半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)趨勢(shì)分析報(bào)告

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)趨勢(shì)分析報(bào)告SUBTITLEHERE202X-XX-XXCONTENTS行業(yè)分析報(bào)告半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)定義萌芽期（1965年-1974年）產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈政治環(huán)境1政治環(huán)境2政治環(huán)境2經(jīng)濟(jì)環(huán)境社會(huì)環(huán)境1社會(huì)環(huán)境2行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)熱點(diǎn)行業(yè)制約因素行業(yè)問題行業(yè)發(fā)展建議競(jìng)爭(zhēng)格局行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)代表企業(yè)1代表企業(yè)201半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)定義半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)定義半導(dǎo)體存儲(chǔ)器又稱存儲(chǔ)芯片，是以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒介的存儲(chǔ)器，用于保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備，是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器具有體積小、存儲(chǔ)速度快等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費(fèi)電子、智能終端、固態(tài)存儲(chǔ)硬盤等領(lǐng)域。根據(jù)功能的不同，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）和只讀存儲(chǔ)器（ROM）兩類:隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）:RandomAccessMemory，即隨機(jī)存儲(chǔ)器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。RAM可隨時(shí)讀寫且速度快，但任何RAM中存儲(chǔ)的信息在斷電后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)將丟失。（2）只讀存儲(chǔ)器（ROM）:只讀存儲(chǔ)器是一種只能讀取事先存儲(chǔ)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，即使斷電后所存數(shù)據(jù)也不會(huì)改變。ROM的制造成本低，常用于存儲(chǔ)各種固定程序和數(shù)據(jù)。根據(jù)可編程或可抹除可編程功能，ROM可分為PROM、EPROM、OTPROM、EEPROM和FlashMemory。FlashMemory是當(dāng)前主流存儲(chǔ)器，其結(jié)合了ROM和RAM的特點(diǎn)，不僅具備電子可擦除可編程的性能，能夠快速讀取數(shù)據(jù)而且斷電時(shí)不會(huì)丟失數(shù)據(jù)，主要用于U盤、MP3、硬盤等產(chǎn)品。02萌芽期（1965年-1974年）萌芽期（1965年-1974年）半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)研究起步于1965年，美國IBM企業(yè)是最早投入到DRAM產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域。1970年，美國IBM公司宣布在其推出的大型機(jī)System/370Model145的主內(nèi)存上使用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器替代磁芯?；贗BM在計(jì)算機(jī)市場(chǎng)中的地位，此舉推動(dòng)了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器替代磁芯之勢(shì)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中DRAM內(nèi)存芯片得以發(fā)展，為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM研究以及應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。同年，美國英特爾研發(fā)出ROM作為非易失性存儲(chǔ)器，但ROM內(nèi)存放的內(nèi)容只能讀取而不能讀寫，操作使用不便。初步發(fā)展期（1975年-2000年）快速發(fā)展期（2000年至今）初步發(fā)展期（1975年-2000年）在IBM宣布開發(fā)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的第四代系統(tǒng)后，1976年，由日本通產(chǎn)省組織，以富士通、日立、三菱、日本電器、東芝企業(yè)為首，聯(lián)合日本工業(yè)技術(shù)研究院、電子綜合研究所和計(jì)算機(jī)綜合研究所共同參與超大規(guī)模集成電路（VLSL）項(xiàng)目。該項(xiàng)目成功開發(fā)了64K集成電路、256K動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。1980年，VLSL項(xiàng)目共取得1,200多項(xiàng)專利，發(fā)表科技論文達(dá)460余篇。日本憑借領(lǐng)先的DRAM技術(shù)，推動(dòng)日本DRAM產(chǎn)品在全球市占率不斷提升。1980年至1986年的七年時(shí)間內(nèi)，日本DRAM產(chǎn)品在全球市占率從25.6%上升至44%，，而美國DRAM則從62%快速發(fā)展期（2000年至今）進(jìn)入2000年后，全球高科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。美國、日本、韓國抓住3C產(chǎn)品的需求特性，在全球范圍內(nèi)掀起了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器應(yīng)用研發(fā)的熱潮。隨著技術(shù)進(jìn)步，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品可靠性不斷提高。目前半導(dǎo)體存儲(chǔ)器不僅用于各種計(jì)算機(jī)和服務(wù)器中，同時(shí)也是磁盤陣列和各網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)系統(tǒng)中基本的存儲(chǔ)單元。