離子晶體課件

第四節(jié)離子晶體第四節(jié)離子晶體學(xué)習(xí)目標(biāo)：1.了解離子晶體的結(jié)構(gòu)模型及其性質(zhì)的一般特點(diǎn)；2.了解離子晶體配位數(shù)及其影響因素；學(xué)習(xí)目標(biāo)：1.了解離子晶體的結(jié)構(gòu)模型及其性質(zhì)的一般特點(diǎn)；2.知識(shí)回顧：離子鍵2.成鍵的微粒：陰,陽(yáng)離子。3.成鍵的本質(zhì):陰陽(yáng)離子間的靜電作用。4.成鍵的條件:活潑金屬元素的原子和活潑的非金屬元素的原子。1.定義:使陰、陽(yáng)離子結(jié)合成離子化合物的靜電作用。知識(shí)回顧：離子鍵2.成鍵的微粒：陰,陽(yáng)離子。3.成鍵的本質(zhì):1.活潑的金屬元素(IA,IIA)和活潑的非金屬元素(VIA、VIIA）形成的化合物。2.活潑的金屬元素和酸根離子（或氫氧根離子）形成的化合物。5.常見(jiàn)的離子化合物1.活潑的金屬元素(IA,IIA)和活潑的非金屬元素(VIA4.從物質(zhì)類(lèi)別的角度來(lái)說(shuō),離子化合物通常包括強(qiáng)堿、大多數(shù)鹽和活潑金屬氧化物。3.銨根和酸根離子（或活潑非金屬元素離子）形成的鹽。4.從物質(zhì)類(lèi)別的角度來(lái)說(shuō),離子化合物通常包括強(qiáng)堿、大多數(shù)鹽和+11+17+17+11Na+Cl-NaClCl-Na+氯化鈉的形成過(guò)程：+11+17+17+11Na+Cl-NaClCl-N6.離子鍵的特征沒(méi)有方向性:陰陽(yáng)離子是球形對(duì)稱(chēng)的,電荷的分布也是球形對(duì)稱(chēng)的,它們?cè)诳臻g各個(gè)方向上的靜電作用相同,都可以和帶不同電荷的離子發(fā)生作用。沒(méi)有飽和性:在靜電作用能達(dá)到的范圍內(nèi),只要空間條件允許,一個(gè)離子可以多個(gè)離子發(fā)生作用。6.離子鍵的特征沒(méi)有方向性:陰陽(yáng)離子是球形對(duì)稱(chēng)的,電荷的分布

重晶石

BaSO4瑩石CaF2

膽礬

CuSO4·5H2O明礬

KAl(SO4)2·12H2O重晶石BaSO4瑩石CaF2膽礬CuSO41.定義:由陽(yáng)離子和陰離子通過(guò)離子鍵結(jié)合而成的晶體。2.成鍵粒子:陰、陽(yáng)離子。3.相互作用力：離子鍵。一.離子晶體4.常見(jiàn)的離子晶體:強(qiáng)堿,活潑金屬氧化物,大部分的鹽類(lèi)。1.定義:由陽(yáng)離子和陰離子通過(guò)離子鍵結(jié)合而成的晶體。2.成鍵判斷正誤：1.離子晶體一定是離子化合物。2.含有離子的晶體一定是離子晶體。3.離子晶體中只含離子鍵。4.離子晶體中一定含金屬陽(yáng)離子。5.由金屬元素與非金屬元素組成的晶體一定是離子晶體。×√×××判斷正誤：×√×××NaCl和CsCl晶胞配位數(shù):離子晶體中,一個(gè)離子周?chē)钹徑漠愲娦噪x子的數(shù)目。縮寫(xiě)為C.N.。NaCl和CsCl晶胞配位數(shù):離子晶體中,一個(gè)離Na+Cl-315624154236每個(gè)Cl-

周?chē)c之最接近且距離相等的Na+共有

個(gè)。6這幾個(gè)Na+在空間構(gòu)成的幾何構(gòu)型為

。正八面體NaCl晶體中離子的配位數(shù)

每個(gè)晶胞含鈉離子,氯離子數(shù)？Na+Cl-315624154236每個(gè)Cl-周?chē)c之最接離子晶體ppt課件(1)NaCl晶體中每個(gè)Na+周?chē)罱业染嚯x的Cl-有

