自動化專業(yè)英語教程三零

自動化專業(yè)英語教程教學課件July28,2007P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件

A功率半導體器件1.課文內容簡介：主要介紹專業(yè)課《電力電子技術》中大功率二極管、晶閘管、雙向可控硅、門極可關斷晶閘管、電力金屬氧化物半導體（MOS）場效應晶體管、絕緣柵雙極型晶體管、金屬氧化物半導體控制的晶閘管、集成門極換向晶閘管的電路符號、伏安控制特性、特點和適用場合等內容。2.溫習《電力電子技術》中概述、第一章“晶閘管”等內容。3.生詞與短語convertern.轉換器，換流器，變流器matrixn.模型，矩陣dioden.二極管，半導體二極管thyristorn.晶閘管triacn.三端雙向晶閘管P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件GTO門極可關斷晶閘管BJT雙極結型晶體管powerMOSFET電力MOS場效應晶體管SIT靜態(tài)感應晶體管IGBT絕緣柵雙極型晶體管MCTMOS控制晶閘管IGCT集成門極換向晶閘管rectificationn.整流feedbackn.反饋freewheelingn.單向傳動snubbern.緩沖器，減震器intrinsicadj.固有的，體內的，本征forwardbiased正向偏置conductionn.導電，傳導emittern.發(fā)射極P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件reversebiased反向偏置leakagecurrent漏電流thresholdn.門限，閾限，極限breakdownn.擊穿，雪崩recoveryn.恢復schottkydiode肖基特二極管workhorsen.重載，重負荷thyratronn.閘流管breakovern.導通latchingcurrent閉鎖電流holdingcurrent保持電流phasecontrolled相控的asymmetricadj.不對稱的forcecommutated強制換向P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件SMPS開關電源BLDM無刷直流電動機steppermotor步進電動機hybridn.混合saturationn.飽和4.難句翻譯[1]Powerdiodesprovideuncontrolledrectificationofpowerandareusedinapplicationssuchaselectroplating,anodizing,batterycharging,welding,powersupplies(DCandAC),andvariable-frequencydrives.電力二極管提供不可控的整流電源，這些電源有很廣的應用，如：電鍍、電極氧化、電池充電、焊接、交直流電源和變頻驅動。P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件[2]Agateturn-offthyristor(GTO),asthenameindicates,isbasicallyathyristor-typedevicethatcanbeturnedonbyasmallpositivegatecurrentpulse,butinaddition，hasthecapabilityofbeingturnedoffbyanegativegatecurrentpulse．門極可關斷晶閘管，顧名思義，是一種晶閘管類型的器件。同其他晶閘管一樣，它可以由一個小的正門極電流脈沖觸發(fā)，但除此之外，它還能被負門極電流脈沖關斷。[3]Suchagatecurrentpulseofveryshortdurationandverylargedi/dthassmallenergycontentandcanbesuppliedbymultipleMOSFETsinparallelwithultra-lowleakageinductanceinthedrivecircuit.這樣一個持續(xù)時間非常短、di/dt非常大、能量又較小的門極電流脈沖可以由多個并聯(lián)的MOSFET來提供，并且驅動電路中的漏感要特別低。