03產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈上游產(chǎn)業(yè)鏈中游產(chǎn)業(yè)鏈下游產(chǎn)業(yè)鏈上游硅片、光刻膠、拋光液、光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、檢測(cè)測(cè)試設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈下游消費(fèi)電子、信息通信、汽車電子、硬盤、內(nèi)存、U盤04產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈上游產(chǎn)業(yè)鏈中游產(chǎn)業(yè)鏈下游產(chǎn)業(yè)鏈上游中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游參與者為硅片、光刻膠、CMP拋光液等原材料供應(yīng)商和光刻機(jī)、PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備和檢測(cè)與測(cè)試設(shè)備等設(shè)備供應(yīng)商。（1）硅片、光刻膠、CMP拋光液硅片、光刻膠、CMP拋光液是生產(chǎn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的主要原材料。①在硅片領(lǐng)域，由于半導(dǎo)體硅片對(duì)最終芯片的性能影響較大，半導(dǎo)體廠商對(duì)硅片的產(chǎn)品質(zhì)量及一致性要求極高，其純度須達(dá)99.9999999%以上。（2）光刻機(jī)、PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備和檢測(cè)與測(cè)試設(shè)備在上游設(shè)備方面，光刻機(jī)、PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備和檢測(cè)與測(cè)試設(shè)備是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造過程中重要使用設(shè)備。光刻機(jī)價(jià)格高昂，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備使用中所占成本最高。中國光刻機(jī)國產(chǎn)化程度低于10%，光刻機(jī)市場(chǎng)被荷蘭ASML和日本尼康株式會(huì)社所壟斷，而高端光刻機(jī)市場(chǎng)幾乎被ASML壟斷。工藝制程及波長是衡量光刻機(jī)設(shè)備的關(guān)鍵指標(biāo)，目前ASML的EUV光刻機(jī)工藝制程已達(dá)到7納米及以下、波長為15納米，工藝精細(xì)度高；而中國上海微電子裝備股份有限公司最先進(jìn)的光刻機(jī)工藝制程為90納米，波長約193納米，其設(shè)備制造工藝水平與ASML差距明顯。除了光刻機(jī)，目前中國半導(dǎo)體設(shè)備廠商（北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體、盛美半導(dǎo)體設(shè)備、中電科電子裝備）已有能力生產(chǎn)PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、檢測(cè)與測(cè)試設(shè)備，但中國在此類半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域內(nèi)的國產(chǎn)化程度不高于20%。美國、日本設(shè)備廠商研發(fā)的PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備技術(shù)已基本達(dá)到14或7納米以下的先進(jìn)制程，而中國半導(dǎo)體設(shè)備制造商技術(shù)節(jié)點(diǎn)在65、45、28、14納米的水平。與此同時(shí)，美國、日本半導(dǎo)體設(shè)備廠商發(fā)展時(shí)間較早，設(shè)備制造工藝和應(yīng)用成熟度較高，對(duì)市場(chǎng)把控能力強(qiáng)。相比之下，中國半導(dǎo)體設(shè)備廠商研究起步晚，缺乏技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)積累，致使中國半導(dǎo)體設(shè)備廠商的設(shè)備性能與國外產(chǎn)商仍存在差距，競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力較弱，國外設(shè)備廠商的議價(jià)能力強(qiáng)。產(chǎn)業(yè)鏈中游中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的中游為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商，主要負(fù)責(zé)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)、制造和銷售。其中半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造關(guān)鍵環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片具有較高技術(shù)壁壘，致使半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片開發(fā)難度高。目前半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)可分為IDM和Fabless兩種商業(yè)模式。在DRAM領(lǐng)域，全球DRAM市場(chǎng)長期被三星、海力士、美光三家企業(yè)所壟斷，三家共占全球DRAM市場(chǎng)的95.0%，其中三星占全球DRAM市場(chǎng)的36.8%，市場(chǎng)占有率高。目前這三家DRAM廠商技術(shù)節(jié)點(diǎn)均已達(dá)到15～17納米之間，其中三星、海力士均已量產(chǎn)17納米級(jí)DRAM。受益于中國政府頒布的紅利政策，中國DRAM廠商加大了DRAM的研發(fā)力度?，F(xiàn)階段，中國合肥長鑫和福州晉華加強(qiáng)在DRAM領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)布局。在合肥市政府資金支持下，合肥長鑫在引進(jìn)國外設(shè)備基礎(chǔ)之上，已完成19納米DRAM研發(fā)，產(chǎn)品已進(jìn)入優(yōu)化階段。與此同時(shí)，合肥長鑫也正在積極研發(fā)17納米DRAM。而中國福州晉華通過與臺(tái)灣聯(lián)電合作的方式共同開發(fā)DRAM技術(shù)，但由于受美國制裁，2018年美國商務(wù)部將福建晉華列入出口管制實(shí)體名單，禁止美國企業(yè)向其出售技術(shù)和產(chǎn)品，導(dǎo)致福州晉華業(yè)務(wù)發(fā)展受限。綜上所述，中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠商在3DNAND和DRAM領(lǐng)域取得較大進(jìn)步，已逐步擁有獨(dú)立研發(fā)和生產(chǎn)制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的能力，中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器國產(chǎn)化進(jìn)程正在有序推進(jìn)，但與國外先進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商相比，中國本土半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商技術(shù)仍存在差距，在全球市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力不強(qiáng)，中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商的議價(jià)能力弱。