先進(jìn)陶瓷材料及進(jìn)展第七章高介電容器瓷演示文稿

先進(jìn)陶瓷材料及進(jìn)展第七章高介電容器瓷演示文稿當(dāng)前第1頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)1、對(duì)電容器瓷的一般要求：①、介電系數(shù)大，以制造小體積、重量輕的陶瓷電容器，ε↑→電容器體積↓→整機(jī)體積、重量↓②、介質(zhì)損耗小，tgδ=（1~6）×10-7，保證回路的高Q值。高介電容器瓷工作在高頻下時(shí)ω↑、tgδ↑。③、對(duì)I類瓷，介電系數(shù)的溫度系數(shù)αε要系列化。對(duì)II類瓷，則用ε隨溫度的變化率表示（非線性）。I類瓷II類瓷§7-1概述當(dāng)前第2頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

④、體積電阻率ρv高（ρv>1012Ω·cm）為保證高溫時(shí)能有效工作，要求ρv高⑤、抗電強(qiáng)度Ep要高a、小型化，使Ε=V/d↑b、陶瓷材料的分散性，即使Ε<Ep，可能仍有擊穿。§7-1概述當(dāng)前第3頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)2、電容器瓷分類：§7-1概述低頻：高ε，較大的tgδ高頻低介（ε<10，tgδ小）中介（ε=12~50，tgδ?。└呓椋é?60~200，tgδ?。?qiáng)介陶瓷或稱鐵電陶瓷裝置瓷（II類瓷）（I類瓷）III類瓷：超高ε半導(dǎo)體陶瓷當(dāng)前第4頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

Ⅰ類瓷是電容量隨溫度變化穩(wěn)定度高的電容器瓷，主要用于高頻諧振回路中。Ⅰ類瓷主要以鈦、鋯、錫的化合物及固溶體為主晶相。（主要用于：高頻熱穩(wěn)定電容器瓷，高頻熱補(bǔ)償電容器瓷）Ⅱ類瓷以高介電常數(shù)為特征，為具有鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的鐵電強(qiáng)介瓷料，如BaTiO3、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3。（主要用于：低頻高介電容器瓷）Ⅲ類瓷：半導(dǎo)體陶瓷§7-1概述當(dāng)前第5頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)§7-2-1高介電容器瓷的分類§7-2-2值不同的原因§7-2-3ε的對(duì)數(shù)混合法則§7-2-4產(chǎn)生高介電系數(shù)的原因§7-2-5含鈦陶瓷的介質(zhì)損耗§7-2電容器瓷的介電特性當(dāng)前第6頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

§7-2-1高介電容器瓷的分類的值分按aε

按主晶相分鈮鉍鋅系：ZnO－Bi2O3-Nb2O5鋯酸鹽瓷：CaZrO3錫酸鹽瓷：CaSnO3、SrSnO3鈦酸鹽瓷：CaTiO3、SrTiO3、MgTiO3金紅石瓷：TiO2?><0003332：、、、：、、：CaZrO3SrSnO3CaSnO3MgTiO3SrTiOCaTiOTiOaaaeeBaO?7TiO2§7-2電容器瓷的介電特性溫度每變化1℃時(shí)介電系數(shù)的相對(duì)變化率當(dāng)前第7頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

有正、負(fù)、零，取決于不同溫度下質(zhì)點(diǎn)的極化程度，也決定于相應(yīng)溫度下單位體積的質(zhì)點(diǎn)數(shù)。a、

TiO2、CaTiO3b、

CaSnO3、CaZrO3c、

BaO·7TiO2§7-2-2值不同的原因§7-2電容器瓷的介電特性當(dāng)前第8頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)電介質(zhì)的極化-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+++++++------Pμ極化強(qiáng)度:介電常數(shù):§7-2電容器瓷的介電特性當(dāng)前第9頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)++-EE=0原子核電子極化前極化后電子位移極化離子晶體中主要是電子位移極化與離子位移極化?！?-2電容器瓷的介電特性2r當(dāng)前第10頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)離子位移極化-+-+E=0E→§7-2電容器瓷的介電特性當(dāng)前第11頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

a、TiO2、CaTiO3以電子位移極化為主[TiO6]八面體，Ti7+高價(jià)、小半徑→離子位移極化→強(qiáng)大的局部?jī)?nèi)電場(chǎng)EiTi7+，O2-→極化率大→電子位移極化為主Ei§7-2電容器瓷的介電特性金紅石型晶體結(jié)構(gòu)當(dāng)前第12頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