P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件5.參考譯文A功率半導體器件功率半導體器件構成了現(xiàn)代電力電子設備的核心。它們以通-斷開關矩陣的方式被用于電力電子轉換器中。開關式功率變換的效率更高?，F(xiàn)今的功率半導體器件幾乎都是用硅材料制造，可分類如下：二極管晶閘管或可控硅雙向可控硅門極可關斷晶閘管雙極結型晶體管電力金屬氧化物半導體場效應晶體管P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件靜電感應晶體管絕緣柵雙極型晶體管金屬氧化物半導體控制的晶閘管集成門極換向晶閘管二極管電力二極管提供不可控的整流電源，這些電源有很廣的應用，如：電鍍、電極氧化、電池充電、焊接、交直流電源和變頻驅動。它們也被用于變換器和緩沖器的回饋和慣性滑行功能。典型的功率二極管具有P-I-N結構，即它幾乎是純半導體層（本征層），位于P-N結的中部以阻斷反向電壓。P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件圖1-4A-1二極管符號和伏安特性AnodeCathodeForwardconductiondropReverseleakagecurrentAvalanchebreakdown+IA-IA-VAP1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件圖1-4A-1給出了二極管符號和它的伏安特性曲線。在正向偏置條件下，二極管可用一個結偏置壓降和連續(xù)變化的電阻來表示，這樣可畫出一條斜率為正的伏安特性曲線。典型的正向導通壓降為1.0伏。導通壓降會引起導通損耗，必須用合適的吸熱設備對二極管進行冷卻來限制結溫上升。在反向偏置條件下，由于少數載流子的存在，有很小的泄漏電流流過，泄漏電流隨電壓逐漸增加。如果反向電壓超過了臨界值，叫做擊穿電壓，二極管雪崩擊穿，雪崩擊穿指的是當反向電流變大時由于結功率損耗過大造成的熱擊穿。電力二極管分類如下:標準或慢速恢復二極管快速恢復二極管肖特基二極管P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件晶閘管閘流管或可控硅一直是工業(yè)上用于大功率變換和控制的傳統(tǒng)設備。50年代后期，這種裝置的投入使用開辟了現(xiàn)代固態(tài)電力電子技術。術語“晶閘管”來自與其相應的充氣管等效裝置，閘流管。通常，晶閘管是個系列產品的總稱，包括可控硅、雙向可控硅、門極可關斷晶閘管、金屬氧化物半導體控制的晶閘管、集成門極換向晶閘管。晶閘管可分成標準或慢速相控型，快速開關型，電壓回饋逆變器型。逆變器型現(xiàn)已淘汰。圖1-4A-2給出了晶閘管符號和它的伏安特性曲線?；旧希чl管是一個三結P-N-P-N器件，器件內P-N-P和N-P-N兩個三極管按正反饋方式連接。P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件+IA-VACathodeAnodeLatchingcurrentHoldingcurrentForwardCondutiondropIG3>IG2>IG1IG3IG2IG1IG=0+VA-IAReverseLeakagecurrentAvalanchebreakdownForwardLeakagecurrentForwardBreakovervoltageGate圖1-4A-2晶閘管符號和伏安特性P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件晶閘管可阻斷正向和反向電壓（對稱阻斷）。當陽極為正時，晶閘管可由一個短暫的正門極電流脈沖觸發(fā)導通；但晶閘管一旦導通，門極即失去控制晶閘管關斷的能力。晶閘管也可由陽極過電壓、陽極電壓的上升率（dv/dt）、結溫的上升、PN結上的光照等產生誤導通。在門電流IG=0時，如果將正向電壓施加到晶閘管上，由于中間結的阻斷會產生漏電流；如果電壓超過臨界極限（轉折電壓），晶閘管進入導通狀態(tài)。隨著門極控制電流IG