產(chǎn)業(yè)鏈下游中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游參與者為消費(fèi)電子、信息通信、高新科技技術(shù)和汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的企業(yè)。在全球大力發(fā)展高新技術(shù)和“中國制造2025”深入推進(jìn)的背景下，人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算等新興行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)向好，各類電子化和智能化設(shè)備都離不開以半導(dǎo)體存儲(chǔ)器應(yīng)用。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是下游電子產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，其質(zhì)量直接影響到產(chǎn)品的穩(wěn)定性、集成度和產(chǎn)品良率。由于下游應(yīng)用領(lǐng)域廠商以產(chǎn)品功能或外觀差異化為切入點(diǎn)來提高產(chǎn)品銷量，行業(yè)下游企業(yè)對(duì)存儲(chǔ)器功能的需求日益精細(xì)化，行業(yè)下游應(yīng)用終端對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)發(fā)展具有導(dǎo)向性。隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)在下游應(yīng)用領(lǐng)域的市場(chǎng)需求不斷增大，下游應(yīng)用產(chǎn)品的革新升級(jí)對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的快速發(fā)展具有重要促進(jìn)的作用，下游廠商議價(jià)能力將不斷提高。05政治環(huán)境1政治環(huán)境1《集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》《國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》《集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》指出要著力發(fā)展芯片設(shè)計(jì)業(yè)，開發(fā)高性能基礎(chǔ)電路產(chǎn)品，突破數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）、存儲(chǔ)器等高端通用芯片，加強(qiáng)體系架構(gòu)、算法、軟硬件協(xié)同等設(shè)計(jì)研究，開發(fā)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)等高端通用芯片，批量應(yīng)用于黨政軍和重大行業(yè)信息化領(lǐng)域，形成產(chǎn)業(yè)化和參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的能力。《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》針對(duì)集成電路制造環(huán)節(jié)，提出要加快存儲(chǔ)芯片規(guī)模化量產(chǎn)，支持3DNANDFlash，適時(shí)布局DRAM和新型存儲(chǔ)器。與此同時(shí)，為了加快云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等新興領(lǐng)域核心技術(shù)研發(fā)，此政策還提出要開發(fā)基于新業(yè)態(tài)、新應(yīng)用的信息處理、傳感器、新型存儲(chǔ)等關(guān)鍵芯片及云操作系統(tǒng)等基礎(chǔ)軟件，提升信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)整體競(jìng)爭(zhēng)力。《國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》提出構(gòu)建先進(jìn)技術(shù)體系的規(guī)劃，即打造國際先進(jìn)、安全可控的核心技術(shù)體系，帶動(dòng)集成電路、核心元器件等薄弱環(huán)節(jié)并實(shí)現(xiàn)根本性突破。06政治環(huán)境2政治環(huán)境2《國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)“十三五”發(fā)展規(guī)劃》《關(guān)于集成電路生產(chǎn)企業(yè)有關(guān)企業(yè)所得稅政策問題的通知》《國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)“十三五”發(fā)展規(guī)劃》提出要優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，推進(jìn)集成電路及專用設(shè)備關(guān)鍵核心技術(shù)的突破和應(yīng)用《關(guān)于集成電路生產(chǎn)企業(yè)有關(guān)企業(yè)所得稅政策問題的通知》提出從2018年1月1日后投資新設(shè)的集成電路線寬小于130納米，且經(jīng)營期在10年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)享受“兩免三減半”，即第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅；線寬小于65納米或投資額超過150億元，且經(jīng)營期在15年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)享受“五免五減半”，即第一年至第五年免征企業(yè)所得稅，第六年至第十年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅，并享受至期滿為止。07政治環(huán)境2政治環(huán)境2《關(guān)于發(fā)布集成電路工程技術(shù)人員等職業(yè)信息的通知》《關(guān)于支持集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)口稅收政策管理辦法的通知》《關(guān)于發(fā)布集成電路工程技術(shù)人員等職業(yè)信息的通知》為貫徹落實(shí)《國務(wù)院關(guān)于推行終身職業(yè)技能培訓(xùn)制度的意見》提出的“緊跟新技術(shù)、新職業(yè)發(fā)展變化，建立職業(yè)分類動(dòng)態(tài)調(diào)整機(jī)制，加快職業(yè)標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)工作”要求，加快構(gòu)建與國際接軌、符合我國國情的現(xiàn)代職業(yè)分類體系，根據(jù)《中華人民共和國勞動(dòng)法》有關(guān)規(guī)定，面向社會(huì)持續(xù)公開征集新職業(yè)信息。