b、CaSnO3、CaZrO3等以離子位移極化為主§7-2電容器瓷的介電特性T↑→n↓（距離↑）→ε↓T↑→V↑（熱膨脹）→（r++r-）↑→αa（極化率）按（r++r-）3↑↑→ε↑↑當(dāng)前第13頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)c、BaO·7TiO2§7-2電容器瓷的介電特性當(dāng)前第14頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)§7-2-3ε的對(duì)數(shù)混合法則對(duì)于n相系統(tǒng)：§7-2電容器瓷的介電特性當(dāng)前第15頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)由以上法則，在生產(chǎn)實(shí)踐中，可用具有不同εi、αi材料通過(guò)改變濃度比來(lái)獲得滿足各種溫度系數(shù)要求的材料。如：由αε>0+αε<0的瓷料獲得αε≈0的瓷料?！?-2電容器瓷的介電特性當(dāng)前第16頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)金紅石型和鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的陶瓷具有特殊的結(jié)構(gòu)，離子位移極化后，產(chǎn)生強(qiáng)大的局部?jī)?nèi)電場(chǎng)，并進(jìn)一步產(chǎn)生強(qiáng)烈的離子位移極化和電子位移極化，使得作用在離子上的內(nèi)電場(chǎng)得到顯著加強(qiáng)，故ε大。鈦酸鍶鉍也是利用SrTiO3鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的內(nèi)電場(chǎng)，而加入鈦酸鉍等，使之產(chǎn)生鍶離子空位，產(chǎn)生離子松弛極化，從而使ε增大?！?-2-4產(chǎn)生高介電系數(shù)的原因§7-2電容器瓷的介電特性當(dāng)前第17頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

低溫下高頻電容器瓷的tgδ較小，但在一定的頻率下，當(dāng)溫度超過(guò)某一臨界溫度后，由離子松弛極化和電子電導(dǎo)所引起的大量能量損耗，使材料的介質(zhì)損耗急劇地增大。另外：①TiO2的二次再結(jié)晶，破壞晶粒的均勻度，使材料的機(jī)械性能和介電性能惡化；②Ti7+→Ti3+→tgδ↑§7-2-5含鈦陶瓷的介質(zhì)損耗§7-2電容器瓷的介電特性當(dāng)前第18頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)§7-3-1熱補(bǔ)償電容器瓷§7-3-2熱穩(wěn)定電容器瓷§7-3-3溫度系數(shù)系列化的電容器瓷§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第19頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)定義：αε具有很大的負(fù)值，用來(lái)補(bǔ)償振蕩回路中電感的正溫度系數(shù)，以使回路的諧振頻率保持穩(wěn)定。1、金紅石瓷ε：80~90，αε：-750~-850×10-6/℃2、鈦酸鈣瓷ε：150~160αε：-2300×10-6/℃(-60~120℃)-(1500~1600)×10-6/℃(+20~80℃)§7-3-1熱補(bǔ)償電容器瓷§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第20頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

1、金紅石瓷(1)TiO2的結(jié)構(gòu)(2)鈦離子變價(jià)及防止措施(3)用途§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第21頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

⑴TiO2的結(jié)構(gòu)rTi4+=0.68A°，rO2-→=1.70A°，r+/r-=0.768∴形成[TiO6]八面體Ti4+取六配位，用電價(jià)規(guī)則算得每個(gè)O2-離子為三個(gè)[TiO6]八面體共用。自然界中TiO2有三種晶型（同質(zhì)異型體），其性能特點(diǎn)如下：§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第22頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

§7-3高頻電容器瓷的主要原料金紅石板鈦礦銳鈦礦晶系正方晶系斜方晶系正方晶系八面體共棱數(shù)2條3條7條比重7.257.113.87莫氏硬度65~65~6介電系數(shù)1177831當(dāng)前第23頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)由此可見(jiàn)，金紅石結(jié)構(gòu)最穩(wěn)定、最緊湊、介電系數(shù)最大、性能最好，銳鈦礦最差。然而，工業(yè)用TiO2主要是銳鈦礦和微量的金紅石，因此，必須在1200℃~1300℃氧化氣氛中預(yù)燒，使TiO2全部轉(zhuǎn)變?yōu)榻鸺t石結(jié)構(gòu)，同時(shí)也使產(chǎn)品在燒結(jié)時(shí)不致因晶型轉(zhuǎn)變、體積收縮過(guò)大而變形或開(kāi)裂?！?-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第24頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

