A3955中文數(shù)據(jù)手冊(cè)

A3955步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)專用集成芯片以完成電機(jī)的恒流集成驅(qū)動(dòng)，恒轉(zhuǎn)矩掌握，并且實(shí)現(xiàn)電流檢測(cè)與保護(hù)功能。A3955SB和A3955SLB是為驅(qū)動(dòng)雙極型步進(jìn)電機(jī)在微步工作模式下的一相繞組而設(shè)計(jì)的。該芯片可以輸出1.5V之間的電流和50V以內(nèi)的電壓。內(nèi)部脈寬調(diào)制模塊以及3微步模式。了轉(zhuǎn)矩變化以及電機(jī)在低速運(yùn)行時(shí)的共振問(wèn)題。被分成一段時(shí)間的快速電流衰減，以及剩下時(shí)間的慢速電流衰減。用戶選擇的電流檢測(cè)電阻和參考電壓值兩者共同打算了輸出電流比率；慢電路。無(wú)特別的上電次序要求。A3955芯片特點(diǎn)：1.5A連續(xù)輸出電流50V輸出電壓范圍內(nèi)部脈寬調(diào)制電流掌握3位非線性數(shù)模轉(zhuǎn)換器快速，混合，和慢速三種電流衰減模式芯片內(nèi)部有瞬態(tài)抑制二極管芯片內(nèi)部有過(guò)熱關(guān)斷電路穿插電流及低壓關(guān)斷保護(hù)電路數(shù)模轉(zhuǎn)化器輸入數(shù)據(jù)D2D1D0電流比率%V 數(shù)模轉(zhuǎn)化器輸入數(shù)據(jù)D2D1D0電流比率%V /Vref s1111003.0011092.43.2510183.13.6110070.74.2401155.55.4101038.27.8500119.515.38000輸出截止圖4-4A3955驅(qū)動(dòng)芯片引腳圖引腳名稱描述1PFD引腳名稱描述1PFD模擬輸入用來(lái)設(shè)置電流衰減模式〔R電阻值和DACDDD設(shè)置了峰值2REFs2 1 0輸出電流外部電阻R和電容C的并聯(lián)設(shè)置PWMC3RCtTT也設(shè)置了無(wú)效時(shí)間規(guī)律電平〔V〕和負(fù)載電壓〔V 〕的回路；全部電壓的參考電4-5GROUNDccBB平6LOGICSUPPLYV 5VccPHASE 該端口輸入打算了負(fù)載電流的方向D 內(nèi)部的數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入掌握位之一，最高位2D1OUTASENSE11

內(nèi)部的數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入掌握位之一，中間位兩個(gè)輸出負(fù)載端口之一此端口接在下端晶體管放射極，電阻Rs接在該端口和地之間12-13 GROUND Vcc

和V 的回路；所以電位的參考點(diǎn)BBD0

內(nèi)部的數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入掌握位之一，最低位OUTB

兩個(gè)輸出端口之一LOAD

負(fù)載電壓SUPPLY BB圖4-5A3955驅(qū)動(dòng)芯片構(gòu)造框圖芯片引腳功能描述：雙余度兩相混合式步進(jìn)電動(dòng)機(jī)需要4片A3955芯片。該芯片內(nèi)部的脈沖寬Rs

，參考電壓VREF

D2

DD三者共同打算。1 1A3955S芯片供給三種不同的電流衰減模式：慢電流衰減，快電流衰減，和混合衰減模式。相位輸入端：該端口掌握負(fù)載寵愛(ài)宗族種電流的方向。內(nèi)部產(chǎn)生的大約為1us的死區(qū)時(shí)間可以防止由于轉(zhuǎn)變相位輸入端信號(hào)時(shí)產(chǎn)生的穿插電流。DAC數(shù)據(jù)輸入引腳為D2

DD1 0由數(shù)字量掌握輸出電流。模數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸出用于設(shè)置電流檢測(cè)比較器的跳變點(diǎn)。4-4D2

DD均為規(guī)律低1 0電尋常，全部電力晶體管均被關(guān)斷?！睮

。tripRs〔4-PWM鎖存器復(fù)位，從而關(guān)斷了源驅(qū)動(dòng)器〔慢衰減模式下〕或者是關(guān)斷了接地驅(qū)動(dòng)管和源驅(qū)動(dòng)器〔快和混合衰減模式下。當(dāng)數(shù)據(jù)輸入端口接到V時(shí)，電流上限最大值由電阻R

