界面現(xiàn)象與雙電層結(jié)構(gòu)

界面現(xiàn)象與雙電層結(jié)構(gòu)研究電極與溶液界面現(xiàn)象的意義電毛細(xì)曲線方法和微分電容方法零電荷電勢(shì)φ0雙電層結(jié)構(gòu)模型簡(jiǎn)介電極/溶液界面上的吸附現(xiàn)象研究電極與溶液界面現(xiàn)象的意義界面電化學(xué)中的雙電層結(jié)構(gòu)在電極過(guò)程動(dòng)力學(xué)中起著非常重要作用電極/溶液界面是實(shí)現(xiàn)電極反應(yīng)的客觀環(huán)境有關(guān)雙電層結(jié)構(gòu)理論的界面電化學(xué)也是聯(lián)系電化學(xué)熱力學(xué)與電極過(guò)程動(dòng)力學(xué)的中間環(huán)節(jié)在固體與液體界面上出現(xiàn)雙電層的現(xiàn)象是十分普遍的現(xiàn)象界面電化學(xué)的理論基礎(chǔ)是建立雙電層結(jié)構(gòu)模型并以此討論其界面性質(zhì)電極/溶液界面雙電層的研究方式研究電極/溶液界面雙電層結(jié)構(gòu)一般是通過(guò)實(shí)驗(yàn)方法測(cè)定電極/溶液界面的界面張力、界面電容、粒子吸附量等一些參數(shù)與電極電勢(shì)的關(guān)系假設(shè)一種界面雙電層結(jié)構(gòu)模型并由此推算其界面參數(shù)若推算的界面參數(shù)與實(shí)驗(yàn)測(cè)得的界面參數(shù)吻合，則假設(shè)的界面雙電層結(jié)構(gòu)模型反映了界面的真實(shí)結(jié)構(gòu)電毛細(xì)曲線方法和微分電容方法理想極化電極與理想非極化電極電毛細(xì)曲線方法微分電容法電毛細(xì)曲線法與微分電容法的比較外電路流向電極/溶液界面電荷的作用對(duì)于任何電化學(xué)體系，通過(guò)外電路流向電極／溶液界面的電荷可能參加兩種不同的過(guò)程(1)在界面上參加電化學(xué)反應(yīng)這一過(guò)程在外電路中引起“經(jīng)常的”電流外電源提供的電荷全部用于電化學(xué)反應(yīng)時(shí)其電極電勢(shì)不變(2)改變界面結(jié)構(gòu)形成雙電層這一過(guò)程只會(huì)在外電路中引起瞬間電流外電源提供的電荷用于形成雙電層將改變其電極電勢(shì)理想極化電極與理想非極化電極由外電源輸入的電荷電量全部被用于改變電極電勢(shì)形成雙電層的電極體系稱之為“理想極化電極”由外電源提供的電荷電量全部用于電化學(xué)反應(yīng)而電極電勢(shì)不變的電極體系稱之為“理想非極化電極”理想極化電極和理想非極化電極是相對(duì)的研究雙電層結(jié)構(gòu)應(yīng)采用理想極化電極測(cè)量電極電勢(shì)的參比電極應(yīng)采用理想非極化電極電毛細(xì)曲線方法測(cè)量理想極化電極在不同電勢(shì)φ時(shí)的界面張力σ，繪制成電毛細(xì)曲線(σ-φ曲線)來(lái)研究電極/溶液界面結(jié)構(gòu)的方法稱為電毛細(xì)曲線方法金屬汞電極的實(shí)驗(yàn)方法主要有毛細(xì)管靜電計(jì)法、滴重法、最大液泡法等毛細(xì)管靜電計(jì)法是通過(guò)測(cè)量毛細(xì)管汞柱高度h與電勢(shì)φ的關(guān)系再換算成界面張力σ與電勢(shì)φ的關(guān)系來(lái)研究界面結(jié)構(gòu)的電毛細(xì)曲線方法無(wú)特性吸附的電毛細(xì)曲線為一開(kāi)口向下的拋物線利用不同電勢(shì)時(shí)的界面張力數(shù)據(jù)可以計(jì)算界面吸附量和界面剩余電荷密度，研究雙電層結(jié)構(gòu)某些粒子在界面上發(fā)生吸附時(shí)其吸附量、界面張力和化學(xué)勢(shì)三者具有如下關(guān)系：李普曼（Lippman）公式的推導(dǎo)當(dāng)電極表面上的剩余電荷密度為q時(shí)，電子的表面吸附量為θe＝－q／F，而電子向界面移動(dòng)的化學(xué)勢(shì)變化為dμe＝－Fdφ,電子的吸附量與化學(xué)勢(shì)的乘積為：考慮到電子在電極表面的吸附

