GD32和STM32單片機的區(qū)別

第第頁GD32和STM32單片機的區(qū)別00前言

缺料危機還在持續(xù)，（MCU）從國外ST替換到了國產(chǎn)杰發(fā)科，國產(chǎn)供應(yīng)仍有缺口，不得已還得替換，于是又在考慮（兆易創(chuàng)新），在選型的過程中，了解到一點區(qū)別，和大家分享一下，避免替換時遇到坑。

兆易創(chuàng)新（GD32）是國內(nèi)開發(fā)的一款（單片機），據(jù)說開發(fā)的人員是來自ST公司的，GD32也是以（STM32）作為模板做出來的。所以GD32和STM32有很多地方都是一樣的。

不過GD32畢竟是不同的（產(chǎn)品），不可能所有東西都沿用STM32，有些自主開發(fā)的東西還是有區(qū)別的。

相同的地方我們就不說了，下面列一下不同的地方。

01內(nèi)核

GD32采用二代的M3內(nèi)核，STM32主要采用一代M3內(nèi)核，下圖是（ARM）公司的M3內(nèi)核勘誤表，GD使用的內(nèi)核只有752419這一個BUG。

02主頻

使用HSE(高速外部（時鐘）)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大72M

使用HSI(高速內(nèi)部時鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大64M

主頻大意味著單片機代碼運行的速度會更快，項目中如果需要進行刷屏，開方運算，（電機控制）等操作，GD是一個不錯的選擇。

03（供電）

外部供電：GD32外部供電范圍是2.6-3.6V，STM32外部供電范圍是2-3.6V。GD的供電范圍比STM32相對要窄一點。

內(nèi)核電壓：GD32內(nèi)核電壓是1.2V，STM32內(nèi)核電壓是1.8V。GD的內(nèi)核電壓比STM32的內(nèi)核電壓要低，所以GD的（芯片）在運行的時候運行功耗更低。

04FLASH

GD32的Flash是自主研發(fā)的，和STM32的不一樣。

GDFlash執(zhí)行速度：GD32Flash中程序執(zhí)行為0等待周期。

STM32Flash執(zhí)行速度：ST系統(tǒng)頻率不訪問flash等待時間關(guān)系，0等待周期，當0

06串口

GD在連續(xù)發(fā)送數(shù)據(jù)的時候每兩個字節(jié)之間會有一個Bit的Idle，而STM32沒有，如下圖。

GD的串口在發(fā)送的時候停止位只有1/2兩種停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四種停止位模式。

GD和STM32USART的這兩個差異對（通信）基本沒有影響，只是GD的通信時間會加長一點。

07（ADC）

GD的輸入阻抗和采樣時間的設(shè)置和ST有一定差異，相同配置GD采樣的輸入阻抗相對來說要小。具體情況見下表這是跑在72M的主頻下，（AD）C的采樣時鐘為14M的輸入阻抗和采樣周期的關(guān)系：

08FSMC

STM32只有100（Pi）n以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。

09（RAM）/FLASH大小

GD103系列和ST103系列的ram和flash對比如下圖：

10105/107系列

GD的105/107的選擇比ST的多很多，具體見下表：

11抗干擾能力

關(guān)于這一點，官方?jīng)]有給出，筆者也是在做項目的時候偶然發(fā)現(xiàn)的。

項目原本是用STM32F103C8T6，后來換成GDF103C8T6。這兩個芯片的引腳完全一致，單片機用了的兩個鄰近的引腳作為SPI的時鐘引腳和數(shù)據(jù)輸出引腳，然后發(fā)現(xiàn)STM32的SPI能正常通訊，GD的不行；經(jīng)過檢查發(fā)現(xiàn)（PCB）板SPI的銅線背面有兩根I（IC）的銅線經(jīng)過，（信號）應(yīng)該是受到影響了。

用（示波器）看了一下引腳的電平，發(fā)現(xiàn)確實是，STM32和GD的數(shù)據(jù)引腳波形都不正常，但是STM32的波形要好很多，波形雖然差了點，但是SPI通訊依然正常。而GD則不能正常通訊了。

然后筆者又把SPI的通訊速率減慢，發(fā)現(xiàn)STM32的數(shù)據(jù)引腳很快就恢復(fù)正常波形了，而GD的依然差，直到速率降到很低才恢復(fù)正常。初步懷疑是STM32內(nèi)部對引腳有做一些濾波的電路，而GD則沒有。