《關(guān)于支持集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)口稅收政策管理辦法的通知》集成電路線寬小于65納米的邏輯電路、存儲(chǔ)器生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)口國內(nèi)不能生產(chǎn)或性能不能滿足需求的自用生產(chǎn)性原材料、消耗品等免征進(jìn)口關(guān)稅；集成電路用光刻膠、掩模版、8英寸及以上硅片生產(chǎn)企業(yè)，進(jìn)口國內(nèi)不能生產(chǎn)或性能不能滿足需求的凈化室專用建筑材料、配套系統(tǒng)和生產(chǎn)設(shè)備（包括進(jìn)口設(shè)備和國產(chǎn)設(shè)備）零配件等免征進(jìn)口關(guān)稅。08經(jīng)濟(jì)環(huán)境經(jīng)濟(jì)環(huán)境我國作為全球電子產(chǎn)品的制造基地，一直以來都是存儲(chǔ)器產(chǎn)品最大的需求市場(chǎng)，而我國目前存儲(chǔ)器產(chǎn)品主要依賴進(jìn)口。2019年，我國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模超過6000億元。疫情影響逐漸減少，未來在企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)、消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)容量快速提升等因素驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)未來將繼續(xù)保持增長趨勢(shì)。09社會(huì)環(huán)境1社會(huì)環(huán)境1010201隨著中國經(jīng)濟(jì)增長和國民消費(fèi)升級(jí)，移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)日益成熟，對(duì)信息化產(chǎn)品和服務(wù)的需求日益劇增。在“互聯(lián)網(wǎng)+”的背景下，智能手機(jī)功能逐漸多樣化，覆蓋眾多應(yīng)用領(lǐng)域，促使市場(chǎng)對(duì)智能手機(jī)的存儲(chǔ)空間要求不斷提高以滿足消費(fèi)者對(duì)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的體驗(yàn)。隨著5G開始商用，5G概念手機(jī)逐步推出。為了搶占5G手機(jī)市場(chǎng)，三星于2019年宣布量產(chǎn)12GBLPDDR5產(chǎn)品。相比其他半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，三星的12GBLPDDR5可在一秒內(nèi)傳輸44GB的數(shù)據(jù)及降低30%的功耗，可確保智能手機(jī)高速運(yùn)行狀態(tài)下也能維持穩(wěn)定的性能，能夠滿足未來5G手機(jī)在高性能和容量方面的功能需求?？梢?，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器作為手機(jī)存儲(chǔ)的重要組成部分，在手機(jī)持續(xù)更新升級(jí)的推動(dòng)下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)需求相應(yīng)地將快速釋放。02在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代下，移動(dòng)設(shè)備數(shù)量擴(kuò)張，內(nèi)容形式多樣化促使互聯(lián)網(wǎng)流量爆發(fā)。數(shù)據(jù)流量向互聯(lián)網(wǎng)巨頭集中，拉動(dòng)以Google、Facebook、亞馬遜、微軟、百度、阿里巴巴、騰訊為代表的七大互聯(lián)網(wǎng)巨頭相繼布局?jǐn)?shù)據(jù)中心建設(shè)，帶動(dòng)服務(wù)器DRAM需求的持續(xù)增長。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，平均一座數(shù)據(jù)中心可容納8,000至15,000個(gè)服務(wù)器構(gòu)架，而每個(gè)構(gòu)架可搭建4臺(tái)以上不同尺寸的服務(wù)器，將會(huì)消耗約1,000～2,000萬GB的服務(wù)器DRAM。由此可見，數(shù)據(jù)中心的建設(shè)成為服務(wù)器DRAM需求最大的驅(qū)動(dòng)力，刺激半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)增長。010社會(huì)環(huán)境2社會(huì)環(huán)境2根據(jù)2018年8月中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院和工信部發(fā)布的《中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書（2017-2018）》（以下簡稱“《白皮書》”），指出中國每年高校集成電路專業(yè)領(lǐng)域畢業(yè)生人才中，僅有不足3萬人進(jìn)入集成電路行業(yè)就業(yè)。與此同時(shí)，與互聯(lián)網(wǎng)、計(jì)算機(jī)軟件、IT服務(wù)、金融、房地產(chǎn)行業(yè)相比，集成電路行業(yè)的薪資水平較低，并且該行業(yè)需要很長的積累期，職業(yè)發(fā)展前景較其他行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力不強(qiáng)。截至2017年底，中國集成電路行業(yè)現(xiàn)有人才存量約為40萬人，人才缺口達(dá)32萬人。中國集成電路專業(yè)人才仍供需失衡，人才缺口大，阻礙了中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)的發(fā)展。011行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素1政策支持1集成電路行業(yè)持續(xù)向好，刺激半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展1政策支持1在國家政策和資金雙輪扶持下，中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器企業(yè)間合作促進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)化布局，加快資源整合的步伐，加速完善中國在3DNAND和DRAM的產(chǎn)業(yè)建設(shè)，為中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)帶來了強(qiáng)勁的增長動(dòng)力。現(xiàn)階段，長江存儲(chǔ)、合肥長鑫、福建晉華這三家企業(yè)已成為中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)的三大領(lǐng)先企業(yè)。1集成電路行業(yè)持續(xù)向好，刺激半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展1近年來，中國政府頒布《智能制造》、《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》、《智能制造發(fā)展規(guī)劃（2016-2020）》等一系列政策，大力發(fā)展AI、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算等高新技術(shù)，促進(jìn)集成電路行業(yè)發(fā)展。