第一章 半導(dǎo)體材料

第一章半導(dǎo)體材料第1頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三1.1半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)半導(dǎo)體材料是非常重要的一種信息功能材料，是集成電路產(chǎn)業(yè)的支撐材料。半導(dǎo)體具有獨特的物理性質(zhì)，對力、熱、光、雜質(zhì)非常敏感，可用于制備各種功能器件。第2頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三第3頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三一、半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)能帶結(jié)構(gòu)：直接帶隙半導(dǎo)體：價帶頂與導(dǎo)帶底直接對應(yīng)；間接帶隙半導(dǎo)體：價帶頂與導(dǎo)帶底不直接對應(yīng)第4頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三第5頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三

許多半導(dǎo)體（4000種）都具有面心立方結(jié)構(gòu)第6頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三

ⅳ族元素半導(dǎo)體（Si,Ge）大多具有金剛石結(jié)構(gòu)(同一種元素構(gòu)成)，化合物半導(dǎo)體（ⅲ-ⅴ族，如GaAs）具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)（兩套原子構(gòu)成）。這兩類結(jié)構(gòu)都屬于面心立方結(jié)構(gòu)第7頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三n-型施主雜質(zhì)P+p–型受主雜質(zhì)B–本征型純-SiN型、p型半導(dǎo)體摻雜：在半導(dǎo)體認(rèn)為引入某種雜質(zhì)。第8頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三間隙式雜質(zhì)：雜質(zhì)原子位于晶格原子的間隙位置；替位式雜質(zhì)：雜質(zhì)原子位于晶格原子的格點位置。摻雜工藝：主要為熱擴散和離子注入第9頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三替位式雜質(zhì)雜質(zhì)原子的大小與晶體原子相似，價電子的殼層結(jié)構(gòu)比較相近。III、V族元素在硅、鍺中均為替位式雜質(zhì)。間隙式雜質(zhì)：雜質(zhì)原子較小，如離子鋰(Li+)半徑為0.068nm第10頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三根據(jù)導(dǎo)電類型區(qū)分受主雜質(zhì)施主雜質(zhì)V族元素在硅、鍺中電離時能產(chǎn)生導(dǎo)電電子并形成正電中心的雜質(zhì)稱為施主雜質(zhì)。第11頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三受主雜質(zhì)第12頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三硅、鍺中摻入V族的磷原子雜質(zhì)時，磷原子周圍比硅原子周圍多一個束縛著的價電子。好像在硅、鍺晶體中多加了一個“氫原子”。雜質(zhì)原子氫原子多余的價電子氫外層電子淺能級雜質(zhì)電離能簡單計算類氫模型氫原子電離后，電子位于無窮遠(yuǎn)處，受束縛力很弱，也是準(zhǔn)自由電子。雜質(zhì)離化后，雜質(zhì)電子進(jìn)入導(dǎo)帶，成準(zhǔn)自由電子；第13頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三氫原子中的電子能量：n=1,2,3……，為主量子數(shù)，氫原子基態(tài)電子的電離能當(dāng)n=1和無窮時第14頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三考慮到晶體中正、負(fù)電荷處于介電常數(shù)ε=ε0εr的介質(zhì)中，且在周期勢場中運動，電子的質(zhì)量要用有效質(zhì)量所以有施主雜質(zhì)電離能：受主雜質(zhì)電離能：(2.2)(2.3)第15頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三1、沒反映出雜質(zhì)原子的影響。2、本身是一個近似模型。類氫模型的不足：Si:

r=12,ΔED=0.1mn*/m0，小于0.1eV.mn*=0.26m0，ΔED=0.025eV.Ge:r=16,ΔED=0.05mn*/m0，小于0.05eVmn*=0.12m0，ΔED=0.0046eV.與實驗結(jié)果很符合。第16頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三3.半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布★半導(dǎo)體中的能帶結(jié)構(gòu)第17頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三熱平衡狀態(tài)下，半導(dǎo)體中導(dǎo)電的電子、空穴都稱為熱平衡載流子。導(dǎo)電電子濃度和空穴濃度都保持一個穩(wěn)定的數(shù)值。Nc稱為導(dǎo)帶底有效狀態(tài)密度。Nv稱為價帶頂?shù)挠行顟B(tài)密度。導(dǎo)帶電子價帶空穴EF

為費米能級，電子填充率剛好等于1/2對應(yīng)的能級第18頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三對應(yīng)關(guān)系：對導(dǎo)帶：能級Ec，狀態(tài)密度是Nc對價帶：能級Ev，狀態(tài)密度Nv1、n、p表達(dá)式的特點：共同點：結(jié)構(gòu)很對稱