(2)鈦離子變價(jià)及防止措施鈦原子的電子排布：1s22s22p63s23p67s23d2，7s的能級(jí)比3d稍低，3d層的電子容易失去，可為Ti4+、Ti3+、Ti2+，可見(jiàn)Ti4+易被還原（Ti4++e→Ti3+=Ti4+·e[e-弱束縛電子]）§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第25頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)Ti4+→Ti3+的原因：a、

燒結(jié)氣氛b、

高溫?zé)岱纸猓篶、

高價(jià)（5價(jià)）雜質(zhì)：d、

電化學(xué)老化§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第26頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

還原氣氛奪去TiO2的O2-，使晶格出現(xiàn)a、燒結(jié)氣氛§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第27頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)b、高溫?zé)岱纸鉄蓽囟冗^(guò)高，尤其在超過(guò)1700℃時(shí)，TiO2脫氧嚴(yán)重，即產(chǎn)生高溫分解?！?-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第28頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

Ti4+、Nb5+、Ta5+、Sb5+半徑相近，5價(jià)離子取代Ti7+→形成置換固溶體→多余一個(gè)價(jià)電子→c、高價(jià)（5價(jià)）雜質(zhì)§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第29頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

金紅石瓷在使用過(guò)程中，長(zhǎng)期工作在高溫、高濕、強(qiáng)直流電場(chǎng)下，表面、界面、缺陷處活性大的O2-離子向正極遷移，到達(dá)正極后，氧分子向空氣中逸出，留下氧空位，是不可逆過(guò)程。銀電極在高溫高濕、強(qiáng)直流電場(chǎng)下：Ag-e→Ag+，Ag+遷移率大，進(jìn)入介質(zhì)向負(fù)極遷移d、電化學(xué)老化§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第30頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)防止Ti4+→Ti3+的措施：采用氧化氣氛燒結(jié)：抑制還原加入添加劑：降低燒結(jié)溫度，抑制高溫失氧再氧化過(guò)程：在低于燒結(jié)溫度20~70℃，強(qiáng)氧化氣氛回爐摻入低價(jià)雜質(zhì)（受主）：抑制高價(jià)雜質(zhì)加入La2O3等稀土氧化物：改善電化學(xué)老化特性加入ZrO2：阻擋電子定向移動(dòng)，阻礙Ti7+變價(jià)§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第31頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)(3)用途電容器介質(zhì)：由于ε-tgδ與溫度、頻率有關(guān)，適宜于工作在低溫高頻下（<85℃），通常作熱補(bǔ)償電容器。作為的負(fù)值調(diào)節(jié)劑?！?-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第32頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)2、鈦酸鈣瓷以鈦酸鹽為主的陶瓷是高頻高介電容器瓷中的又一大類，常用的有鈦酸鈣、鈦酸鍶等，這里介紹常用的鈦酸鈣瓷。(1)CaTiO3的結(jié)構(gòu)及介電性能(2)鈦酸鈣瓷的成份及工藝要求§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第33頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)(1)CaTiO3的結(jié)構(gòu)及介電性能鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，由Ca2+和O2-離子共同作立方密堆積，Ti7+離子處于氧的六配位位置，形成[TiO6]八面體，八面體間共頂點(diǎn)連接，Ca2+離子處于八個(gè)[TiO6]八面體之間。由于其特殊結(jié)構(gòu)，在外電場(chǎng)作用下，Ti7+發(fā)生離子位移（相對(duì)于O2-離子），使作用于Ti-O線上的O2-離子電場(chǎng)↑→O2-電子云畸變（電子位移極化）→作用在Ti7+上有效電場(chǎng)↑→O2-有效電場(chǎng)↑→極化↑↑§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第34頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)鈦酸鈣瓷工作溫度高，適合制造小型、大容量、對(duì)電容量穩(wěn)定性要求不高的耦合旁路、隔直流等場(chǎng)合或者電容器溫度系數(shù)的調(diào)節(jié)劑。鈦酸鈣瓷與金紅石瓷性能比較§7-3高頻電容器瓷的主要原料性能指標(biāo)金紅石瓷鈦酸鈣瓷原因ε70~80150~160結(jié)構(gòu)不同αε（+20~+80℃）-（700±100）×10-6/℃-（1500~1600）×10-6/℃Ei、線性膨脹系數(shù)大tgδ（1MHz，20℃）（7~5）×10-7（2~3）×10-7玻璃相含量少ρV（Ω·cm）1011~10121017同上工作溫度≤85℃≤150℃當(dāng)前第35頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)(2)鈦酸鈣瓷的成份及工藝要求天然CaTiO3含雜質(zhì)多，不能直接作原料，而采用化工原料方解石（CaCO3）和TiO2經(jīng)高溫合成：鈦酸鈣瓷的主要工序?yàn)椋骸?-3高頻電容器瓷的主要原料球磨干燥預(yù)燒研磨成型燒結(jié)當(dāng)前第36頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)工藝注意事項(xiàng)：TiO2與CaCO3應(yīng)充分混合均勻、確保Ca、Ti摩爾比為1：1，因此球磨后不能過(guò)濾去水。否則易去Ca。（CaO+H2O→Ca(HO)2流失）嚴(yán)格控制燒結(jié)溫度，既要使CaCO3與TiO2反應(yīng)充分，防止游離CaO生成（<1~2%）,又不能使活性太低，給后面工藝造成困難。應(yīng)在強(qiáng)氧化氣氛中快速燒成瓷，以防止Ti7+離子降價(jià)和生成粗大的晶粒?！?-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第37頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)所謂高頻熱穩(wěn)定性電容器瓷，就是指αε很小或接近于零。包括鈦酸鎂瓷，錫酸鈣瓷等。1、鈦酸鎂瓷2、錫酸鈣瓷§7-3高頻電容器瓷的主要原料§7-3-2熱穩(wěn)定電容器瓷當(dāng)前第38頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