李普曼（Lippman）公式及其應(yīng)用李普曼（Lippman）公式表示電極電勢(shì)φ、界面張力σ和電極表面電荷密度q三者之間的關(guān)系(溶液組成不變)根據(jù)電毛細(xì)曲線的斜率可確定電極表面電荷密度q和所帶電荷的性質(zhì)無(wú)特性吸附時(shí)電毛細(xì)曲線的熱力學(xué)意義電毛細(xì)曲線左分支：斜率＜0，q＞0，電極表面荷正電，雙電層溶液一側(cè)帶負(fù)電而由負(fù)離子組成電毛細(xì)曲線右分支：斜率＞０，q＜0，電極表面荷負(fù)電，雙電層溶液一側(cè)帶正電而由正離子組成電毛細(xì)曲線的最高點(diǎn)：斜率＝0，q＝0，電極表面不帶電，表面張力σ最大，界面上離子雙電層消失，相應(yīng)的電極電勢(shì)稱為“零電荷電勢(shì)”（φ0）電極電勢(shì)由正變負(fù)時(shí)，電極表面由帶正電變?yōu)閹ж?fù)電，雙電層溶液一側(cè)則由負(fù)離子組成變?yōu)橛烧x子組成微分電容法通過(guò)測(cè)量電極/溶液界面微分電容與電勢(shì)的關(guān)系曲線研究界面結(jié)構(gòu)的方法稱為微分電容法界面雙電層的微分電容定義為：微分電容與微分電容曲線的特點(diǎn)電極/溶液界面的微分電容不但與電極電勢(shì)有關(guān)而且與溶液濃度有關(guān)溶液濃度對(duì)微分電容曲線的位置和形狀都有很大影響只有稀溶液中微分電容曲線才有最小值，最小值的電勢(shì)正好對(duì)應(yīng)于零電荷電勢(shì)較濃的溶液中微分電容曲線不出現(xiàn)這種最小值，因而無(wú)法確定其零電荷電勢(shì)、無(wú)法確定其積分常數(shù)和積分的下限而無(wú)法確定電極表面所帶電荷值稀溶液中的典型微分電容曲線的熱力學(xué)意義微分電容曲線左分支：φ＞φ0，q＞0，電極表面荷正電，雙電層溶液一側(cè)帶負(fù)電而由負(fù)離子組成微分電容曲線右分支：φ＜φ0，q＜0，電極表面荷負(fù)電，雙電層溶液一側(cè)帶正電而由正離子組成微分電容曲線最低點(diǎn)：φ=φ0，q＝0，電極表面不帶電，界面上離子雙電層消失，相應(yīng)的電極電勢(shì)為“零電荷電勢(shì)”（φ0）在電勢(shì)遠(yuǎn)離零電荷電勢(shì)φ0時(shí)微分電容為一定值電毛細(xì)曲線法與微分電容法比較電毛細(xì)曲線法利用曲線的斜率求表面電荷荷密度q，實(shí)際測(cè)量的σ是q的積分函數(shù)微分電容法利用曲線的下方面積求表面電荷荷密度ｑ，實(shí)際測(cè)量的Cd是q的微分函數(shù)微分電容法的精確度和靈敏度都比電毛細(xì)曲線法優(yōu)越得多電毛細(xì)曲線法只能用于液體金屬電極，微分電容法可用于固體金屬電極零電荷電勢(shì)φ0零電荷電勢(shì)φ0是電極表面不帶有剩余電荷時(shí)的電極電勢(shì)（相對(duì)于某一參比電極）零電荷電勢(shì)時(shí)電極／溶液界面上的特征：電極表面不帶剩余電荷，離子雙電層消失，界面張力最大，微分電容最小，電極表面硬度最大，濕潤(rùn)性最大。零電荷電勢(shì)φ0是一個(gè)重要的電化學(xué)參數(shù)電極/溶液界面的許多性質(zhì)都與相對(duì)于零電荷電勢(shì)的電極電勢(shì)有關(guān)零電荷電勢(shì)φ0的測(cè)量方法與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)零電荷電勢(shì)φ0可以通過(guò)電毛細(xì)曲線法、微分電容法、滴汞電極法、離子吸附法、接觸角法、表面硬度法（擺法）、界面移動(dòng)法測(cè)量不同金屬電極與不同溶液組成的電極體系的零電荷電勢(shì)在不同陰離子在金屬表面吸附會(huì)使零電荷電勢(shì)負(fù)移電極表面上存在吸附氫原子時(shí)零電荷電勢(shì)負(fù)移而不穩(wěn)定電極表面上存在吸附氧或氧化物時(shí)零電荷電勢(shì)顯著正移零電荷電勢(shì)φ0的意義零電荷電勢(shì)φ0時(shí)電極表面不帶電荷只表示離子雙電層消失，其相間電勢(shì)差仍不為零零電荷電勢(shì)φ0也是相對(duì)于某一參比電極的電極電勢(shì)，與所謂絕對(duì)電極電勢(shì)的零點(diǎn)不能混為一談研究電化學(xué)問(wèn)題時(shí)往往需要同時(shí)考慮電極電勢(shì)φ偏離平衡電極電勢(shì)φr的影響（極化直接對(duì)電極反應(yīng)速度的影響）和電極電勢(shì)φ偏離零電荷電勢(shì)φ0的影響（反應(yīng)客觀環(huán)境的變化對(duì)電極反應(yīng)速度的影響）雙電層結(jié)構(gòu)模型簡(jiǎn)介平板電容器的雙電層模型(緊密雙電層模型)分散雙電層模型吸附雙電層模型(GCS分散層模型)雙電層結(jié)構(gòu)理論的發(fā)展平板電容器的雙電層模型亥姆霍茲（Helmholtz）雙電層模型緊密雙電層模型電極/溶液界面的雙電層相當(dāng)于一個(gè)平板電容器電極表面的電荷與溶液中的離子緊密地排列在界面兩側(cè)形成緊密雙電層雙電層的電勢(shì)分布為直線分布雙電層的微分電容為一定值而與電勢(shì)無(wú)關(guān),只與溶液中離子接近電極表面的距離成反比分散雙電層模型古依（Gouy）和查普曼（Chapman）分散雙電層模型雙電層溶液一側(cè)的離子由于熱運(yùn)動(dòng)是分散分布在鄰近界面的溶液中形成溶液電荷分散層雙電層中溶液一側(cè)的離子分布隨著向溶液內(nèi)部不斷延伸而下降，服從玻爾茲曼定律分散雙電層模型可以解釋零電荷電勢(shì)處出現(xiàn)電容極小值和微分電容隨電勢(shì)變化的關(guān)系吸附雙電層模型斯特恩（Stern）雙電層模型GCS分散雙電層模型吸附雙電層模型認(rèn)為雙電層同時(shí)具有緊密層和分散層兩部分，其電勢(shì)也分為緊密層電勢(shì)(φ－ψ1)和分散層電勢(shì)（ψ1）當(dāng)電極表面剩余電荷密度較大和溶液電解質(zhì)濃度很大時(shí)，靜電作用占優(yōu)勢(shì)，雙電層的結(jié)構(gòu)基本上是緊密的，其電勢(shì)主要由緊密層電勢(shì)組成當(dāng)電極表面剩余電荷密度較小和溶液電解質(zhì)濃度很稀時(shí)，離子熱運(yùn)動(dòng)占優(yōu)勢(shì)，雙電層的結(jié)構(gòu)基本上是分散的，其電勢(shì)主要由分散層電勢(shì)組成吸附雙電層模型的一般假設(shè)在分散雙電層模型基礎(chǔ)上考慮到離子的幾何尺寸，認(rèn)為緊密雙電層的厚度相當(dāng)于水化離子的平均半徑a雙電層電容是由緊密層電容(C緊)及分散層電容(C分散)串聯(lián)而成吸附雙電層模型的電極表面電荷密度表示式對(duì)于1-1價(jià)型的電解質(zhì)溶液，根據(jù)玻爾茲曼定律和引入泊松（Poisson）公式作第二方程（只考慮x坐標(biāo)），得出表面電荷密度q表：對(duì)于Z-Z價(jià)型的電解質(zhì)溶液（ε＝78.5，T＝298K）Z-Z價(jià)型電解質(zhì)的分散層電容C分散計(jì)算式當(dāng)濃度很?。