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是集成電路的重要分支，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器需求占整體集成電路市場(chǎng)的20%左右。因此，在全球集成電路行業(yè)向中國轉(zhuǎn)移的大勢(shì)下，國際半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商相繼在中國建廠，如英特爾、三星、海力士均已在中國布局半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)，建立半導(dǎo)體存儲(chǔ)制造廠，帶動(dòng)了中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)能增長以及產(chǎn)業(yè)調(diào)整和優(yōu)化升級(jí)，為中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)帶來新的增長動(dòng)力。012行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素下游應(yīng)用市場(chǎng)需求激增半導(dǎo)體存儲(chǔ)器進(jìn)口替代空間廣闊下游應(yīng)用市場(chǎng)需求激增以智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)等消費(fèi)電子領(lǐng)域和云計(jì)算、大數(shù)據(jù)等高新科技技術(shù)領(lǐng)域?yàn)榇淼陌雽?dǎo)體存儲(chǔ)器應(yīng)用推動(dòng)了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求增長，促進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)不斷擴(kuò)大。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器進(jìn)口替代空間廣闊中國作為全球電子產(chǎn)品的主要加工地，同時(shí)擁有著全球最多的網(wǎng)民，對(duì)于存儲(chǔ)器的需求量龐大，但由于國內(nèi)存儲(chǔ)芯片技術(shù)限制，目前我國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器仍大量依賴進(jìn)口，行業(yè)進(jìn)口替代空間廣闊。013行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)現(xiàn)狀在國家大力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大背景下，中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器基地于2016年開工建設(shè)。半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展推動(dòng)中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器應(yīng)用場(chǎng)景不斷拓寬。在“中國制造2025”計(jì)劃推行的背景下，中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)研究加快。當(dāng)前中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在各領(lǐng)域的應(yīng)用處于起步發(fā)展階段，可成熟應(yīng)用各相關(guān)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品的企業(yè)數(shù)量稀少。全球DRAM、NORFlash、NANDFlash市場(chǎng)被韓國、日本、美國企業(yè)所占據(jù)，其中韓國三星、海力士和美國美光三家制造商在DRAM和NANDFlash兩種主流存儲(chǔ)芯片占據(jù)了65%~70%的市場(chǎng)。在國家政策的扶持下，中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商在引進(jìn)國外技術(shù)和自主研發(fā)基礎(chǔ)上持續(xù)提升研發(fā)及應(yīng)用水平，中國長江存儲(chǔ)、合肥長鑫、福建晉華、兆易創(chuàng)新四家制造商在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器研發(fā)力度不斷增強(qiáng)，在DRAM和Flash領(lǐng)域突破技術(shù)壁壘。中國長江存儲(chǔ)已成功研發(fā)和生產(chǎn)32層3DNAND，合肥長鑫也完成19納米DRAM研發(fā)，兆易創(chuàng)新突破國外廠商在中低端容量的NORFlash技術(shù)壁壘，推出各類NORFlash產(chǎn)品。然而中國對(duì)國外半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)依賴性高，與國外半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商相比，中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)不具備市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器仍需進(jìn)一步增強(qiáng)自身競(jìng)爭(zhēng)力。014行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)現(xiàn)狀從存儲(chǔ)器細(xì)分產(chǎn)品來看半導(dǎo)體存儲(chǔ)器進(jìn)口替代空間廣闊從存儲(chǔ)器細(xì)分產(chǎn)品來看DRAM和NANDFlash占據(jù)了存儲(chǔ)芯片95%以上的市場(chǎng)份額。根據(jù)ICInsights發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，DRAM銷售額在2020年約占整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)的53%，F(xiàn)lash的比重約達(dá)到45%，其中NANDFlash占比達(dá)44%，NORFlash占比達(dá)1%。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器進(jìn)口替代空間廣闊中國作為全球電子產(chǎn)品的主要加工地，同時(shí)擁有著全球最多的網(wǎng)民，對(duì)于存儲(chǔ)器的需求量龐大，但由于國內(nèi)存儲(chǔ)芯片技術(shù)限制，目前我國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器仍大量依賴進(jìn)口，行業(yè)進(jìn)口替代空間廣闊。數(shù)據(jù)顯示，截至2020年我國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器進(jìn)出口額分別為6608.7億元、3890.5億元，實(shí)現(xiàn)貿(mào)易逆差高達(dá)2718.2億元。