的增加，正向轉折電壓隨之減少，最后，當門極控制電流IG=IG3時，整個正向阻斷區(qū)消失，晶閘管的工作狀態(tài)就和二極管一樣了。在晶閘管的門極出現(xiàn)一個最小電流，即阻塞電流，晶閘管將成功導通。P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件在導通期間，如果門極電流是零并且陽極電流降到臨界極限值以下，稱作維持電流，晶閘管轉換到正向阻斷狀態(tài)。相對反向電壓而言，晶閘管末端的P-N結處于反向偏置狀態(tài)?，F(xiàn)在的晶閘管具有大電壓（數千伏）、大電流（數千安）額定值。雙向可控硅雙向可控硅有復雜的復結結構，但從功能上講，它是在同一芯片上一對反并聯(lián)的相控晶閘管。圖1-4A-3給出了雙向可控硅的符號。在電源的正半周和負半周雙向可控硅通過施加門極觸發(fā)脈沖觸發(fā)導通。在Ⅰ+工作方式，T2端為正，雙向可控硅由正門極電流脈沖觸發(fā)導通。在Ⅲ-工作方式，T1端為正，雙向可控硅由負門極電流脈沖觸發(fā)導通。P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件雙向可控硅比一對反并聯(lián)的晶閘管便宜和易于控制，但它的集成結構有一些缺點。由于少數載流子效應，雙向可控硅的門極電流敏感性較差，關斷時間較長。由于同樣的原因，重復施加的dv/dt額定值較低，因此用于感性負載比較困難。雙向可控硅電路必須有精心設計的RC緩沖器。雙向可控硅用于電燈的亮度調節(jié)、加熱控制、聯(lián)合型電機驅動、50/60赫茲電源頻率的固態(tài)繼電器。GateT2T1圖1-4A-3雙向可控硅符號P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件門極可關斷晶閘管門極可關斷晶閘管，顧名思義，是一種晶閘管類型的器件。同其他晶閘管一樣，它可以由一個小的正門極電流脈沖觸發(fā)，但除此之外，它還能被負門極電流脈沖關斷。GTO的關斷能力來自由門極轉移P-N-P集電極的電流，因此消除P-N-P／N-P-N的正反饋效應。GTO有非對稱和對稱電壓阻斷兩種類型，分別用于電壓回饋和電流回饋變換器。GTO的阻斷電流增益定義為陽極電流與阻斷所需的負門極電流之比，典型值為4或5，非常低。這意味著6000安培的GTO需要1,500安培的門極電流脈沖。P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件但是，脈沖化的門極電流和與其相關的能量非常小，用低壓電力MOS場效應晶體管提供非常容易。GTO被用于電機驅動、靜態(tài)無功補償器和大容量AC/DC電源。大容量GTO的出現(xiàn)取代了強迫換流、電壓回饋的可控硅換流器。圖1-4A-4給出了GTO的符號。圖1-4A-4GTO符號GateAnodeCathodeKGP1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件電力MOS場效應晶體管與以前討論的器件不同，電力MOS場效應晶體管是一種單極、多數載流子、“零結”、電壓控制器件。圖1-4A-5給出了N型MOS場效應晶體管的符號。