第19頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三1.溫度A、影響Nc和Nv：與溫度T3/2成正比關(guān)系.電子、空穴濃度與溫度有關(guān)2.EF在能帶中的相對位置;2、影響因素的特點第20頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三對gc(E)fF(E)求導(dǎo)可知，最多電子數(shù)的能級出現(xiàn)在x=1/2處，即E=Ec+koT/2。第21頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三n型半導(dǎo)體p型半導(dǎo)體：EF在能帶圖中的位置體現(xiàn)了半導(dǎo)體的載流子濃度分布情況。EF的變化，實質(zhì)上反應(yīng)了允帶載流子濃度的變化。本征半導(dǎo)體：EF隨摻雜變化情況EFEcEvEFEF第22頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三設(shè)本征半導(dǎo)體的載流子濃度ni,對本征半導(dǎo)體，存在ni=n0=p0，則有ni2=n0p0Eg=Ec-Ev,為半導(dǎo)體電子能帶隙寬度，為導(dǎo)帶底與價帶頂之間的距離說明任何非簡并半導(dǎo)體熱平衡時載流子濃度的乘積等于該溫度時本征載流子濃度的平方，與所含雜質(zhì)無關(guān)。適用范圍：本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體第23頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三對一定的半導(dǎo)體材料，本征載流子濃度隨溫度的升高而迅速增加。這就是載流子濃度與溫度的定量關(guān)系；對不同的半導(dǎo)體材料，禁帶寬度越大，本征載流子濃度就越小。第24頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三對雜質(zhì)半導(dǎo)體，一種載流子濃度增加，另一種載流子濃度必然減小。一定溫度下，只要EF確定，電子、空穴濃度也確定。第25頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三二、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性質(zhì)1.載流子的漂移運動和電導(dǎo)率電子的運動A.熱運動：無規(guī)則擴散B.漂移運動：外電場作用下電子所做的規(guī)則、定向運動電子帶負(fù)電，運動方向與電場方向相反，空穴帶正電，運動方向與電場方向相同載流子濃度載流子的運動速度電導(dǎo)率：導(dǎo)電能力的強弱（σ）第26頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三在截面為S,長度為l的材料上流過電流I，則界面上的電流密度為J=I/S=Eμ稱為載流子的遷移率，反映電子在晶體中運動能力的大小。電場不很強時(E<103V/cm),Vd和E成正比，設(shè)比例系數(shù)為μ，則滿足關(guān)系式：Vd=μE,第27頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三電導(dǎo)率與遷移率成正比。第28頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三

實際半導(dǎo)體中的載流子在外電場作用下，速度不會無限增大，根本原因:受散射（碰撞）的緣故。

載流子本身在晶格中作無規(guī)則熱運動，格點原子在格點附近作熱振動，半導(dǎo)體中還有雜質(zhì)原子。Vd=μE（2）載流子的散射第29頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三碰撞：載流子與晶格、雜質(zhì)(電離、未電離)、電子、晶格缺陷及其它等。（粒子性角度），不斷改變運動速度和方向。

在外電場和散射雙重作用下，載流子從電場中獲得速度，散射又不斷地將載流子散射到各個方向，使漂移不能無限地增大。第30頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三電離雜質(zhì)的散射(1)、庫侖勢場：施主雜質(zhì)電離形成正電中心、受主雜質(zhì)電離形成負(fù)電中心，引入庫侖附加勢場，破壞了原來的周期性勢場，使載流子的運動方向發(fā)生改變，產(chǎn)生電離雜質(zhì)散射。晶格散射第31頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三三、半導(dǎo)體的光電性質(zhì)1.半導(dǎo)體的光吸收(1)本征吸收光照下，價帶中的電子吸收光子能量后從價帶躍遷到導(dǎo)帶，產(chǎn)生電子-空穴對。電子的這種帶與帶間躍遷的吸收過程。本征吸收發(fā)生的必要條件：光子能量h大于等于禁帶寬度Eg,即hh0=Eg本征吸收限：當(dāng)光子頻率小于0(波長大于0)時，吸收系數(shù)迅速下降，對應(yīng)的頻率0或波長0為本征吸收限。第32頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三第33頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三直接躍遷：躍遷過程中，價帶中的電子垂直躍遷到具有相同波矢k的導(dǎo)帶上。直接帶隙半導(dǎo)體：在本征吸收過程中，產(chǎn)生電子的直接躍遷過程間接帶隙半導(dǎo)體：導(dǎo)帶極小值和價帶極大值不具有相同的k的半導(dǎo)體。在本征吸收過程中，產(chǎn)生電子的間接躍遷過程第34頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三（2）.激子吸收如果光子的能量小于禁帶寬度，電子不能躍遷到導(dǎo)帶。但可以與價帶上的空穴形成一個束縛較弱的電子-空穴對，這種電子-空穴對稱為激子。（3）.雜質(zhì)吸收束縛在雜質(zhì)能級上的電子-空穴對發(fā)生躍遷引起的光吸收。第35頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三（4）.自由載流子吸收

