半導(dǎo)體薄膜設(shè)備行業(yè)拓荊科技研究報告

半導(dǎo)體薄膜設(shè)備行業(yè)拓荊科技研究報告1國產(chǎn)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備龍頭，品類擴張持續(xù)1.1國產(chǎn)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備龍頭，打破國外壟斷拓荊科技主要從事高端半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。公司聚焦的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備與光刻機、刻蝕機共同構(gòu)成芯片制造三大主設(shè)備。公司主要產(chǎn)品包括等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三個產(chǎn)品系列，已廣泛應(yīng)用于國內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，并已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗證測試。公司產(chǎn)品已廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線，打破國際廠商對國內(nèi)市場的壟斷，與國際寡頭直接競爭。公司是國內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路PECVD、SACVD設(shè)備廠商，以前后兩任董事長為核心的五名國家級海外高層次專家組建起一支國際化的技術(shù)團隊，形成了三大類半導(dǎo)體薄膜設(shè)備產(chǎn)品系列，先后四次承擔(dān)國家重大科技專項/課題，被中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會評為2016年度、2017年度、2019年度“中國半導(dǎo)體設(shè)備五強企業(yè)”。公司自2010年成立以來一直專注于半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備業(yè)務(wù)。PECVD設(shè)備方面，2011年，公司首臺12英寸PECVD出廠到中芯國際驗證。在此基礎(chǔ)上，2012年公司推出12英寸多反應(yīng)腔PF-300T設(shè)備，該設(shè)備于2013年通過中芯國際測試。2015年，PF-300T設(shè)備在中芯國際生產(chǎn)線突破一萬片晶圓生產(chǎn)，同年公司獲得國家大基金戰(zhàn)略投資。2017年，公司首臺量產(chǎn)型HTMPECVD出廠到客戶端，加強了PECVD領(lǐng)域的優(yōu)勢。在ALD和SACVD設(shè)備領(lǐng)域公司實現(xiàn)突破，業(yè)務(wù)范圍擴展。ALD設(shè)備方面，2016年，公司首臺12英寸ALD出廠到客戶端。2018年，12英寸ALD通過客戶端14nm產(chǎn)業(yè)化驗證。SACVD設(shè)備方面，2019年，公司成功研制SACVD設(shè)備并出廠到客戶端，產(chǎn)品品類進一步豐富。PECVD設(shè)備系公司核心產(chǎn)品，是芯片制造的核心設(shè)備之一。相比傳統(tǒng)的CVD設(shè)備，PECVD設(shè)備在相對較低的反應(yīng)溫度下形成高致密度、高性能薄膜，不破壞已有薄膜和已形成的底層電路，實現(xiàn)更快的薄膜沉積速度，是芯片制造薄膜沉積工藝中運用最廣泛的設(shè)備種類。公司是國內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路PECVD設(shè)備廠商，已適配180-14nm邏輯芯片、19/17nmDRAM及64/128層FLASH制造工藝需求，產(chǎn)品能夠兼容SiO2、SiN、SiON、BPSG、PSG、TEOS、LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等多種反應(yīng)材料。此外，公司在ALD設(shè)備和SACVD設(shè)備等領(lǐng)域也取得了一系列重大進展。ALD設(shè)備是一種可以將反應(yīng)材料以單原子膜形式通過循環(huán)反應(yīng)逐層沉積在基片表面，形成對復(fù)雜形貌的基底表面全覆蓋成膜的專用設(shè)備。公司是國內(nèi)領(lǐng)先的集成電路ALD設(shè)備廠商。公司的等離子體增強原子層沉積設(shè)備（PE-ALD），目前已適配55-14nm邏輯芯片制造工藝需求。SACVD設(shè)備的主要功能是在次常壓環(huán)境下，通過對反應(yīng)腔內(nèi)氣體壓力和溫度的精確控制，將氣相化學(xué)反應(yīng)材料在晶圓表面沉積薄膜。拓荊科技是國內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路SACVD設(shè)備廠商。