GateDrainDIntegralInversediodeSourceSVGSVDS圖1-4A-5MOSFET符號P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件如果柵極電壓為正并且超過它的門限值，N型溝道將被感應，允許在漏極和源極之間流過由多數載流子（電子）組成的電流。雖然柵極阻抗在穩(wěn)態(tài)非常高，有效的柵—源極電容在導通和關斷時會產生一個脈沖電流。MOS場效應晶體管有不對稱電壓阻斷能力，如圖所示內部集成一個通過所有的反向電流的二極管。二極管具有慢速恢復特性，在高頻應用場合下通常被一個外部連接的快速恢復二極管旁路。雖然對較高的電壓器件來說，MOS場效應晶體管處于導通時損耗較大，但它的導通和關斷時間非常小，因而開關損耗小。它確實沒有與雙極性器件相關的少數載流子存儲延遲問題。雖然在靜態(tài)MOS場效應晶體管可由電壓源來控制，通常的做法是在動態(tài)由電流源驅動而后跟隨一個電壓源來減少開關延遲。P1U4APowerSemiconductorDevices第一部分第四單元課文A功率半導體器件MOS場效應晶體管在低壓、小功率和高頻（數十萬赫茲）開關應用等領域得到極其廣泛的應用。譬如開關式電源、無刷直流電機、步進電機驅動和固態(tài)直流繼電器。絕緣柵雙極型晶體管在20世紀80年代中期出現(xiàn)的絕緣柵雙極型晶體管是功率半導體器件發(fā)展歷史上的一個重要里程碑。它們在中等功率（數千瓦到數兆瓦）的電力電子設備上處處可見，被廣泛用于直流/交流傳動和電源系統(tǒng)。它們在數兆瓦功率級取代了雙極結型晶體管，在數千瓦功率級正在取代門極可關斷晶閘管。IGBT基本上是混合的MOS門控通斷雙極性晶體管，它綜合了MOSFET和BJT的優(yōu)點。它的結構基本上與MOSFET的結構相似，只是在MOSFET的N+漏極層上的集電極加了一個額外的P+層。P1撓U4飄A穴P浸ow宿er疊S侄em辦ic爽on辛du牽ct欄or惠D砌ev雷ic卡es第一套部分醋第四換單元巴課文A功率土半導被體器鋸件IGB封T有MO接SF令ET的高輸憐入阻抗籮和像BJ租T的導樹通特叔性。如果剪門極富電壓獎相對混于發(fā)幕射極濕為正巖，P區(qū)的N型溝道賓受到感應。這優(yōu)個P-N院-P晶體警管正觸向偏游置的外基極—發(fā)射正極結祖使IG缺BT導通并蕩引起N－區(qū)傳導幣性調制潮，這使認得導通筍壓降大懇大低于MOS糊FET的導叫通壓批降。游在導尚通條反件下狹，在IG嗓BT的等效他電路中，驅巧動器MOS妻FET運送大蠻部分的金端子電牙流。由李寄生N-P治-N晶體攝管引悶起的疲與晶銹閘管導相似蔥的阻伍塞作蔑用通任過有纏效地亡減少P+層電浮阻系拆數和儀通過MOS貿FET將大部揀分電流般轉移而勾得到預防。CEG圖1-吼4A獨-6穴IG驕BT符號P1U逼4A育Po府wer玻Se菌mic燃ond鳳uct數or思Dev色ice輩s第一拉部分花第四夜單元撈課文A功率遞半導粒體器緣瑞件IG鞋BT通過郊減小葛門極傻電壓童到零爺或負識電壓蕉來關里斷，場這樣帽就切斷了P區(qū)的導丘通通道商。IGB挽T比BJ阿T或MO其SF訪ET有更高圣的電流密度竭。IGB租T的輸揚入電晚容(Cis叛s)比MO諷SF擺ET的要機小得襯多。還有，IGB討T的門極—集電特極電目容與壟門極—發(fā)射極副電容之尚比更低，關給出腿了改芬善的暈密勒伏反饋鄭效應茅。金屬氧調化物半委導體控告制的晶姥閘管金屬氧品化物半旅導體控冒制的晶搬閘管(MC精T)，正鑼像名正字所展說的那樣頂，是一笨種類似做于晶閘堅管，通牽過觸發(fā)繪進入導進通的混耍合器件，萌它可貿以通陪過在MO漿S門施譜加一騾個短決暫的壁電壓責脈沖響來控舌制通斷劍。MC傳T具有微仿單元結拜構，在喚那里同信一個芯蛛片上數柳千個微器件款并聯(lián)連棄接。單贏元結構岡有點復凱雜。P1U改4A著Po隔wer鄰Se椅mic菊ond鹽uct趣or許Dev攪ice駕s第一部窮分第四膝單元課綢文A功率半糕導體器酷件圖1-珍4A遠-7給出了MCT的符號部。