碈0很小），式中右方第二項(xiàng)很小可以忽略而有φ≈ψ1，這時(shí)溶液中帶電離子主要集中在分散層當(dāng)濃度較高時(shí)（即C0很大），式中右方第一項(xiàng)遠(yuǎn)小于第二項(xiàng)而第一項(xiàng)可忽略不計(jì)，這時(shí)溶液中帶電離子主要集中在緊密層雙電層結(jié)構(gòu)理論的發(fā)展博克里斯（Bockris）的新雙電層模型認(rèn)為雙電層結(jié)構(gòu)必須考慮到雙電層內(nèi)存在著離子的特性吸附和水分子的定向排列緊靠電極表面的第一層水分子全部都定向排列，這層水的相對(duì)介電常數(shù)ε降至6～7（稱之為介電飽和）第二層水分子是部分定向排列，其中有些水分子是離子的初級(jí)水化水，它的相對(duì)介電常數(shù)ε為30～40，少于正常水的ε＝78.5博克里斯（Bockris）的新雙電層模型新雙電層模型認(rèn)為雙電層由內(nèi)亥姆霍茲層（內(nèi)緊密層）、外亥姆霍茲層（外緊密層）和分散層由特性吸附離子構(gòu)成的緊密層被稱為內(nèi)亥姆霍茲層（內(nèi)緊密層）由水化的正離子形成的緊密層稱為外亥姆霍茲層（外緊密層）在外亥姆霍茲層（外緊密層）與溶液本體之間才是分散層§4-5電極/溶液界面上的吸附現(xiàn)象電解質(zhì)溶液中的表面活性物質(zhì)(離子或分子)在電極/溶液界面上經(jīng)常會(huì)發(fā)生非靜電引力的吸附現(xiàn)象在電極表面上發(fā)生吸附的表面活性物質(zhì)不參加電極反應(yīng)時(shí)，主要是通過(guò)改變電極表面狀態(tài)與界面層中的電勢(shì)分布而影響反應(yīng)粒子的表面濃度及界面反應(yīng)活化能在電極表面上發(fā)生吸附的表面活性物質(zhì)如參加電極反應(yīng)(反應(yīng)粒子、反應(yīng)產(chǎn)物或中間態(tài)粒子)，則直接影響其電極反應(yīng)機(jī)理與動(dòng)力學(xué)規(guī)律有機(jī)分子（或有機(jī)離子）的吸附有機(jī)表面活性物質(zhì)在電極、溶液界面上發(fā)生吸附是通過(guò)改變電極反應(yīng)的客觀條件而影響電極反應(yīng)速度有機(jī)表面活性物質(zhì)主要有各種磺酸鹽和硫酸鹽的“陰離子型”活性物質(zhì)、各種季胺鹽的“陽(yáng)離子型”活性物質(zhì)與各種“非離子型”表面活性物質(zhì)（如環(huán)氧乙烷與高級(jí)醇的縮聚物）帶有極性基團(tuán)的有機(jī)分子（如醇、醛、胺類(lèi)物質(zhì)）都具有一定的表面活性有機(jī)表面活性物質(zhì)在電化學(xué)體系中一般都是作為“添加劑”用來(lái)控制和影響電極過(guò)程有機(jī)分子吸附對(duì)界面性質(zhì)的影響具有表面活性的有機(jī)分子在零電荷電勢(shì)附近一段范圍內(nèi)發(fā)生吸附，電極/溶液界面的界面張力和微分電容顯著下降有機(jī)分子濃度越大，界面張力和微分電容下降得越多，有機(jī)分子發(fā)生吸附的電勢(shì)范圍也越寬有機(jī)分子的吸附規(guī)律電極/溶液界面上的吸附與在一般表面上的吸附都服從某些共同規(guī)律電極/溶液界面具有可在一定范圍內(nèi)連續(xù)變化的電場(chǎng)而又存在某些特殊規(guī)律有機(jī)表面活性分子在電極表面的吸附行為，除了與其本身的化學(xué)性質(zhì)和濃度有關(guān)外，電極表面電荷密度和電極表面的化學(xué)性質(zhì)也能影響其吸附行為同一有機(jī)表面活性分子在不同的電極表面上以及在不同電勢(shì)下的吸附行為也可以極不相同有機(jī)分子的吸附規(guī)律許多有機(jī)表面活性分子在不帶有剩余電荷或表面電荷密度很小的電極表面上的吸附行為與在空氣/溶液界面上的吸附行為相似對(duì)于同一系列的化合物(如脂肪醇、酸、胺等)，碳?xì)滏湹拈L(zhǎng)度增加其表面活性增加，并且每增減一節(jié)CH2所引起的活性改變服從特羅貝（Traube）規(guī)律對(duì)于同一系列的化合物(如脂肪醇、酸、胺等)，碳?xì)滏湹臄?shù)目增加其表面活性增加，如在Ｒ一定時(shí)各種胺類(lèi)化合物的活性順序?yàn)镹H3＜RNH2＜R2NH＜R3N＜R4N+芳香族和雜環(huán)化合物的表面活性比簡(jiǎn)單脂肪族化合物顯著有機(jī)分子的吸附規(guī)律每段碳鏈不長(zhǎng)而含有多個(gè)極性基因的有機(jī)分子(如多醇、多乙烯、多胺、聚醚等)在電極表面具有較高的表面活性簡(jiǎn)單脂肪族化合物、芳香化合物和雜環(huán)化合物只在零電荷電勢(shì)附近區(qū)間內(nèi)發(fā)生吸附，其吸附寬度約為1V左右某些親水基較多的活性分子(如多醇、聚醚、多乙烯及多胺等)具有較高的介電常數(shù)，在電極上吸附的電勢(shì)范圍相當(dāng)寬，在汞電極上負(fù)電勢(shì)一側(cè)可延伸到－1.8V以上如何研究有機(jī)分子的吸附規(guī)律研究有機(jī)分子的吸附規(guī)律目前尚無(wú)系統(tǒng)和成熟的理論指導(dǎo)各種類(lèi)型的表面活性物質(zhì)在電極表面上的吸附規(guī)律，在不同電極上的吸附能力，對(duì)各種不同電極過(guò)程的影響程度等必須通過(guò)試驗(yàn)來(lái)確定無(wú)機(jī)陰離子的吸附電極表面帶正電時(shí)無(wú)機(jī)陰離子由于庫(kù)侖引力產(chǎn)生的吸附稱為“離子靜電吸附”無(wú)機(jī)陰離子由于非庫(kù)侖力產(chǎn)生的吸附稱之“特性吸附”，其吸附鍵具有化學(xué)鍵的性質(zhì)“特性吸附”時(shí)無(wú)機(jī)陰離子在電極表面層的濃度大于僅存在靜電吸附時(shí)的濃度無(wú)機(jī)陰離子吸附對(duì)界面性質(zhì)的影響無(wú)機(jī)陰離子的特性吸附主要是影響電毛細(xì)曲線上左分支的界面張力和微分電容曲線上左分支的微分電容使電毛細(xì)曲線上左分支的界面張力下降使微分電容曲線上左分支的微分電容升高零電荷電勢(shì)顯著負(fù)移無(wú)機(jī)陰離子的表面活性規(guī)律無(wú)機(jī)陰離子作為表面活性物質(zhì)的表面活性越高，所帶電荷越多，界面張力下降和微分電容升高也越多，零電荷電勢(shì)負(fù)移也越明顯主要無(wú)機(jī)陰離子的表面活性順序?yàn)椋篠2-＞I-＞Br-＞Cl-＞OH-＞SO42-＞F-無(wú)機(jī)陰離子吸附對(duì)雙電層結(jié)構(gòu)的影響電極表面溶液一側(cè)吸附無(wú)機(jī)陰離子的剩余電荷超過(guò)電極表面所帶剩余正電荷的現(xiàn)象叫做“超載吸附”無(wú)機(jī)陰離子的“超載吸附”在電極/溶液界面上形成“三電層”結(jié)構(gòu),使電極/溶液界面結(jié)構(gòu)和電勢(shì)分布都發(fā)生根本的變化無(wú)機(jī)陽(yáng)離子的吸附具有表面活性的無(wú)機(jī)陽(yáng)離子很少，能在電極表面上發(fā)生特性吸附的只有少數(shù)高價(jià)稀土陽(yáng)離子（如Th4+、La3+等）一般情況下都不考慮無(wú)機(jī)陽(yáng)離子的特性吸附陽(yáng)離子的特性吸附，使電毛細(xì)曲線右分支的表面張力下降，使微分電容曲線上右分支的微分電容升高，零電荷電勢(shì)正移MagneticResonanceImaging磁共振成像發(fā)生事件作者或公司磁共振發(fā)展史1946發(fā)現(xiàn)磁共振現(xiàn)象BlochPurcell1971發(fā)現(xiàn)腫瘤的T1、T2時(shí)間長(zhǎng)Damadian1973做出兩個(gè)充水試管MR圖像Lauterbur1974活鼠的MR圖像Lauterbur等1976人體胸部的MR圖像Damadian1977初期的全身MR圖像