公司的SACVD設(shè)備可以沉積BPSG、SAF材料薄膜，適配12英寸40/28nm以及8英寸90nm以上的邏輯芯片制造工藝需求。1.2收入高速增長，產(chǎn)品毛利提高受益于公司技術(shù)積累與市場景氣度提升，公司業(yè)績持續(xù)高增長。全球和中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)需求增長，為公司持續(xù)發(fā)展和業(yè)績增長提供了較為有利的產(chǎn)業(yè)環(huán)境。公司主要研發(fā)銷售的PECVD設(shè)備，在滿足工藝需求的同時能夠有效降低客戶的綜合使用成本。公司已實現(xiàn)ACHM、LokⅠ等先進膜工藝PECVD、ALD、SACVD等多項新產(chǎn)品和新工藝的客戶端驗證。公司不斷進入新市場，引入新客戶，實現(xiàn)了營業(yè)收入的高速增長。2018-2021年，公司營業(yè)收入從0.71億元增長至7.58億元，年復(fù)合增速達120.56%。盈利能力方面，公司2018-2021年毛利率31.67%、31.85%、34.06%和44.01%，21年毛利率有明顯改善，主要得益于隨著公司技術(shù)水平、市場地位的提升，公司的議價能力有所提高，平均單價有所上升，公司的規(guī)模經(jīng)濟效應(yīng)開始顯現(xiàn)，平均成本有所降低。同時，公司的產(chǎn)品開始進入先進制程設(shè)備市場，設(shè)備市場價格較高，進而提高了毛利率。此外，2018年以來公司的管理費用率、銷售費用率逐年降低，助力公司在2021年凈利潤扭虧為盈。收入結(jié)構(gòu)方面，PECVD設(shè)備的銷售收入為公司主營業(yè)務(wù)收入的最主要來源，2018-2021年P(guān)ECVD設(shè)備占公司主營業(yè)務(wù)收入比例分別為77.98%、100%、97.55%、90.64%。已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用并實現(xiàn)銷售的產(chǎn)品包括12英寸PECVD設(shè)備（PF-300T）和8英寸PECVD設(shè)備（PF-200T）。兩類設(shè)備的銷量迅猛增長，PF-300T設(shè)備2018-2020年從12臺增長至86臺，PF-200T設(shè)備同期從4臺增長至28臺。同時，公司PF-300T和PF-200T產(chǎn)品的銷售單價總體呈增長趨勢，主要緣于公司議價能力隨著公司技術(shù)水平、市場地位提升的逐步增強。此外，公司的ALD設(shè)備和SACVD設(shè)備業(yè)務(wù)開始逐步貢獻收入。2018年，公司實現(xiàn)ALD設(shè)備銷售收入1459.58萬元。2020年，公司首次實現(xiàn)SACVD設(shè)備銷售收入867.26萬元，2021年該項收入迅速增長至4115.89萬元，有望成為公司新的業(yè)務(wù)增長點。存貨大幅增長，發(fā)出商品增多預(yù)示銷售強勁。拓荊科技

2018-2021年的存貨分別為3.31億元、3.58億元、5.24億元和9.69億元，呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢。公司的存貨主要由原材料、在產(chǎn)品、庫存商品和發(fā)出商品組成。其中，發(fā)出產(chǎn)品占據(jù)較大的比重，各期均超過50%，2021年達7.56億元，主要由于薄膜沉積設(shè)備設(shè)備驗證周期較長，而發(fā)出商品增加說明商品訂購、驗證量高速增長，預(yù)示公司銷售增速強勁。分業(yè)務(wù)的毛利率方面，近年來公司核心業(yè)務(wù)PECVD毛利率提升明顯，由2018年的29.25%提升至2021年的42.64%，主要得益于公司產(chǎn)品市場認可度提高，議價能力增強。ALD設(shè)備毛利率波動較大，2019年無銷售，2020年度實現(xiàn)的ALD銷售收入是對2018年所銷售設(shè)備的反應(yīng)腔的升級，成本金額較小，因此毛利率較高。SACVD設(shè)備是公司實現(xiàn)營收的新業(yè)務(wù)，2020年實現(xiàn)的首臺銷售因報價較低，毛利率為負值。2021年公司實現(xiàn)第二臺設(shè)備銷售，該設(shè)備可用于2.5D封裝、3D先進封裝領(lǐng)域，因此毛利率較高，達62.99%。伴隨公司技術(shù)進步和產(chǎn)品日趨成熟，設(shè)備單價呈逐現(xiàn)上升趨勢。PF-300T設(shè)備2018年平均單價約為349.11萬元/臺，隨著ADCⅡ、LOkⅡ、ACHM等新工藝推出，2021年Q1-Q3單價提升至449.84萬元/臺。PF-200T設(shè)備方面，受益于銷量增加及生產(chǎn)管理流程優(yōu)化，2019年以來成本持續(xù)下降。2021年Q1-Q3，與前期配置相同的設(shè)備售價穩(wěn)定，新增的多樣化設(shè)備配置相應(yīng)進行價格調(diào)整，使得平均單價略有降低。1.3公司無實控人，大基金為第一大股東公司無控股股東和實際控制人。