2022年全國職業(yè)院校技能大賽高職組集成電路開發(fā)及應(yīng)用賽項(xiàng)賽題(試卷8)

GZ-2022**成電路開發(fā)及應(yīng)用賽項(xiàng)賽題8集成電路開發(fā)及應(yīng)用賽項(xiàng)來源于集成電路行務(wù)由“集成電路設(shè)計(jì)與仿真“集成電路工藝仿真成電路測試”及“集成電路應(yīng)用”四部分組成。第一部分集成電路設(shè)計(jì)與仿真使用集成電路版圖設(shè)計(jì)軟件根據(jù)表1-1所示的集成電路真值表（輸出值Y0~Y15隨機(jī)抽?。?，使用指定工藝PDK，設(shè)計(jì)集成電路原理圖和版圖，并進(jìn)行功能仿真。設(shè)計(jì)要求如下：1.芯片引腳4端1個信號輸出端Y1個電源端VCC；1個接地端GND。2.表1的集成電路真值表，D入不同的邏輯電平，Y輸出對應(yīng)邏輯電平上述邏輯電平“正“0“Y的值Y0~Y5由比賽現(xiàn)場抽取的任務(wù)參數(shù)確定。3.仿真設(shè)置VCC為+5A為1kHB為2kHzC為4kH，D為8kHz。4.通過DRC檢查和S。5.使用MOS管數(shù)量應(yīng)盡量少。6.所設(shè)計(jì)版圖面積應(yīng)盡量小?，F(xiàn)場評判要求：1.DRC檢查和S證結(jié)果、及尺寸。12.不能進(jìn)行增加、刪除、修改、作。表1-1集成電路真值表輸入 輸出A B C D Y0 0 0 0 Y00 0 0 1 Y10 0 1 0 Y20 0 1 1 Y30 1 0 0 Y40 1 0 1 Y50 1 1 0 Y60 1 1 1 Y71 0 0 0 Y81 0 0 1 Y91 0 1 0Y101 0 1 111 1 0 0Y121 1 0 1Y131 1 1 0Y141 1 1 1Y152第二部分集成電路工藝仿真選擇題應(yīng)根據(jù)工藝問題或視頻片斷選擇適合的答案、錯選均不得分仿真操作題應(yīng)根據(jù)題目要按照集成電工藝規(guī)范，在交互仿真平臺進(jìn)行仿真操作。1.（單選）在視頻中，①標(biāo)個環(huán)節(jié)的內(nèi)容？A.軟烘B.曝光后烘焙C.堅(jiān)膜D.墨點(diǎn)烘烤2.（單選）視頻中正在進(jìn)行塑封作業(yè)，若①部件閉合壓力不足，可能會造成（）。A.塑封料填充不足B.開模失敗C.溢料D.塑封體變色3.（單選）視頻中是某臺正在作業(yè)的設(shè)備，當(dāng)該區(qū)域的液體供應(yīng)不足時(shí)，可能會列選項(xiàng)中的哪種現(xiàn)象？（）A.切割崩邊B.晶粒脫離藍(lán)膜C.劃片位置偏移D.藍(lán)膜開裂34.（單選）在顯影后檢查的視頻中，發(fā)現(xiàn)有異?，F(xiàn)象，其中造成①標(biāo)注現(xiàn)象的原因可能是什么？A.選錯對位標(biāo)記B.對準(zhǔn)偏差C.顆粒沾污D.前道涂膠異常5.（單選）視頻結(jié)尾處為某工藝設(shè)備的操作界面，若此時(shí)需要打開該設(shè)備載片臺的統(tǒng)，應(yīng)點(diǎn)擊（）號位置的按鍵。A.①B.②C.③D.④6.（多選）在視頻中，沒有被粘接而留在藍(lán)膜上的晶粒可能存在的不良現(xiàn)象是什么？A.崩邊B.缺角C.針印過深D.針印偏出PAD點(diǎn)7.（多選）涂膠，哪些是造成圖現(xiàn)象的可能原因？4A.不適合的勻膠加速度B.光刻膠內(nèi)存在顆?；驓馀軨.不適合的托盤D.給膠量不足8.（多選）頻中，造成①處不良現(xiàn)因可能有（）。A.貼膜機(jī)未理干凈B.貼膜溫度過低C.貼膜機(jī)漏油D.橫切刀磨損9.（多選）視頻展示的是編帶抽真空過程中出現(xiàn)真空不足的現(xiàn)象，造成視頻所述現(xiàn)象的原因可能有（）。A.設(shè)備故障B.鋁箔袋破損C.封口溫度設(shè)置過低D.封口時(shí)間設(shè)置太短10.（多選）晶圓劃片后對其外觀進(jìn)行檢查，觀察到視頻中的不良現(xiàn)象，出現(xiàn)該異常的原因可能有。A.載片臺步進(jìn)過大B.劃片刀磨損C.劃片刀轉(zhuǎn)速過大D.冷卻水流量過小511.