Mallard1980磁共振裝置商品化1989

0.15T永磁商用磁共振設(shè)備中國(guó)安科

2003諾貝爾獎(jiǎng)金LauterburMansfierd時(shí)間MR成像基本原理實(shí)現(xiàn)人體磁共振成像的條件:人體內(nèi)氫原子核是人體內(nèi)最多的物質(zhì)。最易受外加磁場(chǎng)的影響而發(fā)生磁共振現(xiàn)象(沒(méi)有核輻射)有一個(gè)穩(wěn)定的靜磁場(chǎng)（磁體）梯度場(chǎng)和射頻場(chǎng)：前者用于空間編碼和選層，后者施加特定頻率的射頻脈沖，使之形成磁共振現(xiàn)象信號(hào)接收裝置：各種線圈計(jì)算機(jī)系統(tǒng)：完成信號(hào)采集、傳輸、圖像重建、后處理等

人體內(nèi)的H核子可看作是自旋狀態(tài)下的小星球。自然狀態(tài)下，H核進(jìn)動(dòng)雜亂無(wú)章，磁性相互抵消zMyx進(jìn)入靜磁場(chǎng)后，H核磁矩發(fā)生規(guī)律性排列（正負(fù)方向），正負(fù)方向的磁矢量相互抵消后，少數(shù)正向排列（低能態(tài)）的H核合成總磁化矢量M，即為MR信號(hào)基礎(chǔ)ZZYYXB0XMZMXYA:施加90度RF脈沖前的磁化矢量MzB:施加90度RF脈沖后的磁化矢量Mxy.并以Larmor頻率橫向施進(jìn)C:90度脈沖對(duì)磁化矢量的作用。即M以螺旋運(yùn)動(dòng)的形式傾倒到橫向平面ABC在這一過(guò)程中，產(chǎn)生能量

三、弛豫（Relaxation）回復(fù)“自由”的過(guò)程

1.

縱向弛豫（T1弛豫）：

M0（MZ）的恢復(fù)，“量變”高能態(tài)1H→低能態(tài)1H自旋—晶格弛豫、熱弛豫

吸收RF光子能量（共振）低能態(tài)1H高能態(tài)1H

放出能量（光子，MRS）T1弛豫時(shí)間：

MZ恢復(fù)到M0的2/3所需的時(shí)間

T1愈小、M0恢復(fù)愈快T2弛豫時(shí)間：MXY喪失2/3所需的時(shí)間；T2愈大、同相位時(shí)間長(zhǎng)MXY持續(xù)時(shí)間愈長(zhǎng)MXY與ST1加權(quán)成像、T2加權(quán)成像

所謂的加權(quán)就是“突出”的意思

T1加權(quán)成像（T1WI）----突出組織T1弛豫（縱向弛豫）差別

T2加權(quán)成像（T2WI）----突出組織T2弛豫（橫向弛豫）差別。

磁共振診斷基于此兩種標(biāo)準(zhǔn)圖像磁共振常規(guī)h檢查必掃這兩種標(biāo)準(zhǔn)圖像.T1的長(zhǎng)度在數(shù)百至數(shù)千毫秒（ms）范圍T2值的長(zhǎng)度在數(shù)十至數(shù)千毫秒（ms）范圍

在同一個(gè)馳豫過(guò)程中,T2比T1短得多

如何觀看MR圖像：首先我們要分清圖像上的各種標(biāo)示。分清掃描序列、掃描部位、掃描層面。正?；虍惓５乃诓课?--即在同一層面觀察、分析T1、T2加權(quán)像上信號(hào)改變。絕大部分病變T1WI是低信號(hào)、T2WI是高信號(hào)改變。只要熟悉掃描部位正常組織結(jié)構(gòu)的信號(hào)表現(xiàn)，通常病變與正常組織不會(huì)混淆。一般的規(guī)律是T1WI看解剖,T2WI看病變。磁共振成像技術(shù)－－圖像空間分辨力，對(duì)比分辨力一、如何確定MRI的來(lái)源（一）層面的選擇1.MXY產(chǎn)生（1H共振）條件

RF=ω=γB02.梯度磁場(chǎng)Z（GZ）

GZ→B0→ω

不同頻率的RF

特定層面1H激勵(lì)、共振

3.層厚的影響因素

RF的帶寬↓

GZ的強(qiáng)度↑層厚↓〈二〉體素信號(hào)的確定1、頻率編碼2、相位編碼

M0↑--GZ、RF→相應(yīng)層面MXY----------GY→沿Y方向1H有不同ω

各1H同相位MXY旋進(jìn)速度不同同頻率一定時(shí)間后→→GX→沿X方向1H有不同ω沿Y方向不同1H的MXYMXY旋進(jìn)頻率不同位置不同（相位不同）〈三〉空間定位及傅立葉轉(zhuǎn)換

GZ----某一層面產(chǎn)生MXYGX----MXY旋進(jìn)頻率不同

GY----MXY旋進(jìn)相位不同（不影響MXY大小）

↓某一層面不同的體素，有不同頻率、相位

MRS（FID）第三節(jié)、磁共振檢查技術(shù)檢查技術(shù)產(chǎn)生圖像的序列名產(chǎn)生圖像的脈沖序列技術(shù)名TRA、COR、SAGT1WT2WSETR、TE…….梯度回波FFE快速自旋回波FSE壓脂壓水MRA短TR短TE－－T1W長(zhǎng)TR長(zhǎng)TE－－T2W增強(qiáng)MR最常用的技術(shù)是：多層、多回波的SE（spinecho，自旋回波）技術(shù)磁共振掃描時(shí)間參數(shù)：TR、TE磁共振掃描還有許多其他參數(shù)：層厚、層距、層數(shù)、矩陣等序列常規(guī)序列自旋回波（SE）,快速自旋回波（FSE）梯度回波（FE）反轉(zhuǎn)恢復(fù)（IR），脂肪抑制（STIR）、水抑制（FLAIR）高級(jí)序列水成像（MRCP,MRU,MRM）血管造影（MRA,TOF2D/3D）三維成像（SPGR）彌散成像（DWI）關(guān)節(jié)運(yùn)動(dòng)分析是一種成像技術(shù)而非掃描序列自旋回波（SE）必掃序列圖像清晰顯示解剖結(jié)構(gòu)目前只用于T1加權(quán)像快速自旋回波（FSE）必掃序列成像速度快多用于T2加權(quán)像梯度回波（GE）成像速度快對(duì)出血敏感T2加權(quán)像水抑制反轉(zhuǎn)恢復(fù)（IR）水抑制（FLAIR）抑制自由水梗塞灶顯示清晰判斷病灶成份脂肪抑制反轉(zhuǎn)恢復(fù)（IR）脂肪抑制（STIR）抑制脂肪信號(hào)判斷病灶成分其它組織顯示更清晰血管造影（MRA）無(wú)需造影劑TOF法PC法MIP投影動(dòng)靜脈分開(kāi)顯示水成像（MRCP，MRU，MRM）含水管道系統(tǒng)成像膽道MRCP泌尿路MRU椎管MRM主要用于診斷梗阻擴(kuò)張超高空間分辨率掃描任意方位重建窄間距重建技術(shù)大大提高對(duì)小器官、小病灶的診斷能力三維梯度回波（SPGR） 早期診斷腦梗塞

