為時(shí)加速度的大小;
(2)AB下滑的最大速度;
(3)從靜止開始到AB勻速運(yùn)動(dòng)過(guò)程R上產(chǎn)生的熱量.參考答案:解析:取AB桿為研究對(duì)象其受力如圖示建立如圖所示坐標(biāo)系
①
②
③
④
⑤
⑥聯(lián)立上面①②③④⑤⑥解得當(dāng)時(shí)
(3分)②由上問(wèn)可知
故AB做加速度減小的加速運(yùn)動(dòng)當(dāng)(3分)③從靜止開始到運(yùn)速運(yùn)動(dòng)過(guò)程中
⑦
⑧
⑨聯(lián)立⑦⑧⑨可知(3分)而
設(shè)兩電阻發(fā)熱和為,由能量守恒可知
⑩
聯(lián)立⑩
得
4分18.(15分)在農(nóng)村人們蓋房打地基叫打夯,夯錘的結(jié)構(gòu)如圖,參加打夯共有5人,四個(gè)人分別握住夯錘的一個(gè)把手,一個(gè)人負(fù)責(zé)喊號(hào),喊號(hào)人一聲號(hào)子,四個(gè)人同時(shí)向上用力將夯錘提起,號(hào)音一落四人同時(shí)松手,夯錘落至地面將地基砸實(shí)。某次打夯時(shí),設(shè)夯錘的質(zhì)量為80kg,將夯錘提起時(shí),每個(gè)人都對(duì)夯錘施加豎直向上的力,大小均為250N,力的持續(xù)時(shí)間為0.6s,然后松手。夯錘落地時(shí)將地面砸出2cm深的一個(gè)凹痕。求:(1)夯錘能夠上升的最大高度?(2)夯錘落地時(shí)對(duì)地面的平均作用力為多大?(g=10m/s2)參考答案:解析:(1)松手前,由牛頓第二定律
4F-mg=
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