1、鈦酸鎂瓷：TiO2-MgO系相圖可知(p58)，存在三種化合物(表7-2)§7-3高介電容器瓷的主要原料正鈦酸鎂二鈦酸鎂偏鈦酸鎂化學(xué)式2MgO?TiO2MgO?2TiO2MgO?TiO2結(jié)構(gòu)類型尖晶石鈦鐵礦ε（20℃，1MHz）171717αε（20~80℃）10-6/℃+60+207+70tgδ/10-7（20℃）383燒結(jié)溫度（℃）175013801750優(yōu)點(diǎn)穩(wěn)定穩(wěn)定介電性能好缺點(diǎn)燒溫高結(jié)晶能力強(qiáng)，不適宜作介質(zhì)瓷燒溫范圍窄，易生成粗晶；難以成型當(dāng)前第39頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)§7-3高介電容器瓷的主要原料鈦酸鎂瓷的基本晶相為正鈦酸鎂Mg2TiO7與金紅石TiO2。若要得到αε＝0的瓷料，且ε較小，則加入CaO或CaCO3。即MgTiO3-CaTiO3固溶體陶瓷。當(dāng)前第40頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)鈦酸鎂瓷的工藝特點(diǎn)：燒結(jié)溫度高（1750~1770℃），范圍窄5~10℃，否則，晶?！?，氣孔率↑，機(jī)電性能↓。需在氧化氣氛中燒結(jié)，避免TiO2還原?！?-3高介電容器瓷的主要原料當(dāng)前第41頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

2、錫酸鈣瓷錫酸鹽的種類很多，但由于介電性能和燒結(jié)溫度的限制，只有CaSnO3、SrSnO3、BaSnO3較適合作為高頻電容器介質(zhì)材料，其中以CaSnO3的介電性能和燒結(jié)溫度最好。(1)CaSnO3的結(jié)構(gòu)及介電性能(2)錫酸鈣瓷的成分及工藝要求§7-3高介電容器瓷的主要原料當(dāng)前第42頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)(1)CaSnO3的結(jié)構(gòu)及介電性能CaSnO3屬于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，Sn4+處于O2-八面體中，但由于Sn4+半徑比Ti4+大，因而不易產(chǎn)生Sn4+位移極化，也就不存在強(qiáng)大的有效內(nèi)電場(chǎng)，這樣其ε遠(yuǎn)比CaTiO3?。é?17），同時(shí)，其ε將按離子位移極化的機(jī)理隨T↑而增大（αε>0）§7-3高介電容器瓷的主要原料當(dāng)前第43頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

CaTiO3與CaSnO3性能比較§7-3高介電容器瓷的主要原料CaTiO3CaSnO3ε15017αε（20~80℃）10-6/℃-1300+110tgδ/10-7（20℃）2~33工作溫度（℃）≤150≤150當(dāng)前第44頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

CaSnO3瓷在高溫時(shí)的性能較好，但ε太低，另在直流電場(chǎng)與還原氣氛下較穩(wěn)定。CaSnO3可用作高頻熱穩(wěn)定型電容器介質(zhì)，為了調(diào)節(jié)瓷料的αε，可加入CaTiO3或TiO2?！?-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第45頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