彌散成像MRI的設(shè)備一、信號(hào)的產(chǎn)生、探測(cè)接受1.磁體（Magnet）:靜磁場(chǎng)B0（Tesla,T）→組織凈磁矩M0

永磁型（permanentmagnet）常導(dǎo)型（resistivemagnet）超導(dǎo)型（superconductingmagnet）磁體屏蔽（magnetshielding）2.梯度線圈（gradientcoil）:

形成X、Y、Z軸的磁場(chǎng)梯度功率、切換率3.射頻系統(tǒng)（radio-frequencesystem，RF）

MR信號(hào)接收二、信號(hào)的處理和圖象顯示數(shù)模轉(zhuǎn)換、計(jì)算機(jī)，等等；MRI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)1、軟組織分辨力強(qiáng)（判斷組織特性）2、多方位成像3、流空效應(yīng)（顯示血管）4、無(wú)骨骼偽影5、無(wú)電離輻射，無(wú)碘過(guò)敏6、不斷有新的成像技術(shù)MRI技術(shù)的禁忌證和限度1.禁忌證

體內(nèi)彈片、金屬異物各種金屬置入：固定假牙、起搏器、血管夾、人造關(guān)節(jié)、支架等危重病人的生命監(jiān)護(hù)系統(tǒng)、維持系統(tǒng)不能合作病人，早期妊娠，高熱及散熱障礙2.其他鈣化顯示相對(duì)較差空間分辨較差（體部，較同等CT）費(fèi)用昂貴多數(shù)MR機(jī)檢查時(shí)間較長(zhǎng)1.病人必須去除一切金屬物品，最好更衣，以免金屬物被吸入磁體而影響磁場(chǎng)均勻度，甚或傷及病人。2.掃描過(guò)程中病人身體（皮膚）不要直接觸碰磁體內(nèi)壁及各種導(dǎo)線，防止病人灼傷。3.紋身（紋眉）、化妝品、染發(fā)等應(yīng)事先去掉，因其可能會(huì)引起灼傷。4.病人應(yīng)帶耳塞，以防聽(tīng)力損傷。掃描注意事項(xiàng)顱腦MRI適應(yīng)癥顱內(nèi)良惡性占位病變腦血管性疾病梗死、出血、動(dòng)脈瘤、動(dòng)靜脈畸形（AVM）等顱腦外傷性疾病腦挫裂傷、外傷性顱內(nèi)血腫等感染性疾病腦膿腫、化膿性腦膜炎、病毒性腦炎、結(jié)核等脫髓鞘性或變性類(lèi)疾病多發(fā)性硬化（MS）等先天性畸形胼胝體發(fā)育不良、小腦扁桃體下疝畸形等脊柱和脊髓MRI適應(yīng)證1.腫瘤性病變椎管類(lèi)腫瘤（髓內(nèi)、髓外硬膜內(nèi)、硬膜外），椎骨腫瘤（轉(zhuǎn)移性、原發(fā)性）2.炎癥性疾病脊椎結(jié)核、骨髓炎、椎間盤(pán)感染、硬膜外膿腫、蛛網(wǎng)膜炎、脊髓炎等3.外傷骨折、脫位、椎間盤(pán)突出、椎管內(nèi)血腫、脊髓損傷等4.脊柱退行性變和椎管狹窄癥椎間盤(pán)變性、膨隆、突出、游離，各種原因椎管狹窄，術(shù)后改變，5.脊髓血管畸形和血管瘤6.脊髓脫髓鞘疾?。ㄈ鏜S），脊髓萎縮7.先天性畸形胸部MRI適應(yīng)證呼吸系統(tǒng)對(duì)縱隔及肺門(mén)區(qū)病變顯示良好，對(duì)肺部結(jié)構(gòu)顯示不如CT。胸廓入口病變及其上下比鄰關(guān)系縱隔腫瘤和囊腫及其與大血管的關(guān)系其他較CT無(wú)明顯優(yōu)越性心臟及大血管大血管病變各類(lèi)動(dòng)脈瘤、腔靜脈血栓等心臟及心包腫瘤，心包其他病變其他（如先心、各種心肌病等）較超聲心動(dòng)圖無(wú)優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用不廣腹部MRI適應(yīng)證主要用于部分實(shí)質(zhì)性器官的腫瘤性病變肝腫瘤性病變，提供鑒別信息胰腺腫瘤，有利小胰癌、胰島細(xì)胞癌顯示宮頸、宮體良惡性腫瘤及分期等，先天畸形腫瘤的定位（臟器上下緣附近）、分期膽道、尿路梗阻和腫瘤，MRCP，MRU直腸腫瘤骨與關(guān)節(jié)MRI適應(yīng)證X線及CT的后續(xù)檢查手段－－鈣質(zhì)顯示差和空間分辨力部分情況可作首選：1.累及骨髓改變的骨?。ㄔ缙诠侨毖詨乃?，早期骨髓炎、骨髓腫瘤或侵犯骨髓的腫瘤）2.結(jié)構(gòu)復(fù)雜關(guān)節(jié)的損傷（膝、髖關(guān)節(jié)）3.形狀復(fù)雜部位的檢查（脊柱、骨盆等）軟件登錄界面軟件掃描界面圖像瀏覽界面膠片打印界面報(bào)告界面報(bào)告界面2合理應(yīng)用抗菌藥物預(yù)防手術(shù)部位感染概述外科手術(shù)部位感染的2/3發(fā)生在切口醫(yī)療費(fèi)用的增加病人滿意度下降導(dǎo)致感染、止血和疼痛一直是外科的三大挑戰(zhàn)，止血和疼痛目前已較好解決感染仍是外科醫(yī)生面臨的重大問(wèn)題，處理不當(dāng)，將產(chǎn)生嚴(yán)重后果外科手術(shù)部位感染占院內(nèi)感染的14%～16%，僅次于呼吸道感染和泌尿道感染，居院內(nèi)感染第3位嚴(yán)重手術(shù)部位的感染——病人的災(zāi)難，醫(yī)生的夢(mèng)魘

預(yù)防手術(shù)部位感染（surgicalsiteinfection,SSI)

手術(shù)部位感染的40%–60%可以預(yù)防圍手術(shù)期使用抗菌藥物的目的外科醫(yī)生的困惑★圍手術(shù)期應(yīng)用抗生素是預(yù)防什么感染？★哪些情況需要抗生素預(yù)防？★怎樣選擇抗生素？★什么時(shí)候開(kāi)始用藥？★抗生素要用多長(zhǎng)時(shí)間？定義：指發(fā)生在切口或手術(shù)深部器官或腔隙的感染分類(lèi)：切口淺部感染切口深部感染器官／腔隙感染一、SSI定義和分類(lèi)二、SSI診斷標(biāo)準(zhǔn)——切口淺部感染

