硅材料生產(chǎn)技術(shù)學(xué)習(xí)通超星課后章節(jié)答案期末考試題庫(kù)2023年

硅材料生產(chǎn)技術(shù)學(xué)習(xí)通超星課后章節(jié)答案期末考試題庫(kù)2023年____也稱(chēng)為溫度場(chǎng),指的是熱系統(tǒng)內(nèi)的溫度分布狀態(tài)。

參考答案:

熱場(chǎng)

下面哪種鑄錠方法可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化生產(chǎn)?()

參考答案:

電磁鑄錠法

為了使晶體不斷長(zhǎng)大,一方面要求液相必須能連續(xù)不斷地向結(jié)晶界面供應(yīng)原子,另一方面結(jié)晶界面不斷地牢靠地接納原子,晶體生長(zhǎng)主要由后者控制。

參考答案:

對(duì)

從晶體的外觀可以判斷晶體是否為無(wú)位錯(cuò),<111>單晶會(huì)有()條軸對(duì)稱(chēng)的“棱線”。

參考答案:

3

位錯(cuò)對(duì)多晶硅的影響主要有()。

參考答案:

雜質(zhì)偏聚、沉淀,造成新的電活性中心###產(chǎn)生補(bǔ)償作用###擴(kuò)散增強(qiáng)

位錯(cuò)既可以接收電子也可以提供電子。

參考答案:

對(duì)

切割籽晶用的單晶電阻率應(yīng)高一些,這樣無(wú)論拉制低阻單晶、高阻單晶,N型的、P型的都可以用。但是已經(jīng)拉制過(guò)單晶的舊籽晶不能隨便使用,拉制過(guò)不同型號(hào)的舊籽晶也不能混用。

參考答案:

對(duì)

判斷收尾的時(shí)間很重要,收尾太早,容易斷苞,合格率降低;收尾太晚,造成浪費(fèi)。

參考答案:

錯(cuò)

區(qū)熔單晶過(guò)程中,多晶硅棒受到____、電磁托力、____和離心力幾個(gè)方面的作用力。熔體之所以可以被支撐在單晶與棒料之間,主要是由于硅熔體____的作用。

參考答案:

表面張力###重力###表面張力

區(qū)熔硅單晶的摻雜方法主要有()。

參考答案:

填裝法###中子嬗變摻雜###氣相摻雜法###液體摻雜

單位時(shí)間內(nèi),某雜質(zhì)從熔體單位面積上蒸發(fā)出來(lái)的原子數(shù)與熔體中雜質(zhì)濃度之比稱(chēng)為雜質(zhì)的____。蒸發(fā)效應(yīng)常以該常數(shù)和____來(lái)描述。

參考答案:

蒸發(fā)速度常數(shù)###時(shí)間常數(shù);蒸發(fā)時(shí)間常數(shù)

單位距離內(nèi)溫度的變化率為_(kāi)___。

參考答案:

溫度梯度

單晶硅片取自于____部分。

參考答案:

等徑

單晶硅生長(zhǎng)時(shí),熱場(chǎng)中溫度梯度有多種,對(duì)結(jié)晶狀態(tài)影響最大的是____,它在一定程度上決定著單晶的質(zhì)量。

參考答案:

生長(zhǎng)界面處的溫度梯度;(dT/dr)S-L

可以通過(guò)（

）粗略判斷鑄錠多晶硅固液界面的形狀。

參考答案:

縱截面電阻率等值線###晶體生長(zhǎng)趨勢(shì)

在低溫?zé)崽幚頃r(shí),過(guò)飽和的氧一般形成____;在相對(duì)高溫?zé)崽幚砘蚨嗖綗崽幚硌h(huán)時(shí),過(guò)飽和的氧形成____。

參考答案:

氧施主###氧沉淀

在柱狀晶生長(zhǎng)過(guò)程中，對(duì)其形狀應(yīng)先過(guò)的主要因素是（

）。

參考答案:

熱量的傳輸；熱流；熱流的情況

在結(jié)晶前沿處,只有很薄的一層熔體是低于熔化溫度的(過(guò)冷度為1℃左右),其余部分的熔體都是處于過(guò)熱狀態(tài),這樣可以抑制自發(fā)形核,該理論為()。

參考答案:

科塞耳理論

多晶硅鑄錠主要分為噴涂、備料及____三部分工序。

參考答案:

鑄錠

多晶硅鑄錠定向凝固生長(zhǎng)技術(shù)包括（

）。

參考答案:

澆鑄法###布里奇曼法###熱交換法###電磁鑄錠法

多晶硅鑄錠爐中保持工藝要求的關(guān)鍵是____系統(tǒng)。

參考答案:

加熱

多晶硅鑄錠爐通常由鋼結(jié)構(gòu)平臺(tái)及爐體、真空供氣系統(tǒng)、____與控制系統(tǒng)、____系統(tǒng)、水冷卻系統(tǒng)等組成。

參考答案:

電源供應(yīng)###加熱隔熱

多晶鑄錠爐的控制系統(tǒng)中____完成控制工藝的設(shè)置、控制過(guò)程的監(jiān)控及各種反饋信息,記錄整個(gè)硅結(jié)晶過(guò)程的各種參量的變化情況,生成相應(yīng)的圖表。____以智能控制系統(tǒng)為主體,完成對(duì)溫度的控制、真空度及氬氣的壓力控制、隔離籠的提升控制、多晶硅結(jié)晶的速度及冷卻水流量等的檢測(cè)。

參考答案:

上位機(jī)###下位機(jī)

多晶鑄錠爐的爐室為夾層架構(gòu),中間通冷卻水冷卻爐室表面溫度。

參考答案:

對(duì)

如果高溫?zé)崽幚砗罄鋮s速率很快,金屬的擴(kuò)散速率相對(duì)較慢,晶體硅中金屬為()。

參考答案:

間隙態(tài)###替位態(tài)

將界面上出現(xiàn)的周期性干擾考慮為正弦干擾,根據(jù)界面穩(wěn)定性理論,界面的穩(wěn)定性取決于正弦波的____。

參考答案:

振幅隨時(shí)間的變化率

拉制低電阻率單晶(小于10-2Ω·cm),一般選用____作摻雜劑;拉制較高電阻率的單晶(大于10-1Ω·cm),一般選用____做摻雜劑。

參考答案:

純?cè)?##母合金

拉速曲線一般為勻速下降的線性曲線。

參考答案:

錯(cuò)

放肩角度必須適當(dāng),如果角度太小,則晶體實(shí)收率低;角度過(guò)大,容易造成熔體過(guò)冷,甚至產(chǎn)生位錯(cuò)和位錯(cuò)增殖。

參考答案:

對(duì)

晶體生長(zhǎng)過(guò)程中引入的缺陷稱(chēng)為_(kāi)___。

參考答案:

原生缺陷

晶核的臨界半徑rC的大小與溶體的過(guò)冷度有直接關(guān)系,過(guò)冷度越大,臨界半徑就越____。

參考答案:

小

晶粒互相接觸后發(fā)生核心互相吞并，吞并機(jī)制主要有（

）。

參考答案:

表面擴(kuò)散機(jī)制###熱運(yùn)動(dòng)機(jī)制###氣相轉(zhuǎn)移機(jī)制

有效分凝系數(shù)Keff是和熔體性質(zhì)、結(jié)晶速度、雜質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù)及熔體的攪拌情況有關(guān)的一個(gè)物理量,通過(guò)()方式可以增大有Keff。

參考答案:

增大熔體粘滯系數(shù)###增大結(jié)晶速度###增加雜質(zhì)富集層或貧乏層厚度###減小擴(kuò)散系數(shù)

來(lái)自熔體的原子進(jìn)入下圖晶格座位，判斷下列選項(xiàng)中哪些順序是正確的。（

）

參考答案:

1=2<4=5<3

根據(jù)成分過(guò)冷理論和MS理論,固液界面形態(tài)有(a)平面狀、(b)絕對(duì)穩(wěn)定性平面、(c)枝狀、(d)胞狀。隨著凝固參數(shù)G/v的減小,固液界面形態(tài)變化順序?yàn)?)

參考答案:

adcb

根據(jù)界面穩(wěn)定性理論,當(dāng)溫度梯度超過(guò)一臨界值時(shí),其穩(wěn)定化效應(yīng)會(huì)完全克服溶質(zhì)擴(kuò)散的不穩(wěn)定化效應(yīng),這時(shí)無(wú)論凝固速度如何,界面總是穩(wěn)定的,這種絕對(duì)穩(wěn)定性稱(chēng)為_(kāi)___。

參考答案:

高梯度絕對(duì)穩(wěn)定性

母合金晶體使用時(shí)切成0.5-1.0mm的薄片,是為了使用時(shí)容易碎成小塊,稱(chēng)重時(shí)方便微量調(diào)節(jié)。

參考答案:

對(duì)

氫對(duì)于晶體硅中的主要雜質(zhì)氧作用主要表現(xiàn)為()。

參考答案:

增強(qiáng)氧施主生成###促進(jìn)氧的擴(kuò)散###增強(qiáng)氧沉淀生成###形成復(fù)合體

氧在硅中的分凝系數(shù)為1.25左右,因此氧濃度一般從先凝固的晶錠底部到最后凝固的晶錠上部逐漸____。

參考答案:

降低;減小;減少

氧在硅中的分凝系數(shù)大于1,因此其分布為(

)。

參考答案:

底部低上部高

氧在硅中的分凝系數(shù)大于1，因此其分布為（

）。

參考答案:

底部低上部高

氧沉淀的影響因素很多,其中哪些是氧沉淀的主要影響因素?()

參考答案:

熱處理的時(shí)間###熱處理的溫度###初始氧濃度

氮在鑄造多晶硅中的存在形式有()。

參考答案:

氮氧復(fù)合體###沉淀態(tài)###氮對(duì)