導(dǎo)帶上的電子（空穴）在其所在的導(dǎo)帶（價帶）內(nèi)的能級上躍遷發(fā)生的光吸收，通常稱為帶內(nèi)躍遷。由于帶內(nèi)能級間隔很小，所以其吸收譜基本上為連續(xù)譜。（5）.聲子吸收晶格振動產(chǎn)生的吸收第36頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三2.光電導(dǎo)用一定波長的光照射半導(dǎo)體，若光子能量hEg,吸收光子能量，電子被激發(fā)到導(dǎo)帶，產(chǎn)生電子-空穴對。即產(chǎn)生非平衡載流子n、p，n稱為非平衡載流子第37頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三小注入時，0+0第38頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三n和p又稱之為光生載流子。顯然,n和p將使半導(dǎo)體的電導(dǎo)增加一個量σ,我們稱之為光電導(dǎo)。電導(dǎo)增量為光電導(dǎo)增加將在外電路增加的光電流i這種光電導(dǎo)型光電器件已廣泛應(yīng)用于光敏電阻、光電探測器等。第39頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三四、半導(dǎo)體的界面特性1.pn結(jié)Pn相關(guān)器件認(rèn)識二極管整流橋第40頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三第41頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三一塊P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起，在其交接面處形成PN結(jié)。PN結(jié)是各種半導(dǎo)體器件，如結(jié)型晶體管、集成電路的心臟。pn結(jié)附近電離的受主、施主所帶電荷稱為空間電荷（不可移動）。所在的區(qū)域為空間電荷區(qū)第42頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三電子從費米能級高的n區(qū)流向費米能級低的p區(qū)，空穴從p流到n區(qū)。最后，Pn具有統(tǒng)一費米能級EF,Pn結(jié)處于平衡狀態(tài)。第43頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三外加正向偏壓下產(chǎn)生現(xiàn)象：勢壘區(qū)電場減??；勢壘區(qū)空間電荷減?。粌綦娏鳌?；寬度減??；勢壘高度降低(高度從qVD降到q（VD-V)第44頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三外加反向電場與內(nèi)建勢場方向一致?，F(xiàn)象：勢壘區(qū)電場增大，勢壘區(qū)空間電荷增大；寬度增大；勢壘高度升高(高度從qVD升高到q（VD+V)；

第45頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三理想pn結(jié)的電流、電壓方程正向偏壓下，電流密度隨電壓V指數(shù)式迅速增大反向偏壓下，V<0,當(dāng)qV>>k0T時，Pn結(jié)的單向?qū)щ娦缘?6頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三2.光生伏特效應(yīng)光照下，在P區(qū)光生空穴對空穴濃度影響很小，而對電子濃度影響很大，從P形成電子擴散勢。若P區(qū)厚度小于電子擴散長度，則電子進(jìn)入pn結(jié)，內(nèi)建電場掃向n區(qū)，光生電子空穴對被內(nèi)建電場分開，p區(qū)、n區(qū)兩端形成負(fù)的開路電壓，稱為光生伏特效應(yīng)。第47頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三光伏現(xiàn)象——半導(dǎo)體材料的“結(jié)”效應(yīng)。光照下激發(fā)電子－空穴對時，內(nèi)建電場將電子空穴對分開，在勢壘兩側(cè)形成電荷堆積，形成光生伏特效應(yīng)。光照零偏pn結(jié)產(chǎn)生開路電壓的效應(yīng)——光伏效應(yīng)——光電池，u0=R0i0光照反偏工作時，觀察到的光電信號是光電流，不是光電壓，結(jié)型光電探測器的工作原理反偏pn結(jié)通常稱為光電二極管第48頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三五、半導(dǎo)體的磁學(xué)性質(zhì)1.霍爾效應(yīng)霍爾效應(yīng)是霍爾（A.H.Hall）于1879年在研究金屬的導(dǎo)電機構(gòu)時發(fā)現(xiàn)的。后來發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)比金屬強得多，利用這現(xiàn)象制成的各種霍爾元件，廣泛地應(yīng)用于工業(yè)自動化技術(shù)、檢測技術(shù)及信息處理等方面。霍爾效應(yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法。通過測定的霍爾系數(shù)，能夠判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數(shù)。第49頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三將一塊半導(dǎo)體或?qū)w材料，沿Z方向加以磁場沿X方向通以電流I，則在Y方向產(chǎn)生出電動勢這現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)，稱為霍爾電壓。，原理第50頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三在磁場不太強時，電位差VH與電流強度I和磁感應(yīng)強度B成正比，與板的厚度d成反比，即稱為霍爾系數(shù)電子所受到的洛侖茲力和電場力為