指術(shù)后30天內(nèi)發(fā)生、僅累及皮膚及皮下組織的感染，并至少具備下述情況之一者：

1．切口淺層有膿性分泌物

2．切口淺層分泌物培養(yǎng)出細(xì)菌

3．具有下列癥狀體征之一：紅熱，腫脹，疼痛或壓痛，因而醫(yī)師將切口開(kāi)放者（如培養(yǎng)陰性則不算感染）

4．由外科醫(yī)師診斷為切口淺部SSI

注意：縫線膿點(diǎn)及戳孔周?chē)腥静涣袨槭中g(shù)部位感染二、SSI診斷標(biāo)準(zhǔn)——切口深部感染

指術(shù)后30天內(nèi)（如有人工植入物則為術(shù)后1年內(nèi)）發(fā)生、累及切口深部筋膜及肌層的感染，并至少具備下述情況之一者：

1.切口深部流出膿液

2.切口深部自行裂開(kāi)或由醫(yī)師主動(dòng)打開(kāi)，且具備下列癥狀體征之一：①體溫＞38℃；②局部疼痛或壓痛

3.臨床或經(jīng)手術(shù)或病理組織學(xué)或影像學(xué)診斷，發(fā)現(xiàn)切口深部有膿腫

4.外科醫(yī)師診斷為切口深部感染

注意：感染同時(shí)累及切口淺部及深部者，應(yīng)列為深部感染

二、SSI診斷標(biāo)準(zhǔn)—器官／腔隙感染

指術(shù)后30天內(nèi)（如有人工植入物★則術(shù)后1年內(nèi)）、發(fā)生在手術(shù)曾涉及部位的器官或腔隙的感染，通過(guò)手術(shù)打開(kāi)或其他手術(shù)處理，并至少具備以下情況之一者：

1.放置于器官/腔隙的引流管有膿性引流物

2.器官/腔隙的液體或組織培養(yǎng)有致病菌

3.經(jīng)手術(shù)或病理組織學(xué)或影像學(xué)診斷器官/腔隙有膿腫

4.外科醫(yī)師診斷為器官/腔隙感染

★人工植入物：指人工心臟瓣膜、人工血管、人工關(guān)節(jié)等二、SSI診斷標(biāo)準(zhǔn)—器官／腔隙感染

不同種類(lèi)手術(shù)部位的器官/腔隙感染有：

腹部：腹腔內(nèi)感染（腹膜炎，腹腔膿腫）生殖道：子宮內(nèi)膜炎、盆腔炎、盆腔膿腫血管：靜脈或動(dòng)脈感染三、SSI的發(fā)生率美國(guó)1986年～1996年593344例手術(shù)中，發(fā)生SSI15523次，占2.62%英國(guó)1997年～2001年152所醫(yī)院報(bào)告在74734例手術(shù)中，發(fā)生SSI3151例，占4.22%中國(guó)？SSI占院內(nèi)感染的14～16%，僅次于呼吸道感染和泌尿道感染三、SSI的發(fā)生率SSI與部位：非腹部手術(shù)為2%～5%腹部手術(shù)可高達(dá)20%SSI與病人：入住ICU的機(jī)會(huì)增加60%再次入院的機(jī)會(huì)是未感染者的5倍SSI與切口類(lèi)型：清潔傷口 1%～2%清潔有植入物 ＜5%可染傷口＜10%手術(shù)類(lèi)別手術(shù)數(shù)SSI數(shù)感染率(%)小腸手術(shù)6466610.2大腸手術(shù)7116919.7子宮切除術(shù)71271722.4肝、膽管、胰手術(shù)1201512.5膽囊切除術(shù)8222.4不同種類(lèi)手術(shù)的SSI發(fā)生率：三、SSI的發(fā)生率手術(shù)類(lèi)別SSI數(shù)SSI類(lèi)別（%）切口淺部切口深部器官/腔隙小腸手術(shù)6652.335.412.3大腸手術(shù)69158.426.315.3子宮切除術(shù)17278.813.57.6骨折開(kāi)放復(fù)位12379.712.28.1不同種類(lèi)手術(shù)的SSI類(lèi)別：三、SSI的發(fā)生率延遲愈合疝內(nèi)臟膨出膿腫，瘺形成。需要進(jìn)一步處理這里感染將導(dǎo)致:延遲愈合疝內(nèi)臟膨出膿腫、瘺形成需進(jìn)一步處理四、SSI的后果四、SSI的后果在一些重大手術(shù)，器官/腔隙感染可占到1/3。SSI病人死亡的77%與感染有關(guān)，其中90%是器官/腔隙嚴(yán)重感染

——InfectControlandHospEpidemiol,1999,20(40:247-280SSI的死亡率是未感染者的2倍五、導(dǎo)致SSI的危險(xiǎn)因素（1）病人因素：高齡、營(yíng)養(yǎng)不良、糖尿病、肥胖、吸煙、其他部位有感染灶、已有細(xì)菌定植、免疫低下、低氧血癥五、導(dǎo)致SSI的危險(xiǎn)因素（2）術(shù)前因素：術(shù)前住院時(shí)間過(guò)長(zhǎng)用剃刀剃毛、剃毛過(guò)早手術(shù)野衛(wèi)生狀況差（術(shù)前未很好沐?。?duì)有指征者未用抗生素預(yù)防五、導(dǎo)致SSI的危險(xiǎn)因素（3）手術(shù)因素：手術(shù)時(shí)間長(zhǎng)、術(shù)中發(fā)生明顯污染置入人工材料、組織創(chuàng)傷大止血不徹底、局部積血積液存在死腔和/或失活組織留置引流術(shù)中低血壓、大量輸血刷手不徹底、消毒液使用不當(dāng)器械敷料滅菌不徹底等手術(shù)特定時(shí)間是指在大量同種手術(shù)中處于第75百分位的手術(shù)持續(xù)時(shí)間其因手術(shù)種類(lèi)不同而存在差異超過(guò)T越多，SSI機(jī)會(huì)越大五、導(dǎo)致SSI的危險(xiǎn)因素（4）SSI危險(xiǎn)指數(shù)（美國(guó)國(guó)家醫(yī)院感染監(jiān)測(cè)系統(tǒng)制定）：病人術(shù)前已有≥3種危險(xiǎn)因素污染或污穢的手術(shù)切口手術(shù)持續(xù)時(shí)間超過(guò)該類(lèi)手術(shù)的特定時(shí)間（T）

（或一般手術(shù)＞2h)六、預(yù)防SSI干預(yù)方法根據(jù)指南使用預(yù)防性抗菌藥物正確脫毛方法縮短術(shù)前住院時(shí)間維持手術(shù)患者的正常體溫血糖控制氧療抗菌素的預(yù)防/治療預(yù)防

在污染細(xì)菌接觸宿主手術(shù)部位前給藥治療

在污染細(xì)菌接觸宿主手術(shù)部位后給藥

防患于未然六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用120預(yù)防和治療性抗菌素使用目的：清潔手術(shù)：防止可能的外源污染可染手術(shù)：減少粘膜定植細(xì)菌的數(shù)量污染手術(shù)：清除已經(jīng)污染宿主的細(xì)菌六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用121需植入假體，心臟手術(shù)、神外手術(shù)、血管外科手術(shù)等六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用預(yù)防性抗菌素使用指征：可染傷口(Clean-contaminatedwound)污染傷口（Contaminatedwound）清潔傷口（Cleanwound）但存在感染風(fēng)險(xiǎn)六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用外科預(yù)防性抗生素的應(yīng)用：預(yù)防性抗生素對(duì)哪些病人有用?什么時(shí)候開(kāi)始用藥?抗生素種類(lèi)選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑？六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用預(yù)防性抗菌素顯示有效的手術(shù)有：婦產(chǎn)科手術(shù)胃腸道手術(shù)(包括闌尾炎)口咽部手術(shù)腹部和肢體血管手術(shù)心臟手術(shù)骨科假體植入術(shù)開(kāi)顱手術(shù)某些“清潔”手術(shù)六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用外科預(yù)防性抗生素的應(yīng)用：預(yù)防性抗生素對(duì)哪些病人有用?什么時(shí)候開(kāi)始用藥?抗生素種類(lèi)選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑？六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用