它由朵一個相奇對于陽恭極的負電壓記脈沖觸扁發(fā)導通腰，由一時個相對涼于陽極下的正電紛壓脈沖余控制關斷符。MCT具有域類似舞晶閘銳管的P-頌N-擊P-扭N結構，苗在那里P-探N-伴P和N-針P-馬N兩個眨晶體評管部厚件連飾接成苗正反慈饋方蹤蝶式。篇但與基晶閘為管不同的怒是MCT只有掉單極煤（或蒸不對沉稱）醬電壓背阻斷仿能力摔。如售果MC俯T的門極強電壓相表對于陽貞極為負堵，在P型場效田應晶體地管中的P溝道受嘩到感歐應，蹦使N-P躁-N晶體管忍正向偏量置。這座也使P-咽N-中P晶體正向貫偏置寒，由胳正反驗饋效現(xiàn)應MC干T進入刃飽和漏狀態(tài)袍。在惹導通懲情況下，壓編降為1伏左右殊（類似犬于晶閘福管）。圖1-4A-7MCT符號GCP1U蓮4A爪Po攜wer牌Se梨mic據ond宅uct蓮or怨Dev塵ice佛s第一襲部分術第四融單元擾課文A功率半博導體器披件如果MC腹T的門極喘電壓相膽對于陽妙極為正蹤蝶，N型場辰效應銳晶體管飽仙和并將P-丙N-杰P晶體管幟的發(fā)射嶺極-基極短熟路。這慚將打破凈晶閘管工枝作的正寨反饋環(huán)劉，MCT關斷。勢關斷完偷全是由施于再結緣瑞合效應因而MC樹T的關斷嘆時間有酸點長。MCT有限定細的上升待速率，因此憂在MCT變換器壺中必須體加緩沖傻器電路激。最近丟，MC眨T已用于“靠軟開煉關”擠變換找器中搜，在之那不而用限短定上所升速禿率。播盡管察電路艦結構復雜忽，MC昌T的電彈流卻群比電冶力MO稿SF染ET、BJ厲T和IG佛B(yǎng)T的大，因妹此它需敘要有一五個較小見的死區(qū)擺。199廳2年在燥市場姐上可悶見到MCT，現(xiàn)在斯可買到摘中等功之率的MCT。MCT的發(fā)矮展前持景尚弓未可知輝。P1U賞4A脹Po撓wer漸Se賤mic浪ond暈uct蝦or酸Dev個ice卡s第一部蛙分第四盾單元課磨文A功率半角導體器百件集成發(fā)門極驅換向跡晶閘慕管集成聲門極價換向普晶閘格管是盼當前末電力撿半導批體家肉族的賊最新輔成員，遙由AB繳B在19險97年推賓出。討圖1-軌4A招-8給出解了IGC府T的符庫號?；旧馅A，IG運CT是一個籃具有單腸位關斷粉電流增童益的高抗壓、大嶺功率、瓜硬驅抗動不混對稱菌阻塞奶的GT輩O。這表坑示具有董可控3,切00肚0安培陽極電柏流的4,蓄50樸0螞V金IG畜CT需要3,0逝00安培欄負的軋門極就關斷朵電流。這捐樣一個姥持續(xù)時領間非常源短、di/dt非常大束、能量蒙又較小丘的門極退電流偵脈沖其可以自由多晉個并外聯(lián)的MOS側FET來提怪供，業(yè)并且冬驅動電路中屑的漏感敗要特別朗低。AG圖1-4苗A-8搖I哈GCT符號P1U雕4A題Po朽wer屑Se刑mic抗ond蘆uct墨or穿Dev閣ice狹s第一部御分第四快單元課擇文A功率扒半導城體器榮件門驅動墳電路內爪置在IG擺CT模塊內注。IG住CT內有一尤對單片脆集成的反今并聯(lián)二艇極管。嘩導通壓懼降、導顛通時電委流上升服率di/dt、門驅動殘器損頂耗、罩少數中載流斥子存耍儲時休間、碧關斷西時電肝壓上液升率dv/dt均優(yōu)蝴于GTO。IG櫻CT更快速伶的通斷白時間使俯它不用贏加緩沖猴器并具有比GT夏O更高龜的開錄關頻塵率。像多個IG球CT可以努串聯(lián)恐或并腔聯(lián)用于更大袋的功率蝴場合。IGC賭T已用于旋電力系辦統(tǒng)連鎖儀電力網文安裝（10帝0兆伏百安）尊和中祝等功賠率（棚最大5兆瓦）撤工業(yè)驅敘動。P1U排4B荷Po軟wer膀E化lec暗tro州nic區(qū)Co猾nve要rte南rs第一部惹分第四但單元課茫文B電力靠電子驢變換弱器B電力電慘子變換曬器1.課文內旗容簡介蔥：主要老介紹專搏業(yè)課《電力電舉子技術》中整流晶器、逆便變器、傘斬波器津、周波碌變換器咽的作用胡、工作訓原理、糊基本電同路結構貼等內容向。2.溫習《電力窯電子潔技術》中整流恐電路、蠻逆變電沿路、斬晌波電路策、交-交變頻擴電路等握內容。3.生詞與導短語rec孩tif橡iern.整流補器ch鬧op魄pe謎rn.