內(nèi)存故障維修演示文稿

內(nèi)存故障維修演示文稿當前第1頁\共有17頁\編于星期二\2點優(yōu)選內(nèi)存故障維修當前第2頁\共有17頁\編于星期二\2點教學(xué)重點與難點:存儲器的分類內(nèi)存條的組成內(nèi)存條的主要技術(shù)性能當前第3頁\共有17頁\編于星期二\2點7.1內(nèi)存的發(fā)展與類型當前第4頁\共有17頁\編于星期二\2點DDRSDRAM（雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器）DDR內(nèi)存在SDRAM基礎(chǔ)上改進了技術(shù)。DDRSDRAM在時鐘脈沖的上升沿和下降沿都可傳輸數(shù)據(jù)，在不提高時鐘頻率的情況下，使數(shù)據(jù)傳輸率提高了一倍。

當前第5頁\共有17頁\編于星期二\2點·DDR內(nèi)存在每個時鐘周期中可以存取2個數(shù)據(jù)；·DDR內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸頻率為200～400MHz；·DDR芯片容量為128Mbit～1Gbit；·DDR采用SSTL信號標準，電壓為2.5V；·DDRII內(nèi)存增加到4個數(shù)據(jù)?！DRII提高到400～800MHz?！DRII芯片容量為256Mbit～2Gbit?！DRII采用SSTL2信號標準，電壓為1.8V。ROM的類型(1)EPROM：可以多次寫入數(shù)據(jù)，寫入數(shù)據(jù)時需要專用設(shè)備。(2)EEPROM：保存數(shù)據(jù)不需電池，數(shù)據(jù)存儲長達十年之久。(3)FlashROM：也稱為FlashMemory，可在不加電下長期保存信息。FlashROM普遍用作BIOS芯片，存儲容量有1Mbit、2Mbit、4Mbit等類型。當前第6頁\共有17頁\編于星期二\2點7.2內(nèi)存芯片工作原理存儲細胞由晶體管和電容組成，可以保存一位二進制數(shù)。DRAM存儲細胞電路原理

當前第7頁\共有17頁\編于星期二\2點·在DRAM存儲細胞電路中，晶體管M的作用是一個開關(guān)器件，它控制著數(shù)據(jù)輸入線D端到存儲電容CS之間的電流通斷。當晶體管M處于閉合（ON）狀態(tài)時，數(shù)據(jù)線D端到存儲電容CS之間是連通的。當晶體管M處于斷開（OFF）狀態(tài)時，數(shù)據(jù)線D端到存儲電容CS之間不能連通?？梢娋w管開關(guān)M控制著電容CS的充電和放電?！る娐分写鎯﹄娙軨S的作用是保存數(shù)據(jù)，當電容CS中充有電荷時，存儲器為邏輯“1”狀態(tài)，當電容CS中沒有電荷時，存儲器為邏輯“0”狀態(tài)。·字線WL的作用是控制晶體管M的開關(guān)狀態(tài)，當WL=1時，晶體管M處于閉合（ON）狀態(tài)，這時允許在數(shù)據(jù)線D端進行寫或讀操作。當WL=0時，晶體管M處于斷開（OFF）狀態(tài)，這時數(shù)據(jù)線D端的信號不能寫入或讀出，DRAM保持電路的原來狀態(tài)?！?shù)據(jù)線D也稱為“位線”，他是數(shù)據(jù)位寫入或讀出的端點。

當前第8頁\共有17頁\編于星期二\2點SRAM存儲單元工作原理SRAM存儲細胞（Cell）的工作原理類似于一個開關(guān)，當接通開關(guān)時，相當于“1”狀態(tài)，當關(guān)閉開關(guān)時，相當于“0”狀態(tài)。如果不去改變開關(guān)，它就保持上次的狀態(tài)。

靜態(tài)存儲器SRAM經(jīng)常用來設(shè)計高速緩存（Cache）存儲單元。

SRAM存儲細胞中的每一位，都是由4～6個CMOS晶體管構(gòu)成，因此保存一個字節(jié)的數(shù)據(jù)，需要8個這樣的存儲單元，也就是說需要32～48個CMOS晶體管。

當前第9頁\共有17頁\編于星期二\2點7.3內(nèi)存條的基本組成內(nèi)存條由內(nèi)存顆粒芯片、內(nèi)存序列檢測芯片（SPD）、ECC校驗芯片（部分內(nèi)存條有）、印刷電路板（PCB）、貼片電阻、貼片電容、金手指等部分組成。目前市場上主要有DDRSDRAM、RDRAM、SDRAM三種技術(shù)規(guī)范的內(nèi)存條，它們的工作方式不同，互相不能兼容，但是外觀形狀大同小異。