(2)錫酸鈣瓷的成分及工藝要求：錫酸鈣瓷的工藝過(guò)程與CaTiO3瓷相同CaSnO3燒塊的典型配方燒結(jié)工藝要求§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第46頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

(1)CaSnO3燒塊的典型配方CaCO3：SnO2=1.07：1，防止SnO2游離（SnO2電子電導(dǎo)大）§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第47頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

(2)燒結(jié)工藝要求：§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第48頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)這類電容器瓷的αε可在（+120~-750）×10-6/℃相當(dāng)寬的范圍內(nèi)任意調(diào)節(jié)，可根據(jù)電路的要求來(lái)選擇配方。常用的該類瓷料有鈦鋯系、鎂鑭鈦系及鈦硅酸鈣、硅酸鎂系列。1、鈦鋯系瓷2、鎂鑭鈦系陶瓷3、CaTiO3-CaTiSiO5瓷4、以2MgO·SiO2為主晶相的陶瓷§7-3-3溫度系數(shù)系列化的電容器瓷§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第49頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

1、鈦鋯系瓷由TiO2-ZrO2系相平衡圖可知，在1800℃以下，存在穩(wěn)定的ZrTiO7化合物，并且ZrO2和TiO2均不能與ZrTiO7生成無(wú)限固溶體，因此在ZrO2：TiO2=1：1的等分子比線兩旁有ZrO2相或金紅石相析出。由P62圖7-17可知，通過(guò)調(diào)節(jié)TiO2與ZrO2的相對(duì)成分比來(lái)調(diào)節(jié)αε-800×10-6/℃～+100×10-6/℃§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第50頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

典型的鈦鋯系瓷配方：TiO2+ZrO2：70%SnO2：11.5%礦化劑，防止ZrO2多晶轉(zhuǎn)變BaCO3：4.5%壓堿ZnO：3%礦化劑（在還原氣氛中易揮發(fā)）膨閏土：11%增塑劑§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第51頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第52頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

2、鎂鑭鈦系陶瓷對(duì)于正鈦酸鎂為主晶相的陶瓷的缺點(diǎn)：ε約17~18，較小；αε>0，熱穩(wěn)定性較差。我國(guó)有豐富的La2O3原料，研究與制造溫度系數(shù)可系列化的鎂鑭鈦（MgO-La2O3-TiO2）系陶瓷是很有意義的。§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第53頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

§7-3高頻電容器瓷的主要原料晶相燒結(jié)溫度（℃）εtgδ（107）αε（10-6/℃，30~150℃）MgO?2TiO21380178＋207La2O3?2TiO21700522-20La2O3?7TiO21380371-96TiO213808612-760四種晶相的性能如下表：當(dāng)前第54頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)因此，MgO·TiO2－La2O3·TiO2－TiO2系的性能為：§7-3高頻電容器瓷的主要原料tgδ<5×10-7ε：20~87：（+100~-650)×10-6/℃燒結(jié)溫區(qū)范圍：±35~±50℃當(dāng)前第55頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)工藝特點(diǎn)：a、防止游離La2O3吸水水解，使瓷體開(kāi)裂，必須使TiO2過(guò)量（50%）并且預(yù)燒b、La2O3原料在900℃以上焙燒，去除H2O及CO2c、氧化氣氛燒結(jié)，避免Ti4+→Ti3+

§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第56頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)

3、CaTiO3-CaTiSiO5瓷一般熱穩(wěn)定電容器瓷的共同缺點(diǎn)：在αε接近于零或在零的附近時(shí)，ε??；并且很難獲得很大的正αε值。CaTiSiO5是榍石型結(jié)構(gòu)，單斜晶系，其主要性能：§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第57頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)作為添加物時(shí)，可使αε接近于零時(shí)，ε達(dá)100以上，且這種瓷料有很大的正的αε，介電性能較好，tgδ較小，抗電強(qiáng)度高（同類材料中最廉價(jià)的高介材料）常見(jiàn)的溫度系數(shù)調(diào)節(jié)劑有CaTiO3、TiO2、SrTiO3§7-3高頻電容器瓷的主要原料當(dāng)前第58頁(yè)\共有65頁(yè)\編于星期二\2點(diǎn)CaTiSiO5-CaTiO3系瓷料的介電性能尚好，但燒結(jié)范圍狹窄；CaTiSiO5-TiO2系瓷料ε高、tgδ小，工藝性能好。CaTiSiO5-TiO2-SrTiO3系瓷料tgδ很小，ε較高?！?-3