個(gè)，每個(gè)Cl-周?chē)罱业染嚯x的Na+有

個(gè)；在每個(gè)Na+周?chē)罱业染嚯x的Na+有

個(gè)，在每個(gè)Cl-周?chē)罱染嚯x的Cl-有

個(gè)。Na+和Cl-的配位數(shù)分別為

、

。一個(gè)NaCl晶胞中含

個(gè)Na+和

個(gè)Cl-。NaCl晶體中

NaCl分子，化學(xué)式NaCl表示

。6612446無(wú)126Na+和Cl-的最簡(jiǎn)個(gè)數(shù)比(1)NaCl晶體中6612446無(wú)126Na+和Cl-的最

CsCl晶體中離子的配位數(shù)(1)每個(gè)晶胞含銫離子、氯離子的個(gè)數(shù)？（2）在氯化銫晶體中,每個(gè)Cs+周?chē)c之最接近且距離相等的Cl-共有

；這幾個(gè)Cl-在空間構(gòu)成的幾何構(gòu)型為

。(3)在每個(gè)Cl-周?chē)嚯x相等且最近的Cs+共有

;這幾個(gè)Cs＋在空間構(gòu)成的幾何構(gòu)型

。

8立方體8立方體CsCl晶體中離子的配位數(shù)(1)每個(gè)晶胞含銫離子、氯離子的(2)CsCl晶體

每個(gè)Cs+周?chē)罱业染嚯x的Cl-有

個(gè),每個(gè)Cl-周?chē)罱业染嚯x的Cs+有

個(gè),在每個(gè)Cs+周?chē)罱业染嚯x的Cs+有

個(gè),在每個(gè)Cl-周?chē)罱染嚯x的Cl-有

個(gè)，一個(gè)CsCl晶胞中含

個(gè)Cs+和

個(gè)Cl-。Cs+和Cl-的配位數(shù)分別為

、

。88661188(2)CsCl晶體88661188CaF2晶胞①Ca2+的配位數(shù)：②F-的配位數(shù)：③一個(gè)CaF2晶胞中含:

個(gè)Ca2+和個(gè)F-8448CaF2晶胞①Ca2+的配位數(shù)：②F-的配位數(shù)：③一個(gè)CaF(3)CaF2晶體

每個(gè)Ca2+周?chē)罱业染嚯x的F-有

個(gè)，每個(gè)F-周?chē)罱业染嚯x的Ca2+有

個(gè)；在每個(gè)Ca2+周?chē)罱业染嚯x的Ca2+有

個(gè)，在每個(gè)F-周?chē)罱染嚯x的F-有

個(gè)。一個(gè)CaF2晶胞中含

個(gè)Ca2+和

個(gè)F-；Ca2+和F-的配位數(shù)分別為

、

。841264884(3)CaF2晶體841264884(4)ZnS型晶胞2.陽(yáng)離子的配位數(shù)：陰離子的配位數(shù)：1.一個(gè)ZnS晶胞中含：個(gè)陽(yáng)離子和

個(gè)陰離子4444(4)ZnS型晶胞2.陽(yáng)離子的配位數(shù)：陰離子的配位數(shù)：2.決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素幾何因素晶體中正負(fù)離子的半徑比電荷因素晶體中正負(fù)離子的電荷比鍵性因素離子鍵的純粹程度。2.決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素幾何因素幾何因素配位數(shù)與r+/r-之比相關(guān)：0.225--0.4144

配位

0.414--0.7326配位

0.732--1.000 8

配位 返回幾何因素配位數(shù)與r+/r-之比相關(guān)：返回(2)硬度較大，難于壓縮。3.離子晶體物理性質(zhì)的特點(diǎn)：(1)熔沸點(diǎn)較高,難揮發(fā)。(3)一般易溶于水,而難溶于非極性溶劑。(4)固態(tài)不導(dǎo)電,水溶液或者熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電。(2)硬度較大，難于壓縮。3.離子晶體物理性質(zhì)的特點(diǎn)：(學(xué)習(xí)目標(biāo)：1.了解晶格能的定義和應(yīng)用；2.知道晶格能的大小可以衡量離子晶體中離子鍵的強(qiáng)弱；學(xué)習(xí)目標(biāo)：1.了解晶格能的定義和應(yīng)用；2.知道晶格能的大小可NaClCsCl熔點(diǎn)℃沸點(diǎn)℃

801

645

1413

1290

為什么NaCl的熔沸點(diǎn)比CsCl高？交流與討論NaClCsCl熔點(diǎn)℃沸點(diǎn)℃8016451結(jié)論:

對(duì)于組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，陰、陽(yáng)離子半徑越小，離子所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)較高，晶體越穩(wěn)定。結(jié)論:二.晶格能1.定義：氣態(tài)離子形成1摩離子晶體時(shí)釋放的能量，通常取正值。如下表：某些離子晶體的晶格能/（KJ/mol）