和帶有跨導(dǎo)功能V 設(shè)cc

Itrip

VREF

s/3RS

ref〔4-1〕I

peak

trip

器保持關(guān)斷的時(shí)間由用戶選擇外部并聯(lián)的電阻電容打算〔RCt t

。在固定關(guān)斷時(shí)I

trip

，以維持平均負(fù)載電流。3位數(shù)模轉(zhuǎn)換器〔每步參考電流比率或者稱SRCR1/2,1/4,1/8微步負(fù)載電流。Itrip

SRCRVref

/3Rs

(4-2)當(dāng)VPFD

〔I

trip。在固定關(guān)斷時(shí)間期間，負(fù)載電感使得電流通過(guò)電機(jī)電機(jī)繞組，〔4-。提高了電動(dòng)機(jī)的性能。由于磁滯損耗和開(kāi)關(guān)損耗引起的電機(jī)和驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)熱。PWM負(fù)載電流調(diào)整能夠PWM由于磁滯損耗和開(kāi)關(guān)損耗引起的電機(jī)和驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)熱。PWM負(fù)載電流調(diào)整能夠PWMRsVBBRsDRIVERCURRENTRECIRCULATIONRECIRCULATION(FAST-DECAYMODE)圖4-6A3955驅(qū)動(dòng)芯片負(fù)載電流流經(jīng)路徑?？祀娏魉p模式。當(dāng)VPFD作方式下，當(dāng)負(fù)載電流到達(dá)I

0.8V時(shí)，器件在快速衰減模式下工作〔在這種工時(shí)，源驅(qū)動(dòng)管和下級(jí)驅(qū)動(dòng)管都被關(guān)斷。在固定關(guān)trip流到供電電源端〔4-管的損耗增加為代價(jià)的?；旌想娏魉p模式：假設(shè)V

PFD

端電壓值為1.1V到3.1V之間，器件將工作在〔選擇要求可以參考步進(jìn)電機(jī)應(yīng)用。I

trip

后，開(kāi)頭關(guān)閉接地RC端電壓減小到低于V

PFD

時(shí)，接地驅(qū)動(dòng)管重翻開(kāi)，使器件在剩下的固定關(guān)斷時(shí)間內(nèi)工作在慢電流衰減模式?？焖p所占的百分比由VPFD

以及外部的兩個(gè)電阻打算：PFD100ln(0.6[R1

R]/R2

) 〔4-3〕R1，R24-7所示。VCCR1VCCR1PFR2圖4-7PFD端分壓電路圖PWM電流掌握電路用比較器來(lái)掌握驅(qū)動(dòng)器關(guān)端的時(shí)RC時(shí)間端口的外部電阻RT

和外部電容C打算T的。在CT

4701500pFRT

12K100K時(shí)，關(guān)斷時(shí)間可近似如下計(jì)算：

toff

RCT T

〔4-4〕〔I

。tripRC0.6VCC

時(shí)，PWM鎖存器由電流檢測(cè)trip比較器重復(fù)位，RC0.22VCC

PWM鎖存器重PWM開(kāi)關(guān)過(guò)程不斷重復(fù)，保持負(fù)載峰值電流保持在期望值。隨著t 值的不斷增加，開(kāi)關(guān)損耗將減小，低off水平負(fù)載電流調(diào)整將提高。電磁干擾將削減，PWM頻率將減低，并且紋波電流將會(huì)增加。t

off

的值可依據(jù)這些參數(shù)進(jìn)展選擇。對(duì)于噪聲有要求的應(yīng)用場(chǎng)合，典型toff

值是15s35s范圍之間。RCPWM掌握電路的固定關(guān)斷時(shí)間，CT

也設(shè)置了比較器的無(wú)效時(shí)間。在輸出由內(nèi)部電流掌握電路轉(zhuǎn)換時(shí)〔PHASE輸入，或DAC數(shù)據(jù)輸入使能，該無(wú)效時(shí)間功能使電流檢測(cè)比較器輸出無(wú)效。比較或者由負(fù)載的分布電容引起的開(kāi)關(guān)暫態(tài)。PWMt

off

時(shí)間完畢時(shí)，比較器輸出無(wú)效，并且CT

由內(nèi)部1mA0.22VCC

的電壓值開(kāi)頭對(duì)其充電。比較器輸出保持無(wú)效直到端口CT

0.6VCC

左右。無(wú)效時(shí)間t

BLANK

4-5。TBLANK

RCT

ln(RT

/[RT

3K]) 〔4-5〕PHASECT

0電位。〔穿插電流衰減時(shí)間是為了防止源驅(qū)動(dòng)管和接地驅(qū)動(dòng)器的同時(shí)傳導(dǎo)。在穿插電CT

1mACT端的電壓接近0.6V 。CCDACCT

放電到接近0電平。當(dāng)CT

1mACT

0.6VCC之前，比較器輸出保持無(wú)效。無(wú)效時(shí)間可以由式4-6計(jì)算：。 〔4-6〕t RC ln([R 1.1K]/R 3K)BLANK T T T TC端的最小參考電壓值為470pF10%T免在正常工作狀況下比較器的誤跳閘。對(duì)于最正確負(fù)載電流調(diào)劑，CT

值為推舉值，