015行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)現(xiàn)狀半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息數(shù)據(jù)的重要核心部件，受益于各國政府對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展的支持，全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠商積極推進(jìn)存儲(chǔ)器生產(chǎn)線擴(kuò)張以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能釋放。在經(jīng)歷2013～2014年連續(xù)增長后，2015年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)陷入困境，其主要原因是存儲(chǔ)器廠商產(chǎn)品良率提升緩慢等因素。與此同時(shí)，2015年全球大宗商品跌價(jià)、貿(mào)易和資本流動(dòng)疲軟，導(dǎo)致2015全球經(jīng)濟(jì)增長低于預(yù)期。受整體經(jīng)濟(jì)形勢(shì)低迷影響，消費(fèi)電子產(chǎn)品行業(yè)增速放緩致使半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)低迷，導(dǎo)致半導(dǎo)體存儲(chǔ)器庫存增多，從而致使全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器供需局面惡化，產(chǎn)品價(jià)格暴跌。直到2016年下半年，全球經(jīng)濟(jì)回暖，消費(fèi)電子市場(chǎng)向好，智能手機(jī)從1G、2G逐步發(fā)展到4G，促使智能手機(jī)的RAM內(nèi)存的提升，刺激RAM存儲(chǔ)器需求，帶動(dòng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器銷量逐漸增加上升。2017年，行業(yè)龍頭Flash廠商從2D向3D制程工藝過渡，加上2017年服務(wù)器市場(chǎng)及移動(dòng)市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)器容量需求激增，2017年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器銷售規(guī)模接近1,240.3億美元，較2016年增長59.8%。2018年，伴隨著全球存儲(chǔ)器廠商產(chǎn)品良率上升，全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠商擴(kuò)產(chǎn)產(chǎn)能逐步釋放，2018年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器銷售規(guī)模達(dá)到1,512億美元016行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)現(xiàn)狀在全球電子信息行業(yè)發(fā)展加快和存儲(chǔ)器技術(shù)日益成熟的驅(qū)動(dòng)下，全球電子行業(yè)產(chǎn)品將迎來新一輪變革。新一代云服務(wù)、物聯(lián)網(wǎng)等高新科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將推動(dòng)全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器應(yīng)用終端領(lǐng)域擴(kuò)大，成為推動(dòng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展的主要?jiǎng)恿Γ雽?dǎo)體存儲(chǔ)器銷售規(guī)模有望進(jìn)一步擴(kuò)大。長期來看，隨著中國合肥長鑫、福建晉華和長江存儲(chǔ)等本土企業(yè)不斷提升研發(fā)創(chuàng)新能力和制造工藝技術(shù)水平，本土品牌有望迅速壯大，逐步參與全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)。未來五年內(nèi)，全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)能將加速釋放，產(chǎn)品在下游應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的滲透率將持續(xù)提升，且下游應(yīng)用需求將保持增長趨勢(shì)。2023年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器銷售規(guī)模將達(dá)到2,689億美元，市場(chǎng)發(fā)展勢(shì)頭良好。017行業(yè)熱點(diǎn)行業(yè)熱點(diǎn)熱點(diǎn)一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器應(yīng)用領(lǐng)域廣泛熱點(diǎn)二科研服務(wù)市場(chǎng)持續(xù)增長熱點(diǎn)三行業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量整體提高熱點(diǎn)一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器應(yīng)用領(lǐng)域廣泛熱點(diǎn)二科研服務(wù)市場(chǎng)持續(xù)增長半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)具有市場(chǎng)空間廣闊、銷售范圍廣、用戶分散、單批數(shù)量少、銷售單價(jià)高等特點(diǎn)。熱點(diǎn)三行業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量整體提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)技術(shù)提升，多元化科研服務(wù)平臺(tái)持續(xù)擴(kuò)張，促進(jìn)高價(jià)值服務(wù)企業(yè)品牌形成。行業(yè)產(chǎn)品化發(fā)展，集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的綜合性科研服務(wù)企業(yè)逐漸增多。018行業(yè)制約因素行業(yè)制約因素專業(yè)人才缺乏技術(shù)基礎(chǔ)薄弱資本壁壘和技術(shù)壁壘較高專業(yè)人才缺乏半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是集成電路重要的分支，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器人才不僅需要掌握化學(xué)、物理、電子自動(dòng)化、半導(dǎo)體行業(yè)的專業(yè)知識(shí)，也要具備存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)、制造能力。因此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器人才需求呈現(xiàn)多樣性特點(diǎn)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商對(duì)多學(xué)科交叉的復(fù)合型人才需求較大。