二.晶格能1.定義：氣態(tài)離子形成1摩離子晶體時(shí)釋放的能量，通仔細(xì)閱讀表3—8，分析晶格能的大小與離子晶體的熔點(diǎn)有什么關(guān)系？離子晶體的晶格能與哪些因素有關(guān)？仔細(xì)閱讀表3—8，分析晶格能的大小與離子晶體的熔點(diǎn)有什么關(guān)系2、影響晶格能大小因素：離子晶體中陰陽(yáng)離子半徑越小，所帶電荷越多，離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大。2、影響晶格能大小因素：離子晶體中陰陽(yáng)離子半徑越小，所帶電荷(2)巖漿晶出規(guī)則與晶格能的關(guān)系3.晶格能的應(yīng)用：(1)晶格能越大，離子晶體越穩(wěn)定，離子晶體的熔沸點(diǎn)越高，硬度越大?！锞Ц衲芨叩木w熔點(diǎn)較高，更容易在巖漿冷卻過(guò)程中冷卻下來(lái)，從而先結(jié)晶。(2)巖漿晶出規(guī)則與晶格能的關(guān)系3.晶格能的應(yīng)用：(1)晶1、若晶體類(lèi)型不同，一般情況下：原子晶體＞離子晶體＞分子晶體?！究偨Y(jié)】物質(zhì)的熔點(diǎn)與晶體類(lèi)型的關(guān)系【總結(jié)】物質(zhì)的熔點(diǎn)與晶體類(lèi)型的關(guān)系2,若晶體類(lèi)型相同,則有:⑴離子晶體中，結(jié)構(gòu)相似時(shí)，離子半徑越小，離子電荷越高，晶格能越大，離子鍵就越強(qiáng)，熔點(diǎn)就越高。2,若晶體類(lèi)型相同,則有:⑴離子晶體中，結(jié)構(gòu)相似時(shí)，離子半徑⑵原子晶體中,結(jié)構(gòu)相似時(shí),原子半徑越小,共價(jià)鍵鍵長(zhǎng)越短,鍵能越大,熔點(diǎn)越高。⑶分子晶體中(不含氫鍵時(shí)),分子組成和結(jié)構(gòu)相似時(shí),相對(duì)分子質(zhì)量越大,范德華力就越強(qiáng),熔點(diǎn)就越高。⑵原子晶體中,結(jié)構(gòu)相似時(shí),原子半徑越小,共價(jià)鍵鍵長(zhǎng)越短,鍵能⑷金屬晶體中，離子半徑越小，離子電荷越高，金屬鍵就越強(qiáng)，熔點(diǎn)就越高。合金的熔點(diǎn)比它的各成分金屬的熔點(diǎn)低。⑷金屬晶體中，離子半徑越小，離子電荷越高，金屬鍵就越強(qiáng)，熔點(diǎn)練習(xí)1:下列物質(zhì)的晶體,按其熔點(diǎn)由低到高的排列順序正確的是（）A.NaCl、SiO2、CO2

B.NaCl、CO2、SiO2C.NaCl、MgO、SiO2

D.NaCl、SiO2、MgO

D練習(xí)1:下列物質(zhì)的晶體,按其熔點(diǎn)由低到高的排列順序正確的是（2.下列物質(zhì)中，化學(xué)式能準(zhǔn)確表示該物質(zhì)分子組成的是()A.NH4ClB.SiO2C.P4D.Na2SO4C2.下列物質(zhì)中，化學(xué)式能準(zhǔn)確表示該物質(zhì)分子組成的是(

離子Be2+Mg2+La3+K+F-Na+Cl-離子半徑/pm3165104133136951813.幾種離子的半徑如下表所示：A.LaF3B.MgF2

C.BeF2D.KF下列各離子晶體中陽(yáng)離子配位數(shù)與氯化鈉中鈉離子配位數(shù)相同的是

()B

離子Be2+Mg2+La3+K+F-Na+Cl-離子半徑/4.溴化鈉、氯化鈉和氧化鎂等離子晶體的核間距和晶格能(部分)如下表所示。

NaBr

NaCl

MgO

離子的核間距/pm

290

276

205

晶格能/kJ·mo－1

787

3890

4.溴化鈉、氯化鈉和氧化鎂等離子晶體的核間距和晶格能(部分)(1)溴化鈉晶體比氯化鈉晶體晶格能___(填”大”或“小”)，主要原因_______________。(2