當前第10頁\共有17頁\編于星期二\2點SPD芯片從PC100內(nèi)存標準開始，內(nèi)存條上就帶有SPD芯片。內(nèi)存條制造商將該內(nèi)存條的基本技術(shù)參數(shù)預(yù)先寫入這個SPD芯片。SPD芯片記錄了內(nèi)存芯片的速度、工作頻率、芯片容量、工作電壓、行、列地址、帶寬、CL、tRCD、tRP、tAC等參數(shù)。

內(nèi)存條插座當前第11頁\共有17頁\編于星期二\2點7.4內(nèi)存條主要技術(shù)性能內(nèi)存條技術(shù)規(guī)范內(nèi)存主要有JEDEC組織和英特爾公司兩種技術(shù)規(guī)范。內(nèi)存規(guī)范有PC100～PC5300等。規(guī)范規(guī)定了內(nèi)存類型、工作頻率、傳輸帶寬等技術(shù)參數(shù)。內(nèi)存條速度技術(shù)指標一是提高內(nèi)存工作的時鐘頻率，二是盡量減少各種內(nèi)存操作過程中的延時。內(nèi)存數(shù)據(jù)讀寫的延遲一般用“A-B-C-D”的形式表示，它們分別對應(yīng)的參數(shù)是：CL-tRCD-tRP-tRAS。例：“2-2-2-5”，第1個數(shù)字代表CL周期為2；第2個數(shù)字代表tRCD周期為2；第3個數(shù)字代表tRCD周期為2；第4個數(shù)字代表tRAS周期為5。

當前第12頁\共有17頁\編于星期二\2點(1)內(nèi)存時鐘周期（tCK）：值越小內(nèi)存數(shù)據(jù)存取速度越快。(2)數(shù)據(jù)存取時間（tAC）：值越小存取速度越快。(3)列地址選擇延遲（CL）：一般有CL2、CL2.5、CL3等。(4)RAS相對CAS的延遲（tRCD）：值越小內(nèi)存速度越快。(5)行預(yù)充電有效周期（tRP）：值越小內(nèi)存速度越快。(6)預(yù)充電最短周期（tRAS）：值越小內(nèi)存速度越快。(7)突發(fā)長度（BL）：執(zhí)行一個尋址周期后，連續(xù)讀寫幾個數(shù)據(jù)，這就是突發(fā)周期。內(nèi)存突發(fā)長度BL一般為4或8，對于顯存BL為128～256。

當前第13頁\共有17頁\編于星期二\2點內(nèi)存條帶寬技術(shù)指標內(nèi)存帶寬是數(shù)據(jù)在內(nèi)存總線上的最大傳輸量，它與內(nèi)存時鐘頻率、總線寬度、一個時鐘周期內(nèi)傳輸數(shù)據(jù)的次數(shù)有關(guān)，一般以GB/s為單位，內(nèi)存帶寬的計算下式如下：內(nèi)存帶寬＝內(nèi)存時鐘頻率×總線寬度/8×一個時鐘周期內(nèi)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)包個數(shù)內(nèi)存條可靠性技術(shù)指標奇偶校驗可以發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)錯誤，但是它不能糾正數(shù)據(jù)錯誤。ECC校驗?zāi)軌蚣m正一個字節(jié)中的一位數(shù)據(jù)發(fā)生的錯誤。例：

當前第14頁\共有17頁\編于星期二\2點7.5內(nèi)存故障案例分析當前第15頁\共有17頁\編于星期二\2點【案例7.1】：內(nèi)存質(zhì)量不佳，導(dǎo)致WindowsXP不能安裝。故障現(xiàn)象：一臺使用Windows98系統(tǒng)的微機，計劃升級成WindowsXP操作系統(tǒng)。開始安裝還比較順利，可是當安裝程序檢查完硬盤以后，在復(fù)制文件時，系統(tǒng)提示找不到某一個安裝文件，就是按“Esc”鍵跳過這個文件，接下來安裝中還是提示有文件找不到，只能按F3鍵退出安裝。更換了光驅(qū)和WindowsXP的安裝光盤以后，故障依舊?！景咐?.2】：內(nèi)存質(zhì)量不佳，導(dǎo)致主機啟動異常。故障現(xiàn)象：一臺兼容機，將內(nèi)存升級為PC133128MB后出現(xiàn)故障，表現(xiàn)為第一次開機無任何反應(yīng)，必須重新開機或復(fù)位后系統(tǒng)才能啟動，此后系統(tǒng)正常工作，關(guān)機一段時間之后，下次重新開機故障依舊。

當前第16頁\共有17頁\編于星期二\2點內(nèi)存選購：現(xiàn)代256MBDDRII533內(nèi)存類型：DDR