在國家利好的政策的推動(dòng)下，自2003年以來，中國科技部和教育部批準(zhǔn)并構(gòu)建了以清華大學(xué)、北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、浙江大學(xué)等為代表的高校建設(shè)國家集成電路人才培養(yǎng)基地，中國集成電路人才培養(yǎng)基地的布局初步形成。但由于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)是尖端技術(shù)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域內(nèi)的實(shí)際工作要求技術(shù)人員具備較強(qiáng)的實(shí)際操作經(jīng)驗(yàn)，也要求從業(yè)人員長期學(xué)習(xí)并在工作不斷累積操作經(jīng)驗(yàn)，還要求技術(shù)人才對(duì)先進(jìn)高端設(shè)備與軟件操作有一定適應(yīng)性能力。而中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展時(shí)間較短，現(xiàn)階段還處在初步發(fā)展期，專業(yè)人才技術(shù)基礎(chǔ)仍較為薄弱。即使中國已擁有集成電路人才培養(yǎng)基地，但中國高端半導(dǎo)體存儲(chǔ)器人才仍處于呈現(xiàn)稀缺狀態(tài)。技術(shù)基礎(chǔ)薄弱半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)屬于技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)起步晚，缺乏技術(shù)經(jīng)驗(yàn)累積，致使中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)基礎(chǔ)較為薄弱。雖然中國本土長江存儲(chǔ)、合肥長鑫和福州晉華三大半導(dǎo)體存儲(chǔ)器企業(yè)已逐步完善NAND和DRAM產(chǎn)業(yè)布局，但各家半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品仍處于投產(chǎn)初期，尚未實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的規(guī)模量產(chǎn)。與國外半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商相比，中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)基礎(chǔ)薄弱。資本壁壘和技術(shù)壁壘較高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)屬于資本和技術(shù)密集型行業(yè)，資本壁壘和技術(shù)壁壘較高，目前行業(yè)內(nèi)僅有少數(shù)幾家規(guī)模和技術(shù)實(shí)力較為雄厚的企業(yè)可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的生產(chǎn)，行業(yè)集中度較高。與國外半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)對(duì)比，我國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器企業(yè)實(shí)力較為薄弱。大陸龍頭企業(yè)兆易創(chuàng)新2020年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器銷售額383億元，占國內(nèi)總營收份額僅7%。019行業(yè)問題行業(yè)問題質(zhì)量參差不齊行業(yè)監(jiān)管難度大高端產(chǎn)品發(fā)展落后質(zhì)量參差不齊半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)缺乏完備的質(zhì)量控制和質(zhì)量保證體系，生產(chǎn)商缺乏統(tǒng)一的生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，行業(yè)內(nèi)產(chǎn)品質(zhì)量良莠不齊，導(dǎo)致產(chǎn)品的可靠性難以保證，喪失產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。行業(yè)監(jiān)管難度大高端產(chǎn)品發(fā)展落后020行業(yè)發(fā)展建議行業(yè)發(fā)展建議2提升產(chǎn)品質(zhì)量2全面增值服務(wù)2多元化融資渠道2提升產(chǎn)品質(zhì)量2（1）政府方面：政府應(yīng)當(dāng)制定行業(yè)生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)范半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)生產(chǎn)流程，并成立相關(guān)部門，對(duì)科研用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售等各個(gè)環(huán)節(jié)進(jìn)行監(jiān)督，形成統(tǒng)一的監(jiān)督管理體系，完善試劑流通環(huán)節(jié)的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，重點(diǎn)加強(qiáng)冷鏈運(yùn)輸環(huán)節(jié)的基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)，保證半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)產(chǎn)品的質(zhì)量，促進(jìn)行業(yè)長期穩(wěn)定的發(fā)展；（2）生產(chǎn)企業(yè)方面：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)生產(chǎn)企業(yè)應(yīng)嚴(yán)格遵守行業(yè)生產(chǎn)規(guī)范，保證產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性。目前市場(chǎng)上已有多個(gè)本土半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)企業(yè)加強(qiáng)生產(chǎn)質(zhì)量的把控，對(duì)標(biāo)優(yōu)質(zhì)、高端的進(jìn)口產(chǎn)品，并憑借價(jià)格優(yōu)勢(shì)逐步替代進(jìn)口。此外，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)企業(yè)緊跟行業(yè)研發(fā)潮流，加大創(chuàng)新研發(fā)力度，不斷推出新產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率，也是未來行業(yè)發(fā)展的重要趨勢(shì)。2全面增值服務(wù)2單一的資金提供方角色僅能為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)企業(yè)提供“凈利差”的盈利模式，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)日趨嚴(yán)重，利潤空間不斷被壓縮，企業(yè)業(yè)務(wù)收入因此受影響，商業(yè)模式亟待轉(zhuǎn)型除傳統(tǒng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)需求外，設(shè)備管理、服務(wù)解決方案、貸款解決方案、結(jié)構(gòu)化融資方案、專業(yè)咨詢服務(wù)等方面多方位綜合性的增值服務(wù)需求也逐步增強(qiáng)。