（仿真操作）單晶硅生長—拉晶與檢測：集成電路制造晶圓制造工藝單晶硅生的拉單晶和單晶硅質(zhì)量檢測12.（仿真操作）物理氣相淀積—參數(shù)設(shè)置與淀積：集成電路制造流片工藝金屬化部分的物理氣相淀積設(shè)備操作環(huán)節(jié)的參數(shù)設(shè)置和淀積設(shè)備運(yùn)行13.（仿真操作）氧化擴(kuò)散—領(lǐng)料與清洗：集成電路制造流片工藝薄膜制備部分的物料領(lǐng)取確認(rèn)和氧化前清洗614.（仿真操作）編帶外觀檢查—外觀檢查：集成電路制造芯片測試工藝編帶外觀檢查環(huán)節(jié)批次移外觀檢查虛擬仿真交互。15.（仿真操作）晶圓烘烤—參數(shù)設(shè)置：集成電路制造晶圓測試工藝晶圓烘烤環(huán)節(jié)烘箱參數(shù)設(shè)置7第三部分集成電路測試參賽選手從現(xiàn)場下發(fā)的元器件中選取待測試芯片及工裝所需元件和材料，參考現(xiàn)場下發(fā)的技術(shù)資料（芯片手冊、元器件清單等），調(diào)成測試任務(wù)。集成電路測試共分為數(shù)字集成電路測試和模擬集成電路測試兩項(xiàng)子任務(wù)。子任務(wù)一：數(shù)字集成電路測試待測芯片：移位寄存器（例如：XD74LS166）參數(shù)測試（1）開短路測試（2）VOL輸出低電平電壓測試（3）IOH輸出高電平電流測試（4）IIH輸入高電平電流測試功能測試芯值并標(biāo)注單位。子任務(wù)二：模擬集成電路測試待測芯片：LM358LM358是雙運(yùn)算部頻率補(bǔ)償?shù)倪\(yùn)算放大器適合于電壓范圍很寬的單電源使用也適用于雙電源工作模式在推薦的工作條件下電流與電源電壓8無關(guān)使用范圍包括傳放大器直流和其他所有可用單電源的使用運(yùn)算放大場合。參數(shù)測試(1)輸入失調(diào)電壓(2)輸入失調(diào)電流(3)電源供電電流(4)輸出短路電流(5)輸出電壓范圍(6)共模抑制比(7)電源抑制比(8)開環(huán)增益應(yīng)用電路測試?yán)帽葓鎏峁┑腖M358體管器件等，搭建一個300mA的恒流源。測試并以下數(shù)據(jù);（1）恒流源輸出電流穩(wěn)定性。（2）負(fù)載兩端的電壓以及紋波系數(shù)。（3）恒流源的效率。9第四部分集成電路應(yīng)用集成電路應(yīng)用任務(wù)要利用紅外對管（RAD50C）、電壓比較器（LM3（2或stm32f03c8實(shí)現(xiàn)車輛區(qū)間測速功能。參賽選手利用LM324S122或st2f1038t6AMS1117等集成電路芯片及12864配紅外射傳感器搭建車輛區(qū)輛續(xù)5車通過分別顯示5輛車速度并具備設(shè)置限速閾值功能，記錄過往車輛數(shù)量等功能。1.測速區(qū)間示意圖本系統(tǒng)測速區(qū)間示意圖如圖4-1示。點(diǎn)外 點(diǎn)外發(fā)傳感器射感器車點(diǎn)外 點(diǎn)外接傳感器接傳感器圖41測區(qū)示圖2．區(qū)間測速系統(tǒng)顯示1264顯示界面如圖4-2、4-3、4-4、4-5和4-6所示。使間速統(tǒng)圖4-2初始顯示界面101. 設(shè)界面2. 輛式3. 輛式圖4-3選擇功能界面超預(yù)值XXXkm/h測區(qū)間x.xxkm圖4-4設(shè)置界面速:XXXkm/h數(shù)XXX個圖4-5單車模式顯界面1:XXXkm/h2:XXXkm/h3:XXXkm/h4:XXXkm/h5:XXXkm/h圖4-6多車模式顯界面113.實(shí)現(xiàn)過程(1)系統(tǒng)開機(jī)初始化相關(guān)使用資源（I、定時(shí)器、時(shí)鐘等，并進(jìn)入如圖4-1界面始化完成后進(jìn)入圖4-2界面進(jìn)行選擇功能界面，上、下按鍵選擇對應(yīng)功擊確認(rèn)按鍵進(jìn)入對應(yīng)界面；(2)在設(shè)置界面中如圖43所示通過上、下對應(yīng)的設(shè)置欄，數(shù)字按入想設(shè)置的參數(shù)，輸入通過刪除按鍵刪除當(dāng)前輸入即可重新輸入新參數(shù)，設(shè)置完成后點(diǎn)擊確認(rèn)按鈕或者返回按鍵回到圖42；(3)在單車模式下實(shí)時(shí)顯示過往車輛速