第51頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三平衡時若N型單晶中的電子濃度為n，則流過樣片橫截面的電流I=nebdV

第52頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三稱為霍爾系數(shù)，它表示材料產(chǎn)生霍爾效應(yīng)的本領(lǐng)大小第53頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三（2）半導(dǎo)體的磁阻效應(yīng)當(dāng)半導(dǎo)體處于磁場中時，半導(dǎo)體的電阻會增加。這就是磁阻效應(yīng)。電阻值隨外加磁場變化而變化的現(xiàn)象。若外加磁場與外加電場垂直，稱為橫向磁阻效應(yīng)；若外加磁場與外加電場平行，稱為縱向磁阻效應(yīng)。磁阻效應(yīng)原理第54頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三磁阻分物理磁阻效應(yīng)和幾何磁阻效應(yīng)

物理磁阻效應(yīng)：如果霍爾電場作用和某載流子的洛侖茲力作用剛好抵消，因而沿外加電場方向運動的載流子數(shù)目將減少，使該方向的電阻增大，表現(xiàn)橫向磁阻效應(yīng)。如果將a、b端短接，霍爾電場將不存在，所有電子將向b端偏轉(zhuǎn)，使電阻變得更大，因而磁阻效應(yīng)加強。因此，霍爾效應(yīng)比較明顯的樣品，磁阻效應(yīng)就??；霍爾效應(yīng)比較小的，磁阻效應(yīng)就大。

第55頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三幾何磁阻效應(yīng)：磁阻效應(yīng)也與樣品的形狀有關(guān)，不同幾何形狀的樣品，在同樣大小的磁場作用下，其電阻變化不同一般磁阻開始，磁阻發(fā)展經(jīng)歷了巨磁阻（GMR）、龐磁阻（CMR）、穿隧磁阻（TMR）、直沖磁阻（BMR）和異常磁阻（EMR）。磁阻器件由于靈敏度高、抗干擾能力強等在工業(yè)、交通、儀器儀表、醫(yī)療器械、探礦等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，如數(shù)字式羅盤、交通車輛檢測、導(dǎo)航系統(tǒng)、偽鈔檢別、位置測量等。

2007年諾貝爾物理學(xué)獎授予法國物理學(xué)家阿爾伯特·福特和德國物理學(xué)家彼得·格林德，以表彰他們發(fā)現(xiàn)巨磁電阻效應(yīng)的貢獻(xiàn)。

第56頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三1.2半導(dǎo)體材料的制備技術(shù)一、塊狀單晶的生長技術(shù)廣泛應(yīng)用的方法是切克勞斯基方法，又稱為提拉法。

第57頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三1）工業(yè)硅工業(yè)硅：純度約為97%石英砂與焦炭反應(yīng)制得：半導(dǎo)體器件要求：9個9以上第58頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三第59頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三濺射法：濺射原理，出射的粒子大多呈原子狀態(tài)，常稱為濺射原子。用于轟擊靶的高能粒子可以是電子、離子或中性粒子，由于離子在電場下易于加速并獲得所需動能，因此大多采用離子作為轟擊粒子，稱為濺射離子。濺射現(xiàn)象是1852年Grove在研究輝光放電時首次發(fā)現(xiàn)的，現(xiàn)已廣泛用于各種薄膜的制備之中。第60頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三第61頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三第62頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三第63頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三濺射技術(shù)的最新成就之一是磁控濺射。在磁控濺射中引入了正交電磁場，使離化率提高到5-6%，于是濺射速率大大提高，對許多材料，濺射速率達(dá)到了電子束蒸發(fā)的水平。第64頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三第65頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三分子束外延外延（Epitaxis）是指在適當(dāng)?shù)囊r底和合適的條件下，沿襯底材料晶向生長一層結(jié)晶結(jié)構(gòu)完整的新單晶層薄膜的方法（薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和襯底的晶體結(jié)構(gòu)保持嚴(yán)格的延伸關(guān)系），新生單晶層稱為外延層。外延用于生長元素、半導(dǎo)體化合物和合金薄結(jié)晶層。這一方法可以較好地控制膜的純度、完整性以及摻雜級別。

