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字符（8X16點陣）64X256點陣顯示RAM（GDRAM）。電源：VDD3.3V~+5V(內(nèi)置升壓電路，無需負壓)；顯示內(nèi)容：128列×64行與MCU接口：84位并行/3位串行配置LED背光項目 尺 模 積定 寸視域行數(shù)點距離點大小128X641-2-3-456789--)/- A為數(shù)據(jù)傳送方向控制：H表示數(shù)據(jù)從LCDMCU，L表示數(shù)據(jù)從MCU第二字節(jié)：(并行)84位—DDDD0000第三字節(jié)：(并行)84位—0000DDDD串行接口時序參數(shù)：(測試條件：T=25℃VDD=4.5V)0000000001將DDRAM填滿“20H”，并且設(shè)定DDRAM000000001X設(shè)定DDRAM令并不改變DDRAM00000001S0000001DCBD=1：整體顯示ONC=1：游標ONB=1：游標位置000001XX00001X0XX （必須設(shè)為1）設(shè)定 0001設(shè)定0010110寫入資料到內(nèi)部的讀出11從內(nèi)部RAMRW765432100000000001將DDRAM填滿20H”，并且設(shè)定DDRAM的地址計數(shù)址或IRAM000000001000000014行中的任一行0000001XX式000011X1G0G=1：繪圖顯示G=0：繪圖顯示 IRAM0001ICONIRAM圖0011、當模塊在接受指令前，微處理順必須先確認模塊內(nèi)部處于非忙碌狀態(tài)，即BF標志時BF需為0，方可接受新的指令；如果在送出一個指令前并查BF標志，那么一個指令和這個指令中間必須延遲一段較長的時間，即是等待前一個指令確實執(zhí)行完成，指令執(zhí)行的時間請參考指令表中的個別指令說明2、 LLLLLLLLLH功能：清除顯示屏幕，把DDRAM位址計數(shù)器調(diào)整為“00H” LLLLLLLLHX功能：把DDRAM位址計數(shù)器調(diào)整為“00H”，游標回原點，該功能不影響顯示DDRAM LLLLLLLHS功能：把DDRAM位址計數(shù)器調(diào)整為“00H”，游標回原點，該功能不影響顯示DDRAM功能：執(zhí)行該命令Z地址計數(shù)器控制的，該命令自動將A0-A5位地址送入Z0-63范圍內(nèi)任意一行。Z地址計數(shù)器具有循環(huán)計數(shù)功能，用于顯示 LLLLLLHDCB功能：D=1；整體顯示ON C=1；游標ON B=1；游標位置ON LLLLLHXX LLLLHX0XX功能：DL=1（必須設(shè)為1） 7、設(shè)定CGRAM位址 LLLH功能：設(shè)定CGRAM位址到位址計數(shù)器8、設(shè)定DDRAM LLH功能：設(shè)定DDRAM位址到位址計數(shù)器 LH10、寫資料到 HL功能：寫入資料到內(nèi)部的11、讀出RAM HH功能：從內(nèi)部RAM資料12 LLLLLLLLLH13、卷動位址或IRAM位址選擇 LLLLLLLLH SR=0；允許輸入IRAM位 LLLLLLLH LLLLLLHXX LLLLHHX1GL RE=0；基本指令集動作G=1；繪圖顯示ON G=0；繪圖顯示OFF17、設(shè)定IRAM位址或卷動位址（017H） LLLH 18、設(shè)定繪圖RAM位址 LLH功能：設(shè)定GDRAM位址到位址計數(shù)器水平方向X—以字節(jié)單位垂直方向Y—2X1、文本顯示1、文本顯示CGRAM的字型；ST7920AHCGROM字型、CGRAM字型及中文CGROM字型。三種字型的選擇，由在DDRAM中寫入的編碼選擇，各種字型詳細編碼如下：顯示CGRAM字型：將兩字節(jié)編碼寫入DDRAM中，總共有0000H，0002H，0004H，0006H四種編碼DDRAMKA1A0H-F7FFH(GB碼)A140H-D75FH(BIG5碼)繪圖繪圖顯示RAM提供128×8個字節(jié)的空間，在更改繪圖RAM時，先連續(xù)寫入水平與垂直的坐標值，RAM，而地址計數(shù)器（AC）RAM的期間，繪圖顯示必須關(guān)閉，整個寫入繪圖RAM的步驟如下：2、先將水平的位元組坐標（X）寫入繪圖RAM地址；再將垂直的坐標（Y