斬波業(yè)器in盾ve哈rt齊ern.逆變似器cyc所loc夢onv絡ert析ern.周波變咱換器ele遵ctr齊och帖emi舍caladj爆.電化媽學的VAR靜態(tài)柜無功張功率ha侵rm棗on變ic故sn.諧波P1U竿4B現(xiàn)Po終wer滿E垃lec錄tro進nic奪Co母nve消rte然rs第一部爪分第四煎單元課暖文B電力鑄電子提變換柱器lag赴gin鬧gn.滯后，粗遲滯po或we享r饞fa搭ct銳or功率貌因數con擁fig齡ura痕tio悼nn.輪廓，慈格局vol不tag它e-f瓶ed帽inv破ert急er電壓獵源型邀逆變暢器cu塘rr枝en邊t-物fe背d伏in遷ve踏rt研er電流糠源型去逆變映器st熄if坦f縫vo副lt栽ag捉e療so槍ur詳ce恒壓午源st籃if夾f況cu冶rr護en扶t斧so閥ur苗ce恒流源The哪ven恐inim慘pe鞏da宣nc雞e戴維南擁電路等塌效阻抗fi狗lt遲ern.濾波期器is繪ol憲at綠io縮慧n四tr國an明sf筆or聾me渡r隔離戲變壓胳器buc境kc焰hop過per降壓式按變壓器bo慚os傘t企ch鋼op浴pe凳r升壓式障變壓器qu露ad歪ra竟ntn.象限dut殺yr軌ati拆o占空比濾，功率摟比P1舌U4春B澆P治ow肉er茂El蜜ec摧tr豪on養(yǎng)ic層C爬on腦ve小rt義er路s第一荒部分支第四獨單元東課文B電力芝電子只變換驕器4.難句翻云譯[1懸]幫T跪he董e速ff砍ic材ie油nc口y閉of悟t殖he頸r役ec錯ti鋤fi誼er曠s勾is慕v財er室y兆hi肺gh構,拘ty初pi址ca悔ll撫y概in態(tài)t霧he犧v撫ic蓬in羽it憲y鉗of天9刷8%危,荷be細ca繼us衛(wèi)e像de液vi鳴ce房誠c箱on沃du風ct等io詢n耳lo丈ss防i續(xù)s戚lo符w齡an臂d反sw新it鈴ch鏡in雨g至lo跳ss鉛i疊s襖pr杯ac反ti住ca貸ll條y聯(lián)ne岸gl燃ig遷ib槍le丹.由于煤器件綿開通含時損蓄耗低舊，且掉其開施關損甘耗幾闖乎可教忽略握不計立，故鵲該類毛整流犯器的叼效率記很高籌，典吹型值游約為98％。[2武]洞A朱va疲ri乏ab資le曾v寺ol橫ta縣ge貫s喚ou翻rc埋e符ca推n負be擺c朱on察ve肆rt估ed泊t映o介a氏va攤ri壞ab雁le垃c桶ur鉗re劍nt乎s困ou截rc輝e改by斗c縣on挽ne暴ct項io故n續(xù)a顆la幣rg量e匹in守du賄ct粘an建ce塞i傷n盟se目ri狐es笛a與nd謠c喘on鮮tr奮ol侵li義ng票t焰he梯v脊ol良ta相ge緞w驅it畢hi需n截a謹fe咸ed壟ba赤ck價c捐ur倆re碎nt粥c尿on制tr雜ol杯l山oo茄p.通過串鉆聯(lián)大電矮感，可口變電壓卸源可以禮在電流足反饋控奮制回路隙的控制學下轉換奮為可變線電流源脊。P1螺U4愚B誦P麻ow役er炸El禮ec粱tr留on辛ic瘡C渣on緩ve摧rt紀er志s第一補部分靠第四困單元兵課文B電力呆電子首變換樹器5.參考努譯文B電力電壁子變換顆器電力電榮子變換責器能將坐電力從如交流轉此換為直準流（整構流器），斬直流轉筆換為直銅流（斬牢波器）奪，直流柴轉換為刮交流（崇逆變器），廢同頻率編交流轉炸換為交活流（交戚流控制紋器），盤變頻率慌交流轉換為肺交流（狗周波變勢換器）僑。它們君是四種岔類型的揀電力電落子變換器健。變射換器售被廣疾泛用棕于加池熱和今燈光暖控制州，交墾流和只直流低電源，電傍化學過故程，直旋流和交匯流電極永驅動，鎖靜態(tài)無諸功補償遮，有源諧波宏濾波等降等。整流器整流器宮可將交狂流轉換爭成直流貨。整流候器可由幣二極管責、可控硅、GT提O、IGB肯T、IG孫CT等組成嫂。二極醫(yī)管和相抓控整流科器是電力電子麗設備中弱份額最紹大的部業(yè)分，它睬們的主農要任務奇是與電播力系統(tǒng)連慈接。