第66頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三第67頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三MBE：由超高真空室、基片加熱塊、分子束盒和各種監(jiān)控儀器組成。此外，除生長室外，系統(tǒng)還包括用于交換樣品的進(jìn)樣室和用于分析樣品的分析室。第68頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三第69頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三(ULVACBCS2000)MBE系統(tǒng)的改造*捐贈者：新日本制鐵公司使用歷史：II-VI腔生長了三年MgZnCdSeIII-V腔GaAsII-VI腔內(nèi)機械清除3個月連續(xù)高溫烘烤安裝氧rf-plasma及氮rf-plasma系統(tǒng)安裝氫等離子體系統(tǒng)增加Ga-cell第70頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三3.金屬有機化學(xué)氣相沉積在加熱襯底表面上，通過一種或者幾種氣態(tài)元素或者化合物間發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)而形成薄膜材料的薄膜制備手段稱為化學(xué)氣相沉積法，簡稱CVD（ChemicalVaporDeposition）。第71頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三MOCVD是近年迅速發(fā)展起來的新型外延技術(shù)，成功地用于制備超晶格結(jié)構(gòu)、超高速器件和量子阱激光器等。第72頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三MOCVD的獨特優(yōu)點：MOCVD的最主要特點是沉積溫度低。例如ZnSe薄膜，采用普通CVD技術(shù)沉積溫度在850℃左右，而MOCVD僅為350℃左右；MOCVD由于不采用鹵化物原料，因此在沉積過程中不存在刻蝕反應(yīng)，可以制備極薄的突變膜層；MOCVD的適用范圍廣，幾乎可以生長所有化合物和合金半導(dǎo)體。單一的生長溫度范圍，反應(yīng)裝置容易設(shè)計，較氣相外延簡單。適合大批量生產(chǎn)?？稍谒{(lán)寶石、尖晶石基片上實現(xiàn)外延生長。第73頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三1.3鍺、硅半導(dǎo)體材料

金剛石結(jié)構(gòu)(diamondstructure)特點：每個原子周圍都有四個最近鄰原子。共價鍵夾角109度28分硅Si，鍺Ge都是共價鍵晶體,銀白色金屬光澤,晶體硬而脆第74頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三主要特點：1.每一個原子有4個最近鄰原子。例如，離頂點o點最近鄰原子為一個對角線1/4處的原子、三個面心原子，它們形成了一個正四面體，每個鍵為共價鍵結(jié)合。第75頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三性質(zhì)符號硅鍺單位晶體結(jié)構(gòu)晶格常數(shù)介電常數(shù)

禁帶寬度(300K)

電子遷移率空穴遷移率

電子擴散系數(shù)空穴擴散系數(shù)本征電阻率本征載流子密度

aεEgμnμpDnDpρini金剛石型0.543111.71.111350480

34.612.32.3×1051.5×1010

金剛石型0.5657

16.30.6739001900100.048.746.02.4×1013nmeVcm2／V·scm2／V·scm2／scm2／sΩ·cmcm-3表1-1硅鍺的主要物理性質(zhì)第76頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三在自然界存在形式：硅：

二氧化硅（SiO2）硅酸鹽硅酸三鈣(3CaO·SiO2)，硅酸二鈣(2CaO·SiO2)，Na2SiO3，CaSiO3，A12(Si2O5)(OH)4。鍺：硫化物形式存在：4Ag2S·GeS2(硫銀鍺礦)和2PbS·GeS2(硫鉛鍺礦)。第77頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三鍺、硅與鹵素或鹵化氫作用可生成相應(yīng)的鹵化物

Si+2Cl2===SiCl4Si十3HCl===SiHCl3+H2

Ge+2Cl2===GeCl4GeO2+4HCl===GeCl4+2H2O第78頁，共86頁，2023年，2月20日，星期三硅、鍺沿<111>和<100>方向上的能帶結(jié)構(gòu)圖。間接帶隙第79頁，共