理想的給藥時(shí)間？目前還沒(méi)有明確的證據(jù)表明最佳的給藥時(shí)機(jī)研究顯示：切皮前45～75min給藥，SSI發(fā)生率最低，且不建議在切皮前30min內(nèi)給藥影響給藥時(shí)間的因素:所選藥物的代謝動(dòng)力學(xué)特性手術(shù)中污染發(fā)生的可能時(shí)間病人的循環(huán)動(dòng)力學(xué)狀態(tài)止血帶的使用剖宮產(chǎn)細(xì)菌在手術(shù)傷口接種后的生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)

手術(shù)過(guò)程

012345671hr2hrs6hrs1day3-5days細(xì)菌數(shù)logCFU/ml六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用127術(shù)后給藥，細(xì)菌在手術(shù)傷口接種的生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)無(wú)改變

手術(shù)過(guò)程抗生素血腫血漿六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用Antibioticsinclot

手術(shù)過(guò)程

血漿中抗生素予以抗生素血塊中抗生素血漿術(shù)前給藥，可以有效抑制細(xì)菌在手術(shù)傷口的生長(zhǎng)六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用129ClassenDC,etal..NEnglJMed1992;326:281切開(kāi)前時(shí)間切開(kāi)后時(shí)間予以抗生素切開(kāi)六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用不同給藥時(shí)間，手術(shù)傷口的感染率不同NEJM1992;326:281-6投藥時(shí)間感染數(shù)（%）相對(duì)危險(xiǎn)度(95%CI)早期（切皮前2-24h）36914(3.8%)6.7(2.9-14.7)4.3手術(shù)前（切皮前45-75min)170810(0.9%)1.0圍手術(shù)期（切皮后3h內(nèi)）2824(1.4%)2.4(0.9-7.9) 2.1手術(shù)后（切皮3h以上）48816(3.3%)5.8(2.6-12.3)

5.8全部284744(1.5%)似然比病人數(shù)六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用結(jié)論：抗生素在切皮前45-75min或麻醉誘導(dǎo)開(kāi)始時(shí)給藥，預(yù)防SSI效果好131六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用切口切開(kāi)后，局部抗生素分布將受阻必須在切口切開(kāi)前給藥?。。】咕貞?yīng)在切皮前45～75min給藥六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用外科預(yù)防性抗生素的應(yīng)用：預(yù)防性抗生素對(duì)哪些病人有用?什么時(shí)候開(kāi)始用藥?抗生素種類(lèi)選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑？有效安全殺菌劑半衰期長(zhǎng)相對(duì)窄譜廉價(jià)六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用抗生素的選擇原則：各類(lèi)手術(shù)最易引起SSI的病原菌及預(yù)防用藥選擇六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用

手術(shù)最可能的病原菌預(yù)防用藥選擇膽道手術(shù)革蘭陰性桿菌，厭氧菌頭孢呋辛或頭孢哌酮或

(如脆弱類(lèi)桿菌）頭孢曲松闌尾手術(shù)革蘭陰性桿菌，厭氧菌頭孢呋辛或頭孢噻肟；

(如脆弱類(lèi)桿菌）＋甲硝唑結(jié)、直腸手術(shù)革蘭陰性桿菌，厭氧菌頭孢呋辛或頭孢曲松或

(如脆弱類(lèi)桿菌）頭孢噻肟；＋甲硝唑泌尿外科手術(shù)革蘭陰性桿菌頭孢呋辛；環(huán)丙沙星婦產(chǎn)科手術(shù)革蘭陰性桿菌，腸球菌頭孢呋辛或頭孢曲松或

B族鏈球菌，厭氧菌頭孢噻肟；+甲硝唑莫西沙星（可單藥應(yīng)用）注:各種手術(shù)切口感染都可能由葡萄球菌引起六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用外科預(yù)防性抗生素的應(yīng)用：預(yù)防性抗生素對(duì)哪些病人有用?什么時(shí)候開(kāi)始用藥?抗生素種類(lèi)選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑？六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用單次給藥還是多次給藥？沒(méi)有證據(jù)顯示多次給藥比單次給藥好傷口關(guān)閉后給藥沒(méi)有益處多數(shù)指南建議24小時(shí)內(nèi)停藥沒(méi)有必要維持抗菌素治療直到撤除尿管和引流管手術(shù)時(shí)間延長(zhǎng)或術(shù)中出血量較大時(shí)可重復(fù)給藥細(xì)菌污染定植感染一次性用藥用藥24h用藥4872h數(shù)小時(shí)從十?dāng)?shù)小時(shí)到數(shù)十小時(shí)六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用用藥時(shí)機(jī)不同，用藥期限也應(yīng)不同短時(shí)間預(yù)防性應(yīng)用抗生素的優(yōu)點(diǎn)：六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用減少毒副作用不易產(chǎn)生耐藥菌株不易引起微生態(tài)紊亂減輕病人負(fù)擔(dān)可以選用單價(jià)較高但效果較好的抗生素減少護(hù)理工作量藥品消耗增加抗菌素相關(guān)并發(fā)癥增加耐藥抗菌素種類(lèi)增加易引起脆弱芽孢桿菌腸炎MRSA（耐甲氧西林金黃色葡萄球菌）定植六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用延長(zhǎng)抗菌素使用的缺點(diǎn)：六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用外科預(yù)防性抗生素的應(yīng)用：預(yù)防性抗生素對(duì)哪些病人有用?什么時(shí)候開(kāi)始用藥?抗生素種類(lèi)選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑？正確的給藥方法：六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用應(yīng)靜脈給藥，2030min滴完肌注、口服存在吸收上的個(gè)體差異，不能保證血液和組織的藥物濃度，不宜采用常用的-內(nèi)酰胺類(lèi)抗生素半衰期為12h，若手術(shù)超過(guò)３４h，應(yīng)給第２個(gè)劑量，必要時(shí)還可用第３次可能有損傷腸管的手術(shù)，術(shù)前用抗菌藥物準(zhǔn)備腸道局部抗生素沖洗創(chuàng)腔或傷口無(wú)確切預(yù)防效果，不予提倡不應(yīng)將日常全身性應(yīng)用的抗生素應(yīng)用于傷口局部（誘發(fā)高耐藥）必要時(shí)可用新霉素、桿菌肽等抗生素緩釋系統(tǒng)（PMMA—青大霉素骨水泥或膠原海綿)局部應(yīng)用可能有一定益處六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用不提倡局部預(yù)防應(yīng)用抗生素：時(shí)機(jī)不當(dāng)時(shí)間太長(zhǎng)選藥不當(dāng)，缺乏針對(duì)性六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用預(yù)防用藥易犯的錯(cuò)誤：在開(kāi)刀前45-75min之內(nèi)投藥按最新臨床指南選藥術(shù)后24小時(shí)內(nèi)停藥擇期手術(shù)后一般無(wú)須繼續(xù)使用抗生素大量對(duì)比研究證明，手術(shù)后繼續(xù)用藥數(shù)次或數(shù)天并不能降低手術(shù)后感染率若病人有明顯感染高危因素或使用人工植入物，可再用1次或數(shù)次小結(jié)預(yù)防SSI干預(yù)方法