P1席U4辦B蔬P粥ow懇er燥El礎ec獨tr蹤蝶on彩ic兩C暖on茅ve汗rt寇er慢s第一部傾分第四瓣單元課針文B電力域電子蘭變換京器由于暫器件運開通瞧時損拳耗低按，且打其開園關損妨耗幾伐乎可顏忽略議不計揚，故該類可整流臘器的爐效率劑很高嗎，典亞型值孟約為98％。設但是很，它士們的避缺點是在冷電力系還統(tǒng)中產鄰生諧波業(yè)，對其針他用戶彼產生供秀電質量濃問題。此貼外，晶茄閘管變秤換器給類電力系冤統(tǒng)提供規(guī)了一個刻滯后的腫低功率因況數負跑載。二極管撇整流器乳是最簡問單、可貌能也是截最重要必的電力場電子電路。摧因為卷功率輛只能竭從交淋流側矛流向盼直流頁側，趣所以溜它們毯是整哪流器。符最重忽要的統(tǒng)電路抬配置遙包括納單相錫二極獸管橋識和三釣相二鴿極管論橋。常用的壓負載包退括電阻百性負載噸、電阻-電感性釀負載、吵電容-電阻性負載婆。圖1-4妹B-1給出了旗帶RC負載助的三帆相二捏極管道橋式恰整流器。P1U袖4B絞Po換wer楊E存lec肺tro低nic單Co焰nve趙rte農rs第一部勝分第四廚單元課司文B電力電別子變換粗器圖1-4B-1帶RC負載的三相橋式整流器uaubucLaVD1VD3VD5VD4VD6VD2UdCFRLbLcNIdP1紙U4濕B鋤P啊ow響er于El豈ec丸tr精on敏ic煙C遠on秘ve屈rt迷er涂s第一耕部分攻第四醉單元錢課文B電力票電子輩變換滿器逆變器逆變器獻是從一努側接受鳴直流電首壓，在盛另一側毅將其轉肚換成交禿流電壓允的裝步置。到根據拉應用揀情況防，交為流電鄉(xiāng)豐壓和男頻率灶可以堅是可勿變的構或常數。荷逆變器?？煞殖沙痣妷涸从倚秃碗姶罅髟葱突顑煞N。左電壓源芝型逆變器在興輸入糟側應取有一席個剛女性的癢電壓墳源，綿即，噴電源嫂的戴爬維南霞電路挺等效阻菌抗應蠢該為申零。沾如果豈電源痰不是慌剛性基的，填再輸擊入側絕可接三一個顆大電容托。直喇流電腎壓可部以是墻固定債的或蝦可變種的，飲可從核電網梳或交至流發(fā)耐電機通過咐一個整裂流器和鹽濾波器句得到。捧電流注林入或電師流源型闖逆變器，像庫名字所觸表示的瘦那樣，氏在輸入護側有一吃個剛性吃的直流勸電流源，與心電壓源凝型逆變賊器需要娘一個剛沖性的電四壓源相芳對應。啄通過串聯(lián)大很電感怠，可嚷變電你壓源尾可以臺在電府流反罷饋控剃制回桃路的皮控制票下轉膨換為可刻變電董流源穿。這槍兩種壩逆變捏器都陶有著隨廣泛哭的應篇用。慮它們繭使用厭的半導貞體器油件可墳以是IG米BT、電治力MOS厘FET和IGC廈T等等。圖1-贊4B拆-2給出垂了一愈種三她相橋咐式電蟻壓源蔬型逆瘦變器愛的常乎見電路。P1谷U4湊B屈P代ow圖er腰El冊ec絲式tr頭on常ic淘C而on尿ve襖rt朵er報s第一部怠分第四點單元課燃文B電力蘭電子辯變換莊器AC圖1-4B-2帶電感負載的三相橋式電壓型逆變器LoadcanbCUdLrIaIdP1乖U4武B乘P員ow抗er坦El蠢ec魂tr閘on宅ic楊C棉on抹ve甜rt鐵er貞s第一漿部分另第四燃單元徐課文B電力尼電子窄變換搏器斬波器斬波器變將直流材電源轉宰換成另澆一個具堤有不同功終端參燒數的直流電黨源。常它們士被廣儲泛用首于開陰關式責電源時和直釀流電寬機啟湯動。肉其中一些斬院波器，磨尤其是足電源中談的斬波知器，有玩一個隔摘離變壓舊器。斬波器嫁經常在芹不同電鵲壓的直臨流系統(tǒng)隨中用作樂連接器薯。降壓和速升壓斬喪波器是勉兩種基垃本的斬鐘波器結企構。分庸別稱作Buc思k斬波總器和Boo魔st斬波器隱。但是跟，要清便楚降壓惜斬波器升也是升流斬蛙波器，微反之亦斬然，因喊為輸入濤功率一柴定等于搶輸出功妹率。降-升壓部斬波霧器既徐可降稱壓也蹈可升勝壓。香所有躲這些傅斬波思器在旺電路靠結構上勵可有槽一、低二、填四象易限的上變化賞。圖1-峰4B僅-3給出任了降殘壓斬懂波器伶的電解路結碎構，執(zhí)它是統(tǒng)一種睛電壓降、據電流瞧升斬膏波器話。雙偉位開悼關由宅電路概開關S和二極通管組成瓦。開關S以1/Ts的頻率帝通斷，備導通時務間為τ。電齡壓波