《材料制備與表征》課程教學(xué)大綱

1頁/5頁《材料制備與表征》課程教學(xué)大綱課程編號20821308總學(xué)時(shí)數(shù)48總學(xué)分?jǐn)?shù)3課程性質(zhì)適用專業(yè)一、課程的任務(wù)和根本要求：本課程包括材料制備技術(shù)和材料表征技術(shù)塊課程。學(xué)生通過學(xué)習(xí)要把握以下根本內(nèi)容：材料制備技術(shù)內(nèi)容包括晶體構(gòu)造、晶體缺陷、成核理論、界面的平衡構(gòu)造、晶體生長動力學(xué)、單晶材料的制備、薄膜材料的制備、陶瓷材材料表征技術(shù)主要包括X射線衍射分析、電子顯微分析、熱分析、振動光譜、光電子能譜、分內(nèi)容在其他課程中消滅過，在此只作簡潔介紹。二、根本內(nèi)容和要求：上局部：材料制備技術(shù)第一章晶體構(gòu)造和晶體缺陷晶體學(xué)根底空間點(diǎn)陣米勒指標(biāo)密積存與配位數(shù)晶體結(jié)合鍵型元素晶體構(gòu)造幾種典型晶體構(gòu)造點(diǎn)缺陷線缺陷面缺陷目的和要求：把握晶體構(gòu)造根本學(xué)問和晶體中存在的缺陷，分析晶體中缺陷來源種類。相變驅(qū)動力彎曲界面的平衡與相變位壘均勻成核非均勻成核再結(jié)晶成核單相固溶體的凝固目的和要求：把握材料中原子如何結(jié)合和生長成核的學(xué)問點(diǎn)。第三章界面的平衡構(gòu)造晶體的平衡外形生長界面構(gòu)造的根本類型柯塞爾模型杰克遜模型特姆金模型目的和要求：了解把握界面的根本種類，不同描述形式之間的區(qū)分和特點(diǎn)。第四章晶體生長動力學(xué)鄰位面的生長——臺階動力學(xué)與運(yùn)動學(xué)光滑界面的生長粗糙界面的生長晶體生長動力學(xué)統(tǒng)一理論晶體生長形態(tài)學(xué)目的和要求：把握晶體生長的根本理論，晶體界面核動力爭論。第五章單晶材料的制備氣相生長法水溶液生長法水熱生長法熔鹽生長法熔體生長法目的和要求：把握單晶材料制備方法，了解不同制備方法的優(yōu)缺點(diǎn)。第六章薄膜材料的制備薄膜的形成機(jī)理物理氣相沉積化學(xué)氣相沉積化學(xué)溶液鍍膜法液相外延制膜法膜厚的測量與監(jiān)控目的和要求：把握薄膜材料形成的機(jī)理和常用制備方法。第七章陶瓷材料的制備陶瓷的組成相及其構(gòu)造陶瓷的制備工藝裝置瓷電容器陶瓷壓電陶瓷鐵氧體高溫陶瓷目的和要求：把握陶瓷材料組成和不同陶瓷組成的材料制備方法。第八章復(fù)合材料的制備復(fù)合材料的一般概念顆粒增加復(fù)合材料夾層增加復(fù)合材料纖維增加復(fù)合材料樹脂基復(fù)合材料金屬基復(fù)合材料陶瓷基復(fù)合材料目的和要求：把握常用復(fù)合材料的制備方法。第九章材料工程技術(shù)低維材料納米材料與制備技術(shù)金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積化學(xué)束外延和原子層外延激光沉積與激光釉化梯度功能材料智能材料與構(gòu)造目的和要求：把握型材料功能和制備方法。下局部：材料表征局部第十章X射線衍射分析X射線物理根底X射線衍射幾何條件單晶體的爭論方法多晶體的爭論方法衍射儀法X射線物相分析晶胞參數(shù)的測定目的和要求：把握X射線的衍射的根底學(xué)問和電磁波理論。第十一章電子顯微分析電子光學(xué)根底電子與固體物質(zhì)的相互作用透射電子顯微分析掃描電子顯微分析電子探針X射線顯微分析分析電子顯微鏡電子顯微分析在無機(jī)非金屬材料科學(xué)中的應(yīng)用目的和要求：把握電子顯微鏡的根本原理，知道不同探針的工作模式。第十二章熱分析概述差熱分析熱重分析熱膨脹法其他熱分析方法目的和要求：把握掌熱分析的根本原理和分析方法。第十三章振動光譜振動光譜的根本原理紅外光和紅外光譜紅外分光光度計(jì)紅外光譜試驗(yàn)技術(shù)激光拉曼光譜振動光譜在材料爭論中的應(yīng)用目的和要求：把握振動光譜的根本原理，學(xué)會分析紅外等分析技術(shù)。第十四章光電子能譜分析概述光電子能譜的根本原理光電子能譜試驗(yàn)技術(shù)光電子能譜的應(yīng)用俄歇電子能譜目的和要求：把握光電子能譜的產(chǎn)生和機(jī)理，以及在測試中應(yīng)用。第十五章穆斯堡爾效應(yīng)穆斯堡爾效應(yīng)物理根底穆斯堡爾參數(shù)穆斯堡爾譜儀試驗(yàn)方法目的和要求：把握穆斯堡爾效應(yīng)的根本原理范圍三、實(shí)踐環(huán)節(jié)和要求：無四、教學(xué)時(shí)數(shù)安排：理論：48 試驗(yàn)：0 上機(jī)： 0 其它： 0教學(xué)內(nèi)容第一章晶體構(gòu)造和晶體缺陷其次章成核理論第三章界面的平衡構(gòu)造課第四章晶體生長動力學(xué)第五章單晶材料的制備第六章薄膜材料的制備第七章陶瓷材料的制備第八章復(fù)合材料的制備第九章材料工程技術(shù)合計(jì)

學(xué)時(shí)安排433334332

教學(xué)內(nèi)容第十章X射線衍射分析第十一章電子顯微分析第十二章熱分析第十三章振動光譜第十四章光電子能譜分析第十五章穆斯堡爾效應(yīng)48

學(xué)時(shí)安排443432五、其它工程〔含課外學(xué)時(shí)內(nèi)容無六、有關(guān)說明：1、教學(xué)和考核方式：本課程屬必修考察課，考核方式為開卷。2、習(xí)題：依據(jù)教學(xué)實(shí)際內(nèi)容選擇書本所附習(xí)題。3、力量培育要求：通過對材料制備技術(shù)的學(xué)習(xí)使學(xué)生了解常用材料的制備方法，并學(xué)會檢測材料性能的常用測試技術(shù)，以后的工作和學(xué)習(xí)打下根底。4、與其它課程和教學(xué)環(huán)節(jié)的聯(lián)系：先修課程和教學(xué)環(huán)節(jié)：需要具備光學(xué)，電磁學(xué)，電動力學(xué)，材料物理，激光原理等物理學(xué)問。后續(xù)課程和教學(xué)環(huán)節(jié)：平行開設(shè)課程和教學(xué)環(huán)節(jié)：5、教材和主要參考書目