——正確的脫毛方法用脫毛劑、術(shù)前即刻備皮可有效減少SSI的發(fā)生手術(shù)部位脫毛方法與切口感染率的關(guān)系：備皮方法 剃毛備皮 5.6%

脫毛0.6%備皮時(shí)間 術(shù)前24小時(shí)前 ＞20%

術(shù)前24小時(shí)內(nèi) 7.1%

術(shù)前即刻 3.1%方法/時(shí)間 術(shù)前即刻剪毛 1.8%

前1晚剪/剃毛 4.0%THANKYOUMagneticResonanceImagingPART01磁共振成像發(fā)生事件作者或公司磁共振發(fā)展史1946發(fā)現(xiàn)磁共振現(xiàn)象BlochPurcell1971發(fā)現(xiàn)腫瘤的T1、T2時(shí)間長(zhǎng)Damadian1973做出兩個(gè)充水試管MR圖像Lauterbur1974活鼠的MR圖像Lauterbur等1976人體胸部的MR圖像Damadian1977初期的全身MR圖像

Mallard1980磁共振裝置商品化1989

0.15T永磁商用磁共振設(shè)備中國(guó)安科

2003諾貝爾獎(jiǎng)金LauterburMansfierd時(shí)間PART02MR成像基本原理實(shí)現(xiàn)人體磁共振成像的條件:人體內(nèi)氫原子核是人體內(nèi)最多的物質(zhì)。最易受外加磁場(chǎng)的影響而發(fā)生磁共振現(xiàn)象(沒(méi)有核輻射)有一個(gè)穩(wěn)定的靜磁場(chǎng)（磁體）梯度場(chǎng)和射頻場(chǎng)：前者用于空間編碼和選層，后者施加特定頻率的射頻脈沖，使之形成磁共振現(xiàn)象信號(hào)接收裝置：各種線圈計(jì)算機(jī)系統(tǒng)：完成信號(hào)采集、傳輸、圖像重建、后處理等

人體內(nèi)的H核子可看作是自旋狀態(tài)下的小星球。自然狀態(tài)下，H核進(jìn)動(dòng)雜亂無(wú)章，磁性相互抵消zMyx進(jìn)入靜磁場(chǎng)后，H核磁矩發(fā)生規(guī)律性排列（正負(fù)方向），正負(fù)方向的磁矢量相互抵消后，少數(shù)正向排列（低能態(tài)）的H核合成總磁化矢量M，即為MR信號(hào)基礎(chǔ)ZZYYXB0XMZMXYA:施加90度RF脈沖前的磁化矢量MzB:施加90度RF脈沖后的磁化矢量Mxy.并以Larmor頻率橫向施進(jìn)C:90度脈沖對(duì)磁化矢量的作用。即M以螺旋運(yùn)動(dòng)的形式傾倒到橫向平面ABC在這一過(guò)程中，產(chǎn)生能量

三、弛豫（Relaxation）回復(fù)“自由”的過(guò)程

1.

縱向弛豫（T1弛豫）：

M0（MZ）的恢復(fù)，“量變”高能態(tài)1H→低能態(tài)1H自旋—晶格弛豫、熱弛豫

吸收RF光子能量（共振）低能態(tài)1H高能態(tài)1H

放出能量（光子，MRS）T1弛豫時(shí)間：

MZ恢復(fù)到M0的2/3所需的時(shí)間

T1愈小、M0恢復(fù)愈快T2弛豫時(shí)間：MXY喪失2/3所需的時(shí)間；T2愈大、同相位時(shí)間長(zhǎng)MXY持續(xù)時(shí)間愈長(zhǎng)MXY與ST1加權(quán)成像、T2加權(quán)成像

所謂的加權(quán)就是“突出”的意思

T1加權(quán)成像（T1WI）----突出組織T1弛豫（縱向弛豫）差別

T2加權(quán)成像（T2WI）----突出組織T2弛豫（橫向弛豫）差別。

磁共振診斷基于此兩種標(biāo)準(zhǔn)圖像磁共振常規(guī)h檢查必掃這兩種標(biāo)準(zhǔn)圖像.T1的長(zhǎng)度在數(shù)百至數(shù)千毫秒（ms）范圍T2值的長(zhǎng)度在數(shù)十至數(shù)千毫秒（ms）范圍

在同一個(gè)馳豫過(guò)程中,T2比T1短得多

如何觀看MR圖像：首先我們要分清圖像上的各種標(biāo)示。分清掃描序列、掃描部位、掃描層面。正?；虍惓５乃诓课?--即在同一層面觀察、分析T1、T2加權(quán)像上信號(hào)改變。絕大部分病變T1WI是低信號(hào)、T2WI是高信號(hào)改變。只要熟悉掃描部位正常組織結(jié)構(gòu)的信號(hào)表現(xiàn)，通常病變與正常組織不會(huì)混淆。一般的規(guī)律是T1WI看解剖,T2WI看病變。磁共振成像技術(shù)－－圖像空間分辨力，對(duì)比分辨力一、如何確定MRI的來(lái)源（一）層面的選擇1.MXY產(chǎn)生（1H共振）條件

RF=ω=γB02.梯度磁場(chǎng)Z（GZ）

GZ→B0→ω

不同頻率的RF

特定層面1H激勵(lì)、共振

3.層厚的影響因素

RF的帶寬↓

GZ的強(qiáng)度↑層厚↓〈二〉體素信號(hào)的確定1、頻率編碼2、相位編碼

M0↑--GZ、RF→相應(yīng)層面MXY----------GY→沿Y方向1H有不同ω

各1H同相位MXY旋進(jìn)速度不同同頻率一定時(shí)間后→→GX→沿X方向1H有不同ω沿Y方向不同1H的MXYMXY旋進(jìn)頻率不同位置不同（相位不同）〈三〉空間定位及傅立葉轉(zhuǎn)換

GZ----某一層面產(chǎn)生MXYGX----MXY旋進(jìn)頻率不同

GY----MXY旋進(jìn)相位不同（不影響MXY大?。?/p>

↓某一層面不同的體素，有不同頻率、相位

MRS（FID）第三節(jié)、磁共振檢查技術(shù)檢查技術(shù)產(chǎn)生圖像的序列名產(chǎn)生圖像的脈沖序列技術(shù)名TRA、COR、SAGT1WT2WSETR、TE…….梯度回波FFE快速自旋回波FSE壓脂壓水MRA短TR短TE－－T1W長(zhǎng)TR長(zhǎng)TE－－T2W增強(qiáng)MR最常用的技術(shù)是：多層、多回波的SE（spinecho，自旋回波）技術(shù)磁共振掃描時(shí)間參數(shù)：TR、TE磁共振掃描還有許多其他參數(shù)：層厚、層距、層數(shù)、矩陣等序列常規(guī)序列自旋回波（SE）,快速自旋回波（FSE）梯度回波（FE）反轉(zhuǎn)恢復(fù)（IR），脂肪抑制（STIR）、水抑制（FLAIR）高級(jí)序列水成像（MRCP,MRU,MRM）血管造影（MRA,TOF2D/3D）三維成像（SPGR）彌散成像（DWI）關(guān)節(jié)運(yùn)動(dòng)分析是一種成像技術(shù)而非掃描序列自旋回波（SE）必掃序列圖像清晰顯示解