國家集成電路基金為公司第一大股東，持股比例26.48%。國投上海為公司第二大股東，持股比例18.23%。公司關(guān)聯(lián)方中微公司為第三大股東，持股比例11.20%。公司股東呂光泉、劉憶軍、凌復(fù)華、吳飚、周仁、張先智、張孝勇，以及沈陽盛騰、芯鑫和等11個員工持股平臺，均系公司股東姜謙的一致行動人，發(fā)行前合計持有公司15.19%的股份。其中，員工持股平臺合計持股12.10%。核心業(yè)務(wù)、管理、技術(shù)人員持有公司股票能夠?qū)崿F(xiàn)核心團隊與公司利益的綁定，激發(fā)公司員工積極性。1.4保持研發(fā)高投入，專利儲備雄厚拓荊科技專注研發(fā)，重視技術(shù)積累，過去數(shù)年間研發(fā)營收占比均維持在28%之上。半導(dǎo)體專用設(shè)備的技術(shù)復(fù)雜，客戶對設(shè)備的技術(shù)參數(shù)、運行的穩(wěn)定性有苛刻的要求，因此常年高研發(fā)投入積累是產(chǎn)品推陳出新和公司維持競爭優(yōu)勢的基礎(chǔ)。2018-2021年，公司研發(fā)費用分別為1.08億元、0.74億元、1.23億元和2.88億元，公司保持了高研發(fā)投入。研發(fā)費用率也維持在較高水平，2021年為38.04%。高水平的持續(xù)投入保障了公司產(chǎn)品的競爭力，為公司的業(yè)績的成長打下基礎(chǔ)。高比例的技術(shù)人才儲備和強大的核心管理團隊保障研發(fā)高效進行。截至2021年9月30日，公司擁有技術(shù)研發(fā)人員189人，占公司員工人數(shù)的比例為44.06%。公司核心技術(shù)研發(fā)團隊以呂光泉博士為核心，近年來公司核心技術(shù)研發(fā)團隊穩(wěn)定，具有較強的技術(shù)研發(fā)團隊優(yōu)勢。公司專利儲備雄厚，國家專項支持攻克關(guān)鍵領(lǐng)域。截至2022年3月8日，公司及下屬子公司已獲授權(quán)專利174項，其中境內(nèi)153項，包含發(fā)明專利77項、實用新型專利75項、外觀設(shè)計1項；其他國家或地區(qū)21項，包含中國臺灣地區(qū)的發(fā)明專利17項和美國的發(fā)明專利4項；國內(nèi)外和其他地區(qū)發(fā)明專利合計98項。公司承擔(dān)了國家科技重大專項“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”之“90-65nm等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備研發(fā)與應(yīng)用”項目、“1xnm3DNANDPECVD研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目。1.5高管團隊經(jīng)驗豐富公司高管團隊主要由海歸技術(shù)人員組成，均有英特爾、美國諾發(fā)等海外龍頭廠商工作經(jīng)歷。呂光泉，公司董事長，美國國籍，美國加州大學(xué)圣地亞哥分校博士。1994年8月至2014年8月，先后任職于美國科學(xué)基金會尖端電子材料研究中心、美國諾發(fā)、德國愛思強公司美國SSTS部，歷任副研究員、工程技術(shù)副總裁等職。2014年9月至今就職于公司，成功領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)團隊完成“1xnm3DNANDPECVD研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”國家重大科技專項，完成ALD、SACVD設(shè)備研發(fā)并產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。姜謙，公司董事，美國國籍，美國布蘭迪斯大學(xué)博士。1982年1月至2005年10月，先后任職于麻省理工學(xué)院、英特爾公司、美國諾發(fā)，歷任研究員、研發(fā)副總裁等職；2006年4月至2010年3月，任欣欣科技（沈陽）有限公司執(zhí)行董事；2010年4月至今就職于公司。成功領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)團隊完成“90-65nm等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備研發(fā)與應(yīng)用”研發(fā)，參與“1xnm3DNANDPECVD研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”國家重大科技專項及多項產(chǎn)品研發(fā)。田曉明，公司總經(jīng)理，美國國籍，美國東北大學(xué)電子工程學(xué)碩士，新加坡南洋理工大學(xué)工商管理碩士。1982年2月至2018年2月，先后任職或就讀于江西景光電子有限公司、美國東北大學(xué)、美國CodiSemiconductor,Inc.、泛林半導(dǎo)體、尼康精機（上海）有限公司，歷任設(shè)計工程師、資深副總裁等職。2018年2月至今就職于公司。參