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靜息電位陳慧玲寧波衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院靜息電位的概念靜息電位的產(chǎn)生機制學(xué)習(xí)內(nèi)容

R0mV-70~-90mV神經(jīng)纖維RP靜息電位(restingpotential,RP)概念:細(xì)胞未受刺激時,存在于細(xì)胞膜內(nèi)外兩側(cè)的電位差。AB電流表極化:細(xì)胞在靜息時,膜內(nèi)帶負(fù)電、膜外帶正電的狀態(tài)。靜息電位正常時,細(xì)胞內(nèi)K+濃度高于細(xì)胞外細(xì)胞外Na+濃度高于細(xì)胞內(nèi)靜息電位安靜時,細(xì)胞膜對K+通透性大,對Na+通透性小

靜息電位靜息電位產(chǎn)生機制——K+外流靜息電位什么是靜息電位?靜息電位的產(chǎn)生機制是什么?單項選擇:1.形成靜息電位的主要因素是A.K+

內(nèi)流B.Cl-

內(nèi)流C.Na+

內(nèi)流D.K+

外流E.Ca2+

內(nèi)流思考:是指細(xì)胞未受刺激時存在于細(xì)胞膜內(nèi)外兩側(cè)的電位差

K+外流

陳慧玲寧波衛(wèi)生職業(yè)技術(shù)學(xué)院

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