沿界面的（

）效應(yīng)會(huì)使界面趨于穩(wěn)定，（

）效應(yīng)造成界面不穩(wěn)定，這兩者時(shí)對(duì)界面穩(wěn)定性產(chǎn)生影響的互為矛盾的兩個(gè)因素。

參考答案:

擴(kuò)散###界面能

電子器件在不同的溫度下性能有差異,采用一些措施抑制這種差異的影響稱(chēng)為_(kāi)___。

參考答案:

溫度補(bǔ)償

界面穩(wěn)定性理論認(rèn)為界面上出現(xiàn)任何周期性的干擾都可以考慮為正弦干擾，界面的穩(wěn)定性取決于正弦波的（

）。

參考答案:

振幅隨時(shí)間的變化率

目前大直徑的石英坩堝均采用____法生產(chǎn)。

參考答案:

電弧

直拉單晶硅中摻雜元素一般根據(jù)()等進(jìn)行選擇。

參考答案:

熔解度###擴(kuò)散系數(shù)###導(dǎo)電類(lèi)型###分凝系數(shù)

直拉單晶硅化料過(guò)程中,溫度控制不當(dāng)會(huì)造成()。

參考答案:

溫度太低,影響生產(chǎn)效率###溫度過(guò)高,影響單晶質(zhì)量,反應(yīng)過(guò)于劇烈甚至?xí)l(fā)生噴硅現(xiàn)象###溫度過(guò)高,導(dǎo)致坩堝、爐壁、爐底產(chǎn)生變形###溫度過(guò)高,硅蒸氣大量聚集容易拉弧造成過(guò)流

直拉單晶硅裝料時(shí)應(yīng)該首先在底部鋪平板料,然后鋪大塊料,最后用邊角或小塊料填縫。

參考答案:

錯(cuò)

直拉單晶硅過(guò)程中使用的氬氣要進(jìn)行檢測(cè),檢測(cè)項(xiàng)目主要有()。

參考答案:

露點(diǎn)###純度###氧含量

直熔法生產(chǎn)鑄錠多晶硅的優(yōu)點(diǎn)有()。

參考答案:

生長(zhǎng)的硅錠質(zhì)量較好###晶體生長(zhǎng)過(guò)程易控制、易自動(dòng)化###“原位”熱處理降低硅錠內(nèi)的熱應(yīng)力

硅不同晶面自由能不相同,導(dǎo)致表面自由能____的晶面優(yōu)先生長(zhǎng),特別是晶面吸附雜質(zhì)改變表面自由能,所以多晶硅柱狀晶生長(zhǎng)方向不直且伴有分叉。(填高或低)

參考答案:

低

硅中的金屬雜質(zhì)一般以間隙態(tài)、____、復(fù)合體或____的形式存在

參考答案:

替位態(tài)###沉淀

碳在硅中主要處于替位位置,屬于非電活性雜質(zhì),因此多晶硅中的碳不影響其電學(xué)性能。

參考答案:

錯(cuò)

磁控直拉生長(zhǎng)技術(shù)產(chǎn)生的磁致()控制了流體的運(yùn)動(dòng),也減少了熔體的溫度波動(dòng),可以達(dá)到控制()的目的。

參考答案:

粘滯性、氧含量

過(guò)冷的溫度于熔點(diǎn)的溫度差稱(chēng)為_(kāi)___,該值越大,結(jié)晶速度越____。

參考答案:

過(guò)冷度###快

進(jìn)行熱場(chǎng)設(shè)計(jì),使得硅熔體在凝固時(shí)自底部開(kāi)始到上部結(jié)束,其固液界面始終保持與水平面平行,稱(chēng)為_(kāi)___。

參考答案:

平固液界面凝固技術(shù)

通常晶體生長(zhǎng)速度受()過(guò)程的限制。

參考答案:

硅原子在結(jié)晶界面上按晶格位置排列的速度###熔硅熱量的傳遞速度###結(jié)晶界面處結(jié)晶潛熱的釋放速度

通常硅錠的晶粒尺寸分布為()。

參考答案:

上大下小、中間大邊緣小

金屬在硅中沉淀的密度和形態(tài)與()有關(guān)。

參考答案:

形核方式###冷卻速率###擴(kuò)散速率

金屬雜質(zhì)的濃度分別為上部和底部區(qū)域高,在中部的濃度較低。

參考答案:

錯(cuò)

鐵硼復(fù)合體是電活性的,能引入深能級(jí)。在200℃以上熱處理或在太陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間照射時(shí),鐵硼復(fù)合體會(huì)重新分解。

參考答案:

對(duì)

鑄造多晶硅不能使用微電子工業(yè)單晶硅生產(chǎn)的剩余料。

參考答案:

錯(cuò)

鑄造多晶硅中坩堝涂層的作用為()。

參考答案:

降低多晶硅中的氧、碳雜質(zhì)濃度###坩堝可能重復(fù)使用,降低生產(chǎn)成本###解決坩堝和硅料的黏滯問(wèn)題

鑄造多晶硅中的碳雜質(zhì)對(duì)氧雜質(zhì)的影響有()。

參