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精品文檔-下載后可編輯在基站射頻功率放大器上硅電容器解決方案-技術(shù)方案伴隨高速大容量5G通信技術(shù)而來(lái)的信號(hào)寬帶化及挑戰(zhàn)
為了達(dá)到相當(dāng)于現(xiàn)行網(wǎng)速100倍的10Gbps,如何利用比現(xiàn)行帶寬寬數(shù)倍至數(shù)十倍的帶寬已成為一大研究課題。但眾所周知,若以大功率輸出寬帶信號(hào),功率放大器模塊(PAM)內(nèi)將會(huì)出現(xiàn)互調(diào)失真(IMD)問(wèn)題,降低信號(hào)完整性。IMD的頻率與帶寬成正比例關(guān)系,2階IMD中造成問(wèn)題的頻率在Sub6GHz中達(dá)到400MHz,在毫米波中則達(dá)到數(shù)GHz。
應(yīng)用對(duì)象:基站的射頻功率放大器模塊
去耦解決方案
利用硅電容器的解決方案
以下將介紹消除二階IMD的方法。IMD的低頻段可通過(guò)與場(chǎng)效應(yīng)管的漏極相連的偏置電路消除,但是IMD的高頻段因?yàn)槭艿接糜赗F-Blocking的微帶線(xiàn)等的影響,難以在功率放大器模塊外消除。在此要介紹的方法就是,將硅電容器(Si-Cap)直接用于功率放大器模塊內(nèi)的金屬基板上,通過(guò)打線(xiàn)方式將硅電容與FET連接。
通過(guò)這種方法,利用在實(shí)際使用條件下能夠保持大容量的小型硅電容器,可以在功率放大器模塊的有限空間內(nèi)消除IMD。
硅電容器的特點(diǎn)
讓小型×大容量在實(shí)際使用條件(外施電壓時(shí)及高溫環(huán)境)下得到實(shí)現(xiàn)
硅電容器采用村田技術(shù)通過(guò)深溝槽及三角架支柱的結(jié)構(gòu),獲得了比平面結(jié)構(gòu)大100倍的電極表面積,實(shí)現(xiàn)了緊湊封裝。另外,因?yàn)楣桦娙萜鞯碾娊橘|(zhì)使用了溫度補(bǔ)償類(lèi)材料,所以在實(shí)際使用條件下容量不會(huì)減少,達(dá)到了上下電極式小型產(chǎn)品領(lǐng)域中的級(jí)別靜電容量密度。
單芯片中實(shí)現(xiàn)各功率放大器模塊所需的合適的靜電容量和阻值
村田除了提供標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)硅電容器產(chǎn)品外,還可根據(jù)客戶(hù)需求定制IPD(集成無(wú)源器件)。IPD方案可以在單個(gè)芯片中根據(jù)期望的個(gè)數(shù)集成想要的容量和阻值。因此,我們有能力制作標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)
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