中國本土半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)龍頭企業(yè)開始在定制型服務(wù)領(lǐng)域發(fā)力，鞏固行業(yè)地位2多元化融資渠道2可持續(xù)公司債等創(chuàng)新產(chǎn)品，擴(kuò)大非公開定向債務(wù)融資工具（PPN）、公司債等額度獲取，形成了公司債、PPN、中期票據(jù)、短融、超短融資等多產(chǎn)品、多市場(chǎng)交替發(fā)行的新局面；企業(yè)獲取各業(yè)態(tài)銀行如國有銀行、政策性銀行、外資銀行以及其他中資行的授信額度，確保了銀行貸款資金來源的穩(wěn)定性。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)企業(yè)在保證間接融資渠道通暢的同時(shí)，能夠綜合運(yùn)用發(fā)債和資產(chǎn)證券化等方式促進(jìn)自身融資渠道的多元化，降低對(duì)單一產(chǎn)品和市場(chǎng)的依賴程度，實(shí)現(xiàn)融資地域的分散化，從而降低資金成本，提升企業(yè)負(fù)債端的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。以遠(yuǎn)東宏信為例，公司依據(jù)自身戰(zhàn)略發(fā)展需求，堅(jiān)持“資源全球化”戰(zhàn)略，結(jié)合實(shí)時(shí)國內(nèi)外金融環(huán)境，有效調(diào)整公司直接融資和間接融資的分布結(jié)構(gòu)，在融資成本方面與同業(yè)相比優(yōu)勢(shì)突出。021競(jìng)爭(zhēng)格局競(jìng)爭(zhēng)格局競(jìng)爭(zhēng)格局1競(jìng)爭(zhēng)格局2競(jìng)爭(zhēng)格局1半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)屬于技術(shù)、資金雙密集產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期長、工藝復(fù)雜、資金投入高，對(duì)企業(yè)研發(fā)能力、技術(shù)經(jīng)驗(yàn)積累、資金實(shí)力均有較高的要求。因此，行業(yè)內(nèi)從事相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)的企業(yè)數(shù)量稀少，參與主體主要以規(guī)模較大和資金實(shí)力雄厚的廠商為主，行業(yè)市場(chǎng)集中度高。受半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)專業(yè)性強(qiáng)等因素的影響，單一廠商難以掌握多門跨領(lǐng)域的材料工藝技術(shù)，導(dǎo)致中國半導(dǎo)體材料行業(yè)布局較為分散，在不同細(xì)分的應(yīng)用領(lǐng)域呈現(xiàn)出不同的競(jìng)爭(zhēng)格局，具體表現(xiàn)如下:競(jìng)爭(zhēng)格局2（1）在DRAM方面，以合肥長鑫和福州晉華為代表的DRAM廠商在DRAM研發(fā)設(shè)計(jì)、銷售方面的發(fā)展水平較高。其中合肥長鑫在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器研發(fā)設(shè)計(jì)積累了豐富經(jīng)驗(yàn)，擁有自己IP專利，產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計(jì)在業(yè)內(nèi)具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。目前在合肥市政府的幫助下，通過引進(jìn)國外半導(dǎo)體存儲(chǔ)器相關(guān)設(shè)備，合肥長鑫已成功建成19納米DRAM項(xiàng)目。（2）在NANDFlash方面，中國目前僅有長江存儲(chǔ)一家企業(yè)，其3DNAND研發(fā)技術(shù)在中國處于領(lǐng)先地位。受益于國家紅利政策的支持，長江存儲(chǔ)已成功研發(fā)和量產(chǎn)32層3DNAND，目前正在積極攻克64層3DNAND，逐步打破了國外企業(yè)在中低容量32層3DNAND的壟斷格局。（3）在NORFlash方面，中國兆易創(chuàng)新在全球NORFlash存儲(chǔ)器市場(chǎng)占有一席之地，主要以提供中低容量NORFlash產(chǎn)品為主。以兆易創(chuàng)新為代表的中國NORFlash廠商已在該領(lǐng)域取得突破，產(chǎn)品技術(shù)水平達(dá)到國際標(biāo)準(zhǔn)，部分產(chǎn)品進(jìn)入到國外主流的下游應(yīng)用領(lǐng)域企業(yè)的供應(yīng)鏈體系，本土生產(chǎn)線已基本實(shí)現(xiàn)大批量供貨。022行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器研發(fā)步伐加快中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)進(jìn)步新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器研發(fā)步伐加快目前市場(chǎng)主流存儲(chǔ)器產(chǎn)品是DRAM和NAND。但隨著信息化進(jìn)程加快和用戶數(shù)據(jù)保護(hù)意識(shí)增加，現(xiàn)有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的不足逐步凸顯，無法適應(yīng)新興產(chǎn)業(yè)的需求。如DRAM雖然數(shù)據(jù)訪問速度快，但容量小，斷電后數(shù)據(jù)丟失；而NAND雖然容量大，但訪問速度慢。因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商積極研發(fā)新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，以同時(shí)滿足DRAM高速度、高壽命和NAND低成本、非易失的特點(diǎn)。在此背景下，各大半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商推出了磁阻存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器、阻變存儲(chǔ)器等新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，且針對(duì)這些新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器進(jìn)行專利布局。從專利申請(qǐng)數(shù)量上看，目前半導(dǎo)體存儲(chǔ)器巨頭三星、東芝、美光和海力士在這三種新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器布局大量專利，其中三星在磁阻存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器、阻變存儲(chǔ)器專利數(shù)